JPH08264834A - 赤外発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
赤外発光ダイオードの製造方法Info
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- JPH08264834A JPH08264834A JP6265595A JP6265595A JPH08264834A JP H08264834 A JPH08264834 A JP H08264834A JP 6265595 A JP6265595 A JP 6265595A JP 6265595 A JP6265595 A JP 6265595A JP H08264834 A JPH08264834 A JP H08264834A
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- Japan
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- gaas
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- gallium arsenide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １回エピ製法において基板転位が上層部に受
け継がれるのを防ぐ。 【構成】 ＧａＡｓ基板の表面に、ＧａＡｓと固溶し、
かつＧａＡｓとは格子定数が異なる３元系物質元素を付
着させる。その後、その３元系物質を付着させた基板上
にＧａＡｓをエピタキシャル成長させる。例えば、基板
に付着させる当該元素としてＡｌを用いた場合、エピタ
キシャル成長工程では、まずＧａＡｌＡｓ層が形成さ
れ、次いで、温度条件の制御、例えば、高温−低温の順
に制御した場合、ｎ型ＧａＡｓ、ｐ型ＧａＡｓの順にエ
ピ層が出来る。 【効果】 基板転位を上層部に受け継がせることのなく
１回のエピ操作での赤外発光ダイオード基板の製造が可
能となる。
け継がれるのを防ぐ。 【構成】 ＧａＡｓ基板の表面に、ＧａＡｓと固溶し、
かつＧａＡｓとは格子定数が異なる３元系物質元素を付
着させる。その後、その３元系物質を付着させた基板上
にＧａＡｓをエピタキシャル成長させる。例えば、基板
に付着させる当該元素としてＡｌを用いた場合、エピタ
キシャル成長工程では、まずＧａＡｌＡｓ層が形成さ
れ、次いで、温度条件の制御、例えば、高温−低温の順
に制御した場合、ｎ型ＧａＡｓ、ｐ型ＧａＡｓの順にエ
ピ層が出来る。 【効果】 基板転位を上層部に受け継がせることのなく
１回のエピ操作での赤外発光ダイオード基板の製造が可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は赤外発光ＬＥＤを形成す
る半導体装置に関する。
る半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外発光ＬＥＤは一般に液層エピタキシ
ャルで製造されたウェーハを使って作られる。その赤外
ＬＥＤ用ウェーハの構造と製法を図３を用いて説明す
る。
ャルで製造されたウェーハを使って作られる。その赤外
ＬＥＤ用ウェーハの構造と製法を図３を用いて説明す
る。
【０００３】まず、同図（ａ）に示すようなｎ型ＧａＡ
ｓ基板３０１を用意し、その上に、同図（ｂ）に示すよ
うに、ＧａＡｓエピタキシャル層３０２，３０３を液層
エピタキシャルで成長させる。この際、ドーパントにＳ
ｉを用いると、Ｓｉは高温ではＧａと置換してｎ型Ｇａ
Ａｓ層が、低温ではＡｓと置換してｐ型ＧａＡｓ層が得
られる。この構造のウェーハからチップを切り出し、電
極を設けて、縦方向に電流を流せば赤外領域の発光が得
られる。発光波長は９４０ｎｍ前後となる。
ｓ基板３０１を用意し、その上に、同図（ｂ）に示すよ
うに、ＧａＡｓエピタキシャル層３０２，３０３を液層
エピタキシャルで成長させる。この際、ドーパントにＳ
ｉを用いると、Ｓｉは高温ではＧａと置換してｎ型Ｇａ
Ａｓ層が、低温ではＡｓと置換してｐ型ＧａＡｓ層が得
られる。この構造のウェーハからチップを切り出し、電
極を設けて、縦方向に電流を流せば赤外領域の発光が得
られる。発光波長は９４０ｎｍ前後となる。
【０００４】このような製造法によれば、Ｓｉをドーパ
ントにした液層エピタキシャルは１回のエピタキシャル
でｎ型層とｐ型層の両方を成長させることができるコス
ト的に優れた方法となる。
ントにした液層エピタキシャルは１回のエピタキシャル
でｎ型層とｐ型層の両方を成長させることができるコス
ト的に優れた方法となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＡ
ｓ基板はＧａＡｓ単結晶であるが、一般に転位３０４が
存在する。上述したようにＧａＡｓ基板上に同じ物質の
ＧａＡｓをエピタキシャル成長させるホモエピの場合、
エピタキシャル層は基本的に基板の結晶構造を受け継ぐ
ので、基板の転位３０４はエピタキシャル層に伝播する
という問題がある。この転位があるとＬＥＤの発光出力
が経時変化する、いわゆる信頼性低下の原因となる。
ｓ基板はＧａＡｓ単結晶であるが、一般に転位３０４が
存在する。上述したようにＧａＡｓ基板上に同じ物質の
ＧａＡｓをエピタキシャル成長させるホモエピの場合、
エピタキシャル層は基本的に基板の結晶構造を受け継ぐ
ので、基板の転位３０４はエピタキシャル層に伝播する
という問題がある。この転位があるとＬＥＤの発光出力
が経時変化する、いわゆる信頼性低下の原因となる。
【０００６】なお、ＧａＡｓ基板の上に異なる物質のＧ
ａＡｌＡｓを成長させるヘテロエピタキシャルによれ
ば、基板の転位をエピタキシャル層に伝播しにくくな
り、エピタキシャル層の転位が少なくなることが知られ
ている。これは、ＧａＡｌＡｓはＧａＡｓと格子定数や
熱膨張係数が異なるためエピタキシャル層界面に応力や
歪が発生し、その結果、基板の構造がエピタキシャル層
に受け継がれにくくなり、結晶構造の異常部分である転
位が伝播しにくくなるためである。
ａＡｌＡｓを成長させるヘテロエピタキシャルによれ
ば、基板の転位をエピタキシャル層に伝播しにくくな
り、エピタキシャル層の転位が少なくなることが知られ
ている。これは、ＧａＡｌＡｓはＧａＡｓと格子定数や
熱膨張係数が異なるためエピタキシャル層界面に応力や
歪が発生し、その結果、基板の構造がエピタキシャル層
に受け継がれにくくなり、結晶構造の異常部分である転
位が伝播しにくくなるためである。
【０００７】そこで、赤外ＬＥＤの製造に、この現象を
応用すべく、エピタキシャル層をＧａＡｌＡｓにし、転
位の伝播を減らすことが考えられる。
応用すべく、エピタキシャル層をＧａＡｌＡｓにし、転
位の伝播を減らすことが考えられる。
【０００８】しかし、エピタキシャル層、すなわち、発
光層をＧａＡｌＡｓにするとバンドギャップが大きいた
め発光波長が短くなってしまう。
光層をＧａＡｌＡｓにするとバンドギャップが大きいた
め発光波長が短くなってしまう。
【０００９】そこでさらに、この短波長化を避けるため
に、基板上に薄いヘテロ層、例えばＧａＡｌＡｓ層を設
け、その上に発光層としてＧａＡｓ層を成長させる手段
がある。しかし、このためには２回以上のエピタキシャ
ル操作が必要で、上記従来のエピタキシャル方法の特徴
である簡便さが失われてしまう。
に、基板上に薄いヘテロ層、例えばＧａＡｌＡｓ層を設
け、その上に発光層としてＧａＡｓ層を成長させる手段
がある。しかし、このためには２回以上のエピタキシャ
ル操作が必要で、上記従来のエピタキシャル方法の特徴
である簡便さが失われてしまう。
【００１０】本発明は上記従来技術の有する問題点に鑑
みてなされたもので、その目的とするところは基板転位
を上層部に受け継がせることのない１回のエピタキシャ
ル操作からなる赤外発光ダイオードの製造方法を提供す
ることにある。
みてなされたもので、その目的とするところは基板転位
を上層部に受け継がせることのない１回のエピタキシャ
ル操作からなる赤外発光ダイオードの製造方法を提供す
ることにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の赤外発光ダイオ
ードの製造方法は、ガリウムひ素からなる基板の表面
に、ガリウムひ素と固溶し、かつガリウムひ素とは格子
定数が異なる３元系物質を構成する元素を付着させる工
程と、その３元系物質を付着させた基板上にガリウムひ
素をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいること
を特徴とする。
ードの製造方法は、ガリウムひ素からなる基板の表面
に、ガリウムひ素と固溶し、かつガリウムひ素とは格子
定数が異なる３元系物質を構成する元素を付着させる工
程と、その３元系物質を付着させた基板上にガリウムひ
素をエピタキシャル成長させる工程とを含んでいること
を特徴とする。
【００１２】３元系物質元素付着工程は、基板にアルミ
ニウムイオンを付着させる。
ニウムイオンを付着させる。
【００１３】エピタキシャル成長工程は、ドーパントと
してＳｉを加えたソースを用いて液相で、まず、そのド
ーパントのＳｉをＧａと置換させる温度条件のＧａＡｓ
エピタキシャル成長を行わせてｎ型ＧａＡｓを成長さ
せ、次いで、ドーパントのＳｉをＡｓと置換させる温度
条件のＧａＡｓエピタキシャル成長を行わせることによ
りｐ型ＧａＡｓを成長させることにより実現することが
できる。
してＳｉを加えたソースを用いて液相で、まず、そのド
ーパントのＳｉをＧａと置換させる温度条件のＧａＡｓ
エピタキシャル成長を行わせてｎ型ＧａＡｓを成長さ
せ、次いで、ドーパントのＳｉをＡｓと置換させる温度
条件のＧａＡｓエピタキシャル成長を行わせることによ
りｐ型ＧａＡｓを成長させることにより実現することが
できる。
【００１４】
【作用】本発明によれば、基板上に付着したアルミニウ
ムはエピタキシャル成長の際、ガリウムひ素層に取り込
まれ、その結果、基板とエピタキシャル層との界面に薄
いガリウムアルミニウムひ素層が形成され、その上は従
来通りのｎ型ガリウムひ素層、ｐ型ガリウムひ素層とな
る。
ムはエピタキシャル成長の際、ガリウムひ素層に取り込
まれ、その結果、基板とエピタキシャル層との界面に薄
いガリウムアルミニウムひ素層が形成され、その上は従
来通りのｎ型ガリウムひ素層、ｐ型ガリウムひ素層とな
る。
【００１５】このとき、基板の転位はガリウムアルミニ
ウムひ素層に妨げられ、発光層となるガリウムひ素層へ
の伝播が防止される。発光層はガリウムひ素層なので、
発光波長は従来と変わらない。
ウムひ素層に妨げられ、発光層となるガリウムひ素層へ
の伝播が防止される。発光層はガリウムひ素層なので、
発光波長は従来と変わらない。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
つつ説明する。図１は本発明の第１実施例に係る半導体
装置の製造プロセスを示すものである。まず、図１
（ａ）に示すような液体封止チョクラルスキー法で作ら
れたＳｉをドーパントとしたｎ型のＧａＡｓ基板１０１
を用意した。そのキャリア濃度は約１Ｅ１８／ｃｍ3 、
エッチピットから求めた転位密度は平均２２０００／ｃ
ｍ2 である。
つつ説明する。図１は本発明の第１実施例に係る半導体
装置の製造プロセスを示すものである。まず、図１
（ａ）に示すような液体封止チョクラルスキー法で作ら
れたＳｉをドーパントとしたｎ型のＧａＡｓ基板１０１
を用意した。そのキャリア濃度は約１Ｅ１８／ｃｍ3 、
エッチピットから求めた転位密度は平均２２０００／ｃ
ｍ2 である。
【００１７】そして、図１（ｂ）に示すように、この基
板１０１を塩酸をベースとしたアルミニウム水溶液に漬
け、スピナで乾燥させて表面にアルミニウムイオン１０
２を付着させた。このとき、水溶液のアルミニウム濃度
は５０００ppm 、５分間浸積後１００ｒｐｍの回転数で
１分間水を切り、クリンベンチ内で２０分間だけ乾燥さ
せた。
板１０１を塩酸をベースとしたアルミニウム水溶液に漬
け、スピナで乾燥させて表面にアルミニウムイオン１０
２を付着させた。このとき、水溶液のアルミニウム濃度
は５０００ppm 、５分間浸積後１００ｒｐｍの回転数で
１分間水を切り、クリンベンチ内で２０分間だけ乾燥さ
せた。
【００１８】次いで、図１（ｃ）に示すように、この基
板１０１と、上記アルミニウムイオン１０２の付着を行
わなかった同じロットの比較基板を用い、ガリウム中に
ＧａＡｓとドーパントのＳｉとを加えたソースを用いて
液層エピタキシャル成長処理を行い、ｎ型ＧａＡｓとｐ
型ＧａＡｓとを成長させる。これにより、ＧａＡｓ基板
１０１上にはＧａＡｌＡｓ層１０３が形成され、このＧ
ａＡｌＡｓ層１０３上にはｎ型ＧａＡｓ層１０４が形成
され、このｎ型ＧａＡｓ層１０４上にｐ型ＧａＡｓ層１
０５を形成する。このとき、ソースはガリウム１００ｇ
にＧａＡｓ１４．９ｇとＳｉ３．２ｇとを溶かした組成
で、９０５℃でＧａＡｓ溶解量が飽和する。そして、エ
ピタキシャル処理はこの９００℃でソースを基板１０１
に接触させた後、７００℃まで行う。このエピ終了後、
研磨で表面を平坦化し、溶融ＫＯＨで選択エッチングを
行い、ＧａＡｓエピ層１０５のエッチピットから転位密
度を測定したら１８００／ｃｍ2 と基板１０１の１０分
の１以下であった。
板１０１と、上記アルミニウムイオン１０２の付着を行
わなかった同じロットの比較基板を用い、ガリウム中に
ＧａＡｓとドーパントのＳｉとを加えたソースを用いて
液層エピタキシャル成長処理を行い、ｎ型ＧａＡｓとｐ
型ＧａＡｓとを成長させる。これにより、ＧａＡｓ基板
１０１上にはＧａＡｌＡｓ層１０３が形成され、このＧ
ａＡｌＡｓ層１０３上にはｎ型ＧａＡｓ層１０４が形成
され、このｎ型ＧａＡｓ層１０４上にｐ型ＧａＡｓ層１
０５を形成する。このとき、ソースはガリウム１００ｇ
にＧａＡｓ１４．９ｇとＳｉ３．２ｇとを溶かした組成
で、９０５℃でＧａＡｓ溶解量が飽和する。そして、エ
ピタキシャル処理はこの９００℃でソースを基板１０１
に接触させた後、７００℃まで行う。このエピ終了後、
研磨で表面を平坦化し、溶融ＫＯＨで選択エッチングを
行い、ＧａＡｓエピ層１０５のエッチピットから転位密
度を測定したら１８００／ｃｍ2 と基板１０１の１０分
の１以下であった。
【００１９】このエピタキシャルウェーハの表面にドッ
ト状の電極１０７を、裏面に全面電極１０８を設け、チ
ップに切り出し赤外ＬＥＤを作った（ｄ）。
ト状の電極１０７を、裏面に全面電極１０８を設け、チ
ップに切り出し赤外ＬＥＤを作った（ｄ）。
【００２０】この赤外ＬＥＤについて、５０ｍＡで１６
８時間の連続発光試験を行い、その前後の発光出力を測
定した。試験後と前の出力の比、残存率は９７％であっ
た。
８時間の連続発光試験を行い、その前後の発光出力を測
定した。試験後と前の出力の比、残存率は９７％であっ
た。
【００２１】比較のためにＡｌ付着を省略した基板を同
様に評価した結果、この比較ウェーハのエピ層の転位密
度は１２０００／ｃｍ2 で、本発明の方法よりも７倍多
く、残存率は８９％で本発明よりも低かった。
様に評価した結果、この比較ウェーハのエピ層の転位密
度は１２０００／ｃｍ2 で、本発明の方法よりも７倍多
く、残存率は８９％で本発明よりも低かった。
【００２２】図２は本発明の第２実施例に係る半導体装
置の構造を示すものである。２０１は１０１と同等の基
板、２０２は１０２と同等のＧａＡｌＡｓ層、２０３は
１０３と同等のｎ型ＧａＡｓ層、２０４は１０４と同等
のｐ型ＧａＡｓ層である。本実施例の半導体装置は、こ
のｐ型ＧａＡｓ層２０４上にさらにｐ型ＧａＡｌＡｓ層
２０５を設けたものである。このＧａＡｌＡｓ層２０５
は電流を拡散して発光効率を高める働きをするものであ
る。本実施例によっても基板２０１にＧａＡｌＡｓ層２
０２を付着させることにより上記の効果が得られる。
置の構造を示すものである。２０１は１０１と同等の基
板、２０２は１０２と同等のＧａＡｌＡｓ層、２０３は
１０３と同等のｎ型ＧａＡｓ層、２０４は１０４と同等
のｐ型ＧａＡｓ層である。本実施例の半導体装置は、こ
のｐ型ＧａＡｓ層２０４上にさらにｐ型ＧａＡｌＡｓ層
２０５を設けたものである。このＧａＡｌＡｓ層２０５
は電流を拡散して発光効率を高める働きをするものであ
る。本実施例によっても基板２０１にＧａＡｌＡｓ層２
０２を付着させることにより上記の効果が得られる。
【００２３】上記実施例は共に基板としてチョクラルス
キー法で作られたものを用いているが、ボート成長法で
作られた基板などを使用することもできる。
キー法で作られたものを用いているが、ボート成長法で
作られた基板などを使用することもできる。
【００２４】なお、基板にＡｌを付着させる方法に特別
な規制はない。例えばＡｌイオンを含む溶液に基板を浸
してたり、溶液を基板に塗布して吸着させるのは簡便な
方法である。例えば以下のように蒸着でもよい。
な規制はない。例えばＡｌイオンを含む溶液に基板を浸
してたり、溶液を基板に塗布して吸着させるのは簡便な
方法である。例えば以下のように蒸着でもよい。
【００２５】キャリア濃度が約１Ｅ１８／ｃｍ3 のＳｉ
ドープｎ型ＧａＡｓ基板４１を用意し、基板の表面を硫
酸と過酸化水素水と水との混合液で約３μｍエッチング
した後、高真空中でアルミニウムを蒸着する。アルミニ
ウムの厚さは約１００ｎｍである。
ドープｎ型ＧａＡｓ基板４１を用意し、基板の表面を硫
酸と過酸化水素水と水との混合液で約３μｍエッチング
した後、高真空中でアルミニウムを蒸着する。アルミニ
ウムの厚さは約１００ｎｍである。
【００２６】この基板に第１実施例と同じソースを使用
して液層エピを行い、２層のＧａＡｓ層を成長させる。
して液層エピを行い、２層のＧａＡｓ層を成長させる。
【００２７】ただし、９００℃でソースを基板に接触さ
せた後、一旦９０３℃まで温度を上げて７００℃までエ
ピを行った。ソース中のＧａＡｓは基板に接触させた温
度９００℃で飽和しているため、９０３℃に温度を上げ
ると基板がソース中に溶け出すいわゆるメルトバックが
かかる。この際、基板表面のアルミニウム層も一旦ソー
ス中に溶け出し、その後基板上にＧａＡｓと一緒にエピ
成長し、ＧａＡｌＡｓ層を形成する。
せた後、一旦９０３℃まで温度を上げて７００℃までエ
ピを行った。ソース中のＧａＡｓは基板に接触させた温
度９００℃で飽和しているため、９０３℃に温度を上げ
ると基板がソース中に溶け出すいわゆるメルトバックが
かかる。この際、基板表面のアルミニウム層も一旦ソー
ス中に溶け出し、その後基板上にＧａＡｓと一緒にエピ
成長し、ＧａＡｌＡｓ層を形成する。
【００２８】この基板を実施例１と同様に評価をした結
果、転位密度は１５００／ｃｍ2 と少なく、残存率も９
６％と良好であった。
果、転位密度は１５００／ｃｍ2 と少なく、残存率も９
６％と良好であった。
【００２９】また、Ａｌイオンを含む溶液中で基板を陰
極として電圧を印加して、電気泳動法により付着させて
も良い。またＡｌの蒸着やスパッタリングなども使え
る。
極として電圧を印加して、電気泳動法により付着させて
も良い。またＡｌの蒸着やスパッタリングなども使え
る。
【００３０】さらに、Ａｌ以外に使用可能な元素（Ｇａ
Ａｓと固溶し、かつＧａＡｓとは格子定数が異なる３元
系物質を構成する元素）としてはＩｎやＢがある。
Ａｓと固溶し、かつＧａＡｓとは格子定数が異なる３元
系物質を構成する元素）としてはＩｎやＢがある。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板上にガリウムひ素と固有の関係にある元素を付着させ
た後にガリウムひ素のエピタキシャル成長処理を行うよ
うになっているので、基板転位を上層部に受け継がせる
ことのなく１回のエピ操作での赤外発光ダイオード基板
の製造が可能となる。
板上にガリウムひ素と固有の関係にある元素を付着させ
た後にガリウムひ素のエピタキシャル成長処理を行うよ
うになっているので、基板転位を上層部に受け継がせる
ことのなく１回のエピ操作での赤外発光ダイオード基板
の製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る製造プロセスを説明す
るための工程別素子断面図。
るための工程別素子断面図。
【図２】本発明の他の実施例に係る製造プロセスを説明
するための素子断面図。
するための素子断面図。
【図３】従来の製造プロセスを説明するための工程別素
子断面図。
子断面図。
１０１，２０１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １０２ Ａｌ １０３，２０２ ＧａＡｌＡｓ層 １０４，２０３ ｎ型ＧａＡｓ層 １０５，２０４ ｐ型ＧａＡｓ層 １０６ 基板転位 １０７ ドット状の電極 ２０５ ｐ型ＧａＡｌＡｓ層
Claims (3)
- 【請求項１】ガリウムひ素からなる基板の表面に、ガリ
ウムひ素と固溶し、かつガリウムひ素とは格子定数が異
なる３元系物質を構成する元素を付着させる工程と、 その３元系物質を付着させた基板上にガリウムひ素をエ
ピタキシャル成長させる工程とを含んでいる赤外発光ダ
イオードの製造方法。 - 【請求項２】３元系物質元素付着工程は、基板にアルミ
ニウムイオンを付着させることを特徴とする請求項１記
載の赤外発光ダイオードの製造方法。 - 【請求項３】エピタキシャル成長工程は、ドーパントと
してＳｉを加えたソースを用いて液相で、まず、そのド
ーパントのＳｉをＧａと置換させる温度条件のＧａＡｓ
エピタキシャル成長を行わせてｎ型ＧａＡｓを成長さ
せ、次いで、ドーパントのＳｉをＡｓと置換させる温度
条件のＧａＡｓエピタキシャル成長を行わせることによ
りｐ型ＧａＡｓを成長させることを特徴とする請求項
１、２のうちいずれか１項記載の赤外発光ダイオードの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6265595A JPH08264834A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 赤外発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6265595A JPH08264834A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 赤外発光ダイオードの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264834A true JPH08264834A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13206559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6265595A Pending JPH08264834A (ja) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 赤外発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264834A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289545A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-03-22 JP JP6265595A patent/JPH08264834A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289545A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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