JPS61136954A - 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体 - Google Patents

焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体

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JPS61136954A JP59256566A JP25656684A JPS61136954A JP S61136954 A JPS61136954 A JP S61136954A JP 59256566 A JP59256566 A JP 59256566A JP 25656684 A JP25656684 A JP 25656684A JP S61136954 A JPS61136954 A JP S61136954A
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哲 石原
浩 木村
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Mitsui Kinzoku Co Ltd
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Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202415A (ja) * 1984-12-06 1987-09-07 三井金属鉱業株式会社 酸化インジウム系透明導電膜の製造法
JPS6389656A (ja) * 1986-10-01 1988-04-20 Agency Of Ind Science & Technol 透明導電膜及びその生成方法
JPS6410507A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Optrex Kk Transparent conductive film and its manufacture
WO1995018080A1 (en) * 1993-12-28 1995-07-06 Showa Denko Kabushiki Kaisha Ito sintered body, ito transparent conductive film and method of forming the film
JP2002069610A (ja) * 2000-08-30 2002-03-08 Toshiba Corp スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置
JP2003055049A (ja) * 2001-08-22 2003-02-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット
JP2007055841A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体
JP4823386B2 (ja) * 2008-09-25 2011-11-24 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 透明導電膜製造用の酸化物焼結体
JP2015042773A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 住友金属鉱山株式会社 蒸着用タブレット及びその製造方法、並びに酸化物膜
CN113548872A (zh) * 2021-07-16 2021-10-26 长沙壹纳光电材料有限公司 一种iwo靶材及其制备方法与应用

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62202415A (ja) * 1984-12-06 1987-09-07 三井金属鉱業株式会社 酸化インジウム系透明導電膜の製造法
JPS6389656A (ja) * 1986-10-01 1988-04-20 Agency Of Ind Science & Technol 透明導電膜及びその生成方法
JPS6410507A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Optrex Kk Transparent conductive film and its manufacture
WO1995018080A1 (en) * 1993-12-28 1995-07-06 Showa Denko Kabushiki Kaisha Ito sintered body, ito transparent conductive film and method of forming the film
JP2002069610A (ja) * 2000-08-30 2002-03-08 Toshiba Corp スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置
JP2003055049A (ja) * 2001-08-22 2003-02-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化インジウム焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット
JP2007055841A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体及びその製造方法、酸化物焼結体を用いて得られる非晶質酸化物膜、並びにその非晶質酸化物膜を含む積層体
JP4823386B2 (ja) * 2008-09-25 2011-11-24 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 透明導電膜製造用の酸化物焼結体
JP2015042773A (ja) * 2013-08-26 2015-03-05 住友金属鉱山株式会社 蒸着用タブレット及びその製造方法、並びに酸化物膜
CN113548872A (zh) * 2021-07-16 2021-10-26 长沙壹纳光电材料有限公司 一种iwo靶材及其制备方法与应用

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