JPS63312685A - 発光ダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
発光ダイオ−ドの製造方法Info
- Publication number
- JPS63312685A JPS63312685A JP62149407A JP14940787A JPS63312685A JP S63312685 A JPS63312685 A JP S63312685A JP 62149407 A JP62149407 A JP 62149407A JP 14940787 A JP14940787 A JP 14940787A JP S63312685 A JPS63312685 A JP S63312685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- substrate
- layer
- active layer
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
（：ａＡｓ ／ ＧａＡ ＩＡｓ系のダブルヘテロ構造
を有する発光ダイオード（ＬＥＤと略記する）の製造に
おいて。
を有する発光ダイオード（ＬＥＤと略記する）の製造に
おいて。
？１ＯＣＶＤ法を用いてＧａＡｌＡｓ基板にエピタキシ
アル成長を行うことにより、均一性の良い大口径エピタ
キシアルウェハを作製し、これにより量産性の向上を可
能とした。
アル成長を行うことにより、均一性の良い大口径エピタ
キシアルウェハを作製し、これにより量産性の向上を可
能とした。
本発明は通信用高輝度面発光型ＬＥＤに係り、とくに、
そのエピタキシアルウェハの製造方法に関する。
そのエピタキシアルウェハの製造方法に関する。
光通信システムに用いられるＬＥＤにおいても。
高性能、低価格に対する要求が厳しい。このために、大
面積で均一性の良いエピタキシアルウェハを提供するこ
とによって、その量産性を高めるとともに低コスト化を
計る必要がある。
面積で均一性の良いエピタキシアルウェハを提供するこ
とによって、その量産性を高めるとともに低コスト化を
計る必要がある。
第３図（ａ）ないしくＣ）は従来の通信用面発光型ＬＥ
Ｄの製造工程の断面図を示す。同図（ａ）に示すＧａＡ
ｓ単結晶基板３１の上に、同図（ｂ）に示すように＊
Ｇａ＋−ｘＡｌｘ Ａｓ （ｘは例えば０．３）から成
るＮ型のクラッド層３２＋ ＧａＡｓから成るＰ型の活
性層３３およびＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ （ｘは例えば０
．３）から成るＰ型のクラッド層３４を順次形成する。
Ｄの製造工程の断面図を示す。同図（ａ）に示すＧａＡ
ｓ単結晶基板３１の上に、同図（ｂ）に示すように＊
Ｇａ＋−ｘＡｌｘ Ａｓ （ｘは例えば０．３）から成
るＮ型のクラッド層３２＋ ＧａＡｓから成るＰ型の活
性層３３およびＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ （ｘは例えば０
．３）から成るＰ型のクラッド層３４を順次形成する。
クラッド層３２は１例えば７０μｍ程度の比較的大きな
厚さを有する。活性層３３およびクラッド層３４は、１
μｍ程度と比較的薄い。従来、クラッド層３２および３
４と活性層３３は、スライドボート法と呼ばれる液相エ
ピタキシアル成長法（ＬＰＥと略記する）によって形成
されていた。
厚さを有する。活性層３３およびクラッド層３４は、１
μｍ程度と比較的薄い。従来、クラッド層３２および３
４と活性層３３は、スライドボート法と呼ばれる液相エ
ピタキシアル成長法（ＬＰＥと略記する）によって形成
されていた。
第３図（ＪｅＩ−）に示す構成から１機械研磨等の方法
を用いて、 ＧａＡｓ単結晶基板３１を除去し、クラッ
ド層３４の側には、中心部に開口３５を有する絶縁層３
６と電極３７を順次形成し、クラッド層３２の側には。
を用いて、 ＧａＡｓ単結晶基板３１を除去し、クラッ
ド層３４の側には、中心部に開口３５を有する絶縁層３
６と電極３７を順次形成し、クラッド層３２の側には。
リング状の電極３８を形成する。絶縁層３６は電極３７
および３８間の電流通路を狭窄し９発光面積を絞るため
に設けられる。
および３８間の電流通路を狭窄し９発光面積を絞るため
に設けられる。
上記のように、従来のＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ系ＬＥＤ
の製造において、基板上へのエピタキシアル成長は。
の製造において、基板上へのエピタキシアル成長は。
スライドボートを用いるＬＰＨによって行われていた。
このために、大面積のエピタキシアル層を有する基板（
エピタキシアルウェハ）を得るのが困難であった。また
、活性層で発生した光を効率よく外部へ取り出すために
、 ＧａＡｓ単結晶基板を除去していた。このようにし
て得られた厚さが７０μｍ余りのエピタキシアル層から
成るウェハは機械的強度が低く、取り扱いが困難であっ
た。
エピタキシアルウェハ）を得るのが困難であった。また
、活性層で発生した光を効率よく外部へ取り出すために
、 ＧａＡｓ単結晶基板を除去していた。このようにし
て得られた厚さが７０μｍ余りのエピタキシアル層から
成るウェハは機械的強度が低く、取り扱いが困難であっ
た。
これに対して＋ ＧａＡｌＡｓを基板として、この上に
ＬＰＥ法によりエピタキシアル成長を行うことが望まし
い。しかしながら、このようなエピタキシアル成長は容
易でなく９通常、基板表面のメルトバックあるいはこれ
に伴う溶液の組成管理等のために、余分な工程を必要と
し、しかも前述のように大面積のエピタキシアルウェハ
が得られ難いという問題があった。
ＬＰＥ法によりエピタキシアル成長を行うことが望まし
い。しかしながら、このようなエピタキシアル成長は容
易でなく９通常、基板表面のメルトバックあるいはこれ
に伴う溶液の組成管理等のために、余分な工程を必要と
し、しかも前述のように大面積のエピタキシアルウェハ
が得られ難いという問題があった。
本発明者は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ ｉ法を用
いることによって、 ＬＰＥ法におけるような余分な工
程を必要とせず、 ＧａＡｌＡｓ基板上にＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｌＡｓ系のエピタキシアル成長を行うことが可能で
あることを見い出した。その結果、上記した従来のＬＥ
Ｄの製造における問題点は、以下に述べるような、 Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いてＧａ、アＡＩＸ Ａｓで表わされる
組成を有する基板上にＧａ＋−ｙＡｌｙ Ａｓで表され
る組成を有する活性層（ただし０≦ｙ＜ｘ）を生成させ
ることによってダブルヘテロ構造の面発光ダイオードを
作製することを特徴とする本発明に係る発光ダイオード
の製造方法によって解決される。
いることによって、 ＬＰＥ法におけるような余分な工
程を必要とせず、 ＧａＡｌＡｓ基板上にＧａＡｓ／Ｇ
ａＡｌＡｓ系のエピタキシアル成長を行うことが可能で
あることを見い出した。その結果、上記した従来のＬＥ
Ｄの製造における問題点は、以下に述べるような、 Ｍ
ＯＣＶＤ法を用いてＧａ、アＡＩＸ Ａｓで表わされる
組成を有する基板上にＧａ＋−ｙＡｌｙ Ａｓで表され
る組成を有する活性層（ただし０≦ｙ＜ｘ）を生成させ
ることによってダブルヘテロ構造の面発光ダイオードを
作製することを特徴とする本発明に係る発光ダイオード
の製造方法によって解決される。
ＭＯＣＶＤ法により、 ＧａＡｌＡｓ基板上にエピタキ
シアル成長が可能であり、これにより、大面積のエピタ
キシアルウェハが提供でき＋ ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ
系のダブルヘテロ構造を有するＬＥＤを量産性よく、か
つ、低コストで製造することができる。
シアル成長が可能であり、これにより、大面積のエピタ
キシアルウェハが提供でき＋ ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ
系のダブルヘテロ構造を有するＬＥＤを量産性よく、か
つ、低コストで製造することができる。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の製造方法の工程を
説明するための断面図である。同図（ａ）に示すように
、 ｃａｔ−ＸＡｔＸ Ａｓで表される組成を有するＮ
型（またはＰ型）の基板１０を用意する。次いで、同図
（ｂ）に示すように、基板ＩＯの上に。
説明するための断面図である。同図（ａ）に示すように
、 ｃａｔ−ＸＡｔＸ Ａｓで表される組成を有するＮ
型（またはＰ型）の基板１０を用意する。次いで、同図
（ｂ）に示すように、基板ＩＯの上に。
Ｇａｌ−２Ａｌｚ Ａｓで表される組成を有するＮ型（
またはＰ型）のクラッド層１１とＧａ１−ｙＡｌｙ Ａ
ｓで表される組成のＮ型またはＰ型の活性層１２とクラ
ッド層１１とＧａ、−２ＡＩｚ Ａｓで表される組成を
有するＰ型（またはＮ型）のクラフト層１３を順次形成
する。
またはＰ型）のクラッド層１１とＧａ１−ｙＡｌｙ Ａ
ｓで表される組成のＮ型またはＰ型の活性層１２とクラ
ッド層１１とＧａ、−２ＡＩｚ Ａｓで表される組成を
有するＰ型（またはＮ型）のクラフト層１３を順次形成
する。
上記の各組成式の間には、０≦ｙ＜ｘ＜ｚの関係がある
。また、クラッドＮ１１および１３と活性層１２はエピ
タキシアル層であり、いずれもＭＯＣＶＤ法を用いて生
成される。このＭＯＣＶＤの条件の例は下記の通りであ
る。
。また、クラッドＮ１１および１３と活性層１２はエピ
タキシアル層であり、いずれもＭＯＣＶＤ法を用いて生
成される。このＭＯＣＶＤの条件の例は下記の通りであ
る。
（１）原料ガス：トリメチルガリウム（Ｇａ・３ （Ｃ
Ｈ３））、ｌ−リメチルアルミニウム（Ａｌ・３ （Ｃ
Ｈ３）〕、アルシン（ＡｓＨ３）の混合ガスにｐ型不純
物源としてのジメチル亜鉛（Ｚｎ・２ （ＣＨ３） ）
マたはｎ型不純物源としてのセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ
）ガスを添加したもの （２）流量：、１０１／ｍ１ｎ （３）圧カニ常圧 （４）温度＝８００℃ （５）生成時間：１時間 第２図は本発明の方法によって作製された面発光型ＬＥ
Ｄの構造を示す断面図である。図において。
Ｈ３））、ｌ−リメチルアルミニウム（Ａｌ・３ （Ｃ
Ｈ３）〕、アルシン（ＡｓＨ３）の混合ガスにｐ型不純
物源としてのジメチル亜鉛（Ｚｎ・２ （ＣＨ３） ）
マたはｎ型不純物源としてのセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ
）ガスを添加したもの （２）流量：、１０１／ｍ１ｎ （３）圧カニ常圧 （４）温度＝８００℃ （５）生成時間：１時間 第２図は本発明の方法によって作製された面発光型ＬＥ
Ｄの構造を示す断面図である。図において。
第１図におけると同一部分には、同一符号を付しである
。基板１０は、Ｎ型不純物として、２ｘｌＯ１ｅ（１／
ｃ＋ｄ）のテルル（Ｔｅ）をドープした。厚さ約４００
μｍのＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ結晶（ただしｘ ＝０．１
５） 。
。基板１０は、Ｎ型不純物として、２ｘｌＯ１ｅ（１／
ｃ＋ｄ）のテルル（Ｔｅ）をドープした。厚さ約４００
μｍのＧａ１−ｘＡｌｘＡｓ結晶（ただしｘ ＝０．１
５） 。
クラッド層１１は、Ｎ型不純物として＋ ７ ｘｌｏ
１７（１／Ｃｉ〕のセレン（Ｓｅ）をドープした。厚さ
約１ｐｍのＧａ、ｚＡｌｚ Ａｓエピタキシアル層（た
だし２＝０．３ ） 、活性層１２は、Ｐ型不純物とし
て、亜鉛（Ｚｎ）をドープした。厚さ約１μｍのＧａＡ
ｓエピタキシアル層、クラッドＪｉ１３は、同じくＰ型
不純物として、 ３ ｘｌｏｗ３（１／ａｄ）のＺｎ
をドープした。厚さ約１μｍのＧａ、−２Ａｌ□Ａｓエ
ピタキシアルＮ（ただしｚ ＝０．３ ）である。
１７（１／Ｃｉ〕のセレン（Ｓｅ）をドープした。厚さ
約１ｐｍのＧａ、ｚＡｌｚ Ａｓエピタキシアル層（た
だし２＝０．３ ） 、活性層１２は、Ｐ型不純物とし
て、亜鉛（Ｚｎ）をドープした。厚さ約１μｍのＧａＡ
ｓエピタキシアル層、クラッドＪｉ１３は、同じくＰ型
不純物として、 ３ ｘｌｏｗ３（１／ａｄ）のＺｎ
をドープした。厚さ約１μｍのＧａ、−２Ａｌ□Ａｓエ
ピタキシアルＮ（ただしｚ ＝０．３ ）である。
クラッド層１３の背面には、中央に開口１４が設けられ
た１例えば５ｉ０２から成る電流通路狭窄用の絶縁層１
５が形成されており、その上には開口１４によってクラ
ッド層１３に接する１例えばＡｕ−Ｚｎ合金から成る電
極（Ｐ電極）１６が形成されている。一方。
た１例えば５ｉ０２から成る電流通路狭窄用の絶縁層１
５が形成されており、その上には開口１４によってクラ
ッド層１３に接する１例えばＡｕ−Ｚｎ合金から成る電
極（Ｐ電極）１６が形成されている。一方。
基板１０の前面には９例えばＡｕ−Ｇｅ合金から成るリ
ング状の電極（Ｎ電極）１７が形成されている。
ング状の電極（Ｎ電極）１７が形成されている。
電極１６および１７の間に、順方向に電圧を印加すると
、電流は絶縁層１５の開口部１４に集中して流れ。
、電流は絶縁層１５の開口部１４に集中して流れ。
その結果、活性層１２における発光領域が絞られる。
また、電極１６は活性層１２における発光に対して反射
面として作用し、基板ｌＯの側への光出力を増大させる
効果がある。
面として作用し、基板ｌＯの側への光出力を増大させる
効果がある。
上記ＬＥＤに、順方向電流１００ｍ八を流した場合。
発光波長８８０ ｎｍ、発光出力４．５ｍＷが得られた
。また、基板１０の混晶比（ｘ）を０．１５≦Ｘ≦０．
３の範囲で変えても２発光出力は変わらなかった。さら
に、基板１０におけるＴｅ濃度（ｎ）が、５ｘｌＯ７（
１／ｃｄ）の場合には、順方向の電流−電圧特性に負性
抵抗特性を示すものがあった。しかしながら。
。また、基板１０の混晶比（ｘ）を０．１５≦Ｘ≦０．
３の範囲で変えても２発光出力は変わらなかった。さら
に、基板１０におけるＴｅ濃度（ｎ）が、５ｘｌＯ７（
１／ｃｄ）の場合には、順方向の電流−電圧特性に負性
抵抗特性を示すものがあった。しかしながら。
ｎ ＝ １ ｘｌＯ” （１／ｃｒ１）の場合には、
負性抵抗は全く見られず１．正常であった。この負性抵
抗特性が生じる原因として、エピタキシアル成長時に。
負性抵抗は全く見られず１．正常であった。この負性抵
抗特性が生じる原因として、エピタキシアル成長時に。
サセプタ等に付着したＰ型不純物であるＺｎによって、
基板１０の表面あるいは基板１０−エピタキシアル成長
層界面がＰ型に変換してしまったたことが考えられる。
基板１０の表面あるいは基板１０−エピタキシアル成長
層界面がＰ型に変換してしまったたことが考えられる。
本発明によれば、基板による出力光の吸収の問題が排除
され、従来のＬＥＤにおけるようなＧａＡｓ基板の除去
が必要でなくなる。その結果、大面積のＧａＡｌＡｓウ
ェハを用いてＬＥＤを製造でき、量産性の向上と製造コ
ストの低減を可能とする効果がある。
され、従来のＬＥＤにおけるようなＧａＡｓ基板の除去
が必要でなくなる。その結果、大面積のＧａＡｌＡｓウ
ェハを用いてＬＥＤを製造でき、量産性の向上と製造コ
ストの低減を可能とする効果がある。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の製造方法の工程を
説明するための断面図。 第２図は本発明の方法によって作製された面発光型ＬＥ
Ｄの構造を示す断面図、および。 第３図（ａ）ないしくＣ）は従来の通信用面発光型ＬＩ
ＥＤの製造工程の断面図 である。 図において。 １０は基板。 １１および１３はクラッド層。 １２は活性層。 １４は開口。 １５は絶縁層、および。 １６および１７は電極 である。 本発明の製造方法の工程 第 １ 図 本発明の方法によって作製されたＬＥＤ第 ２ 図 従来の製造工程 第 ３ 図
説明するための断面図。 第２図は本発明の方法によって作製された面発光型ＬＥ
Ｄの構造を示す断面図、および。 第３図（ａ）ないしくＣ）は従来の通信用面発光型ＬＩ
ＥＤの製造工程の断面図 である。 図において。 １０は基板。 １１および１３はクラッド層。 １２は活性層。 １４は開口。 １５は絶縁層、および。 １６および１７は電極 である。 本発明の製造方法の工程 第 １ 図 本発明の方法によって作製されたＬＥＤ第 ２ 図 従来の製造工程 第 ３ 図
Claims (2)
- （１）有機金属気相成長法を用いてＧａ＿１＿−＿ｘＡ
ｌ＿ｘＡｓで表わされる組成を有する基板上にＧａ＿１
＿−＿ｙＡｌ＿ｙＡｓで表される組成を有する活性層（
ただし０≦ｙ＜ｘ）を生成させることによってダブルヘ
テロ構造の面発光ダイオードを作製することを特徴とす
る発光ダイオードの製造方法。 - （２）該基板は５×１０＾１＾７〔１／ｃｍ＾２〕もし
くはそれ以上の濃度の不純物を含むことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149407A JPS63312685A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62149407A JPS63312685A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312685A true JPS63312685A (ja) | 1988-12-21 |
Family
ID=15474453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62149407A Pending JPS63312685A (ja) | 1987-06-16 | 1987-06-16 | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63312685A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4921817A (en) * | 1987-07-09 | 1990-05-01 | Mitsubishi Monsanto Chemical Co. | Substrate for high-intensity led, and method of epitaxially growing same |
-
1987
- 1987-06-16 JP JP62149407A patent/JPS63312685A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4921817A (en) * | 1987-07-09 | 1990-05-01 | Mitsubishi Monsanto Chemical Co. | Substrate for high-intensity led, and method of epitaxially growing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5317167A (en) | Semiconductor light-emitting device with InGaAlp | |
| JP3697609B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08116090A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| US6809346B2 (en) | Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode | |
| JPH09129923A (ja) | 発光素子 | |
| JPH08255929A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JP2002368273A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08335715A (ja) | エピタキシャルウエハおよびその製造方法 | |
| JPH10308533A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 | |
| JP2003046119A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| KR100343849B1 (ko) | 에피택시얼웨이퍼및이의제조방법과휘도가증가된발광다이오드 | |
| JPS63312685A (ja) | 発光ダイオ−ドの製造方法 | |
| JPS60113983A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
| WO2005038936A1 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2006135215A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP2000516768A (ja) | 赤外線を発光する発光ダイオードの製造方法 | |
| JPH09172198A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2004356601A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH08116092A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| KR890004477B1 (ko) | 발광 다이오드의 제조방법 | |
| JP2000058904A (ja) | エピタキシャルウェハ及びその製造方法並びに発光ダイオード | |
| JP2006216706A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08130347A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPH05235406A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2940831B2 (ja) | ｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体 |