JPS61135170A - 発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS61135170A JPS61135170A JP59258121A JP25812184A JPS61135170A JP S61135170 A JPS61135170 A JP S61135170A JP 59258121 A JP59258121 A JP 59258121A JP 25812184 A JP25812184 A JP 25812184A JP S61135170 A JPS61135170 A JP S61135170A
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- JP
- Japan
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- crystal layer
- gaas
- layer
- type
- substrate
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は発光ダイオードの製造方法に関するものである
。
。
最近、Ｇ ａ Ａ ｔ Ａ ｓを基板にした２０００ｍ
ｃｄから３０００ｍｃｄの高輝度発光ダイオードの開発
が盛んである。しかし、このような発光ダイオードは１
５０−２００１１ｍの厚膜Ｇ ａ Ａ ｔ Ａ ｓ結晶
成長がかなυ難しく、歩留まりが悪いために大変高価で
ある。
ｃｄから３０００ｍｃｄの高輝度発光ダイオードの開発
が盛んである。しかし、このような発光ダイオードは１
５０−２００１１ｍの厚膜Ｇ ａ Ａ ｔ Ａ ｓ結晶
成長がかなυ難しく、歩留まりが悪いために大変高価で
ある。
本発明は、再現性よく、結晶性のよい厚膜ＧａＡＬＡｓ
基板をもつ発光ダイオードを製造することができる方法
を提供するものである。
基板をもつ発光ダイオードを製造することができる方法
を提供するものである。
〈従来技術〉
まず、従来技術を説明する。
従来の製造方法に於いては、ＧａＡｓ基板上に液相成長
により高温よ、９５０〜１００μｍのＧａＡｌＡｓ結晶
層を形成し、しかる後、−Ｈｆから取り出して、２回目
の液相成長を行い、ＰＮ接合を作るが、この炉からＧａ
ＡｌＡｓ結晶を取り出した時に、表面が酸化し、Ａｔ２
０３ができるため、２回目の液相成長がスムーズに成長
せず、大変結晶性が悪い。
により高温よ、９５０〜１００μｍのＧａＡｌＡｓ結晶
層を形成し、しかる後、−Ｈｆから取り出して、２回目
の液相成長を行い、ＰＮ接合を作るが、この炉からＧａ
ＡｌＡｓ結晶を取り出した時に、表面が酸化し、Ａｔ２
０３ができるため、２回目の液相成長がスムーズに成長
せず、大変結晶性が悪い。
このため、歩留まりが非常に悪かった。
〈発明の目的〉
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、再現性
よく、結晶性のよい厚膜ＧａＡｌＡｓ基板をもつ発光ダ
イオードを製造することができる方法を提供することを
目的とするものである０〈発明の構成〉 本発明の、発光ダイオードの製造方法は、ＧａＡｓ基板
上にＧ ａ Ａ Ｌ Ａ ｓ結晶層を液相成長により形
成した後、ＭＯＣｖＤ（有機金属気相成長）により上記
ＧａＡｌＡｓ結晶層上にＧａＡｓ結晶層を形成し、２回
目の液相成長時に、上記ＭＯＣＶＤにより形成したＧａ
Ａｓ結晶層をメルトバックした後に、ＧａＡｌＡｓＰＮ
接合を形成することを特徴とするものである。すなわち
、本発明の特徴は、１回目のＧ ａ Ａ Ｌ Ａ ｓ厚
膜結晶成長後、ＭＯＣＶＤによりＧａＡｓ薄膜を形成す
る点にある。ＭＯＣＶＤによれば、ＧａＡ４Ａｓ結晶上
にも非常にすぐれたＧａＡＳ結晶が成長する。したがっ
て、２回目のＧＩＡｔＡＢ結晶成長時には、上記ＧａＡ
ｓ薄膜をメルトバックした後に、ＧＨＡＡＡｓ結晶を液
相成長させれば、大変結晶性のよいＧａＡｌＡｓ結晶が
成長する。これは、ＧａＡｓ結晶にはＡｔが含まれてい
ないため、表面が酸化しないからである。
よく、結晶性のよい厚膜ＧａＡｌＡｓ基板をもつ発光ダ
イオードを製造することができる方法を提供することを
目的とするものである０〈発明の構成〉 本発明の、発光ダイオードの製造方法は、ＧａＡｓ基板
上にＧ ａ Ａ Ｌ Ａ ｓ結晶層を液相成長により形
成した後、ＭＯＣｖＤ（有機金属気相成長）により上記
ＧａＡｌＡｓ結晶層上にＧａＡｓ結晶層を形成し、２回
目の液相成長時に、上記ＭＯＣＶＤにより形成したＧａ
Ａｓ結晶層をメルトバックした後に、ＧａＡｌＡｓＰＮ
接合を形成することを特徴とするものである。すなわち
、本発明の特徴は、１回目のＧ ａ Ａ Ｌ Ａ ｓ厚
膜結晶成長後、ＭＯＣＶＤによりＧａＡｓ薄膜を形成す
る点にある。ＭＯＣＶＤによれば、ＧａＡ４Ａｓ結晶上
にも非常にすぐれたＧａＡＳ結晶が成長する。したがっ
て、２回目のＧＩＡｔＡＢ結晶成長時には、上記ＧａＡ
ｓ薄膜をメルトバックした後に、ＧＨＡＡＡｓ結晶を液
相成長させれば、大変結晶性のよいＧａＡｌＡｓ結晶が
成長する。これは、ＧａＡｓ結晶にはＡｔが含まれてい
ないため、表面が酸化しないからである。
〈実施例〉
以下、実施例を説明する。
第１図に示すように、Ｐ形ＧａＡｓ基板ｌ上に９００−
ｅ−’Ｃよりの液相成長により７０μｍのＰ形Ｇａｏ、
：＋Ａｔｏ、７Ａｓ結晶層２を成長させる。しかる後、
一旦、成長基板を炉から取り出し、Ｇａ融液を除去して
表面を清浄にした後、ＭＯＣｖＤによりＰ形Ｇａｏ、３
Ａｔｏ、７Ａｓ結晶層２上にｏ、ｓｐｍのＧａＡｓ結晶
層３を成長させた。ＭＯＣＶＤは、基板温度７６０℃、
トリメチルガリウムｌ０−４モル比、Ｖ７．比的２５、
水素流量６ｔ／分で、１６分間で行うことができた。
ｅ−’Ｃよりの液相成長により７０μｍのＰ形Ｇａｏ、
：＋Ａｔｏ、７Ａｓ結晶層２を成長させる。しかる後、
一旦、成長基板を炉から取り出し、Ｇａ融液を除去して
表面を清浄にした後、ＭＯＣｖＤによりＰ形Ｇａｏ、３
Ａｔｏ、７Ａｓ結晶層２上にｏ、ｓｐｍのＧａＡｓ結晶
層３を成長させた。ＭＯＣＶＤは、基板温度７６０℃、
トリメチルガリウムｌ０−４モル比、Ｖ７．比的２５、
水素流量６ｔ／分で、１６分間で行うことができた。
次に、２回目の液相成長前に、上記ＧａＡｓ層３をメル
トバックし、その後、第２図に示すように、Ｐ形Ｇａ０
，３Ａｔ０．７ＡＳ層４を３０ ｐ ｍ、 Ｐ形Ｇａｏ
、５ｓＡｔ０．３ＳＡＳ層５を０．８ｔｔｍｚＮ形Ｇａ
ｏ、３Ａｔｏ、ｒＡｓ層６を４０μｍ成長させる。エピ
タキシャル成長後、ＧａＡｓ基板ｌをアン皐エア系のエ
ツチング液で選別エツチングして取り除き、Ｐ形ＧａＡ
ｌＡｓ層２にＡｕＺｎ、Ｎ形Ｇ ａ Ａ ｔ Ａ ｒ層
６にＡｕＧｅＮｉにてオーミック電極を形成し、樹脂モ
ールドして、光出力を測定した。その結果、順電流２０
ｍＡで、はとんどの素子が２０００ ｍｃｄ以上であっ
た０これは、ＭＯＣＶＤによ１）ＧａＡｓ層３を入れた
ため、次の４．５．６層の結晶性が非常に向上したため
である。また、ＧａＡｊＡｓエピタキシャル層厚も、２
回の成長で１４０μｍ以上あり、アセンブリ中にウェノ
・−が破損するという事故も殆どなくなり、量産に大変
適している０ 〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、再現性よ
く、結晶性のよい厚膜Ｇ ａ Ａ Ｌ Ａ ３基板をも
つ発光ダイオードを製造することができる、きわめて有
用な発光ダイオード製造方法を提供することができるも
のである０
トバックし、その後、第２図に示すように、Ｐ形Ｇａ０
，３Ａｔ０．７ＡＳ層４を３０ ｐ ｍ、 Ｐ形Ｇａｏ
、５ｓＡｔ０．３ＳＡＳ層５を０．８ｔｔｍｚＮ形Ｇａ
ｏ、３Ａｔｏ、ｒＡｓ層６を４０μｍ成長させる。エピ
タキシャル成長後、ＧａＡｓ基板ｌをアン皐エア系のエ
ツチング液で選別エツチングして取り除き、Ｐ形ＧａＡ
ｌＡｓ層２にＡｕＺｎ、Ｎ形Ｇ ａ Ａ ｔ Ａ ｒ層
６にＡｕＧｅＮｉにてオーミック電極を形成し、樹脂モ
ールドして、光出力を測定した。その結果、順電流２０
ｍＡで、はとんどの素子が２０００ ｍｃｄ以上であっ
た０これは、ＭＯＣＶＤによ１）ＧａＡｓ層３を入れた
ため、次の４．５．６層の結晶性が非常に向上したため
である。また、ＧａＡｊＡｓエピタキシャル層厚も、２
回の成長で１４０μｍ以上あり、アセンブリ中にウェノ
・−が破損するという事故も殆どなくなり、量産に大変
適している０ 〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、再現性よ
く、結晶性のよい厚膜Ｇ ａ Ａ Ｌ Ａ ３基板をも
つ発光ダイオードを製造することができる、きわめて有
用な発光ダイオード製造方法を提供することができるも
のである０
第１図及び第２図は、本発明に係る発光ダイオード製造
方法の説明に供する断面構造図である。 符号の説明 ＩＭＰ形ＧａＡｓ基板、２：Ｐ形Ｇａｏ、３Ａｔｏ、ｙ
Ａｓ結晶層、３：ＧａＡｓ結晶層、４：Ｐ形Ｇａ ｏ、
３Ａｔｏ、ｔＡｓ結晶層、５：Ｐ形Ｇａ ｏ、５ｓＡ−
／−ｏ、ａｓＡｓ結晶層、６Ｎ形Ｇａ ｏ、：１ＡＬ６
，７Ａ ５結晶層Ｏ代理人 弁理士 福 士 愛 彦（
他２名）第１図 第２図
方法の説明に供する断面構造図である。 符号の説明 ＩＭＰ形ＧａＡｓ基板、２：Ｐ形Ｇａｏ、３Ａｔｏ、ｙ
Ａｓ結晶層、３：ＧａＡｓ結晶層、４：Ｐ形Ｇａ ｏ、
３Ａｔｏ、ｔＡｓ結晶層、５：Ｐ形Ｇａ ｏ、５ｓＡ−
／−ｏ、ａｓＡｓ結晶層、６Ｎ形Ｇａ ｏ、：１ＡＬ６
，７Ａ ５結晶層Ｏ代理人 弁理士 福 士 愛 彦（
他２名）第１図 第２図
Claims (1)
- １、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｌＡｓ結晶層を液相成長に
より形成した後、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）によ
り上記ＧａＡｌＡｓ結晶層上にＧａＡｓ結晶層を形成し
、２回目の液相成長時に、上記ＭＯＣＶＤにより形成し
たＧａＡｓ結晶層をメルトバックした後に、ＧａＡｌＡ
ｓＰＮ接合を形成することを特徴とする、発光ダイオー
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258121A JPS61135170A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59258121A JPS61135170A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61135170A true JPS61135170A (ja) | 1986-06-23 |
Family
ID=17315790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59258121A Pending JPS61135170A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61135170A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312629A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nec Corp | ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ− |
| JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| JPH0643917U (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | 雅敏 橘 | 表示用ランプ |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59258121A patent/JPS61135170A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312629A (ja) * | 1987-06-15 | 1988-12-21 | Nec Corp | ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ− |
| JPH0636438B2 (ja) * | 1987-06-15 | 1994-05-11 | 日本電気株式会社 | ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ− |
| JPH01187883A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-27 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 |
| JPH0643917U (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | 雅敏 橘 | 表示用ランプ |
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