JPS603166A - Ｓｉド−プＧａＡｓ発光素子の製造方法 - Google Patents
Ｓｉド−プＧａＡｓ発光素子の製造方法Info
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- JPS603166A JPS603166A JP58111318A JP11131883A JPS603166A JP S603166 A JPS603166 A JP S603166A JP 58111318 A JP58111318 A JP 58111318A JP 11131883 A JP11131883 A JP 11131883A JP S603166 A JPS603166 A JP S603166A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明ばＳ１ド一プＧａＡｌ１！発光素子の製造方法に
関する。
関する。
回）従来技術
第１園は典型的なＳ１ドープＧａ Ａｓ赤外発光素子を
示し、ｔｉｌｔＸｎ型ＧａＡＳ（ガリウム砒素）基板、
１２Ｈ３）は該基板上に積層されたＧａＡ（ｉＥ＞らな
るｎ型層及びｐ型層であり、該両層はＳｉ（シリコン）
を両性ドーパントとして含むＧａＡｅｉ俗液を徐冷する
ことにより形成できる。１４１１５１ｉ ｐ型層１：３
）表面及び基板１１）裏面に形成されたオーミック件の
第１、第２電極である。
示し、ｔｉｌｔＸｎ型ＧａＡＳ（ガリウム砒素）基板、
１２Ｈ３）は該基板上に積層されたＧａＡ（ｉＥ＞らな
るｎ型層及びｐ型層であり、該両層はＳｉ（シリコン）
を両性ドーパントとして含むＧａＡｅｉ俗液を徐冷する
ことにより形成できる。１４１１５１ｉ ｐ型層１：３
）表面及び基板１１）裏面に形成されたオーミック件の
第１、第２電極である。
貼る発光素子において第１、第２電極ｆ４１ｆ５１間に
順方向バイアスを回加−４゛ることに訳りｒｌ型１冑（
２）とｐ型層（３）との界面に形成されたｐｎ接合（６
）イ・ｊ近において赤外光が元−１ｆｉられる。
順方向バイアスを回加−４゛ることに訳りｒｌ型１冑（
２）とｐ型層（３）との界面に形成されたｐｎ接合（６
）イ・ｊ近において赤外光が元−１ｆｉられる。
上記ｎ型層（２１及びｐ型層（３）のブ１φ成には、予
め１す［定ＳｔのＳｉドープＧａ八へ溶６更を基４反り
こ■亙融さぞ、斯る接触状態のまま温度プログラムｖｃ
６ｔりて室温まで降下させｎ型層及びｐ型層Ｚ形成する
方法が広く用いらオｔている。
め１す［定ＳｔのＳｉドープＧａ八へ溶６更を基４反り
こ■亙融さぞ、斯る接触状態のまま温度プログラムｖｃ
６ｔりて室温まで降下させｎ型層及びｐ型層Ｚ形成する
方法が広く用いらオｔている。
斯る方法では室温まで溶液を基板」二に接触させたまま
保持するため、八〇の抜けもなく結晶性も良好となる。
保持するため、八〇の抜けもなく結晶性も良好となる。
また成長層表面付近でのキャリア濃夏は第２図に示す如
＜ｐｎ接合付近に比して太（１０Ａ７ｎ以上）となり、
従ってオーミック接ｉＴ、ＩＩも得易くなる。
＜ｐｎ接合付近に比して太（１０Ａ７ｎ以上）となり、
従ってオーミック接ｉＴ、ＩＩも得易くなる。
然るに、上記方法にょ蚤〕得られた発光素子においては
その成長層表面に１０１０＋＋以上のキャリア濃度を有
したＳ１高濃度層（７）（第６図）が形成さｎ、１昏る
層が元吸収層として働き発光効率が低減するということ
を見出した。
その成長層表面に１０１０＋＋以上のキャリア濃度を有
したＳ１高濃度層（７）（第６図）が形成さｎ、１昏る
層が元吸収層として働き発光効率が低減するということ
を見出した。
また斯るＳ１高濃度層（７）を部分的に取除く方法とし
ては、特願昭５７−２１６５２６号に、８１高濃度層上
に部分電極を形成した後、斯る電極をマスクとしてエツ
チング除去する方法が開示さ肚ている。
ては、特願昭５７−２１６５２６号に、８１高濃度層上
に部分電極を形成した後、斯る電極をマスクとしてエツ
チング除去する方法が開示さ肚ている。
然るに所る方法でにエツチング時に電極の剥離が生じ直
列抵抗の増大を招くという問題がある。
列抵抗の増大を招くという問題がある。
（ハ）発明の目的
ｉ：発明に断る点に鑑みてなされたもので、直列抵抗を
増大することなく、Ｓｉ高濃度層を除去する８１ド一プ
ＧａＡ９発光素子の製造方法を提供−τんとするもので
ある。
増大することなく、Ｓｉ高濃度層を除去する８１ド一プ
ＧａＡ９発光素子の製造方法を提供−τんとするもので
ある。
に）発明の構成
本発明の特徴μ液相エピタキシャル成長法により得られ
たＳ１ド一プＧａ八日発光素子において、上記発光素子
の成長層表面［積層するＳｉ高濃度層を選択的に除去す
るεＩ４１の工程、該第１の工程の後期る工程において
除去されていない上記Ｓｉ篩濃度層表面ＶＣ電極を形成
■゛る第２の工程をイｆすることにある。
たＳ１ド一プＧａ八日発光素子において、上記発光素子
の成長層表面［積層するＳｉ高濃度層を選択的に除去す
るεＩ４１の工程、該第１の工程の後期る工程において
除去されていない上記Ｓｉ篩濃度層表面ＶＣ電極を形成
■゛る第２の工程をイｆすることにある。
（ホ）笑 施 ・列
第４図へ〜Ｄは本発明の−υこ施例馨示す工程別断面図
である。
である。
第４図Ａは第１工程をボし、ｎ型ＵａＡ８基板Ｕ上に８
１ドープ＋Ｗ ｒ＆よりｎ型層 （１２１及びｐ型）Ｊ
’ｌ：３１を形成する。
１ドープ＋Ｗ ｒ＆よりｎ型層 （１２１及びｐ型）Ｊ
’ｌ：３１を形成する。
斯る形成ｔユＳ１ドープＧａＡｓ溶液を数１ ［］、［
Ｊμｍ程度基板Ｕ上に破ぜ、Ｊす「る状態のま吐成長聞
始温鹿より室温−まで冷却することにより形成できる。
Ｊμｍ程度基板Ｕ上に破ぜ、Ｊす「る状態のま吐成長聞
始温鹿より室温−まで冷却することにより形成できる。
Ｊｖｆる成長条件は９０えば成長１ｍｌ如温度乞９６０
°Ｃとし、２ ”Ｃ／ ｍ １ｕ ｔ））冷却速既で至
温まで冷却する。尚、斯るＳ１ド一プＧａＡｅ？ｇ液ｉ
’：ｊ：９６０′Ｃ程度で過飽和となるように１め設定
しておく。
°Ｃとし、２ ”Ｃ／ ｍ １ｕ ｔ））冷却速既で至
温まで冷却する。尚、斯るＳ１ド一プＧａＡｅ？ｇ液ｉ
’：ｊ：９６０′Ｃ程度で過飽和となるように１め設定
しておく。
斯る条件下ではｎ型層（Ｉ３が１１１０μｍ、ｐ型層Ｕ
が６０μｍ程度成長し、かつｐ型層［３１の表面側１０
μｍ程度はＳｉ高濃度層ａ滲となる。
が６０μｍ程度成長し、かつｐ型層［３１の表面側１０
μｍ程度はＳｉ高濃度層ａ滲となる。
第４図Ｂに第２工程を示し、ｐ型層ｕ：１１表面に略等
間隔でフォト１／シスト（例えばＡＺ）を塗布し保護膜
０９を形成する。
間隔でフォト１／シスト（例えばＡＺ）を塗布し保護膜
０９を形成する。
第、Ｈｇｃｕ、Ｗ３工程を示し、周知のエツチング技術
により保護膜（１９下以外のＳｉ高濃度層（１４）を除
去する。斯るエツチングに用いる液としてＵＨ２ＳＯ４
：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝４：１：１カ為らなる混合液が適
当である。
により保護膜（１９下以外のＳｉ高濃度層（１４）を除
去する。斯るエツチングに用いる液としてＵＨ２ＳＯ４
：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝４：１：１カ為らなる混合液が適
当である。
第４図Ｄｖ′ｓ、第４工程を示し、保護膜（１５１を除
去した後、上記Ｓ１高濃度層Ｉ上にオーミック性の第１
電極（Ｊ６）を形成すると共に基板＋１１１ｇ向にオー
ミック性の第２電極（１７）を形成する。
去した後、上記Ｓ１高濃度層Ｉ上にオーミック性の第１
電極（Ｊ６）を形成すると共に基板＋１１１ｇ向にオー
ミック性の第２電極（１７）を形成する。
この後、第４ ｉ’Ｊ Ｄ中鎖線に沿ってスクライブす
ることにより所望の発光素子が得られる。
ることにより所望の発光素子が得られる。
本実施例Ｖｒ−より得られた発光素子は、Ｓｉ高濃度層
圓を収除かない場合に較べて２０係以」１外部光取出効
率がアップした。
圓を収除かない場合に較べて２０係以」１外部光取出効
率がアップした。
また、電極をマスクとしてＳｉ高濃度層を除去する従来
方法と本実施例により得ら几た発光素子を比較した結果
を第５図及び第６図に示す。
方法と本実施例により得ら几た発光素子を比較した結果
を第５図及び第６図に示す。
第５図に従来方法及び木実Ｒ（ｔｉＪ方法により得らｔ
た元つｆＪ光素子各に５０個用意し、各素子に夫々一定
電流（３０ｍＡ）を■加１．７だ際の全党量を受光素子
（例えばシャープ類ＦＴ−１１１）で測定した結果を示
す。また第６図に上記各素子に夫々一定電流（１００ｍ
Ａ）を印加した際の第１、第２電極（１，Ｉ３１ （１
７１間の電圧を測定した結果を示す。
た元つｆＪ光素子各に５０個用意し、各素子に夫々一定
電流（３０ｍＡ）を■加１．７だ際の全党量を受光素子
（例えばシャープ類ＦＴ−１１１）で測定した結果を示
す。また第６図に上記各素子に夫々一定電流（１００ｍ
Ａ）を印加した際の第１、第２電極（１，Ｉ３１ （１
７１間の電圧を測定した結果を示す。
断る結果より明らかな如く、従来方法により１ｑら肚た
発光素子の全党量に２１μ八〜５６７ｚＡｖＣ集中して
いるのに対して、本実施例方法により得ら肚た発光素子
のそｉｔ、は２８μｌ、〜６６μＡと非常に高くなる。
発光素子の全党量に２１μ八〜５６７ｚＡｖＣ集中して
いるのに対して、本実施例方法により得ら肚た発光素子
のそｉｔ、は２８μｌ、〜６６μＡと非常に高くなる。
また電流−電圧特性も本実施例の方法により得ら肚た発
光素子の万がバラツキが少なく、〃）つ良好なものとな
っている。
光素子の万がバラツキが少なく、〃）つ良好なものとな
っている。
（へ）光明の効果
７に発明に。Ｂｔば、旨効不発元が可ｉ１−でかつＵＬ
流−電（Ｅ特性が優：几たＳ１ド一プＧａＡ３発元素子
を得ることができる。
流−電（Ｅ特性が優：几たＳ１ド一プＧａＡ３発元素子
を得ることができる。
第１図、箒ろ図は典型的なＳ１ドープ（）ａＡｓ発光素
子を示す断面図、第２図はキャリア良度分布を示１″特
性図、第４図Ａ −Ｄ Ｉ”［、本発明の一実施例タボ
す工程別晶面１゛に１、第５図、第６図は兄光紫子の持
重を示テ荷性図である。 圓・・・Ｓ１晶養１γ層、１ｌｉｌ・・慟■１電極。 出ｆｉ１１人三洋電隈株式会社 、−５・１ ・２
子を示す断面図、第２図はキャリア良度分布を示１″特
性図、第４図Ａ −Ｄ Ｉ”［、本発明の一実施例タボ
す工程別晶面１゛に１、第５図、第６図は兄光紫子の持
重を示テ荷性図である。 圓・・・Ｓ１晶養１γ層、１ｌｉｌ・・慟■１電極。 出ｆｉ１１人三洋電隈株式会社 、−５・１ ・２
Claims (1)
- Ｉｌｌ ＋１４１エピタキシヤル成長法により得られた
８１ド一プＧａＡ１１１発光素子において、上記発光素
子の成長層表面に積層するＳｉ高磯既層を選択的に除去
する第１の工程、該第１の工程の後ＪＭる工程において
除去されていない上記Ｓｉ高濃度層表面に′電極を形成
″！１−る第２の工程を有することを特徴とするＳｉド
ープＧａＡ３元元累子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111318A JPS603166A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | Ｓｉド−プＧａＡｓ発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111318A JPS603166A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | Ｓｉド−プＧａＡｓ発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603166A true JPS603166A (ja) | 1985-01-09 |
Family
ID=14558177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58111318A Pending JPS603166A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | Ｓｉド−プＧａＡｓ発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603166A (ja) |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58111318A patent/JPS603166A/ja active Pending
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