JPS593979A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS593979A JPS593979A JP11192782A JP11192782A JPS593979A JP S593979 A JPS593979 A JP S593979A JP 11192782 A JP11192782 A JP 11192782A JP 11192782 A JP11192782 A JP 11192782A JP S593979 A JPS593979 A JP S593979A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
fa) 発明の技術分野
本発明は化合物半導体装置、特に接合ダイオードの形成
が容易であって、かつ特に集積回路装置に適する製造方
法に関する。
が容易であって、かつ特に集積回路装置に適する製造方
法に関する。
fb) 従来技術と問題点
現在実用されている半導体策積回路装置はシリコン(S
i)を半導体材料として使用するものに限られているが
、Stの物性による制約を超える半導体装置を実現する
ために、ガリウ、ム・砒素(G a A s ) +
インジウム・燐(rnP)等の二元化合物結晶、或いは
アルミニウム・ガリウム・砒素(AIGaAs)、イン
ジウム・ガリウム・砒素・燐−(InGaAsP)等の
三元以上の化合物混晶などを半導体材料とする個別の半
導体装置及びその集積化を実現する努力がなされている
。
i)を半導体材料として使用するものに限られているが
、Stの物性による制約を超える半導体装置を実現する
ために、ガリウ、ム・砒素(G a A s ) +
インジウム・燐(rnP)等の二元化合物結晶、或いは
アルミニウム・ガリウム・砒素(AIGaAs)、イン
ジウム・ガリウム・砒素・燐−(InGaAsP)等の
三元以上の化合物混晶などを半導体材料とする個別の半
導体装置及びその集積化を実現する努力がなされている
。
化合物半導体ダイオードとしては多数キャリアの伝導に
よるショットキーバリアダイオードが多く用いられてい
る。しかしながら化合物半導体と金属との接触を制御性
よく安定に形成することは容易ではなく、またショット
キーバリア即ち金属電極形成後に許容限度以上の高温に
加熱されるならばショットキーバリアが破壊されるため
に製造工程順序が制約されて特に集積回路を構成する場
合の障害の一つとなっている。
よるショットキーバリアダイオードが多く用いられてい
る。しかしながら化合物半導体と金属との接触を制御性
よく安定に形成することは容易ではなく、またショット
キーバリア即ち金属電極形成後に許容限度以上の高温に
加熱されるならばショットキーバリアが破壊されるため
に製造工程順序が制約されて特に集積回路を構成する場
合の障害の一つとなっている。
これに対して+ pn接合は化合物半導体についても
制御性良く形成することができ、またその耐熱性も一般
にショットキーバリアに比較して優れている。
制御性良く形成することができ、またその耐熱性も一般
にショットキーバリアに比較して優れている。
しかしながらpn接合ダイオードを従来技術によって形
成する場合には以下に述べる問題点かある。
成する場合には以下に述べる問題点かある。
その第一の問題点としては1例えばGaAs化合物半導
体にn型キャリアを3 X 10” (cm−3)程度
以上にドープすることは極めて困難であり。
体にn型キャリアを3 X 10” (cm−3)程度
以上にドープすることは極めて困難であり。
化合物半導体結晶の熱による損傷を避けるために不純物
の活性化が制約されて意図するキャリア濃度が必ずしも
実現できないことが挙げられる。
の活性化が制約されて意図するキャリア濃度が必ずしも
実現できないことが挙げられる。
また、第二の問題点として化合物半導体装置全般に共通
して、オーミック接触電極形成が挙げられる。化合物半
導体にオーミック接触を形成する電極材料の従来の代表
的な例としては、n型GaAsに対して金・ゲルマニウ
ム合金(AuGe)。
して、オーミック接触電極形成が挙げられる。化合物半
導体にオーミック接触を形成する電極材料の従来の代表
的な例としては、n型GaAsに対して金・ゲルマニウ
ム合金(AuGe)。
金・錫合金(AuSn)、金・ゲルマニウム合金/ニッ
ケル(AuGe/Ni)等、p型GaAsに対して金・
亜鉛合金(AuZn)、金・ベリリウム合金(AuBe
)等があげられる。これらのAuベースの合金は蒸着1
合金形成等が容易で微細加工性が良く、再゛現性、化学
的安定性に優れてボンディングも容易であるが、半導体
との付着力に問題を生じ易い。
ケル(AuGe/Ni)等、p型GaAsに対して金・
亜鉛合金(AuZn)、金・ベリリウム合金(AuBe
)等があげられる。これらのAuベースの合金は蒸着1
合金形成等が容易で微細加工性が良く、再゛現性、化学
的安定性に優れてボンディングも容易であるが、半導体
との付着力に問題を生じ易い。
従来一般に行なわれているオーミック接触電極形成方法
は1例えばn型GaAs化合物半導体面上に蒸着法もし
くはスパッタ法によって、AuGe合金膜を形成し1次
いで温度350乃至450〔℃〕程程度1問 によって電極金属と化合物半導体との合金を形成する方
法である。
は1例えばn型GaAs化合物半導体面上に蒸着法もし
くはスパッタ法によって、AuGe合金膜を形成し1次
いで温度350乃至450〔℃〕程程度1問 によって電極金属と化合物半導体との合金を形成する方
法である。
しかしながらこの熱処理において, AuQeの例えば
GaAsに対するぬれ性が悪いためにAuGeが球状に
なる(bailing)傾向があり。
GaAsに対するぬれ性が悪いためにAuGeが球状に
なる(bailing)傾向があり。
また形成された合金の粒子が粗大化するために。
低い安定した抵抗値を再現性よく実現することが困難で
あり.また電極領域が微少化されるに伴って.半導体装
置の動作に致命的障害を及ぼす故障率が増大するなど信
頼度の面からも問題となっている。
あり.また電極領域が微少化されるに伴って.半導体装
置の動作に致命的障害を及ぼす故障率が増大するなど信
頼度の面からも問題となっている。
(C) 発明の目的
本発明は.゛化合物半導体を用いたpn接合ダイオード
が容易にかつ再現性良く形成される半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
が容易にかつ再現性良く形成される半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
(dl 発明の構成
本発明の前記目的は,−導電型を有する化合物半導体領
域に接して.該化合物半導体領域に反対の導電型を与え
る不純物を含む皮膜を形成し1次いで該皮膜に選択的に
吸収されるエネルギー線を該皮膜に照射する工程を含む
半導体装置の製造方法によって達成される。
域に接して.該化合物半導体領域に反対の導電型を与え
る不純物を含む皮膜を形成し1次いで該皮膜に選択的に
吸収されるエネルギー線を該皮膜に照射する工程を含む
半導体装置の製造方法によって達成される。
tel 発明の実施例
以下本発明を実施例により図面を参照して具体的に説明
する。
する。
第1図(al乃至(dlはGaAs化合物半導体を用い
てダイオードマトリクスを形成する本発明の実施例を示
す断面図である。
てダイオードマトリクスを形成する本発明の実施例を示
す断面図である。
第1図(a)に示す如く,亜鉛(Z n)がドープされ
てキャリア濃度が5 X 1 0” (am−’)程度
とされているp形GaAs基板1の表面に,二酸化シリ
コン(SiO−L)による保護膜2を設けた後に。
てキャリア濃度が5 X 1 0” (am−’)程度
とされているp形GaAs基板1の表面に,二酸化シリ
コン(SiO−L)による保護膜2を設けた後に。
フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜3を形成す
る。
る。
通常のフォトリソグラフィ法によって.フォトレジスト
膜3に所要のダイオードマトリクスパターンを形成し,
このフォトレジスト膜3を介して保護膜2をエツチング
除去して.このパターンの閉口を設ける。
膜3に所要のダイオードマトリクスパターンを形成し,
このフォトレジスト膜3を介して保護膜2をエツチング
除去して.このパターンの閉口を設ける。
次いでフォトレジスト膜3を除去することなく。
厚さ例えば50(nm)程度のゲルマニウム(Ge)膜
4を形成する。しかる後にフオトレジス!・膜3を剥離
除去することにより,所要のダイオードマトリクスパタ
ーンのGe膜4を有するp型GaAs基板1が得られる
。
4を形成する。しかる後にフオトレジス!・膜3を剥離
除去することにより,所要のダイオードマトリクスパタ
ーンのGe膜4を有するp型GaAs基板1が得られる
。
第1図(blに示すこの状態のp型GaAs基板1に対
して,エネルギー線の照射を行なう。ここで照射するエ
ネルギー線は,GaAs化合物半導体よりなる基板1に
は吸収されず,Ge膜4には充μS〕程度以下のNd−
YAGパルスレーザ光を基板裏面より照射している。こ
のレーザ光に対する光吸収係数は. Ge7’l<Ga
A sに比較して10倍以上太き(、照射されたレー
ザ光は,GaAs基板1を透過してGe膜4に吸収され
る。
して,エネルギー線の照射を行なう。ここで照射するエ
ネルギー線は,GaAs化合物半導体よりなる基板1に
は吸収されず,Ge膜4には充μS〕程度以下のNd−
YAGパルスレーザ光を基板裏面より照射している。こ
のレーザ光に対する光吸収係数は. Ge7’l<Ga
A sに比較して10倍以上太き(、照射されたレー
ザ光は,GaAs基板1を透過してGe膜4に吸収され
る。
このエネルギー線を吸収することによって、Ge膜4の
少なくとも一部が融解し、これに伴って融解したGeに
接するGaAs基板1の界面部分も融解して、GeはG
aAs基板1側に拡散し。
少なくとも一部が融解し、これに伴って融解したGeに
接するGaAs基板1の界面部分も融解して、GeはG
aAs基板1側に拡散し。
Ga、As及びGeの合金層5が第1図fC)に示す如
く形成される。
く形成される。
この合金層5の導電型はn型であり、その深さは約0.
1〔μm〕であって、更にシートキャリア濃度は2×1
0 乃至4X10 (印 )であることが測定によっ
てわかった。これらの結果によりこの合金層5の平均キ
ャリア濃度はlXl0 (3 cm )以上であることがわかる。
1〔μm〕であって、更にシートキャリア濃度は2×1
0 乃至4X10 (印 )であることが測定によっ
てわかった。これらの結果によりこの合金層5の平均キ
ャリア濃度はlXl0 (3 cm )以上であることがわかる。
次いで第1図(d)に示す如<Ge膜膜上上選択的に金
(Au)膜6を形成し、温度450(”C)。
(Au)膜6を形成し、温度450(”C)。
時間90秒間程度の熱処理を施すことにより、AuGe
合金層7を形成してn側電極の製造工程が終了する。
合金層7を形成してn側電極の製造工程が終了する。
更にGaAs基板1の反対面に例えば金・亜鉛/金(A
u Z n / A u )によって構成されるn側
電極8を形成する。なおn側電極8形成に先立って、必
要に応じてGaAs基板1の厚さを調整する。
u Z n / A u )によって構成されるn側
電極8を形成する。なおn側電極8形成に先立って、必
要に応じてGaAs基板1の厚さを調整する。
以上説明した本発明の実施例について、その電圧−電流
特性の一例を第2図に示す。図において横軸は電圧、縦
軸は電流をを示すが、電圧、電流の何れについても順方
向と逆方向とでは目盛を異にしている。
特性の一例を第2図に示す。図において横軸は電圧、縦
軸は電流をを示すが、電圧、電流の何れについても順方
向と逆方向とでは目盛を異にしている。
第2図に見られる如く、順方向の立上り電圧。
及び逆方向の降伏電圧が予想される値にほぼ一致するダ
イオード特性が得られている。
イオード特性が得られている。
この特性には先に述べた如く合金層5では高いキャリア
濃度が実現され、またこの合金層5の粒状も微細であっ
て接触抵抗値が低いことが寄与している。
濃度が実現され、またこの合金層5の粒状も微細であっ
て接触抵抗値が低いことが寄与している。
前記実施例においてはGe膜4は不純物を含まないGe
によって形成したが、Ge膜4にエネルギー線照射に先
立って例えばAs等の化合物半導体を構成する元素をド
ープするならば、エネルギー線照射によりGe膜4及び
G a A、 s半導体が融解した状態においてAsの
69膜4への拡散が抑制されて5合金層5のn型化が促
進される効果を有する。
によって形成したが、Ge膜4にエネルギー線照射に先
立って例えばAs等の化合物半導体を構成する元素をド
ープするならば、エネルギー線照射によりGe膜4及び
G a A、 s半導体が融解した状態においてAsの
69膜4への拡散が抑制されて5合金層5のn型化が促
進される効果を有する。
また前記実施例においては、AuGe合金層7を熱処理
による拡散によって形成したが、AuGe合金層7をG
e膜膜上上直接に合金として形成するならば、熱処理が
不要となる。
による拡散によって形成したが、AuGe合金層7をG
e膜膜上上直接に合金として形成するならば、熱処理が
不要となる。
更に前記実施例においては化合物半導体と合金を形成し
てn型領域を形成する皮膜をGeによって形成したが、
Geに代えてシリコン(St)を用いても同様に接合ダ
イオードを形成することができる。また更に単一元素に
限らず化合物であってもよ<、n型半導体にp型領域を
形成して接合ダイオードを形成することも可能である。
てn型領域を形成する皮膜をGeによって形成したが、
Geに代えてシリコン(St)を用いても同様に接合ダ
イオードを形成することができる。また更に単一元素に
限らず化合物であってもよ<、n型半導体にp型領域を
形成して接合ダイオードを形成することも可能である。
if) 発明の効果
本発明によれば、化合物半導体を用いたpn接合ダイオ
ードを容易に、かつ再現性良く形成することができ、特
に集積回路装置を形成する場合には、基板全体を高温度
に加熱しないために既に形成されている他の活性部分等
に悪影響を及ぼすことなく、またpn接合は金属−半導
体接触より一般に熱的に安定であるために製造工程順序
ならびにパターン構成上の自由度が大きく、化合物半導
体集積回路装置の実現に大きく寄与する。
ードを容易に、かつ再現性良く形成することができ、特
に集積回路装置を形成する場合には、基板全体を高温度
に加熱しないために既に形成されている他の活性部分等
に悪影響を及ぼすことなく、またpn接合は金属−半導
体接触より一般に熱的に安定であるために製造工程順序
ならびにパターン構成上の自由度が大きく、化合物半導
体集積回路装置の実現に大きく寄与する。
第1図は(a)乃至fd)は本発明の実施例を示す断面
図、第2図は実施例の電圧−電流特性の例を示す図表で
ある。 図において、1はp型GaAs基板、4はGe膜、5は
GaAsGe合金層、6はAu膜、7はAuGe合金層
、8はn側電極を示す。 早1図 事 2 図
図、第2図は実施例の電圧−電流特性の例を示す図表で
ある。 図において、1はp型GaAs基板、4はGe膜、5は
GaAsGe合金層、6はAu膜、7はAuGe合金層
、8はn側電極を示す。 早1図 事 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一導電型を有する化合物半導体領域に接して。 該化合物半導体領域に反対の導電型を与える不純物を含
む皮膜を形成し9次いで該皮膜に選択的に吸収されるエ
ネルギー線を該皮膜に照射する工程を含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11192782A JPS593979A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11192782A JPS593979A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS593979A true JPS593979A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14573606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11192782A Pending JPS593979A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS593979A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4783236A (en) * | 1985-07-01 | 1988-11-08 | Wu Jiun Tsong | Method of making memory devices |
JP2005311151A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Japan Science & Technology Agency | 格子整合トンネルダイオードの製造方法および格子整合トンネルダイオード |
JP2020155477A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11192782A patent/JPS593979A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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