JPH079914B2 - 化合物半導体装置の構造 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 59
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- -1 F 2 Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N digallium;selenium(2-) Chemical compound [Ga+3].[Ga+3].[Se-2].[Se-2].[Se-2] ZZEMEJKDTZOXOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P ammonium sulfide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[S-2] UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910001408 cation oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N lithium sulfide Chemical compound [Li+].[Li+].[S-2] GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
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- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
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Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 この発明は、化合物半導体材料で製作した半導体装置、
特に、装置の製作に影響を及ぼすこれらの半導体材料の
表面に関するものである。
特に、装置の製作に影響を及ぼすこれらの半導体材料の
表面に関するものである。
化合物半導体装置の設計と動作は、多くの要因の影響を
受ける。この要因の主なものは、露出した半導体の表面
の特性、ならびに半導体結晶と金属または絶縁体との界
面の特性である。
受ける。この要因の主なものは、露出した半導体の表面
の特性、ならびに半導体結晶と金属または絶縁体との界
面の特性である。
このような半導体装置では、半導体結晶の表面でフェル
ミ準位がある特性エネルギーで束縛され、これが表面に
おけるキャリアの再結合と、固有障壁の好ましくない影
響を生じる。この影響が無ければ可能で、有用な多数の
装置および装置構造の開発が、これらの条件によって阻
害されるため、フェルミ準位を自由に移動させることが
可能で、再結合速度の低い、理想に近い界面が必要とな
る。
ミ準位がある特性エネルギーで束縛され、これが表面に
おけるキャリアの再結合と、固有障壁の好ましくない影
響を生じる。この影響が無ければ可能で、有用な多数の
装置および装置構造の開発が、これらの条件によって阻
害されるため、フェルミ準位を自由に移動させることが
可能で、再結合速度の低い、理想に近い界面が必要とな
る。
B.従来技術 この問題を解決するため、多くの努力が行なわれてい
る。この努力は通常パッシベーションと呼ばれ、その結
果、化合物半導体結晶の表面を被覆する材料が提供され
ている。
る。この努力は通常パッシベーションと呼ばれ、その結
果、化合物半導体結晶の表面を被覆する材料が提供され
ている。
この技術における研究では、イオウ元素の存在を考慮し
ている。
ている。
米国特許第4354198号明細書では、GaAs等の第III族と第
Ｖ族の化合物半導体上で、第II族と第VI族の半導体が表
面を不動態化し、好ましい第II族と第IV族の化合物はZn
Sであることを開示している。
Ｖ族の化合物半導体上で、第II族と第VI族の半導体が表
面を不動態化し、好ましい第II族と第IV族の化合物はZn
Sであることを開示している。
他の研究では、現場における注意の必要性を示してい
る。ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アン
ド・テクノロジー（Journal of Vacuum Science ＆ Tec
hnology）Vol.17、No.5、p.1134、1980年9/10月の論文
で、真空中でGaAsをH2Sに露出すると、フェルミ準位が
開放され、この効果はAlを添加した後も持続する事実が
記載されている。ジャーナル・オブ・バキューム・サイ
エンス・アンド・テクノロジー、Vol.B3、No.4、1985年
7/8月、p.1197の別の論文では、研究およびデータは、G
aAsについてはひ素を除去しないと結果が予測できなく
なるという事実が示されている。ジャーナル・オブ・バ
キューム・サイエンス・アンド・テクノロジー、Vol.1
9、1981年、p.794に記載されたもう一つの論文では、Ｏ
の存在下で形成されたGaおよびAsの自然酸化物がフェル
ミ準位の束縛と関連することを示している。すなわち、
Ｏは有害な挙動を示す。
る。ジャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アン
ド・テクノロジー（Journal of Vacuum Science ＆ Tec
hnology）Vol.17、No.5、p.1134、1980年9/10月の論文
で、真空中でGaAsをH2Sに露出すると、フェルミ準位が
開放され、この効果はAlを添加した後も持続する事実が
記載されている。ジャーナル・オブ・バキューム・サイ
エンス・アンド・テクノロジー、Vol.B3、No.4、1985年
7/8月、p.1197の別の論文では、研究およびデータは、G
aAsについてはひ素を除去しないと結果が予測できなく
なるという事実が示されている。ジャーナル・オブ・バ
キューム・サイエンス・アンド・テクノロジー、Vol.1
9、1981年、p.794に記載されたもう一つの論文では、Ｏ
の存在下で形成されたGaおよびAsの自然酸化物がフェル
ミ準位の束縛と関連することを示している。すなわち、
Ｏは有害な挙動を示す。
第III族と第Ｖ族の化合物半導体を不動態化するのにイ
オウ化合物を使用することが、アプライド・フィジカル
・レターズ（Applied Physical Letters）、1987年７月
に報告されている。この報文では、硫化リチウム、硫化
アンモニウム、および硫化ナトリウムが、GaAsの表面再
結合特性を改善することが示されている。
オウ化合物を使用することが、アプライド・フィジカル
・レターズ（Applied Physical Letters）、1987年７月
に報告されている。この報文では、硫化リチウム、硫化
アンモニウム、および硫化ナトリウムが、GaAsの表面再
結合特性を改善することが示されている。
イオウ化合物による不動態化の研究は、さらにアプライ
ド・フィジカル・レターズ（Applied Physical Letter
s）、1987年７月にも発表され、不動態化のために、硫
化ナトリウムの水溶液を表面電極の位置に塗布する方法
が記載されている。
ド・フィジカル・レターズ（Applied Physical Letter
s）、1987年７月にも発表され、不動態化のために、硫
化ナトリウムの水溶液を表面電極の位置に塗布する方法
が記載されている。
C.発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来技術においては、各種の化合物半導
体装置に適用できる表面構造はなかった。この発明によ
る化合物半導体装置の構造は特許請求の範囲に記載の構
成を有し、この構造が種々の化合物半導体装置の製作の
際の中間生成物として機能し、これにより、種々の化合
物半導体装置の表面を安定させ、その性能を改良できる
構造を提供するものである。
体装置に適用できる表面構造はなかった。この発明によ
る化合物半導体装置の構造は特許請求の範囲に記載の構
成を有し、この構造が種々の化合物半導体装置の製作の
際の中間生成物として機能し、これにより、種々の化合
物半導体装置の表面を安定させ、その性能を改良できる
構造を提供するものである。
D.問題点を解決するための手段 この発明は、各種の化合物半導体装置構造に表面成端能
力を提供する。これらの構造中では、原因となるいくつ
かの相互依存要素があり、有用な成端特性には製作中の
装置との両立性が含まれることが知られている。
力を提供する。これらの構造中では、原因となるいくつ
かの相互依存要素があり、有用な成端特性には製作中の
装置との両立性が含まれることが知られている。
この発明は、構造的に表面にある化合物半導体のフェル
ミ準位を開放する材料の非常に薄いフェルミ準位束縛制
御層を使用する。この層は単分子層程度の厚みでなけれ
ばならない。材料の単分子層は、材料の各表面原子上に
位置する１個の表面原子と定義される。被覆に必要な量
は、結晶配向に左右される。装置の製作に適合させるた
め、束縛制御層は、光を減衰させず、オーム接触性能の
ためのトンネル現象を生じさせるのに十分なほど薄いこ
とが好ましい。量子力学的なトンネルの厚みは、20Å程
度が望ましい。清浄結晶面という用語は、損傷や汚染の
無い結晶面を指すのに用いる。開放材料の層は、非金属
材料の第２の層で被覆する。この非金属材料は、誘電性
で、周囲の反応に不活性で、半透明な特性を与えるもの
を選択する。
ミ準位を開放する材料の非常に薄いフェルミ準位束縛制
御層を使用する。この層は単分子層程度の厚みでなけれ
ばならない。材料の単分子層は、材料の各表面原子上に
位置する１個の表面原子と定義される。被覆に必要な量
は、結晶配向に左右される。装置の製作に適合させるた
め、束縛制御層は、光を減衰させず、オーム接触性能の
ためのトンネル現象を生じさせるのに十分なほど薄いこ
とが好ましい。量子力学的なトンネルの厚みは、20Å程
度が望ましい。清浄結晶面という用語は、損傷や汚染の
無い結晶面を指すのに用いる。開放材料の層は、非金属
材料の第２の層で被覆する。この非金属材料は、誘電性
で、周囲の反応に不活性で、半透明な特性を与えるもの
を選択する。
この発明により得られた表面成端構造を有する化合物半
導体結晶は、化合物半導体装置の製作で、中間生成物と
して機能することができる。
導体結晶は、化合物半導体装置の製作で、中間生成物と
して機能することができる。
表面の問題に影響を与える要因は、下記の原理に照らし
て見ることができる。理解しやすいように、第III族と
第Ｖ族の化合物GaAsを説明のために選択したが、関係す
る原理に照らせば、他の半導体材料に変えることができ
ることは容易に理解できる。
て見ることができる。理解しやすいように、第III族と
第Ｖ族の化合物GaAsを説明のために選択したが、関係す
る原理に照らせば、他の半導体材料に変えることができ
ることは容易に理解できる。
第１の要因は、表面帯電がなく、フェルミ準位束縛と呼
ばれる現象を生じる通常の位置からフェルミ準位を移動
させる物質が化合物半導体表面に存在することである。
GaAsの場合、この物質は、化合物半導体結晶の過剰な１
つ以上の成分と見られる。この点を考慮して、実用的な
装置用の表面成端には、その表面上からこのような物質
を除去する必要がある。この半導体表面は清浄でなけれ
ばならない。
ばれる現象を生じる通常の位置からフェルミ準位を移動
させる物質が化合物半導体表面に存在することである。
GaAsの場合、この物質は、化合物半導体結晶の過剰な１
つ以上の成分と見られる。この点を考慮して、実用的な
装置用の表面成端には、その表面上からこのような物質
を除去する必要がある。この半導体表面は清浄でなけれ
ばならない。
第２の要因は、保存中にも使用中にも、フェルミ準位が
確実に開放された状態を保つ材料のコーティングを用い
て、たとえば装置界面にこのような材料を存在させるこ
とにより保護する手段をとらない限り、化合物半導体の
表面は周囲の物質と反応して、汚染されることである。
確実に開放された状態を保つ材料のコーティングを用い
て、たとえば装置界面にこのような材料を存在させるこ
とにより保護する手段をとらない限り、化合物半導体の
表面は周囲の物質と反応して、汚染されることである。
第３の要因は、一般に束縛状態を制御する材料は、装置
の製作中に、他の機能的目的と適合する必要があるが、
材料特性と層の厚みの不適合の状態が生じる可能性があ
ることである。この発明によれば、このような状態が生
じた場合、必要な特性を与えるための層を付着させる。
の製作中に、他の機能的目的と適合する必要があるが、
材料特性と層の厚みの不適合の状態が生じる可能性があ
ることである。この発明によれば、このような状態が生
じた場合、必要な特性を与えるための層を付着させる。
この発明により得られる多層成端構造は、各種の化合物
半導体装置構造に使用することができる。これは、フェ
ルミ準位束縛状態から開放されることにより、伝導に対
する障壁の高さが一定でなく、材料の相対的仕事関数に
依存する理想的な界面の形成が可能になるためである。
このことは、オーム接点などの界面、選択可能な障壁高
さ調製接点、装置中の選択可能なしきい値反転チャネル
・キャリア制御を選択的に形成する能力を与える。
半導体装置構造に使用することができる。これは、フェ
ルミ準位束縛状態から開放されることにより、伝導に対
する障壁の高さが一定でなく、材料の相対的仕事関数に
依存する理想的な界面の形成が可能になるためである。
このことは、オーム接点などの界面、選択可能な障壁高
さ調製接点、装置中の選択可能なしきい値反転チャネル
・キャリア制御を選択的に形成する能力を与える。
第１図を参照すると、化合物半導体基板１上の清浄表面
２、すなわち実質的に損傷が無く、実質的に外来性物質
が無い、したがって束縛物質が存在しない表面２の上
に、フェルミ準位を通常の位置に維持する材料の層を付
着させる。装置を製作し、性能を適合させる層は極めて
薄く、被覆に用いる材料の層３の厚みは単分子層の程度
で、トンネル現象のためには、トンネル厚みより薄いこ
とが好ましい。
２、すなわち実質的に損傷が無く、実質的に外来性物質
が無い、したがって束縛物質が存在しない表面２の上
に、フェルミ準位を通常の位置に維持する材料の層を付
着させる。装置を製作し、性能を適合させる層は極めて
薄く、被覆に用いる材料の層３の厚みは単分子層の程度
で、トンネル現象のためには、トンネル厚みより薄いこ
とが好ましい。
層３の上に層４を付着させる。層４は、誘電性の、周囲
の反応に不活性で、半透明な特性を与えるものを選択す
る。この層は非金属で、半導体でも絶縁体でもよい。
の反応に不活性で、半透明な特性を与えるものを選択す
る。この層は非金属で、半導体でも絶縁体でもよい。
この発明によれば、化合物半導体はGa、AlまたはInと、
AsまたはSbとの化合物、またはこれらの三元および四元
合金とすることができる。
AsまたはSbとの化合物、またはこれらの三元および四元
合金とすることができる。
層３は、化合物半導体の陽イオン成分と、Ｓ、Seおよび
Teのうちの１つとの化合物である。化合物半導体では、
周期律表の低位の元素が陽イオン成分である。一例はGa
とＳとの化合物である。他の例として、陰イオン酸化物
（GaAsではAs2O3）とAs等の過剰陰イオンが開放層の形
成前または形成中に除去される場合、層３は、陽イオン
酸化物（GaAs結晶ではGa2O3）とすることができる。
Teのうちの１つとの化合物である。化合物半導体では、
周期律表の低位の元素が陽イオン成分である。一例はGa
とＳとの化合物である。他の例として、陰イオン酸化物
（GaAsではAs2O3）とAs等の過剰陰イオンが開放層の形
成前または形成中に除去される場合、層３は、陽イオン
酸化物（GaAs結晶ではGa2O3）とすることができる。
層４は非金属で、低温プラズマで励起されたSiO2、Ca
F2、NaS、ZnS、GaP、GaSe、およびポリイミド類等の物
質とすることができる。
F2、NaS、ZnS、GaP、GaSe、およびポリイミド類等の物
質とすることができる。
この発明による製作で、基板１は、GaAsの例ではたとえ
ば下記のようにして、清浄で束縛を起こす物質を含まな
いようにすることができる。
ば下記のようにして、清浄で束縛を起こす物質を含まな
いようにすることができる。
・ヒ素でコーティングした結晶を約400℃で約10秒間真
空中で加熱する。この方法により、表面の単位格子が内
部・単位格子と等値になるように表面再構成が行なわ
れ、フェルミ準位の束縛が除去される。
空中で加熱する。この方法により、表面の単位格子が内
部・単位格子と等値になるように表面再構成が行なわ
れ、フェルミ準位の束縛が除去される。
・表面からヒ素を除去するのに役立つ光線中で、セレン
化亜鉛で処理する。
化亜鉛で処理する。
・高温で硫化水素雰囲気に露出する。
・酸および塩基で表面をエッチングする。
・結晶表面が光の存在下で水に露出されるような条件
で、フォトウォッシングを行なう。
で、フォトウォッシングを行なう。
これらの操作はすべて、束縛の原因となる物質が表面に
存在しない、清浄表面を有する化合物半導体結晶を与え
る。このような表面は、保護を必要とするので、この発
明によれば、自由な位置にフェルミ準位を保持する極め
て薄い材料を付着させる。この材料は、化合物半導体結
晶の陽イオンと、Ｓ、SeおよびTeの群から選択した一つ
との化合物であり、GaAsの場合では、硫化ガリウム、セ
レン化ガリウムおよびテルル化ガリウムである。
存在しない、清浄表面を有する化合物半導体結晶を与え
る。このような表面は、保護を必要とするので、この発
明によれば、自由な位置にフェルミ準位を保持する極め
て薄い材料を付着させる。この材料は、化合物半導体結
晶の陽イオンと、Ｓ、SeおよびTeの群から選択した一つ
との化合物であり、GaAsの場合では、硫化ガリウム、セ
レン化ガリウムおよびテルル化ガリウムである。
層４の付着は、第１図の層３を有する結晶１を硫化ナト
リウム、硫化ガリウム、またはセレン化ガリウムが蒸発
するまでH2S雰囲気に露出させる等の技術およびフォト
ウォッシング技術を用いて行なうことができる。
リウム、硫化ガリウム、またはセレン化ガリウムが蒸発
するまでH2S雰囲気に露出させる等の技術およびフォト
ウォッシング技術を用いて行なうことができる。
フォトウォッシング技術は、1986年６月16日出願の米国
特許出願第874738号明細書に開示されている。この技術
により作成した表面を第１図の構造として使用し、それ
に層４を付着させることができる。
特許出願第874738号明細書に開示されている。この技術
により作成した表面を第１図の構造として使用し、それ
に層４を付着させることができる。
次に層４を約1000nmまでの厚みで付着させる。
この発明の表面成端は、各種の装置構造で有用である。
次に第２図を参照すると、オーム接触に適当な界面を示
すバンド・エネルギー図が示されている。この図では、
清浄表面２に層３を設けると、表面２でフェルミ準位Ef
が開放される。誘電層４は、量子力学的トンネル現象を
生じる程度に薄くし、金属５用の、In等の仕事関数の低
い金属を介する接触がGaAs結晶上で主としてオーム伝導
性能を示すようにさせる。層３は、単分子層程度の厚み
でトンネル機構をさまたげない程度に薄く、層４は適当
な厚みでよく、ほとんどの応用例では一般に金属接点５
の位置決めに関連して得られる20Å程度である。
すバンド・エネルギー図が示されている。この図では、
清浄表面２に層３を設けると、表面２でフェルミ準位Ef
が開放される。誘電層４は、量子力学的トンネル現象を
生じる程度に薄くし、金属５用の、In等の仕事関数の低
い金属を介する接触がGaAs結晶上で主としてオーム伝導
性能を示すようにさせる。層３は、単分子層程度の厚み
でトンネル機構をさまたげない程度に薄く、層４は適当
な厚みでよく、ほとんどの応用例では一般に金属接点５
の位置決めに関連して得られる20Å程度である。
各種の装置の構造の製作で、電気伝導に対して選択可能
な障壁を有することが望ましい。この選択性により、装
置中の接点を調製する制御性能と、反転チャネル中のキ
ャリアの流れを制御する能力が得られる。
な障壁を有することが望ましい。この選択性により、装
置中の接点を調製する制御性能と、反転チャネル中のキ
ャリアの流れを制御する能力が得られる。
次に第３図を参照すると、層４が量子力学的トンネル現
象が生じる程度に十分薄く、金属５にAu等の仕事関数の
より高い金属を用いた場合、性能が選択可能なショット
キー障壁高さの性能となる場合のバンド・エネルギー図
が示されている。これは電界効果トランジスタのしきい
値制御に有用である。
象が生じる程度に十分薄く、金属５にAu等の仕事関数の
より高い金属を用いた場合、性能が選択可能なショット
キー障壁高さの性能となる場合のバンド・エネルギー図
が示されている。これは電界効果トランジスタのしきい
値制御に有用である。
第４図ないし第８図では、この発明の各種の半導体への
適用が示されている。
適用が示されている。
次に第４図を参照すると、表面で成端するｐ−ｎ接合６
のある装置が示されている。このような構造の状態が生
じると、キャリアの再結合は１つの交点で要素７として
示す非常に高い電界の存在により悪化する。この発明に
よれば、これらの状態にある層３および４は、キャリア
の再結合と、電界の効果の両方を防止するよう作用す
る。
のある装置が示されている。このような構造の状態が生
じると、キャリアの再結合は１つの交点で要素７として
示す非常に高い電界の存在により悪化する。この発明に
よれば、これらの状態にある層３および４は、キャリア
の再結合と、電界の効果の両方を防止するよう作用す
る。
第５図は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MO
SFET）と称する電界効果トランジスタ半導体装置を示
す。この装置では、半導体基板１の上に、表面２上の層
３と誘電体層４とに貫入するソースとドレインのオーム
接点８および９が位置し、誘電体層４は装置の他の要件
を満足するよう修正された形状になっている。薄い、実
質的に単分子の厚みの層３により、オーム接点８および
９は単に層３の上に位置することになり、これにより電
気的性能が妨害を受けることがなくなる。層４は、結晶
１の界面で接点８と９の間のチャネルを反転するしきい
値特性を有するのに適した厚みと絶縁耐力を有し、ゲー
ト10の絶縁体として機能する。
SFET）と称する電界効果トランジスタ半導体装置を示
す。この装置では、半導体基板１の上に、表面２上の層
３と誘電体層４とに貫入するソースとドレインのオーム
接点８および９が位置し、誘電体層４は装置の他の要件
を満足するよう修正された形状になっている。薄い、実
質的に単分子の厚みの層３により、オーム接点８および
９は単に層３の上に位置することになり、これにより電
気的性能が妨害を受けることがなくなる。層４は、結晶
１の界面で接点８と９の間のチャネルを反転するしきい
値特性を有するのに適した厚みと絶縁耐力を有し、ゲー
ト10の絶縁体として機能する。
この発明の構造的原理により、第３図に示す種類の障壁
の選択性によって、製作する装置に特性を与える際に柔
軟性が得られる。
の選択性によって、製作する装置に特性を与える際に柔
軟性が得られる。
次に第６図を参照すると、基板に対して垂直に配向した
バイポーラ・トランジスタ型の構造が示されている。こ
の構造では、適当にドーピングした基板１がコレクタと
して働き、適当にドーピングした反対の導電型のベース
領域11が界面２に隣接して位置する。界面２に接する層
３上に、円形のオーム電極12がメサ型半導体領域13から
離れて、この領域を囲むように位置し、このメサ型半導
体領域13は、エミッタとして働く界面２にエピタキシア
ル接合し、このエミッタは半導体領域14が金属エミッタ
接点15との界面として機能するのを容易にする。
バイポーラ・トランジスタ型の構造が示されている。こ
の構造では、適当にドーピングした基板１がコレクタと
して働き、適当にドーピングした反対の導電型のベース
領域11が界面２に隣接して位置する。界面２に接する層
３上に、円形のオーム電極12がメサ型半導体領域13から
離れて、この領域を囲むように位置し、このメサ型半導
体領域13は、エミッタとして働く界面２にエピタキシア
ル接合し、このエミッタは半導体領域14が金属エミッタ
接点15との界面として機能するのを容易にする。
この発明の特徴をこの種の構造で使用すると、近接して
位置する接点、表面で成端する界面、およびオーム性能
に関して生じる洩れの問題を防止しやすくなる。この発
明の清浄表面上の２層成端構造16を、エミッタ13の周囲
に付着させる。層４は、オーム接点12の位置決め中に除
去され、層３はその寸法が薄いため接点12のオーム性能
に影響を与えることはない。
位置する接点、表面で成端する界面、およびオーム性能
に関して生じる洩れの問題を防止しやすくなる。この発
明の清浄表面上の２層成端構造16を、エミッタ13の周囲
に付着させる。層４は、オーム接点12の位置決め中に除
去され、層３はその寸法が薄いため接点12のオーム性能
に影響を与えることはない。
この発明の原理はさらに、光電変換装置の製造を容易に
するのに適用される。
するのに適用される。
次に第７図を参照すると、光電変換分野における重大な
問題の１つに、光を放射するpn接合の半透明パッシベー
ションがあった。
問題の１つに、光を放射するpn接合の半透明パッシベー
ションがあった。
第７図を参照すると、発光ダイオード型の装置が示され
ている。この装置では、基板１上に、メサ型構造の高導
電性の外因性n+層18、ｎ型層19およびｐ型層20があり、
要素19と20の間のpn接合がメサ型構造中で発光源として
働く。表面の発光接合は、円21で、電界を有するのが示
されている。この発明の成端構造は、メサ上に付着させ
た要素22で示す。n+領域18とのオーム接点23と、ｐ領域
20とのオーム接点24は、層４を除去することにより形成
され、オーム性能は薄い層３により影響されない。
ている。この装置では、基板１上に、メサ型構造の高導
電性の外因性n+層18、ｎ型層19およびｐ型層20があり、
要素19と20の間のpn接合がメサ型構造中で発光源として
働く。表面の発光接合は、円21で、電界を有するのが示
されている。この発明の成端構造は、メサ上に付着させ
た要素22で示す。n+領域18とのオーム接点23と、ｐ領域
20とのオーム接点24は、層４を除去することにより形成
され、オーム性能は薄い層３により影響されない。
この種の構造では、この発明の成端構造中の層３および
４は十分に薄くて、発生した光を減衰させず、しかもパ
ッシベーションの状態で機能し、接触を容易にする。
４は十分に薄くて、発生した光を減衰させず、しかもパ
ッシベーションの状態で機能し、接触を容易にする。
第８図を参照すると、代表的な、寸法が50ないし100Å
程度の超小形能動領域装置が示されている。このような
構造は、量子ワイヤ構造と呼ばれるものである。第８図
で、GaAs等の第１のバンド・ギャップの半導体材料の基
板25上に、InGaAs等の原子的に適合性のあるバンド・ギ
ャップの異なる高易動度の半導体領域26が、メサ構造中
のGaAs等のバンド・ギャップの異なる易動度のより低い
別の半導体材料の層27との間に、挟まれている。この発
明によれば、メサと基板の両側の表面は、層４で覆われ
た清浄表面上の層３を包含する成端構造によりコーティ
ングされている。
程度の超小形能動領域装置が示されている。このような
構造は、量子ワイヤ構造と呼ばれるものである。第８図
で、GaAs等の第１のバンド・ギャップの半導体材料の基
板25上に、InGaAs等の原子的に適合性のあるバンド・ギ
ャップの異なる高易動度の半導体領域26が、メサ構造中
のGaAs等のバンド・ギャップの異なる易動度のより低い
別の半導体材料の層27との間に、挟まれている。この発
明によれば、メサと基板の両側の表面は、層４で覆われ
た清浄表面上の層３を包含する成端構造によりコーティ
ングされている。
成端は、異なる半導体材料間の異種界面を含む表面を不
動態化する働きをする。厚みのため、オーム接触性能に
影響を与えない層３の存在を示すオーム接点28と29が示
されている。第８図の構造は、量子ワイヤ領域26に対す
る接点（図示せず）を有する。
動態化する働きをする。厚みのため、オーム接触性能に
影響を与えない層３の存在を示すオーム接点28と29が示
されている。第８図の構造は、量子ワイヤ領域26に対す
る接点（図示せず）を有する。
発明の最良の実施例 第１図の構造の製作の好ましい実施例では、GaAs結晶１
を使用し、表面２を酸素を含まないH2S雰囲気に露出さ
せて、700℃で30秒間結晶１を加熱して、表面２を清浄
にし、単分子層程度の厚みの硫化ガリウムのコーティン
グ３を形成させる。次に、GaSをコーティングした構造
に、低温プラズマ励起化学蒸着により、厚みが１ないし
1000nmの二酸化シリコン誘電体コーティング４を形成さ
せる。
を使用し、表面２を酸素を含まないH2S雰囲気に露出さ
せて、700℃で30秒間結晶１を加熱して、表面２を清浄
にし、単分子層程度の厚みの硫化ガリウムのコーティン
グ３を形成させる。次に、GaSをコーティングした構造
に、低温プラズマ励起化学蒸着により、厚みが１ないし
1000nmの二酸化シリコン誘電体コーティング４を形成さ
せる。
以上は、装置に用いる化合物半導体の表面成端構造が、
束縛の原因となる物質が存在せず、束縛を防止する材料
が存在し、その材料を非金属層で保護して、誘電性で周
囲の反応に不活性で半透明な特性による能力をもたらす
ことに関係することについて説明した。
束縛の原因となる物質が存在せず、束縛を防止する材料
が存在し、その材料を非金属層で保護して、誘電性で周
囲の反応に不活性で半透明な特性による能力をもたらす
ことに関係することについて説明した。
第１図は、この発明の諸要素を有する表面を示す化合物
半導体結晶の概略図、第２図は、この発明により得られ
るトンネル型接点のエネルギー・バンド図、第３図は、
この発明により得られる障壁の高さが可変の接点のエネ
ルギー・バンド図、第４図は、この発明を適用したｐ−
ｎ接合が表面にあるプレーナ構造におけるパッシベーシ
ョンを示す概略図、第５図は、この発明を適用した金属
酸化膜半導体電界効果トランジスタの概略図、第６図
は、この発明を適用して不動態化したバイポーラ・トラ
ンジスタの概略図、第７図はこの発明を適用して不動態
化した発光素子の概略図、第８図は、この発明を適用し
て不動態化した小寸法量子ワイヤ型フィーチャを使用し
た半導体構造の概略図である。 １……化合物半導体基板、２……清浄表面、３……陽イ
オン化合物層、４……非金属層、５……金属接点。
半導体結晶の概略図、第２図は、この発明により得られ
るトンネル型接点のエネルギー・バンド図、第３図は、
この発明により得られる障壁の高さが可変の接点のエネ
ルギー・バンド図、第４図は、この発明を適用したｐ−
ｎ接合が表面にあるプレーナ構造におけるパッシベーシ
ョンを示す概略図、第５図は、この発明を適用した金属
酸化膜半導体電界効果トランジスタの概略図、第６図
は、この発明を適用して不動態化したバイポーラ・トラ
ンジスタの概略図、第７図はこの発明を適用して不動態
化した発光素子の概略図、第８図は、この発明を適用し
て不動態化した小寸法量子ワイヤ型フィーチャを使用し
た半導体構造の概略図である。 １……化合物半導体基板、２……清浄表面、３……陽イ
オン化合物層、４……非金属層、５……金属接点。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/78 29/80 29/812 33/00 Ｅ 7376−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/26 7514−4Ｍ 29/78 ３０１ Ｂ (72)発明者 ピイーター・ダニエル・カークナー アメリカ合衆国ニユーヨーク州パトナム・ ヴアレイ、ボツクス156エー、アール・ア ール１番地 (72)発明者 アレン・クラーク・ワーレン アメリカ合衆国ニユーヨーク州ピークスキ ル、アパートメント７エー、オーバーロツ ク・アヴエニユー150番地 (72)発明者 ジエリイ・マクフアーソン・ウツドル アメリカ合衆国ニユーヨーク州カトナ、チ エリイー・ストリート336番地
Claims (5)
- 【請求項１】GaまたはAlまたはInから選ばれた第III族
元素と、AsまたはSbから選ばれた第Ｖ族元素とからなる
２元、３元、または４元の第III族と第Ｖ族の化合物か
らなり、開放されたフェルミ準位を持つ単結晶化合物半
導体材料層と、 前記化合物半導体材料層の上に設けられた、該化合物半
導体材料層の陽イオン成分である第III族元素と、Ｓ、S
e、およびTeのうちの１つとの化合物からなる導電可能
な単分子層程度の厚さの、前記開放されたフェルミ準位
を保つフェルミ準位束縛制御層と、 前記フェルミ準位束縛制御層の上に設けられた非金属材
料の表面層と、 を有する化合物半導体装置の構造。 - 【請求項２】前記単結晶化合物半導体材料がGaAsであ
り、前記フェルミ準位束縛制御層がGaとの化合物であ
る、請求項１に記載の化合物半導体装置の構造。 - 【請求項３】前記非金属材料がSiO2、CaF2、NaS、ZnS、
GaP、GaSe、およびポリイミドのグループから選ばれて
いる、請求項１に記載の化合物半導体装置の構造。 - 【請求項４】前記フェルミ準位束縛制御層の厚さが、単
分子層からほぼ20オングストロームの範囲にある、請求
項１に記載の化合物半導体装置の構造。 - 【請求項５】前記表面層の厚さが、1nmないし1000nmで
ある、請求項１に記載の化合物半導体装置の構造。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/064,414 US4811077A (en) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | Compound semiconductor surface termination |
| US64414 | 1987-06-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS648613A JPS648613A (en) | 1989-01-12 |
| JPH079914B2 true JPH079914B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=22055822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9472288A Expired - Lifetime JPH079914B2 (ja) | 1987-06-18 | 1988-04-19 | 化合物半導体装置の構造 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4811077A (ja) |
| EP (1) | EP0295490B1 (ja) |
| JP (1) | JPH079914B2 (ja) |
| DE (1) | DE3880019T2 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR920009718B1 (ko) * | 1987-08-10 | 1992-10-22 | 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 | 화합물반도체장치 및 그 제조방법 |
| US5086321A (en) * | 1988-06-15 | 1992-02-04 | International Business Machines Corporation | Unpinned oxide-compound semiconductor structures and method of forming same |
| JP2586626B2 (ja) * | 1989-01-20 | 1997-03-05 | 日本電気株式会社 | エピタキシャル成長方法 |
| US5122424A (en) * | 1989-10-05 | 1992-06-16 | Litton Systems, Inc. | Abrasion-resistant, infrared transmitting optical components |
| JPH03261147A (ja) * | 1990-03-12 | 1991-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法並びにその製造装置 |
| JPH04199518A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| WO1996021251A1 (en) * | 1995-01-06 | 1996-07-11 | President And Fellows Of Harvard College | Minority carrier device |
| US5760462A (en) * | 1995-01-06 | 1998-06-02 | President And Fellows Of Harvard College | Metal, passivating layer, semiconductor, field-effect transistor |
| WO1997048499A1 (en) * | 1996-06-19 | 1997-12-24 | The Board Of Trustees Of Southern Illinois University | GaAs SUBSTRATE WITH A PASSIVATING EPITAXIAL GALLIUM SULFIDE FILM AND METHODS FOR FORMING SAME |
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-
1987
- 1987-06-18 US US07/064,414 patent/US4811077A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-04-19 JP JP9472288A patent/JPH079914B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-31 EP EP88108684A patent/EP0295490B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-31 DE DE88108684T patent/DE3880019T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3880019D1 (de) | 1993-05-13 |
| EP0295490A1 (en) | 1988-12-21 |
| JPS648613A (en) | 1989-01-12 |
| US4811077A (en) | 1989-03-07 |
| EP0295490B1 (en) | 1993-04-07 |
| DE3880019T2 (de) | 1993-10-28 |
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