JPH0342747A - メモリ試験方式 - Google Patents

メモリ試験方式

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JPH0342747A
JPH0342747A JP1178560A JP17856089A JPH0342747A JP H0342747 A JPH0342747 A JP H0342747A JP 1178560 A JP1178560 A JP 1178560A JP 17856089 A JP17856089 A JP 17856089A JP H0342747 A JPH0342747 A JP H0342747A
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JP
Japan
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Application number
JP1178560A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Kikuchi
均 菊地
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0342747A publication Critical patent/JPH0342747A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリ試験方式に関する。
〔従来の技術〕
従来のメモリ試験は、ROMについてはサイクリック冗
長コード(以下CRCと記す)を利用して試験し、RA
Mについては順次全番地につきRAMよりデータを読み
、読み取ったデータを反転させて、読み出した番地に書
き込み、又同一番地より読み出し、書き込んだデータと
読み出したデータが一致していることを確認することに
より行なっていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のメモリ試験方式は、同一番地に対して読
み出しと演算後の書き込みを行なっているため、アドレ
ス線に障害があってもメモリ障害として検出できないと
いう欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のメモリ試験方式は、Oを除く2のべき乗数で定
まるRAMアドレスのすべてについて個々に、 他のRAMアドレス及びアドレスOとは異なるデータを
書き込んで読み出し、またアドレスOにRAMアドレス
とは異なる固定データを書き込んて°読み出し、 これら両読み出しデータを比較することによりRAMア
ドレスを与えるアドレス線の障害有無を試験可能にした
ことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実htM例を示すフローチャートで
あり、第2図は本発明が適用されるマイクロコンピュー
タシステム構成図である。
第2図において、マイクロコンピュータ1はマイクロコ
ンピュータバス4を介してリートオンリメモリ(以下R
OMと記す)2と、ランダムアクセスメモリ(以下RA
Mと記す)3と接続されている。
ROM2とRAM3は同じ数のアドレスを有し、アドレ
ス線5の最上位で両者のいずれかを指定するようにして
いる。従って、アドレス線5の他の桁によっては、RO
M2とR,AM3は同時に同一アドレスが指定されるよ
うな対応関係にある。
メモリ試験時には、マイクロコンピュータ1は、最初に
ROM’2からデータをマイクロコンピュータバス4を
経由して読み出し、その読み出したデ゛−タをCCI 
TT−CRCに準じた演算をしてROM2の試験を行う
。演算した結果はマイクロコンピュータ1に保持してお
く。
次にROM2の現在のアドレスに対応するRAM3から
データを読み出して、後に書き戻すためにマイクロコン
ピュータ1に保持しておき、続いてROM2の現在のア
ドレスからデータを読み、このデータをRAM3へ書き
込み、さらにRAM3の同アドレスを読み出して書いた
データと読み取ったデータが一致しているか確認する。
このような、ROM2とR,A M 3の試験を、アド
レスを歩進して繰返す。又、ROM2が最終アドレスに
になって、CRCデータを読み取りCCIT”r”−C
RCに準じた演算を行った時点でCRC演算結果がal
l”O”となることを確認することでROM2.RAM
3のメモリ試験ができる。
以上に説明したような試験では、RAM3に対するアド
レス線(RAM3内部の部分も含む)に障害があっても
、比較対象となる、書いたデータと読み取ったデータの
アドレスは同一のアドレス線で指定されるものであるた
め、メモリ試験の結果は正常となってしまう。
そこで、本発明においては、更に第1図にフローチャー
トを示すような手順によりメモリ試験を行なうようにし
ている。
第1図において、先ず、I=Oと置き(ステップ■)、
ステップ■において■≧N(Nはアドレス線5の本数〉
となるまで以下のような処理を繰り返す。
RAM3の0番地にal l  ”O” 、1番地に“
1”″を書き(ステップ■、■)−RAM3の0番地と
1番地を読み出して比較しくステップ■■)all “
0″と“1′″であることを試験する(ステップ■)。
このとき、もしアドレス線5の最下位に障害があれば、
ステップ■において、1番地ではなく0番地に“1″が
書き込まれるためステップ■において両データが一致す
るのでアドレス線5の最下位の障害を検出できる(ステ
ップ■)。また、両データが不一致なら■を歩進させ(
ステップ■)、RAM3の0番地にall “O″ 2
番地に” 2 ”を書き(ステップ■。
■)、RAM3の0番地と2番地を読み出して(ステッ
プ■、■)、all “0“と“2′°であることを試
験する(ステップ■)。
この繰返しを0番地は固定し、4番地に゛4′″84′
″’8”、166番地” 16 ”というように2のべ
き乗番地に番地と同じデータを書き込んで、アドレス線
5のすべてについて1本づつその障害有無を試験してい
く。
以上の実施例においては、2のべき乗番地に番地と同じ
データを書き込んでいるが、本発明はこのことに限定さ
れることはなく、書き込むデータは、他に2のべき乗番
地及び0番地に書き込むデータと異なった一意のもので
あればよい。
〔発明の効果〕
本発明は、以上に説明したように、2のべき乗数て定ま
る異なった2つのアドレスに異なったデータを書き込ん
で読み出し、これら両読み出しデータを比較する構成と
したため、比較の結果によりRAMアドレス線の障害を
検出することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すフローチャート、第2
図は本実施例のマイクロコンピュータ構成図である。 1・・・マイクロコンピュータ、2・・・リードオンリ
メモリ(ROM)、3・・・ランタムアクセスメモリ(
RAM) 、4・・・マイクロコンピュータバス、5・
・・アドレス線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 0を除く2のべき乗数で定まるRAMアドレスのすべて
    について個々に、 他の前記RAMアドレス及びアドレス0とは異なるデー
    タを書き込んで読み出し、また前記アドレス0に前記R
    AMアドレスとは異なる固定データを書き込んで読み出
    し、 これら両読み出しデータを比較することにより前記RA
    Mアドレスを与えるアドレス線の障害有無を試験可能に
    したことを特徴とするメモリ試験方式。
JP1178560A 1989-07-10 1989-07-10 メモリ試験方式 Pending JPH0342747A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04302045A (ja) * 1991-03-29 1992-10-26 Fujitsu Ltd 障害診断システム
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CN108335721A (zh) * 2018-03-14 2018-07-27 烽火通信科技股份有限公司 一种实时检测随机存取存储器地址线故障的方法及系统

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