JPS59114880A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59114880A JPS59114880A JP57224537A JP22453782A JPS59114880A JP S59114880 A JPS59114880 A JP S59114880A JP 57224537 A JP57224537 A JP 57224537A JP 22453782 A JP22453782 A JP 22453782A JP S59114880 A JPS59114880 A JP S59114880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- side electrode
- semiconductor
- ingap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- -1 gallium-arsenide compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017974 NH40H Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、特にガリウム・砒素化
合物半導体基板に接してインジウム・ガリウム・燐又は
インジウム・ガリウムφ砒素・燐化合物半導体層が設け
られてなる光半導体装置等に関して、ガリウム・砒素化
合物基板を選択的に除去する製造方法に関する。
合物半導体基板に接してインジウム・ガリウム・燐又は
インジウム・ガリウムφ砒素・燐化合物半導体層が設け
られてなる光半導体装置等に関して、ガリウム・砒素化
合物基板を選択的に除去する製造方法に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
半導体発光ダイオード、半導体レーザなどの半導体発光
装置及び半導体フォトダイオードなどの半導体受光装置
は多くの産業民生分野における光情報システムの基本的
な構成要素の一つとして各使用目的に対応した最適化が
進められている。
装置及び半導体フォトダイオードなどの半導体受光装置
は多くの産業民生分野における光情報システムの基本的
な構成要素の一つとして各使用目的に対応した最適化が
進められている。
これらの光半導体装置においては目的とする発受光波長
に対応する禁制帯幅を有する半導体材料製 を選択して光電変換が行なわれる活性層とし、多くけこ
の活性層の両側にこれより禁制帯幅が太きい半導体層を
組合わせたへテロ接合構造が半導体基板に格子整合して
形成されている。
に対応する禁制帯幅を有する半導体材料製 を選択して光電変換が行なわれる活性層とし、多くけこ
の活性層の両側にこれより禁制帯幅が太きい半導体層を
組合わせたへテロ接合構造が半導体基板に格子整合して
形成されている。
可視赤色光を対象とする光半導体装置特に発光装置に使
用される半導体材料の一つにインジウム・ガリウム・砒
素・燐（Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ ）が挙げられる。この波
長帯域にＩｎＧａＡｓＰを用いる場合には半導体基板と
してはガリウム・砒素（ＧａＡｓ）結晶が用いられ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰよシ禁制帯幅が大きい半導体材料としては
インジウム・ガリウム・燐（ＩｎＧａＰ）或いは活性層
よシ砒素（Ａ８）の組成比が少ないＩｎＧａＡｓＰが用
いられることが多い。
用される半導体材料の一つにインジウム・ガリウム・砒
素・燐（Ｉ ｎＧａＡｓ Ｐ ）が挙げられる。この波
長帯域にＩｎＧａＡｓＰを用いる場合には半導体基板と
してはガリウム・砒素（ＧａＡｓ）結晶が用いられ、Ｉ
ｎＧａＡｓＰよシ禁制帯幅が大きい半導体材料としては
インジウム・ガリウム・燐（ＩｎＧａＰ）或いは活性層
よシ砒素（Ａ８）の組成比が少ないＩｎＧａＡｓＰが用
いられることが多い。
しかしながらこの半導体材料の組合せにおいて基板とし
て用いられているＧａＡｓ結晶はこれに格子整合するＩ
ｎＧａＡｓＰよシ禁制帯幅が小さく 、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層よシ発生する光或いは吸収される光に対して不透
明である。従って面発光ダイオード等において基板方向
に発受光を行なわせる場合には、少くとも光の通過すべ
き部分のＧ ａ Ａ ｓ基板は除去しなければなら々い
。
て用いられているＧａＡｓ結晶はこれに格子整合するＩ
ｎＧａＡｓＰよシ禁制帯幅が小さく 、ＩｎＧａＡｓＰ
活性層よシ発生する光或いは吸収される光に対して不透
明である。従って面発光ダイオード等において基板方向
に発受光を行なわせる場合には、少くとも光の通過すべ
き部分のＧ ａ Ａ ｓ基板は除去しなければなら々い
。
半導体基板上に所要の半導体素子を形成した後にこの半
導体基板を除去するには研摩して除去する方法とエツチ
ング特に化学エツチングによって除去する方法とが一般
的に行なわれている。
導体基板を除去するには研摩して除去する方法とエツチ
ング特に化学エツチングによって除去する方法とが一般
的に行なわれている。
研摩法による場合には成長層に対して基板のみを選択的
に除去することは不可能であって、前記の光半導体装置
の場合に研摩法を適用することを試みるならば、第１の
エピタキシャル成長層であるＩｎＧａＰ層等を少なくと
も数１０〔μｍ〕程度の厚さに成長させることが必要と
なる。しかしながらこの様な厚さのエピタキシャル成長
を結晶欠陥或いはエツジグロース等を抑制して実現する
ととは極めて困難である。
に除去することは不可能であって、前記の光半導体装置
の場合に研摩法を適用することを試みるならば、第１の
エピタキシャル成長層であるＩｎＧａＰ層等を少なくと
も数１０〔μｍ〕程度の厚さに成長させることが必要と
なる。しかしながらこの様な厚さのエピタキシャル成長
を結晶欠陥或いはエツジグロース等を抑制して実現する
ととは極めて困難である。
エツチング法特に化学エツチング法は本来選択的除去に
適する方法ではあるが、ＧａＡｓをエツチングし、Ｉｎ
ＧａＰを侵さないエツチング液は従来知られておらず、
研摩法と同様に第１のエピタキシャル成長層を厚くする
ことを余儀なくされている。前記例れの方法に依る場合
においても制御性が悪く、再現性に乏しい現状にある０ （ｃ）発明の目的 本発明は、ＧａＡａ基板上に形成されるＩ ｎＧａＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＧａＰ系光半導体装置に関
して、ＧａＡｓ基板を化学エツチング法によって選択的
に除去する製造方法を提供することを目的とする。
適する方法ではあるが、ＧａＡｓをエツチングし、Ｉｎ
ＧａＰを侵さないエツチング液は従来知られておらず、
研摩法と同様に第１のエピタキシャル成長層を厚くする
ことを余儀なくされている。前記例れの方法に依る場合
においても制御性が悪く、再現性に乏しい現状にある０ （ｃ）発明の目的 本発明は、ＧａＡａ基板上に形成されるＩ ｎＧａＰ／
ＩｎＧａＡｓＰ ／ ＩｎＧａＰ系光半導体装置に関
して、ＧａＡｓ基板を化学エツチング法によって選択的
に除去する製造方法を提供することを目的とする。
（ｄ） 発明の構成
本発明の前記目的は、ガリウム・砒素化合物半導体基板
に接して、該基板に格子整合するインジウム・ガリウム
・燐化合物又はインジウム・ガリウム・砒素・燐化合物
よりなる半導体層を形成する工程と、該基板を水酸化ア
ンモニウムと過酸化水素とを含む水溶液によって選択的
に除去する工程とを含む製造方法により達成される。
に接して、該基板に格子整合するインジウム・ガリウム
・燐化合物又はインジウム・ガリウム・砒素・燐化合物
よりなる半導体層を形成する工程と、該基板を水酸化ア
ンモニウムと過酸化水素とを含む水溶液によって選択的
に除去する工程とを含む製造方法により達成される。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明を実施例により図面を参照して具体的に説明
する。
する。
第１図乃至第５図は面発光ダイオードにかかる本発明の
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
第１図参照
（１００）面を主面とする厚さ約３００〔μｍ〕の錫（
Ｓｎ）ドープｎ型ＧａＡｓ基板ｌ上に、基板と格子整合
して次の各半導体層を順次成長する。すなわち、ＧａＡ
ｓ基板１に接して、セレン（Ｓｅ）ドープｎ型ＩｎＧａ
Ｐ層２を厚さ約２（μｍ：］に、ノンドープのＩｎＧａ
ＡｓＰ層３（フォトルミネセンスピーク波長λｐＬ＝７
１０〔７ＬｒｒＬ〕）を厚さ約０．５［：μｍ：］に、
カドミウム（Ｃｄ）ドープｎ型ＩｎＧａＰ層４を厚さ約
１．５［μｍ〕に、ゲルマニラＡ （Ｇｅ）ドープｐ＋
ｍＧａＡｓ層５を厚さ約０．５〔μｍ〕に順次成長する
。本実施例は液相エピタキシャル成長方法を適用してい
るが気相成長方法など他の方法を用いてもよい。
Ｓｎ）ドープｎ型ＧａＡｓ基板ｌ上に、基板と格子整合
して次の各半導体層を順次成長する。すなわち、ＧａＡ
ｓ基板１に接して、セレン（Ｓｅ）ドープｎ型ＩｎＧａ
Ｐ層２を厚さ約２（μｍ：］に、ノンドープのＩｎＧａ
ＡｓＰ層３（フォトルミネセンスピーク波長λｐＬ＝７
１０〔７ＬｒｒＬ〕）を厚さ約０．５［：μｍ：］に、
カドミウム（Ｃｄ）ドープｎ型ＩｎＧａＰ層４を厚さ約
１．５［μｍ〕に、ゲルマニラＡ （Ｇｅ）ドープｐ＋
ｍＧａＡｓ層５を厚さ約０．５〔μｍ〕に順次成長する
。本実施例は液相エピタキシャル成長方法を適用してい
るが気相成長方法など他の方法を用いてもよい。
第２図参照
前記半導体基体を洗浄した後にｐ生型ＧａＡｓ層５面上
に、例えば金（Ａｕ）約１０〔／ｍ〕、亜鉛（Ｚｎ）リ
ングラフィ法によって例えば直径約４０〔μ町ののｐ側
電極６を形成する。
に、例えば金（Ａｕ）約１０〔／ｍ〕、亜鉛（Ｚｎ）リ
ングラフィ法によって例えば直径約４０〔μ町ののｐ側
電極６を形成する。
次いで例えば二酸化シリコン（Ｓｉｆｔ）を厚さ０．５
〔μｍ〕程度にスパッタ法等によって被着して絶縁膜７
を設けた後に、例えば温度４２０〔℃〕時間５分間程度
の加熱処理を施して、ｐ側電極６とｐ＋型ＧａＡ ａ層
５との間の合金化を行なう。
〔μｍ〕程度にスパッタ法等によって被着して絶縁膜７
を設けた後に、例えば温度４２０〔℃〕時間５分間程度
の加熱処理を施して、ｐ側電極６とｐ＋型ＧａＡ ａ層
５との間の合金化を行なう。
次いでホトリソグラフィ法によってｐ’ｆＡＵ’を極６
上において絶縁膜７に例えば直径約３０〔μｍ〕の開口
を設けた後に、例えばクロム（Ｃｒ）約５０ ［：／ｒ
ｎ］。
上において絶縁膜７に例えば直径約３０〔μｍ〕の開口
を設けた後に、例えばクロム（Ｃｒ）約５０ ［：／ｒ
ｎ］。
Ａｕ約１５０［：４！ｍ］を蒸着し、更にＡｕを厚さ２
０［μｍ、３程度にめっきしてｐ側電極６′とする。
０［μｍ、３程度にめっきしてｐ側電極６′とする。
第３図参照
Ｇ ａ Ａ ｓ基板１を研摩して厚さを約１００〔μｍ
〕とする。しかる後に基板１の研摩面上に７オトレジス
ト（例えばＡＺ−１３５０Ｊ）を塗布し、前記Ａｕ／Ｚ
ｎｐ側電極６に対向する位置において、例えば直径約２
００〔μｍ〕の円形範囲外の７オトレジストを除去する
。次いで例えば金・ゲルマニウム・ニッケル（ＡｕＧｅ
Ｎｉ ）を蒸着し、前記レジスト及びレジスト上のＡｕ
ＧｅＮｉ皮膜を除去した後に温度３７０〔℃〕時間１分
間程度の合金化熱処理を行なってｎ側電極８を形成する
。
〕とする。しかる後に基板１の研摩面上に７オトレジス
ト（例えばＡＺ−１３５０Ｊ）を塗布し、前記Ａｕ／Ｚ
ｎｐ側電極６に対向する位置において、例えば直径約２
００〔μｍ〕の円形範囲外の７オトレジストを除去する
。次いで例えば金・ゲルマニウム・ニッケル（ＡｕＧｅ
Ｎｉ ）を蒸着し、前記レジスト及びレジスト上のＡｕ
ＧｅＮｉ皮膜を除去した後に温度３７０〔℃〕時間１分
間程度の合金化熱処理を行なってｎ側電極８を形成する
。
第４図参照
ＧａＡｓ基板１の裏面を例えば厚さ０．５〔μｍ）’ｆ
ｆ１度の５１０２膜９で被覆し、ホトリソグラフィ法に
よって、前記Ａｕ／Ｚｎ ｐ側電極６に対向する位置に
おいて、例えば直径約８０〔μｍｌ〕の円形の関口を設
ける。
ｆ１度の５１０２膜９で被覆し、ホトリソグラフィ法に
よって、前記Ａｕ／Ｚｎ ｐ側電極６に対向する位置に
おいて、例えば直径約８０〔μｍｌ〕の円形の関口を設
ける。
次いでアンモニア水（ＮＨ４０Ｈ） ’過酸化水素水（
Ｈ２Ｏ２）＝１ ： ２０の混合液による化学エツチン
グ処理によって、ＧａＡｓ基板１を選択的にエツチング
して先取出窓部１０を形成する。本エツチング処理のエ
ツチング速度はエツチング液の組成比によって制御する
ことが可能である。
Ｈ２Ｏ２）＝１ ： ２０の混合液による化学エツチン
グ処理によって、ＧａＡｓ基板１を選択的にエツチング
して先取出窓部１０を形成する。本エツチング処理のエ
ツチング速度はエツチング液の組成比によって制御する
ことが可能である。
前記組成比を１＝１０乃至ｊ３０の範囲で変化させた場
合において、ＧａＡｓ基板１に対するＩｎＧａＰ層２の
選択性は充分に得られている。
合において、ＧａＡｓ基板１に対するＩｎＧａＰ層２の
選択性は充分に得られている。
第５図参照
ＳｉＯ２膜９を除去し、素子切り離し後ｐ側電極６′側
をステム１１にボンディングする。
をステム１１にボンディングする。
本実施例に電流１００［ｍＡ］を通じたとき、発光波長
は約７００〔μｍ〕で光出力は０．５乃至１［：ｍＷ〕
が得られた。
は約７００〔μｍ〕で光出力は０．５乃至１［：ｍＷ〕
が得られた。
以上説明した実施例は面発光ダイオードであるが面発光
レーザその他の半導体発光装置並びにフォトダイオード
等の半導体受光装置についても本発明を適用することが
できる。
レーザその他の半導体発光装置並びにフォトダイオード
等の半導体受光装置についても本発明を適用することが
できる。
（ｆ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、ＩｎＧａＰ又はＩｎＧ
ａＡｓＰ層に対して選択的にＧａＡｓ基板をエツチング
除去することが可能であるために、従来の如＜ ＩｎＧ
ａＰ又はＩｎＧａＡｓＰ層を厚く成長させる必要はなく
、光半導体装置設計の自由度が増加するのみならず作業
性も向上して、再現性良く容易に光半導体装置を製造す
ることができる。
ａＡｓＰ層に対して選択的にＧａＡｓ基板をエツチング
除去することが可能であるために、従来の如＜ ＩｎＧ
ａＰ又はＩｎＧａＡｓＰ層を厚く成長させる必要はなく
、光半導体装置設計の自由度が増加するのみならず作業
性も向上して、再現性良く容易に光半導体装置を製造す
ることができる。
第１図乃至第５図は面発光ダイオードにかかる本発明の
実施例を示す断面図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はＩｎＧａＰ Ｊ脅
＋３はＩｎＧａＡｓＰ層、４はＩｎＧａＰ層、５はＧａ
Ａｓ層、６及び６′はｐ側電極、７は絶縁膜、８はｎ側
電極、１１はステムを示す。 察１ 園 第５Ｋ 。
実施例を示す断面図である。 図において、１はＧａＡｓ基板、２はＩｎＧａＰ Ｊ脅
＋３はＩｎＧａＡｓＰ層、４はＩｎＧａＰ層、５はＧａ
Ａｓ層、６及び６′はｐ側電極、７は絶縁膜、８はｎ側
電極、１１はステムを示す。 察１ 園 第５Ｋ 。
Claims (1)
- ガリウム・砒素化合物半導体基板に接して、該基板に格
子整合するインジウム・ガリウム・燐化合物又はインジ
ウム・ガリウム・砒素・燐化合物よシなる半導体層を形
成する工程と、該基板を水酸化アンモニウムと過酸化水
素とを含む水溶液によって選択的に除去する工程とを含
んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57224537A JPS59114880A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57224537A JPS59114880A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114880A true JPS59114880A (ja) | 1984-07-03 |
Family
ID=16815350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57224537A Pending JPS59114880A (ja) | 1982-12-21 | 1982-12-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114880A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272179A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Sharp Corp | 薄型の化合物半導体装置の製造法 |
| JP2007307078A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Yoshio Yabe | 携帯用ｔ字型振動カミソリ器 |
-
1982
- 1982-12-21 JP JP57224537A patent/JPS59114880A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272179A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Sharp Corp | 薄型の化合物半導体装置の製造法 |
| JP2007307078A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Yoshio Yabe | 携帯用ｔ字型振動カミソリ器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5739552A (en) | Semiconductor light emitting diode producing visible light | |
| US20020125492A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for producing the same | |
| JP6452651B2 (ja) | 半導体光デバイスの製造方法および半導体光デバイス | |
| US8659053B2 (en) | Semiconductor light detecting element | |
| US5488235A (en) | Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing therefor | |
| EP0114109B1 (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same | |
| US4779281A (en) | Light emitting chip and optical communication apparatus using the same | |
| GB2033155A (en) | Light emissive diode structure | |
| JPS59114880A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06164057A (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPH0645646A (ja) | ｐ−ｎヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP3410166B2 (ja) | 赤色発光ダイオード素子 | |
| JP2648533B2 (ja) | 反射型光電面 | |
| JP4492154B2 (ja) | 光電子集積素子およびその製造方法 | |
| JP2001085741A (ja) | 半導体素子および発光半導体素子 | |
| JP2993167B2 (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 | |
| JPH04372188A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH05235406A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPS6316689A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08186286A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH09326511A (ja) | 光半導体素子およびその製造方法 | |
| JP2003046110A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS6018984A (ja) | 発光素子とその製造方法 | |
| KR910005392B1 (ko) | 접합전류 제한 영역을 갖는 이중 헤테로 접합형 발광다이오드의 제조방법 | |
| JPS60161690A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 |