KR20020070292A - 여분의 기억 소자를 구비한 메모리를 검사하는 장치 - Google Patents

Abstract

메모리 테스터(10)는 메모리 셀의 주소 지정 가능한 행과 열을 포함하고 있는 피시험 램 디바이스(DUT)를 검사하고, 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행과 열을 교체하기 위하여 여분의 행과 열의 효율적인 배치 방법을 결정할 수 있도록 하는 정보를 호스트 컴퓨터에게 제공한다. 검사하는 동안, 메모리 테스터(10)는 에러 캡쳐 메모리(ECM)(22)의 각 어드레스로 비트를 기록하여 대응되게 주소 지정된 DUT(12)의 메모리 셀에 결함이 있는지의 여부를 나타낸다. 테스터(10)는 또한 결함이 있는 각 행과 열의 메모리 셀에 대한 수를 계수한다. 검사한 후, 계수 값은 호스트 컴퓨터(14)로 공급된다. 이 호스트 컴퓨터(14)가 이 계수 값만으로 여분의 행과 열을 배치하는 방법을 결정할 수 없을 경우에, 호스트 컴퓨터(14)는 테스터(10)가 결함이 있는 메모리 셀의 어드레스를 결정하고 이 어드레스를 호스트 컴퓨터에게 제공하도록 ECM(22)의 데이터를 처리하도록 한다.

Description

여분의 기억 소자를 구비한 메모리를 검사하는 장치 {APPARATUS FOR TESTING MEMORIES WITH REDUNDANT STORAGE ELEMENTS}

통상적인 램(random access memory, RAM)은 메모리 셀의 행과 열의 어레이를 포함하고 있고, 각 셀은 행과 열 어드레스에 대한 의 고유 조합을 가지고 있다. 많은 램은 메모리 셀의 여분 행과 여분 열 형태로 여분의 기억 소자(redundant storage elements)를 구비하고 있다. 이런 램에 결함 메모리 셀이 발견되면, 이 메모리 셀을 포함하고 있는 행이나 열은 램의 여분 행이나 여분 열 중 하나로 교체될 수 있다. 이러한 교체 동작은 레이저나 다른 수단을 이용하여 램을 변경함으로써 이루어지므로, 여분의 행이나 여분의 열은 결함 셀을 포함하고 있는 행이나 열 대신에 주소 지정된다.

이런 램이 결함 셀을 갖고 있으면, 결함 셀의 행이나 열을 여분의 행이나 여분의 셀로 교체하여 램을 수리할 수 있다. 그러나 여분의 행과 여분의 열을 효율적으로 배치하는 것이 중요하다. 예를 들면, 램이 하나의 여분 행과 세 개의 여분 열을 가지고 있다고 가정하자. 또한 램이 자신의 첫 번째 행에 발생하는 세 개의 결함 셀을 포함하여 6개의 결함 셀을 갖고 있다고 가정하자. 이 제1 행을 여분의 행으로 교체하면, 세 개의 여분 열을 이용하여, 첫 번째 행에 존재하지 않는 세 개의 결함 셀을 포함하고 있는 열을 대체할 수 있다. 그러나 세 개의 여분 열을 이용하여 제1 행에 존재하는 세 개의 셀을 포함하고 있는 열을 교체할 경우, 제1 행 에 존재하지 않는 세 개의 셀을 교체하기에는 나머지 여분 행과 여분 열이 충분하지 않다.

종래의 메모리 테스터는 통상적으로 메모리 셀에 데이터를 기록한 후, 그 데이터를 다시 판독하여 판독된 데이터가 셀에 기록된 데이터와 일치하는지를 판정하여, 피시험 램 디바이스(DUT)의 메모리 셀을 각각 검사한다. 고속 메모리 테스터는 데이터를 메모리 셀에 기록하고 그것을 다시 판독할 때 필요한 데이터, 어드레스 및 제어 신호를 생성하기 위하여 패턴 생성기나 카운터를 이용한다. 하드웨어 비교기는 통상적으로 메모리의 입력 및 출력 데이터를 비교하고, 이 비교 결과를 기억하기 위하여 각 메모리 셀마다 하나의 기억 메모리를 구비하고 있는 "에러 캡쳐 메모리(error capture memory)"로 그 비교 결과를 나타내는 데이터를 공급한다. DUT의 각 메모리 셀을 검사한 후, 에러 캡쳐 메모리의 컨텐츠는 DUT의 비트 맵(bit map)을 구성한다. 이 비트 맵은 DUT의 대응 메모리 셀에 결함이 있는지의 여부를 나타내는 각 비트를 구비하고 있다. 검사를 한 다음에, 호스트 컴퓨터는 에러 캡쳐 메모리의 컨텐츠를 판독하고, 그것으로부터 결함 메모리 셀을 교체할 때의 여분 행과 여분 열에 대한 최상의 배치 방법을 정한다.

이러한 시스템이 갖고 있는 하나의 문제는 에러 캡쳐 메모리가 검사할 메모리의 수만큼 많은 셀을 구비하고 있어야 하므로 메모리가 상당히 대형화되기 때문에, 호스트 컴퓨터는 에러 캡쳐 메모리의 모든 데이터를 판독하기 위하여 상대적으로 긴 시간을 필요로 한다는 것이다.

수 천 개의 메모리가 연속으로 검사되는 생산 환경에서, 획득된 에러 데이터를 판독하기 위하여 호스트 컴퓨터가 필요한 총 시간은 상당히 길고 이 시간의 대부분은 메모리를 검사하는데 소요된다.

그래서 메모리를 신속하게 검사할 수 있고, 호스트 컴퓨터가 여분 행과 여분 열의 배치 방법을 정할 수 있도록 할 때 필요한 상대적으로 적은 양의 데이터를 이 호스트 컴퓨터로 신속하게 제공하며, 에러 캡쳐 메모리의 전체 컨텐츠를 호스트 컴퓨터가 판독할 필요가 없는 메모리 검사 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.

본 발명은 결함 셀(defective cell)을 갖는 행(row)과 열(column)을 대체하는데 이용될 수 있는 메모리 셀의 여분 행과 여분 열(spare rows and columns)을 갖는 메모리에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이러한 메모리를 검사하고 여분의 행과 열에 대한 배치(allocation)를 용이하게 할 수 있는 데이터를 생성하는 장치에 관한 것이다.

도 1은 램(RAM)을 검사하기 위한 본 발명의 메모리 테스터(10)에 대한 블록도이다.

도 2는 메모리 테스터의 컨트롤러가 TEST 명령에 응답하는 방식을 나타내는 순서도이다.

도 3은 도 1에 도시한 컨트롤러의 좀더 상세한 블록도이다.

본 발명에 따른 메모리 테스터는 메모리 셀의 주소 지정 가능한 행과 열을 포함하는 피시험 램 디바이스(DUT, random access memory device under test)를 신속하게 검사하고, 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행과 열을 교체하기 위하여 여분의 행과 여분의 열을 효율적으로 배치하는 방법을 결정할 수 있는 충분한 정보를 호스트 컴퓨터에게 신속하게 제공하는 것이다.

검사하는 동안에, 메모리 테스터는 DUT의 각 메모리 셀을 검사하고, 에러 캡쳐 메모리(ECM, error capture memory)의 각 어드레스로 비트를 기록하여 DUT의 주소 지정된 대응 메모리 셀에 결함이 있는지의 여부를 나타낸다.

본 발명의 한 특징에 따르면, 테스터는 또한 각 행과 열의 결함이 있는 메모리 셀의 수를 계수한다. 검사한 후, 각 행과 열에 대한 계수 값은 호스트 컴퓨터로 공급된다. 많은 경우에, 호스트 컴퓨터는 이 계수 데이터만을 기초로 하여 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 DUT의 행과 열을 교체하기 위한 여분의 행과 여분의 열의 배치 방법을 결정한다.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 호스트 컴퓨터가 계수 데이터만으로 여분의 행과 여분의 열의 배치 방법을 결정할 수 없는 경우에, 호스트 컴퓨터는 테스터에게 요구하여 결함 메모리 셀의 특정 어드레스를 정하고 이 특정 어드레스를 호스트 컴퓨터에게 공급하도록 ECM의 데이터를 처리하도록 한다. 그런 다음, 호스트 컴퓨터는 이 어드레스 데이터에 기초하여 여분의 행과 여분의 열에 대한 배치 방법을 결정할 수 있게 된다.

본 발명에 따른 메모리 테스터는 컴팩트한 형태로 정보를 제공하고, 어느 셀에 결함이 있는지를 결정하기 위하여 호스트 컴퓨터가 ECM의 모든 기억 장소를 액세스하여 직접 판독하지 않아도 되기 때문에, 통상적인 종래의 테스터보다 신속하게 호스트 컴퓨터로 필요한 정보를 공급한다. 대부분의 경우, 호스트 컴퓨터가 에러 계수 데이터에만 기초하여 여분의 행과 여분의 열을 위한 적정 배치 방법을 결정할 수 있기 때문에, 호스트 컴퓨터가 상대적으로 적은 양의 행과 열의 에러 계수 데이터를 획득한 후에, 검사 과정을 종료한다. 호스트 컴퓨터가 이 계수 데이터만으로 여분의 행과 여분의 열의 배치 방법을 결정하지 못하더라도, ECM의 컨텐츠를 판독하여 처리하지는 않는다. 좀더 신속하게 실행할 수 있도록 테스터 내의 하드웨어에 의해 이러한 판독 및 처리 동작이 행해진다. 또한 ECM의 모든 기억 장소가 판독되지 않는다. 본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 테스터는 결함 셀을 포함하고 있는 DUT의 행이나 열에 대응하는 ECM의 행(또는 열)만으로부터의 데이터를 판독하여 처리한다. 따라서 본 발명의 목적은 여분의 행과 여분의 열을 구비하고 있는 메모리를 신속하게 검사하고, 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행과 열을 교체하기 위한 여분의 행과 여분의 열에 대한 효율적인 배치 방법을 결정하기에 충분한 적은 양의 데이터를 호스트 컴퓨터에게 제공하기 위한 것이다.

본 명세서의 결론 부분은 본 발명의 주제를 특별히 지적하고 명백하게 청구한다. 그러나 해당 분야의 당업자는 첨부한 도면과 명세서의 나머지 부분을 판독함에 따라 본 발명의 추가적인 장점과 목적과 함께, 본 발명의 구조 및 동작 방식 모두를 잘 이해할 것이다. 도면에서 동일한 부분에는 같은 도면 부호를 부여한다.

도 1은 피시험 램 디바이스(random access memory device under test, DUT)(12)를 검사하기 위한 본 발명의 메모리 테스터(10)에 대한 블록도이다. DUT(12)는 메모리 셀의 행과 열의 어레이를 포함하고 있고, 각 셀은 행과 열 어드레스에 대한 고유 조합을 가지고 있다. DUT(12)는 또한 여러 개의 여분 행과 여분 열을 포함하고 있다. 결함 메모리 셀을 구비하고 있는 램(12)이 발견되면, 이들 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행이나 열은 여분의 행과 여분의 열로 교체될 수 있다. 램을 변형(modify)하기 위하여, 예를 들면 레이저나 다른 수단을 이용하여 교체 동작을 실행하므로, 결함 셀을 포함하고 있는 행이나 열을 대신에 여분의 행이나 여분의 열으로 주소 지정된다. 메모리 테스터(10)는 DUT(12)를 검사하여 DUT의 셀에 결함이 있는지를 판정하고 통상적인 컴퓨터 버스(15)를 통하여 호스트 컴퓨터(14)로 검사 결과를 나타내는 데이터를 공급한다. 호스트 컴퓨터(14)는 이 검사 결과에 대한 데이터를 기초로 하여 DUT의 여분 행과 여분 열의 배치 방법을 정한다.

메모리 검사

DUT(12)가 설치되어 검사될 준비가 되면, 호스트 컴퓨터(14)는 버스(15)를 경유하여 테스터(10) 내의 컨트롤러(16)로 검사의 시작을 알리는 "TEST" 명령을 전송한다. 그런 다음, 컨트롤러(16)는 DUT(12)에 대한 검사를 시작한다. 메모리 테스터(10)는 DUT(12)의 각 메모리 셀에 데이터를 기록하고, 이 메모리 셀로부터 이 데이터를 다시 판독하며, 메모리의 입력 데이터와 출력 데이터를 비교하여 DUT(12)를 검사한다. 입력 및 출력 데이터가 일치하지 않으면, 셀에 결함이 발생한 것이다. 테스터(10)는 모든 메모리 셀을 적어도 두 번 체크하여, 메모리 셀이 확실하게 각 비트 위치에 논리 "0"과 논리 "1" 모두를 적절히 기억하고 다시 판독될 수 있도록 한다.

도 2는 컨트롤러(16)가 TEST 명령에 어떻게 응답하는지를 나타내는 순서도이다. TEST 명령을 수신하면, 컨트롤러(16)는 다음에 기재하는 방식으로 테스터(10)를 초기화한다(단계 40). 그런 다음, 컨트롤러(16)는 어드레스 입력(ADDRESS)으로서 제1 행의 제1 셀에 대한 어드레스를 DUT(12)로 공급하고(단계 42), EXPECT 데이터의 각 비트와 EXPECT 데이터 값을 논리 "0"으로 설정하며(단계 44), DUT(12)에 대한 데이터 버스 입력으로 각 데이터 비트(DATA)를 논리 "0"으로 설정한다(단계 46). 그런 다음, 컨트롤러(16)는 입력된 현재 ADDRESS에 의해 나타낸 어드레스에 입력된 현재 DATA를 기록할 수 있게 DUT(12)로 입력되는 판독/기록 데이터 신호(R/W)를 셋트시킨다(단계 48). 그런 후, 컨트롤러(16)는 R/W를 셋트시켜 DUT(12)가 DATA 버스를 통해 기억된 데이터를 다시 판독할 수 있도록 한다(단계 49). 비교기(20)는 EXPECT 데이터를 DUT(12)에서 판독된 데이터와 비교하여, 두 데이터 값이 일치하면 논리 "0" 상태인 FAIL_IN 신호를 생성하고, 두 데이터 값이 일치하지 않으면 논리 "1" 상태인 FAIL_IN 신호를 생성한다.

도 1의 테스터(10)는 DUT(12)로 입력되는 ADDRESS를 또한 수신하는 에러 캡쳐 메모리(ECM)(22)를 구비하고 있다. ECM(22)은 DUT(12)의 각 메모리 셀에 대응하고 메모리 셀과 동일한 어드레스를 가지고 있는 별개의 단일 비트 기억장소(storage location)를 구비하고 있다. 초기화 과정 중(단계 40)에, 컨트롤러(16)는 ECM(22)의 각 기억 장소에 '0"을 기록한다. 비교기(20)가 출력인 FAIL_IN 신호의 상태를 셋트시킨 후, 컨트롤러(16)는 ECM(22)으로 입력되는 기록/판독 제어 신호(CAPTURE)에 펄스를 발생시킨다(pulse). 비교기(20)의 출력인 FAIL_IN이 "1"이면, ECM(22)은 현재 주소 지정된 기억 장소에 "1"을 기록한다. 그러나 FAIL_IN 비트가 "0"이면, ECM(22)은 현재 주소 지정된 기억 장소에 데이터 비트를 기록하지 않는다.

그런 다음, 컨트롤러(16)는 DUT(12)의 각 I/O 핀에 대응하는 EXPECT 데이터의 각 비트를 "1"로 정하고(단계 52), DATA 버스 상의 각 데이터 비트를 모드 "1"로 정하며(단계 54), 현재 주소 지정된 셀에 데이터를 기록하도록 DUT(12)에게 신호를 보낸다(단계 56). 그런 다음, 컨트롤러(16)는 DATA 버스 상에서 데이터를 다시 판독하도록 DUT(12)에게 신호를 보낸다(단계 58). 그런 후, 컨트롤러(16)는 다시 CAPTURE 신호에 펄스를 발생시킨다(단계 60). 이 때, DUT(12)의 DATA 출력이 EXPECT 데이터(모두 "1")와 일치하면, 비교기의 출력인 FAIL_IN 데이터는 "0"이고, DUT(12)의 DATA 출력이 EXPECT 데이터와 일치하지 않으면 FAIL_IN 데이터는 "1"이다. 그 후, 컨트롤러(16)가 다시 CAPTURE 신호에 펄스를 발생시키면(단계 60), 이에 대한 응답으로 ECM(22)은 FAIL_IN 비트가 "1"이면 현재 주소 지정된 기억 장소에 "1"을 기억하고, 그렇지 않으면 그 기억 장소의 컨텐츠를 변경하지 않는다.

그래서 단계 (60)이후에, DUT(12)의 대응하는 셀이 "0"과 "1" 모두를 정확하게 기억하고 판독되면 ECM(22)의 현재 주소 지정된 기억 장소의 컨텐츠는 "0"이고,그렇지 않고 대응하는 DUT 셀이 "0"이나 "1"을 정확하게 기억하고 판독되는데 실패하면 컨텐츠는 "1"이 된다.

DUT(12)로 입력된 현재 ADDRESS가 검사될 마지막 어드레스가 아니면(단계 62), 컨트롤러(61)는 검사될 다음 어드레스를 주소 지정하도록 입력인 ADDRESS를 셋트시킨 다음(단계 64), DUT(12)의 다음 어드레스를 검사하기 위하여 단계 (44) 내지 단계 (60)을 반복하여, ECM(22)는 다음 기억 장소에 "1" 또는 "0" 비트를 기억하여 DUT(12)의 주소 지정된 다음 셀에 결함이 있는지의 여부를 나타낸다. DUT(12)의 각 메모리 셀마다 단계 (44) 내지 단계 (66)를 반복하여 DUT(12)의 마지막 메모리 어드레스를 검사한 후, ECM(12)의 컨텐츠는 DUT(12)의 결함 셀에 대한 비트 맵을 작성한다. 이 때, 컨트롤러(16)는 버스(15)를 통해서 호스트 컴퓨터(14)에게 READY 명령을 전송하여(단계 66) DUT(12)의 검사를 완료했다는 것을 호스트 컴퓨터에게 알려준다.

또한 테스터(10)는 DUT(12)의 각 행과 열에 하나씩 주소 지정 가능한 한 셋트의 카운터(24)를 포함하고 있다. 초기화 단계(40)(도 2) 동안, 컨트롤러(16)는 모든 카운터(24)의 계수 값을 리셋(제로)하는 RESET 신호에 펄스를 출력한다. 그런 후, 검사하는 동안, 각 카운터(24)는 대응하는 행이나 열에서 페일된 셀의 개수를 계수한다. 이러한 동작 중에, 각 카운터(24)는 ADDRESS 버스를 감시하고, DUT(12)의 대응하는 행이나 열이 주소 지정될 때 계수 값을 인에이블한다. 그래서 컨트롤러(16)는 ADDRESS 버스에 메모리 셀의 어드레스를 실을 때마다(put), 메모리 셀의 행에 대응하는 카운터와 메모리 셀의 열에 대응하는 카운터인 두 개의 카운터(24)가 인에이블된다. 각 카운터(24)는 AND 게이트(26)에 의해 생성된 증가 신호(increment signal, INC)를 수신한다. AND 게이트(26)는 비반전 입력으로 비교기(20)의 출력인 FAIL_IN 출력을 수신하고, 현재 주소 지정된 ECM 기억 장소의 컨텐츠(FAIL_OUT)를 반전 입력으로 수신한다. 컨트롤러(61)가 CAPTURE 신호에 펄스를 출력하기 바로 전에, FAIL_IN 신호가 "1"이고 현재 주소 지정된 ECM 셀의 컨텐츠(FAIL_OUT)가 "0"이면, AND 게이트(26)의 출력은 "1"이 된다. 각 카운터(24)는 단계 (50)과 단계 (60)에서 컨트롤러(16)에 의해 생성된 CAPTURE 신호를 수신한다(도 2). 현재 주소 지정된 DUT(12) 셀의 행과 열에 대응하는 현재 인에이블된 카운터(24)는 입력인 INC 신호가 "1"이면 CAPTURE 신호 펄스의 상승 에지에 응답하여 자신의 계수 값을 증가시키고, 그렇지 않으면 계수 값을 증가시키는 것을 중지한다(refrain). 그래서 셀이 "0"과 "1"의 기록/판독 검사 모두에서 실패하더라도, 이 셀의 행과 열에 대응하는 카운터(24)는 단지 첫 번째 검출된 실패만을 계수한다. 그러므로 검사를 종료할 때, 각 카운터(24)가 계수한 값은 결함이 있는 대응 행이나 열에 존재하는 셀의 수를 나타낸다.

에러 계수 값 해석(error count analysis)

통상적인 버스 인터페이스 회로(27)는 주소 지정 가능한 데이터 기억 장소로서 버스(15)에 나타나는 각 행 및 열 페일 카운터(24)의 출력 계수 값을 호스트 컴퓨터(14)가 판독할 수 있도록 한다. 검사를 종료한 후 컨트롤러(16)로부터의 READY 신호를 수신한 후, 호스트 컴퓨터(14)는 버스(15)와 인터페이스(27)를 통해서 각카운터(24)의 출력인 계수 값을 판독한다. 이 데이터는 호스트 컴퓨터가 특정 셀에 결함이 있는지의 여부를 판정할 수 있도록 하지는 않지만, 호스트 컴퓨터가 어떤 행이나 열에 결함 셀이 있는지, 얼마나 많은 결함 셀이 각 행과 열에 존재하는지 그리고 어떤 특정 행이나 열이 반드시 교체되어야 하는지를 판정할 수 있도록 호스트 컴퓨터를 인에이블시킨다. 그러나 이 데이터는 DUT(12)가 교체될 필요가 없다는 것을 호스트 컴퓨터(14)가 충분히 판정할 수 있도록 하는 정보이고, 많은 경우에, DUT(12)가 교체될 필요가 있을 때 어떻게 DUT(12)를 수리할 것인지를 호스트 컴퓨터(14)가 충분히 판정할 수 있도록 하는 정보이다.

카운터(24)에 의해 발생된 계수 데이터를 판독한 후, 호스트 컴퓨터(14)는 이 계수 데이터에 기초하여 다음 여섯 경우 중 하나를 선택한다.

1. 계수 데이터가 결함 DUT 셀이 없다는 것을 나타내면, 호스트 컴퓨터(14)는 DUT(12)의 모든 셀이 완전히 동작 가능하다고 간주하여, 이 DUT에 대한 검사 절차를 종료하고, 이 DUT를 동작 가능한 것으로 로깅한다(log).

2. 계수 데이터가 이용 가능한 여분 열의 수보다 많은 결함 셀을 갖고 있는 행의 수가 이용 가능한 여분 행의 수를 초과한다는 것을 나타내면, 호스트 컴퓨터(14)는 DUT(12)가 수리될 수 없다고 판정하고, 이 DUT에 대한 검사 절차를 종료하며, DUT가 수리될 수 없다고 로깅한다.

3. 계수 데이터가 이용 가능한 여분 행의 수보다 많은 결함 셀을 갖고 있는 열의 수가 이용 가능한 여분 열의 수를 초과한다는 것을 나타내면, 호스트 컴퓨터(14)는 DUT(12)가 수리될 수 없다고 판정하고, 이 DUT에 대한 검사 절차를마치며, DUT가 수리될 수 없다고 로깅한다.

4. 고장난(malfunctioning) 셀을 포함하고 있는 행의 수가 여분의 행의 수보다 적으면, 호스트 컴퓨터(14)는 각 결함 행을 교체하기 위하여 여분의 행을 지정하고(assign), 검사를 종료하며, DUT를 수리 가능한(fixable) 것으로 로깅한다.

5. 고장난 셀을 포함하고 있는 열의 수가 여분의 열의 수보다 적으면, 호스트 컴퓨터(14)는 각 결함 열을 교체하기 위하여 여분의 열을 지정하고(assign), 검사를 종료하며, DUT를 수리 가능한 것으로 로깅한다.

6. 카운터(24)의 출력 데이터가 위에서 기재한 1 내지 5의 경우 중 하나를 호스트 컴퓨터(14)가 실행할 수 없도록 하면, 호스트 컴퓨터(14)는 이 출력 데이터로부터 어떤 행이나 열이 여분의 행이나 열로 반드시 교체되어야 한다고 결정한다. 결함 셀의 행을 여분의 행으로 교체하거나 결함 셀의 열을 여분의 열로 교체함으로써 이 결함 셀을 교체할 수 있지만, 행에 있는 결함 셀의 수가 여분 열의 수를 초과하는 경우에만 결함 셀의 행은 교체될 수 있다. 유사하게 열에 있는 결함 셀의 수가 이용 가능한 여분 행의 수를 초과할 경우에만 셀의 열은 교체될 수 있다. 유사하게 "반드시 수리(must repair)"되어야 할 행과 열을 교체하기 위하여 여분의 행과 열을 확보한 후, 호스트 컴퓨터(14)는 이들 "반드시 수리"되어야 할 행과 열에 포함되지 않는 나머지 결함 셀의 어드레스를 제공하도록 테스터(10)에게 요구하여, 호스트 컴퓨터는 이들 나머지 결함 셀을 교체하기 위하여 어떻게 나머지 여분의 행과 열을 배치할 것인지를 정할 수 있도록 한다.

나머지 결함 셀 어드레스 확보(obtaining remaining defective cell addresses)

테스터(10)는 호스트 컴퓨터(14)가 스택 컨트롤러(30)를 경유하여 액세스할 수 있는 "체크 어드레스(check address)" 스택(28)을 포함하고 있다. 호스트 컴퓨터(14)는 처음에 버스(15)를 통해서 "반드시 교체"해야 할 모든 행의 행 어드레스를 스택 컨트롤러(30)로 전송하여, 스택 컨트롤러가 이들 행 어드레스를 체크 어드레스 스택(28)에 순차적으로 푸시한다(push). 그런 다음, 호스트 컴퓨터(14)는 "CLEAR_ROW" 명령을 컨트롤러(16)에게 전송한다. 아래에 좀더 상세하게 기재한 것처럼, 컨트롤러(16)는 이 CLEAR_ROW 명령에 응답하여, 스택(28)의 각 행 어드레스를 판독하여 ECM(22)의 행 내의 각 기억 장소에 "0"을 기록한다. 그런 후, 컨트롤러(16)는 호스트 컴퓨터(14)로 READY 응답 신호를 보낸다. 그런 다음, 호스트 컴퓨터(14)는 "반드시 교체"해야할 모든 열의 열 어드레스를 스택(28)에 푸시하고, "CLEAR_COL" 명령을 컨트롤러(16)로 전송한다. 컨트롤러(16)는 이 명령에 응답하여, 스택(28)의 각 열 어드레스를 판독하고, ECM(22)의 열내의 각 기억 장소에 "0"을 기록한다. 그런 다음, 컨트롤러(16)는 호스트 컴퓨터(14)에 READY 응답 신호를 보낸다.

이 때에, ECM(22)은 호스트 컴퓨터(14)가 여분의 행이나 여분의 열을 아직 지정하지 않는 이들 행과 열에만 해당하는 결함 DUT 셀의 비트 맵을 포함하고 있다. 호스트 컴퓨터(14)가 이들 결함 메모리 셀의 어드레스를 알아야, 지정되지 않는 나머지 여분의 행과 여분의 열을 적절하게 배치할 수 있다. 그러므로 호스트 컴퓨터(14)는 테스터(10)에게 요청하여 ECM(22)의 데이터를 처리하고 처리한 데이터를 결함 메모리 셀의 어드레스로 공급한다.

결함 셀을 포함하고 있는 열보다 행이 좀더 적을 경우, 호스트 컴퓨터(14)는 하나 이상의 나머지 결함 셀을 포함하고 있는 각 행의 행 어드레스를 스택(28)으로 푸시한 후, 버스(15)를 통해서 "SPARSE_ROW" 명령을 컨트롤러(16)로 전송한다. 그렇지 않고, 하나 이상의 나머지 결함 셀을 포함하고 있는 행보다 열이 좀더 적을 경우, 호스트 컴퓨터(14)는 결함 셀을 포함하고 있는 각 열의 열 어드레스를 스택(28)으로 푸시한 후, 버스(15)를 통해서 "SPARSE_COL" 명령을 컨트롤러(16)로 전송한다. 컨트롤러(16)는 "SPARSE_ROW"(또는 SPARSE_COL) 명령에 응답하여 스택(28)에 기억된 각 행 어드레스(또는 열 어드레스)의 각 기억 장소를 연속적으로 주소 지정하여 판독한다. 각 기억 장소가 주소 지정되어 판독됨에 따라, ECM(22)은 FAIL_OUT 데이터선의 어드레스에 기억된 데이터 비트를 판독한다. 이 FAIL_OUT 선은 컨트롤러(16)에 의해 어서트된 신호(ENABLE)에 의해 인에이블된 다른 스택 컨트롤러(32)로 입력을 공급한다. FAIL_OUT 비트가 "1"이어서, DUT(12)의 대응 셀에 결함이 있다는 것을 나타내면, 스택 컨트롤러(32)는 ADDRESS 버스에 나타나는 현재 어드레스를 페일 어드레스(fail address) 스택(34)에 푸시한다. 그러나 FAIL_OUT 비트가 "0"이어서, 현재 ECM 어드레스에 대응하는 DUT 셀이 동작 가능하다는 것을 나타내면, 컨트롤러(32)는 페일 어드레스 스택(34)에 이 어드레스를 푸시하지 않는다.

그래서 테스터(10)가 체크 어드레스 스택(28)에 나타나 있는 모든 행(또는 열) 어드레스의 모든 ECM(22)의 기억 장소를 판독한 후, 페일 어드레스 스택(34)은호스트 컴퓨터(14)가 이미 정했고 여분의 행이나 여분의 열로 반드시 교체될 "반드시 교체" 해야할 행이나 열에 이미 포함되어 있지 않는 모든 결함 DUT 셀의 어드레스를 홀딩한다. 이때, 컨트롤러(16)는 호스트 컴퓨터(14)로 다른 READY 응답 신호를 보낸다. 그런 다음, 컴퓨터(14)는 스택 컨트롤러(32)와 버스(15)를 경유하여 페일 어드레스 스택(34)의 결함 셀에 해당하는 어드레스를 판독한 후, DUT(12)를 수리하기 위하여 나머지 여분의 행과 여분의 열을 가능한 한 최상의 배치 방법을 판독된 어드레스에 해당하는 데이터로부터 정한다.

컨트롤러

도 3은 도 1에 도시한 컨트롤러(16)를 좀더 상세한 블록도로 도시한 것이다. 컨트롤러(16)는 컨트롤러의 동작을 시퀀싱하기 위하여 시스템 클록(CLOCK)에 의해 클록킹되는 스테이트 머신(70), 어드레스 버스(80)에 배치된 컨트롤러의 출력인 ADDRESS 필드의 행 어드레스 부분과 열 어드레스 부분을 생성하기 위한 행 어드레스 카운터(72)와 열 어드레스 카운터(74), 컨트롤러의 출력인 DATA 및 EXPECT 필드를 생성하기 위한 데이터 생성기(76) 그리고 버스(15)를 경유하여 호스트 컴퓨터와 통신하기 위한 버스 인터페이스 회로(78)를 포함하고 있다.

버스 인터페이스 회로(78)는 호스트 컴퓨터(14)가 버스(15)를 경유하여 데이터를 기록할 수 있는 내부 주소 지정 가능한 레지스터를 포함하고 있다. 이들 레지스터 중 하나의 레지스터에 있는 데이터는 입력 비트로서 스테이트 머신(70)에 공급된 호스트 컴퓨터(14)로부터의 명령을 인코딩한다. 각 명령은 스테이트머신(70)이 독립된 절차를 실행하도록 한다. 가변 개수의 행과 열을 구비하고 있는 DUT가 검사된다. 버스 인터페이스(78) 내의 레지스터에 기억된 ROW_MAX 데이터 값과 COL_MAX 데이터 값은 DUT(12)의 최대 행 어드레스와 최대 열 어드레스를 나타낸다. ROW_MAX와 COL_MAX 데이터 값은 행 및 열 어드레스 카운터(72, 74)로 공급되어 이들 카운터(72, 74)의 계수 한계를 정한다. 버스 인터페이스 회로(78)는 또한 스테이트 머신(70)으로부터의 READY 응답 신호를 인터럽트 형태로 호스트 컴퓨터(14)에 전송한다. 데이터 생성기(76)는 메모리를 검사하는 동안 데이터 검사 패턴을 생성한다. 호스트 컴퓨터(14)는 데이터 생성기(76)를 프로그래밍하여, 버스(15)와 버스 인터페이스(78)를 경유하여 데이터 생성기(76)로 프로그램을 전송함으로써 원하는 검사 데이터 시퀀스를 생성하도록 한다.

검사 명령(TEST Command)

TEST 명령은 스테이트 며신(70)이 도 2에 도시한 검사 절차를 실행하도록 한다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 스테이트 머신(70)은 초기 단계(40) 동안 RESET 신호에 펄스를 출력하여, 카운터(24)를 리셋하고 스택(28, 34)을 클리어 한다 . 스테이트 머신(70)은 또한 초기화 단계(40) 동안 각 기억 장소에 "0"을 기록하여 ECM(22)을 클리어 한다. 이렇게 하기 위하여, 스테이트 머신(70)은 먼저 RST1 신호와 RST2 신호에 펄스를 출력하여, 행 및 열 어드레스 카운터의 내용을 "0"으로 리셋하여, 버스(80) 상의 ADDRESS 필드를 ECM의 어드레스 행 "0", 어드레스 열 "0"으로 셋팅한다. 그런 다음, ECM(22)의 입력인 CLEAR 신호를 어서팅하는 동안, 스테이트 머신(70)은 CAPTURE 신호에 펄스를 출력한다. CLEAR 신호는 CAPTURE 신호가 어서트될 때 ECM(22)이 FAIL_IN 비트보다는 자신의 현재 어드레스에 "0"을 기억하도록 한다. 그런 다음, 스테이트 머신(70)은 INC2 신호에 펄스를 출력하여 어드레스 카운터(74)가 열 어드레스를 증가시켜, ADDRESS 필드가 현재 ECM(22)의 행 "0", 열 "1"에 주소 지정되도록 한다. 그런 후, 스테이트 머신(70)은 CLEAR 신호를 어서트하고 CAPTURE 신호에 펄스를 출력하여 그 어드레스에 "0"을 기억시킨다. 스테이크 머신(70)은 이러한 동작을 열 어드레스 카운터(74)가 COL_MAX 어드레스 한계에 도달하고, 오버플로워 신호(over flow signal, OF2)를 어서트할 때까지 계속한다. 이 신호는 스테이트 머신(70)이 RST2 신호에 펄스를 출력하여 열 어드레스 카운터를 "0"으로 리셋시키고, INC1에 펄스를 출력하여 행 어드레스 카운터를 "1" 증가시킬 수 있도록 한다. 스테이트 머신(70)은 행 및 열 어드레스 카운터(72, 74)에 자신들의 오버플로워 신호(OF1, OF2)를 어서트할 때, 1에서 ROW_MAX까지 행의 각 ECM(22) 기억 장소에 "0"을 기록한다. 그런 다음, 스테이트 머신(70)은 버스 인터페이스(78)를 경유하여 호스트 컴퓨터(14)로 READY 응답 신호를 전송한다.

행 및 열 카운터(24)를 리셋하고, 스택(24, 34)을 클리어하며, 에러 캡쳐 메모리(22)의 모든 기억 장소에 "0"을 기록한 후, 스테이트 머신(70)은 동일한 방식으로 행 및 열 어드레스 카운터(72, 74)를 동작시켜, 검사하는 동안 DUT(12)의 각 셀을 연속적으로 주소 지정한다. 데이터 생성기(76)는 검사하는 동안 EXPECT 필드를 생성한다. 스테이트 머신(70)의 출력인 DAT 비트는 EXPECT 필드가 모드 "0" 또는 모두 "1"인지를 데이터 생성기(76)에게 알려준다. 3상 구동기(77)는 스테이트 머신(70)에 의해 공급된 인에이블 비트(EN)에 응답한 메모리 기록 동작 중에 DATA 버스에 EXPECT 필드를 선택적으로 배치한다. DUT(12)의 데이터 워드 폭은 가변이다. 호스트 컴퓨터(14)는 버스 인터페이스(78) 내의 레지스터에 DUT(12)의 데이터 워드 폭을 나타내는 데이터 값(DATA_WIDTH)을 기록한다. 이 데이터는 비교기(20)로 공급되어, 얼마나 많은 DATA 및 EXPECT 필드의 비트가 비교되는지를 나타낸다.

CLEAR_ROW, CLEAR_COL 명령

CLEAR_ROW 명령은 스테이트 머신(70)에게 호스트 컴퓨터(14)가 행 어드레스를 체크 어드레스 스택(28)에 적재하는 동안 ECM(22)의 모든 행을 클리어하도록 한다. 스테이트 머신(70)은 CLEAR_ROW 명령에 응답하여 열 어드레스 카운터(74)를 리셋하고 LOAD1 신호에 펄스를 출력하여 열 어드레스 카운터(74)가 제1 행 어드레스의 값을 스택(28)에 적재[열 어드레스 카운터(74)의 출력 값을 셋트]하도록 한다. 스테이트 머신(70)은 또한 스테이트 컨트롤러(33)로 입력인 POP 신호에 펄스를 출력하여, 행 어드레스를 스택(28)에서 팝한다(pop). 클리어될 제1 행의 제1 기억 장소를 어드레스로 셋트로 버스(80) 상의 ADDRESS 필드로, 스테이트 머신(70)은 CLEAR 신호를 어서트하고, CAPTURE 신호에 펄스를 출력하는 동안 열 카운터(74)를 계속적으로 증가시킴으로써, 행의 모든 기억 장소를 클리어한다. 그런 다음, 스테이트 머신(70)은 입력인 POP 신호에 펄스를 스택 컨트롤러(30)로 출력하여, 스택 컨트롤러(30)가 스택(28)에서 제1 행 어드레스를 팝하므로, 클리어될 제2 행의어드레스가 행 어드레스 카운터(72)에서 유효(available)할 수 있도록 한다. 그런 다음, 스테이트 머신(70)은 이 제2 행 어드레스를 행 어드레스 카운터(72)로 적재하고 이 제2 행의 모든 기억 장소를 클리어하는 절차를 반복한다. 스테이트 머신(70)은 또한 체크 어드레스 스택(28)에 기억된 모든 행 어드레스의 모든 ECM 기억 장소를 클리어하기 위하여 이 절차를 반복한다. 스택 컨트롤러(30)에 의해 생성된 EMPTY 신호는 스택(28)이 공백(empty)인 것을 스테이트 머신(70)에게 알려준다. 그런 후, 스테이트 머신(70)은 호스트 컴퓨터(14)에게 READY 응답 신호는 전송하다. 열 어드레스를 스택(28)으로부터 열 어드레스 카운터(74)로 적재하고, 행 어드레스를 통해 단계적으로 행 어드레스 카운터(72)를 증가시키는 것을 제외하고는 스테이트 머신(70)은 일반적으로 유사한 방식으로 CLEAR_COLUMN 명령에 응답한다. 그로 인해, 한 행 한 행에 기초하는 대신에 한 열 한 열에 기초하여 ECM 기억 장소를 클리어시킨다.

SPARSE_ROW, SPARSE_COL 명령

이 SPARSE_ROW 명령을 호스트 컴퓨터(14)가 스테이트 머신(70)으로 전송하여 호스트 컴퓨터(14)가 체크 어드레스 스택(28)에 행 어드레스를 기억하는 동안, 스테이트 머신(70)이 ECM(22)의 각 행의 어드레스 데이터를 판독하도록 한다. 이러한 동작은 스테이트 머신(70)이 스택(28)에서 행 어드레스 카운터(72)로 각 행 어드레스를 연속적으로 적재하고, 각 행 어드레스용 전체 행 어드레스 영역에 걸쳐서 열 어드레스 카운터(74)를 증가시킴으로서 이루어진다. 열 어드레스 카운터(74)가열 어드레스를 증가시키고, 현재 FAIL_OUT 데이터가 그 어드레스에서 DUT 셀의 페일을 나타낼 때 스택 컨트롤러(32)가 현재 ADDRESS 필드를 페일 어드레스 스택(34)으로 푸시할 수 있도록 할 때마다 스테이트 머신(70)은 ENABLE 신호에 펄스를 출력한다. 스테이트 머신(70)이 체크 어드레스 스택(28)으로부터의 열 어드레스를 컬럼 어드레스 카운터(74)에 적재하고, 각 열 어드레스가 적재된 후 자신의 전체 행 어드레스 영역에 걸쳐 행 어드레스 카운터(72)를 증가하는 것을 제외하면, 호스트 컴퓨터(14)로부터의 SPARSE_COL 명령은 스테이트 머신(70)이 동일한 절차를 실행하도록 한다.

그래서 메모리 DUT(12)를 검사하고 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행과 열을 교체하기 위하여 여분의 행과 여분의 열을 어떻게 효율적으로 배치할 것인지를 정할 수 있도록 하는 충분한 정보를 호스트 컴퓨터(14)에게 제공하기 위하여 본 발명에 따른 메모리 테스터(10)를 도시하고 기재한다. 메모리 테스터(10)는 좀더 콤팩트한 형태로 정보를 제공하기 때문에, 종래의 일반적인 테스터보다 좀더 빠르게 호스트 컴퓨터(14)로 필요한 정보를 제공할 수 있다. 종래의 일반적인 메모리 테스터는 에러 캡쳐 메모리를 포함하고 있지만 어느 셀에 결함이 있는지를 결정하기 위하여 호스트 컴퓨터가 ECM의 모든 기억 장소에 접근하여 직접 판독하기를 요구한다. DUT가 수 만개의 주소 지정 가능한 셀을 구비하고 있을 때 ECM도 수 만개의 기억 장소를 구비하고 있기 때문에, 호스트 컴퓨터는 ECM에 기억된 데이터를 액세스하기 위해서는 긴 시간이 소요된다. 메모리 테스터(10)는 여분의 행과 여분의 열을 어떻게 배치할 것인지를 정하기 위하여 ECM(22)의 데이터를 호스트컴퓨터(14)가 판독하도록 요구하지 않기 때문에 검사 절차의 속도를 향상시킨다. 수 만개의 셀을 구비하고 있는 대형 메모리는 단지 수 천 개의 행과 열을 구비하고 있기 때문에, 카운터(24)에 의해 생성된 데이터의 양은 ECM(22)에 기억된 데이터의 양에 비해 상대적으로 적다. 그래서 호스트 컴퓨터(14)는 카운터(24)의 데이터를 빠르게 액세스할 수 있다. 많은 경우(즉, 이미 설명한 1 내지 5의 경우)에, 호스트 컴퓨터(14)가 카운터(24)에 의해 제공된 데이터만을 기초로 하여 여분의 행과 여분의 열을 위한 적정한 배치를 정할 수 있기 때문에, 호스트 컴퓨터(14)가 카운터(34)로부터의 데이터를 획득한 후 이 검사 절차를 종료한다. 카운터 데이터가 DUT를 어떻게 수리할 것인지를 (이미 설명한 경우 6) 결정하기에는 불충분할 경우에만, ECM(22)의 어떤 컨텐츠를 판독해야 한다. 그러나 ECM(22)의 컨텐츠는 호스트 컴퓨터(14)에 의해 판독되지 않지만 매우 신속하게 테스터(10) 자체 내의 하드웨어에 의해 판독된다. 더욱이 ECM(22)의 모든 기억 장소를 판독하지 않고, 테스터(10)는 결함 셀을 포함하고 있는 DUT(22)의 행이나 열에 대응하는 ECM(22)의 행(또는 열)으로부터의 데이터만을 판독하여 처리한다.

이미 기술한 명세서가 본 발명의 바람직한 실시예를 기술하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 본 발명에서 벗어나지 않은 이 바람직한 실시예에 대한 좀더 넓은 개념의 많은 변형을 실시할 수 있다. 예를 들면 테스터(10)의 바람직한 실시예에서는 어드레스 및 데이터 패턴의 특정 시퀀스를 이용하여 메모리 셀에 액세싱하여 연속으로 기록하고 판독함으로써 DUT(12)를 검사하지만, 다른 어드레스 및 데이터 패턴의 시퀀스가 이용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 그러므로 첨부한 청구범위는 본 발명의 범위와 본질에서 벗어나지 않고 이러한 모든 변형을 커버하기 위한 것이다.

Claims (10)

1. 어느 메모리 셀에 결함이 있는지를 결정하기 위하여 상기 메모리 셀의 행과 열을 포함하는 피시험 디바이스(DUT)를 검사하고, 상기 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행과 열을 교체하기 위하여 여분의 행과 여분의 열의 배치 방법을 결정할 수 있도록 하는 정보를 호스트 컴퓨터에게 제공하는 장치로서,

   복수의 기억 장소를 구비하고 있는 에러 캡쳐 메모리(ECM)(22),

   상기 DUT의 각 메모리 셀을 검사하여 상기 메모리 셀에 결함이 있는지의 여부를 결정하고, 상기 메모리 셀에 결함이 있는지를 나타내는 상기 ECM의 대응하는 기억 장소에 결과 데이터를 기록하는 제1 수단(16, 20),

   상기 제1 수단이 상기 DUT의 메모리 셀을 검사하는 동안 복수개의 계수 값을 동시에 생성하는 제2 수단(24, 26), 그리고

   상기 복수개의 계수 값을 상기 호스트 컴퓨터로 전달하는 제3 수단(15, 27)

   을 포함하고,

   상기 메모리 셀 각각은 상기 기억 장소 중 각각의 하나에 대응하며,

   상기 DUT의 각 행과 열은 상기 계수 값 각각에 대응하고, 각각의 계수 값은 상기 행과 열 중 대응하는 것에 해당하는 결함 셀의 수를 나타내는

   피시험 디바이스 시험 장치 및 정보 제공 장치.
2. 제1항에서,

   행 어드레스를 생성하는 행 어드레스 카운터(72),

   열 어드레스를 생성하는 열 어드레스 카운터(74),

   상기 행 어드레스와 상기 열 어드레스를 조합하여 메모리 어드레스를 형성하고, 상기 DUT와 상기 ECM으로 동시에 상기 메모리 어드레스를 전달하여, 상기 메모리 어드레스는 상기 DUT의 상기 메모리 셀들 중 하나와 상기 ECM의 상기 기억 장소 중 대응하는 하나로 주소 지정하는 제4 수단(80),

   입력 데이터를 생성하여, 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 상기 DUT의 메모리 셀로 상기 입력 데이터를 기록하고, 상기 DUT가 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 상기 메모리 셀에 의해 기억된 출력 데이터를 판독할 수 있도록 하며, 상기 ECM이 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 기억 장소에 상기 결과 데이터를 기억할 수 있도록 하는 제5 수단(70, 76), 그리고

   상기 DUT의 상기 메모리 셀로 기록된 입력 데이터와 상기 DUT의 상기 메모리 셀에서 판독된 상기 출력 데이터를 비교하고, 상기 비교에 따라서 상기 ECM에 공급되는 상기 결과 데이터를 생성하는 제7 수단(20)

   을 포함하는 피시험 디바이스 시험 장치 및 정보 제공 장치.
3. 제1항에서,

   상기 ECM의 선택된 기억 장소에 기록된 상기 데이터를 판독하고, 상기 판독된 데이터로부터 결함 메모리 셀의 어드레스를 정하며, 상기 호스트 컴퓨터로 상기 정해진 어드레스를 전달하는 수단(15, 16, 28, 30, 32, 34)을 추가로 포함하는 피시험 디바이스 시험 장치 및 정보 제공 장치.
4. 메모리 셀에 결함이 있는지를 결정하기 위하여 상기 메모리 셀의 행과 열을 포함하는 피시험 디바이스(DUT)를 검사하고, 상기 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행과 열을 교체하기 위하여 여분의 행과 열의 배치 방법을 결정할 수 있도록 하는 정보를 호스트 컴퓨터에게 제공하는 방법으로서,

   a. 상기 메모리 셀에 결함이 있는지를 결정하기 위하여 상기 DUT의 각 메모리 셀을 검사하는 단계,

   b. 복수의 기억 장소를 구비하고 있는 에러 캡쳐 메모리(ECM)의 기억 장소 에 결과 데이터를 기록하는 단계,

   c. 상기 단계 b와 동시에 복수개의 계수 값을 생성하는 단계, 그리고

   d. 상기 복수개의 계수값을 상기 호스트 컴퓨터로 전달하는 단계

   를 포함하고,

   상기 메모리 셀 각각은 상기 기억 장소 중 각각의 하나에 대응하며, 상기 각 기억 장소에 기억된 상기 결과 데이터는 대응하는 메모리 셀에 결함이 있는지를 나타내며,

   상기 DUT의 각 행과 열은 상기 계수값 각각에 대응하고, 각각의 계수값은 상기 단계 b에서 결함이 있는 것으로 판정된 상기 행과 열 중 대응하는 것에 해당하는 결함 셀의 수를 나타내는

   피시험 디바이스 시험 방법 및 정보 제공 방법.
5. 제4항에서,

   각 대응하는 기억 장소 및 메모리 셀은 동일한 어드레스를 갖고 있고,

   a1. 어드레스의 시퀀스(sequence)를 생성하는 단계,

   a2. 각 생성된 상기 어드레스를 상기 ECM과 DUT에 동시에 전달하는 단계,

   a3. 입력 데이터를 생성하고, 상기 DUT가 주소 지정된 각각의 메모리 셀에 상기 입력 데이터를 기억할 수 있도록 하는 단계,

   a4. 상기 DUT가 상기 주소 지정된 각각의 메모리 셀에 의해 기억된 출력 데이터를 기억할 수 있도록 하는 단계,

   a5. 상기 DUT의 상기 각 메모리 셀에 기록된 입력 데이터와 상기 DUT의 상기 각 메모리 셀에서 판독된 상기 출력 데이터를 비교하고, 상기 비교에 따라서 결과 데이터를 생성하는 단계, 그리고

   a6. 상기 ECM이 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 각 기억 장소에 상기 생성된 결과 데이터를 기억하도록 하는 단계

   를 포함하고,

   각 어드레스는 상기 DUT의 상기 메모리 셀 중 하나와 상기 ECM의 상기 기억 장소 중 대응하는 기억 장소로 주소 지정되는

   피시험 디바이스 시험 방법 및 정보 제공 방법.
6. 제4항에서,

   e. 상기 ECM의 선택된 기억 장소에 기록된 상기 데이터를 판독하는 단계,

   f. 상기 판독된 데이터로부터 결함 메모리 셀의 어드레스를 정하는 단계, 그리고

   g. 상기 정해진 어드레스를 상기 호스트 컴퓨터로 전달하는 단계

   를 추가로 포함하는 피시험 디바이스 시험 방법 및 정보 제공 방법.
7. 메모리 셀에 결함이 있는지를 결정하기 위하여 주소 지정 가능한 상기 메모리 셀의 행과 열을 포함하는 피시험 디바이스(DUT)를 검사하고, 상기 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 행과 열을 교체하기 위하여 여분의 행과 열을 어떻게 배치할 것인지를 결정할 수 있도록 하는 정보를 호스트 컴퓨터에게 제공하는 장치로서,

   a. 주소 지정 가능한 복수의 기억 장소를 구비하고 있는 에러 캡쳐 메모리(ECM)(22),

   b. 행 및 열 어드레스를 기억하고 판독하는 제1 수단(28, 30),

   c. 상기 메모리 어드레스를 상기 호스트 컴퓨터에 기억하고 판독하는 제2 수단(32, 34),

   상기 제1 수단에서 판독된 각각의 행 어드레스를 수신하고, 출력 행 어드레스로서 상기 행 어드레스를 생성하며, 상기 출력 행 어드레스를 증가시키는 행 어드레스 카운터(72),

   d. 상기 제1 수단에서 판독된 각각의 열 어드레스를 수신하고, 출력 열 어드레스로서 상기 열 어드레스를 생성하며, 상기 출력 열 어드레스를 증가시키는 열어드레스 카운터(74),

   e. 입력 데이터를 생성하여, 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 상기 DUT의 메모리 셀로 상기 입력 데이터를 기록하고, 상기 DUT가 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 상기 메모리 셀에 의해 기억된 출력 데이터를 판독할 수 있도록 하며, 상기 ECM이 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 기억 장소에 상기 결과 데이터를 기억할 수 있도록 하며, 상기 ECM이 상기 메모리 어드레스에 의해 주소 지정된 상기 기억 장소에서 상기 결과 데이터를 판독할 수 있도록 하며, 상기 제2 수단이 상기 결과 데이터에 응답하여 상기 메모리 어드레스를 기억할 수 있도록 하는 수단(70, 76),

   f. 상기 DUT의 상기 메모리 셀에 기록된 입력 데이터와 상기 DUT의 상기 메모리 셀에서 판독된 상기 출력 데이터를 비교하고, 상기 비교에 따라서 상기 ECM에 공급된 상기 결과 데이터를 생성하는 수단(20),

   g. 복수의 카운터, 그리고

   h. 상기 카운터 각각에 의해 생성된 계수 값을 상기 호스트 컴퓨터로 전송하는 수단

   을 포함하고,

   상기 메모리 셀 각각은 상기 기억 장소 각각에 대응하며,

   상기 출력 행 어드레스 및 상기 출력 열 어드레스를 조합하여 상기 DUT, 상기 ECM 및 상기 제2 수단에 동시에 전달되는 메모리 어드레스를 형성하고, 상기 메모리 어드레스는 상기 DUT의 상기 메모리 셀 중 하나와 상기 ECM의 상기 기억 장소중 하나의 주소를 지정하고,

   상기 DUT의 각 행과 열은 상기 카운터 각각에 대응하고, 상기 카운터는 상기 행과 열 중 대응하는 행과 열의 결함 메모리 셀의 수를 나타내는 계수 값을 생성하는

   피시험 디바이스 시험 장치 및 정보 제공 장치.
8. 피시험 디바이스(DUT)의 메모리 셀에 대한 행과 열을 교체하기 위하여 상기 메모리 셀의 여분의 행과 열을 배치하는 방법으로서,

   a. 메모리 셀에 결함이 있는지를 결정하기 위하여 상기 DUT의 메모리 셀을 검사하고, 기억 장소의 행과 열을 포함하고 있는 에러 캡쳐 메모리(ECM)의 기억 장소에 결과 데이터를 기록하는 단계,

   b. 상기 단계 a와 동시에 복수개의 계수 값을 생성하는 단계,

   c. 상기 단계 b에서 생성된 상기 복수개의 계수 값에 응답하여 적어도 하나의 결함 셀을 구비하고 있는 상기 DUT의 메모리 셀의 상기 행과 열의 적어도 하나를 교체하기 위하여 상기 DUT의 메모리 셀에 대한 상기 여분의 행과 열중 적어도 하나를 배치하는 단계, 그리고

   d. 상기 메모리 셀의 여분의 행과 열 중 적어도 하나가 상기 단계 c에서 배치되는 것으로 상기 ECM의 기억 장소에 대한 상기 행과 열의 적어도 하나에 대한 기억 장소에 있는 결과 데이터를 교체하여, 상기 결과 데이터가 상기 DUT의 대응하는 행이나 열의 상기 메모리 셀 중 어떤 것도 결함이 없다는 것을 나타내는 단계

   를 포함하고,

   상기 DUT의 각 메모리 셀은 상기 ECM의 상기 기억 장소 각각에 대응하고, 상기 각 기억 장소에 기록된 상기 결과 데이터는 대응하는 메모리 셀에 결함이 있는지의 여부를 나타내며,

   상기 각 계수 값은 상기 단계 a에서 결함이 있는 것으로 결정해진 상기 행과 열 중 대응하는 열과 행의 메모리 셀의 수를 나타내는

   배치 방법.
9. 제8항에서,

   e. 단계 d 이후에, 상기 단계 b에서 생성된 상기 복수개의 계수 값에 의해 나타내어지는 것만큼 결함 메모리 셀을 포함하고 있는 메모리 셀의 상기 행과 열 중 적어도 하나의 행과 열에 대응하는 상기 ECM의 기억 장소에 해당하는 상기 행과 열 중 적어도 하나의 행과 열에 기억되어 있는 결과 데이터를 판독하는 단계를 추가로 포함하는 배치 방법.
10. 제10항에서,

    f. 상기 ECM에 대한 메모리 셀의 상기 행과 열 중 어느 것이 결함 메모리 셀을 포함하고 있는지를 단계 e에서 판독된 결과 데이터로부터 결정하는 단계, 그리고,

    g. 결함 메모리 셀을 포함하는 것으로 상기 단계 f에서 결정된 상기 ECM의메모리 셀에 대한 행과 열을 교체하기 위하여 상기 여분의 행과 열 중 적어도 다른 하나로 배치하는 단계를 추가로 포함하는 배치 방법.