JPH0636438B2 - ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ− - Google Patents
ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ−Info
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- JPH0636438B2 JPH0636438B2 JP14934787A JP14934787A JPH0636438B2 JP H0636438 B2 JPH0636438 B2 JP H0636438B2 JP 14934787 A JP14934787 A JP 14934787A JP 14934787 A JP14934787 A JP 14934787A JP H0636438 B2 JPH0636438 B2 JP H0636438B2
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- epitaxial
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はGaAlAsエピタキシャルウェハーに関し、特に液
相エピタキシャル成長工程において、基板ウェハーとし
て適用する場合に、エピタキシャル成長の生産歩留並び
に品質向上に寄与できるエピタキシャルウェハーの構造
に関する。
相エピタキシャル成長工程において、基板ウェハーとし
て適用する場合に、エピタキシャル成長の生産歩留並び
に品質向上に寄与できるエピタキシャルウェハーの構造
に関する。
現在、主として民生分野においてGaAlAsを用いた高出力
（高輝度）かつ高速のダブルヘテロＬＥＤが市販され始
めている。このＬＥＤは第７図に示すＰ型GaAs基板７上
にＰ型GaAlAs層９およびＮ型GaAlAs層１０を成長させた
従来のウェハーを用いたシングルヘテロＬＥＤに比較す
ると、その構造上当然のことながら出力及び応答速度の
点においてはるかに優れていることは明らかである。し
かしながら、生産する側からみれば、特にエピタキシャ
ル成長工程に於いて成長技術的に後に詳述するような困
難を伴なう。
（高輝度）かつ高速のダブルヘテロＬＥＤが市販され始
めている。このＬＥＤは第７図に示すＰ型GaAs基板７上
にＰ型GaAlAs層９およびＮ型GaAlAs層１０を成長させた
従来のウェハーを用いたシングルヘテロＬＥＤに比較す
ると、その構造上当然のことながら出力及び応答速度の
点においてはるかに優れていることは明らかである。し
かしながら、生産する側からみれば、特にエピタキシャ
ル成長工程に於いて成長技術的に後に詳述するような困
難を伴なう。
この種のダブルヘテロＬＥＤエピタキシャルウェハーの
特徴は第４図に示されているように活性層５内に発生し
た光を有効に上面より引き出す為に、後に除去されるＰ
型GaAs基板３上に発光波長に対して充分な透過率が得ら
れる高AlAs混晶比を有する厚膜のＰ型Ga1-xAlxAsエピタ
キシャル層１が通常液相成長法により形成される。次に
このＰ型Ga1-xAlxAs層１にやはり液相成長法によりＰ型
Ga1-yAlyAsクラッド層４，アンドープ（又はＰ型）Ga1-
zAlzAs活性層５，及びＮ型Ga1-vAlvAsクラッド層６が順
次形成されるわけであるが、このときの形成方法として
は、前記厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAs層１を形成後、一旦ウェハ
ーを成長炉外へ取り出し、改めて前述のダブルヘテロエ
ピタキシャル成長をする方法と厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAs層１
を形成後連続してダブルヘテロエピタキシャル成長する
方法が考えられる。
特徴は第４図に示されているように活性層５内に発生し
た光を有効に上面より引き出す為に、後に除去されるＰ
型GaAs基板３上に発光波長に対して充分な透過率が得ら
れる高AlAs混晶比を有する厚膜のＰ型Ga1-xAlxAsエピタ
キシャル層１が通常液相成長法により形成される。次に
このＰ型Ga1-xAlxAs層１にやはり液相成長法によりＰ型
Ga1-yAlyAsクラッド層４，アンドープ（又はＰ型）Ga1-
zAlzAs活性層５，及びＮ型Ga1-vAlvAsクラッド層６が順
次形成されるわけであるが、このときの形成方法として
は、前記厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAs層１を形成後、一旦ウェハ
ーを成長炉外へ取り出し、改めて前述のダブルヘテロエ
ピタキシャル成長をする方法と厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAs層１
を形成後連続してダブルヘテロエピタキシャル成長する
方法が考えられる。
しかしながら、通常の徐冷液相エピタキシャル成長法を
適用した場合、前記のＰ型Ga1-xAlxAs層１が通常〜150
μｍ以上であることと、成長処理枚数の大型化を考慮す
ると、後者は実用的にはかなり困難であるといえる。従
って成長方式としては基本的には前者の方法を用いるこ
とが生産性の点からみて望ましい（例えばアプライド・
フィジックス・レターズ４３巻１１号1034頁〜1036頁参
照）。
適用した場合、前記のＰ型Ga1-xAlxAs層１が通常〜150
μｍ以上であることと、成長処理枚数の大型化を考慮す
ると、後者は実用的にはかなり困難であるといえる。従
って成長方式としては基本的には前者の方法を用いるこ
とが生産性の点からみて望ましい（例えばアプライド・
フィジックス・レターズ４３巻１１号1034頁〜1036頁参
照）。
〔発明が解決しようとする問題点） 上述した従来のGaAlAs液相成長法を用いてエピタキシャ
ル成長層を得る場合には以下に示すように、厚膜エピタ
キシャル表面に起因する技術的課題を残している。即
ち、例えば発光中心波長（λｐ）が660ηｍの赤色GaAlA
sダブルヘテロＬＥＤエピタキシャルウェハーを成長す
る場合、厚膜Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１におけるAl
As混晶比ｘはその透過率を考慮すると0.４０以上が必要
となる。従ってこの厚膜Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１
を成長後、前述したように一旦成長炉外へ取り出し、適
当な前処理を施した後、（この時通常Ｐ型GaAs基板３を
除去する）再びダブルヘテロエピタキシャル層を形成す
る為に成長炉内へ他の成長材料と共にチャージする。こ
の後、必要な真空排気を行なった後成長炉を昇温するわ
けであるが、このときに昇温前の成長炉内の排気を充分
行なった場合においてさえ、昇温中に成長ボート又は炉
芯管内壁等に吸着していた酸素（及び水分）がはき出さ
れ、前述した高AlAs混晶比の厚膜Ga1-xAlxAsエピタキシ
ャル層１の表面がAlの高い活性の為に容易に酸化される
という事態を招くことになる。この場合、酸化された厚
膜Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１上へのGa溶液のぬれは
極めて悪い為に、ダブルヘテロの液相エピタキシャル成
長層が例えば島状にのみ形成されるという結果となる。
このため、通常Ｐ型Ga1-yGlyAsクラッド層４を形成する
ときのGa成長溶液は、そのAl,Asの溶質に対し、熱平衡
組成よりも仕込量を小さくすることにより、未飽和状態
として前述の厚膜Ga1-xAlxAs層１に接したときにおいて
このエピタキシャル層表面をメルトバックすることによ
り対処するが、表面が酸化されたGa1-xAlxAsエピタキシ
ャル層に対しては均一にメルトバックすること自体が困
難であり、抜本的な対策とはなり得ない。
ル成長層を得る場合には以下に示すように、厚膜エピタ
キシャル表面に起因する技術的課題を残している。即
ち、例えば発光中心波長（λｐ）が660ηｍの赤色GaAlA
sダブルヘテロＬＥＤエピタキシャルウェハーを成長す
る場合、厚膜Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１におけるAl
As混晶比ｘはその透過率を考慮すると0.４０以上が必要
となる。従ってこの厚膜Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１
を成長後、前述したように一旦成長炉外へ取り出し、適
当な前処理を施した後、（この時通常Ｐ型GaAs基板３を
除去する）再びダブルヘテロエピタキシャル層を形成す
る為に成長炉内へ他の成長材料と共にチャージする。こ
の後、必要な真空排気を行なった後成長炉を昇温するわ
けであるが、このときに昇温前の成長炉内の排気を充分
行なった場合においてさえ、昇温中に成長ボート又は炉
芯管内壁等に吸着していた酸素（及び水分）がはき出さ
れ、前述した高AlAs混晶比の厚膜Ga1-xAlxAsエピタキシ
ャル層１の表面がAlの高い活性の為に容易に酸化される
という事態を招くことになる。この場合、酸化された厚
膜Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１上へのGa溶液のぬれは
極めて悪い為に、ダブルヘテロの液相エピタキシャル成
長層が例えば島状にのみ形成されるという結果となる。
このため、通常Ｐ型Ga1-yGlyAsクラッド層４を形成する
ときのGa成長溶液は、そのAl,Asの溶質に対し、熱平衡
組成よりも仕込量を小さくすることにより、未飽和状態
として前述の厚膜Ga1-xAlxAs層１に接したときにおいて
このエピタキシャル層表面をメルトバックすることによ
り対処するが、表面が酸化されたGa1-xAlxAsエピタキシ
ャル層に対しては均一にメルトバックすること自体が困
難であり、抜本的な対策とはなり得ない。
本発明の目的は前述した従来の厚膜Ga1-xAlxAsエピタキ
シャル層上への液相成長法の困難さに鑑みなされたもの
で、従来の厚膜エピタキシャル層を使用した場合に比
し、生産性並びに品質の向上の面で極立って優れた結果
を得ることができる。GaAlAsエピタキシャルウェハー構
造を提供するものである。
シャル層上への液相成長法の困難さに鑑みなされたもの
で、従来の厚膜エピタキシャル層を使用した場合に比
し、生産性並びに品質の向上の面で極立って優れた結果
を得ることができる。GaAlAsエピタキシャルウェハー構
造を提供するものである。
本発明のGaAlAsエピタキシャルウェハーは100μｍ以上
の厚さを有するGa1-xAlxAs(0.1＜ｘ≦１）結晶の一主面
上に0.05〜100μｍの厚さを有するGa1-uAluAs(0≦ｘ＜
0.1）結晶が隣接して存在する構造を有するものであ
る。
の厚さを有するGa1-xAlxAs(0.1＜ｘ≦１）結晶の一主面
上に0.05〜100μｍの厚さを有するGa1-uAluAs(0≦ｘ＜
0.1）結晶が隣接して存在する構造を有するものであ
る。
すなわち、従来のGaAlAs液相エピタキシャル成長法にお
いてはダブルヘテロの液相成長に用いられる基板は、表
面において高AlAs混晶比を有する厚膜Ga1-xAlxAsエピタ
キシャルウェハーである為に、本質的に表面酸化の問題
を解決することは不可能である。これに対し、本発明は
酸化され易い高AlAs混晶比のGa1-xAlxAs結晶上に酸化防
止膜としての低AlAs混晶比のGa1-uAluAs結晶又はGaAs結
晶を隣接させているので、従来の表面酸化の問題はなく
なる。
いてはダブルヘテロの液相成長に用いられる基板は、表
面において高AlAs混晶比を有する厚膜Ga1-xAlxAsエピタ
キシャルウェハーである為に、本質的に表面酸化の問題
を解決することは不可能である。これに対し、本発明は
酸化され易い高AlAs混晶比のGa1-xAlxAs結晶上に酸化防
止膜としての低AlAs混晶比のGa1-uAluAs結晶又はGaAs結
晶を隣接させているので、従来の表面酸化の問題はなく
なる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるGaAlAsエピタキシャルウェハーの
断面図である。通常のスライド式ボード使用の徐冷液相
エピタキシャル成長法により第２図に示されるように、
(100)Ｐ型GaAs基板３上にZnドープのＰ型Ga1-xAlxAsエ
ピタキシャル層１及びアンドープGaAs層２を形成する。
このときの成長開始温度は900℃で、第１溶液組成はGa
１ｇに対し、GaAs５５mg，Al4.7mg，及びZn0.5mgであ
る。0.1℃／minで降温し、750℃になった時点で第１溶
液を切り離し、Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１の成
長を停止すると共にそのままスライドボードを操作し、
このエピタキシャルウェハーに第２溶液を接触させる。
第２溶液組成はGa１ｇに対し、GaAs２６mgであり、747
℃でこの第２溶液を切り離し、成長を完了する。このと
きGa1-xAlxAs層１の厚さは〜200μｍであり、AlAs混晶
比はＰ型GaAs基板３との界面で0.65，成長終了後のエピ
タキシャル層表面で0.40であった。また、Ｐ型Ga1-xAlx
As層１上のアンドープGaAsエピタキシャル層２の層厚は
〜３μｍであった。
断面図である。通常のスライド式ボード使用の徐冷液相
エピタキシャル成長法により第２図に示されるように、
(100)Ｐ型GaAs基板３上にZnドープのＰ型Ga1-xAlxAsエ
ピタキシャル層１及びアンドープGaAs層２を形成する。
このときの成長開始温度は900℃で、第１溶液組成はGa
１ｇに対し、GaAs５５mg，Al4.7mg，及びZn0.5mgであ
る。0.1℃／minで降温し、750℃になった時点で第１溶
液を切り離し、Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層１の成
長を停止すると共にそのままスライドボードを操作し、
このエピタキシャルウェハーに第２溶液を接触させる。
第２溶液組成はGa１ｇに対し、GaAs２６mgであり、747
℃でこの第２溶液を切り離し、成長を完了する。このと
きGa1-xAlxAs層１の厚さは〜200μｍであり、AlAs混晶
比はＰ型GaAs基板３との界面で0.65，成長終了後のエピ
タキシャル層表面で0.40であった。また、Ｐ型Ga1-xAlx
As層１上のアンドープGaAsエピタキシャル層２の層厚は
〜３μｍであった。
次にこのようにして得られたエピタキシャルウェハーの
Ｐ型GaAs基板３を機械研磨又はケミカルエッチングによ
り完全に除去し、第１図に示されるように本発明による
エピタキシャルウェハーを完成する。
Ｐ型GaAs基板３を機械研磨又はケミカルエッチングによ
り完全に除去し、第１図に示されるように本発明による
エピタキシャルウェハーを完成する。
本発明のエピタキシャルウェハーによる効果を示すため
に、本エピタキシャルウェハー上へ発光波長660ｎｍの
ＬＥＤ用ダブルヘテロエピタキシャル層を液相成長法に
より形成する。アンドープGaAsエピタキシャル層２を損
なわない範囲で適当な前処理を施した後、ダブルヘテロ
液相成長を行なう。このときの成長開始温度は880℃で
あるが、第３溶液（Ｐ型Ga1-yAlyAsクタッド層４成長
用）組成をGa１ｇに対し、GaAs3.8mg，As5.3mg，及びZn
0.6mgとすることにより上記成長開始温度において溶質
の未飽和状態とする。この温度で前述のアンドープGaAs
エピタキシャル層２を有した本発明のエピタキシャルウ
ェハーを溶液に接触させ２０分間保持した後、0.3℃／m
inで徐冷する。このとき880℃において溶質未飽和状態
のGa溶液により、アンドープGaAsエピタキシャル層２が
完全に、しかも均一性よくメルトバックされ（第３
図）、その後の徐冷によりＰ型Ga1-yAlyAsクラッド層４
が形成される。850℃において第３溶液を切り離し、ひ
き続きＰ型Ga1-zAlzAs活性層５及びＮ型Ga1-vAlvAsクラ
ッド層６を順に成長させる。このときの各層のAlAs混晶
比はｙ：〜0.7，Ｚ：0.35，ｖ：〜0.7であり、また層厚
はこの順に〜20μｍ，〜１μｍ，〜25μｍとなった（第
４図）。このエピタキシャル成長において極めて特徴的
なことはメルトバックに続くＰ型Ga1-yAlyAsクラッド層
４のエピタキシャル成長がウェハー面内において極めて
均一に行なわれ、最終の成長層であるＮ型Ga1-vAlvAsク
ラッド層６の表面は全域にわたって鏡面であることのみ
ならず、このエピタキシャルウェハーのＬＥＤとしての
デバイス特性（発光出力）、及び信頼度（通電寿命）の
中心値の大巾な向上、並びにバラツキが改善されたこと
である。
に、本エピタキシャルウェハー上へ発光波長660ｎｍの
ＬＥＤ用ダブルヘテロエピタキシャル層を液相成長法に
より形成する。アンドープGaAsエピタキシャル層２を損
なわない範囲で適当な前処理を施した後、ダブルヘテロ
液相成長を行なう。このときの成長開始温度は880℃で
あるが、第３溶液（Ｐ型Ga1-yAlyAsクタッド層４成長
用）組成をGa１ｇに対し、GaAs3.8mg，As5.3mg，及びZn
0.6mgとすることにより上記成長開始温度において溶質
の未飽和状態とする。この温度で前述のアンドープGaAs
エピタキシャル層２を有した本発明のエピタキシャルウ
ェハーを溶液に接触させ２０分間保持した後、0.3℃／m
inで徐冷する。このとき880℃において溶質未飽和状態
のGa溶液により、アンドープGaAsエピタキシャル層２が
完全に、しかも均一性よくメルトバックされ（第３
図）、その後の徐冷によりＰ型Ga1-yAlyAsクラッド層４
が形成される。850℃において第３溶液を切り離し、ひ
き続きＰ型Ga1-zAlzAs活性層５及びＮ型Ga1-vAlvAsクラ
ッド層６を順に成長させる。このときの各層のAlAs混晶
比はｙ：〜0.7，Ｚ：0.35，ｖ：〜0.7であり、また層厚
はこの順に〜20μｍ，〜１μｍ，〜25μｍとなった（第
４図）。このエピタキシャル成長において極めて特徴的
なことはメルトバックに続くＰ型Ga1-yAlyAsクラッド層
４のエピタキシャル成長がウェハー面内において極めて
均一に行なわれ、最終の成長層であるＮ型Ga1-vAlvAsク
ラッド層６の表面は全域にわたって鏡面であることのみ
ならず、このエピタキシャルウェハーのＬＥＤとしての
デバイス特性（発光出力）、及び信頼度（通電寿命）の
中心値の大巾な向上、並びにバラツキが改善されたこと
である。
比較の為、アンドープGaAsエピタキシャル層２を成長せ
ず、表面のAlAs混晶比が0.4の厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピ
タキシャルウェハーを基板として用いた従来の方法でダ
ブルヘテロエピタキシャル成長したが、高AlAs混晶比を
有するエピタキシャル層表面へのGa溶液のぬれ性は表面
酸化の影響を受け易いことにより極めて悪く、成長は部
分的にしか行なわれていなかった。
ず、表面のAlAs混晶比が0.4の厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピ
タキシャルウェハーを基板として用いた従来の方法でダ
ブルヘテロエピタキシャル成長したが、高AlAs混晶比を
有するエピタキシャル層表面へのGa溶液のぬれ性は表面
酸化の影響を受け易いことにより極めて悪く、成長は部
分的にしか行なわれていなかった。
尚、本実施例におけるＰ型Ga1-yAlyAsクラッド層４のAl
As混晶比についてはアンドープGaAsエピタキシャル層２
の層厚を考慮し、成長溶液組成を調整することにより設
計値に対し、バラツキを含め充分に一致する値が再現性
良く得られることが確認された。
As混晶比についてはアンドープGaAsエピタキシャル層２
の層厚を考慮し、成長溶液組成を調整することにより設
計値に対し、バラツキを含め充分に一致する値が再現性
良く得られることが確認された。
第５図は本発明の他の実施例によるエピタキシャルウェ
ハーの断面図である。前述の実施例と基本的に異なる点
はＰ型GaAs基板７上に厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャ
ル層８を形成した後成長を終了し、その後、Ｐ型GaAs基
板７を機械研磨又はケミカルエッチングによりその厚さ
が〜20μｍになるまで加工することにある。即ち、前述
の実施例においてはアンドープGaAsエピタキシャル層２
が酸化防止膜としての機能を果すが、本実施例において
は同一の機能をＰ型GaAs基板の一部（20μｍの厚さの領
域）にもたせることがその特徴である。この場合、加工
後のＰ型GaAs基板７の厚さの精度は実施例１の場合より
若干劣るが、例えば実施例１において述べたＬＥＤ用の
ダブルヘテロエピタキシャル成長に際しては、Ｐ型Ga1-
yAlyAsクラッド層４の許容AlAs混晶比の範囲は特に上限
については比較的ラフであってもデバイス特性において
直接的な影響が小さい為に、本実施例におけるＰ型GaAs
基板７の厚さ加工精度であっても充分に実用的であり、
このことは実験的に確認された。
ハーの断面図である。前述の実施例と基本的に異なる点
はＰ型GaAs基板７上に厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャ
ル層８を形成した後成長を終了し、その後、Ｐ型GaAs基
板７を機械研磨又はケミカルエッチングによりその厚さ
が〜20μｍになるまで加工することにある。即ち、前述
の実施例においてはアンドープGaAsエピタキシャル層２
が酸化防止膜としての機能を果すが、本実施例において
は同一の機能をＰ型GaAs基板の一部（20μｍの厚さの領
域）にもたせることがその特徴である。この場合、加工
後のＰ型GaAs基板７の厚さの精度は実施例１の場合より
若干劣るが、例えば実施例１において述べたＬＥＤ用の
ダブルヘテロエピタキシャル成長に際しては、Ｐ型Ga1-
yAlyAsクラッド層４の許容AlAs混晶比の範囲は特に上限
については比較的ラフであってもデバイス特性において
直接的な影響が小さい為に、本実施例におけるＰ型GaAs
基板７の厚さ加工精度であっても充分に実用的であり、
このことは実験的に確認された。
以上、実施例を用いて具体的に説明したように本発明に
よるGaAlAsエピタキシャルウェハーは本質的に表面酸化
の問題を生じるGa1-xAlxAs(0.1＜ｘ≦１）結晶の一主面
上に酸化防止用としてのGa1-uAluAs(0≦ｕ＜0.1）結晶
を隣接することにより、後工程であるエピタキシャル成
長において使用された場合に均一な成長層が得られ、生
産性並びに品質の向上に多大な寄与が実現できる効果が
ある。
よるGaAlAsエピタキシャルウェハーは本質的に表面酸化
の問題を生じるGa1-xAlxAs(0.1＜ｘ≦１）結晶の一主面
上に酸化防止用としてのGa1-uAluAs(0≦ｕ＜0.1）結晶
を隣接することにより、後工程であるエピタキシャル成
長において使用された場合に均一な成長層が得られ、生
産性並びに品質の向上に多大な寄与が実現できる効果が
ある。
この場合、Ga1-uAluAs(0≦ｕ＜0.1）層の層厚は実用的
には0.05μｍ以上あれば処理上の問題を含め、その機能
を充分満足し、かつ後工程での完全かつ均一なメルトバ
ックによる除去を考慮すると100μｍ以下であることが
製造プロセスからの制約となる。一方、Ga1-xAlxAs(0.1
＜ｘ≦１）結晶の層厚については、本発明は〔発明が解
決しようとする問題点〕において述べたようにGaAs基板
を除去して使用する場合を前提としており、その場合に
おいて100μｍ以上が必要となり、また逆にそれ以下の
層厚の場合には、徐冷の液相成長法においても１回のプ
ロセスで成長可能となる。
には0.05μｍ以上あれば処理上の問題を含め、その機能
を充分満足し、かつ後工程での完全かつ均一なメルトバ
ックによる除去を考慮すると100μｍ以下であることが
製造プロセスからの制約となる。一方、Ga1-xAlxAs(0.1
＜ｘ≦１）結晶の層厚については、本発明は〔発明が解
決しようとする問題点〕において述べたようにGaAs基板
を除去して使用する場合を前提としており、その場合に
おいて100μｍ以上が必要となり、また逆にそれ以下の
層厚の場合には、徐冷の液相成長法においても１回のプ
ロセスで成長可能となる。
尚、本実施例においてはいずれもＰ型GaAs基板の上へＰ
型の厚膜Ga1-xAlxAs層を成長する場合を述べたが、Ｎ型
の場合も全く同様に本発明のエピタキシャルウェハー構
造が実現でき、また、それによる効果も同程度に期待で
きることを付記する。
型の厚膜Ga1-xAlxAs層を成長する場合を述べたが、Ｎ型
の場合も全く同様に本発明のエピタキシャルウェハー構
造が実現でき、また、それによる効果も同程度に期待で
きることを付記する。
第１図〜第４図は本発明の一実施例で製作されたGaAlAs
ダブルヘテロ赤色ＬＥＤエピタキシャルウェハーの各製
造工程での断面図であり、順にＰ型GaAs基板除去後、ア
ンドープGaAsエピタキシャル成長後、アンドープGaAsエ
ピタキシャル層メルトバック除去後及びダブルヘテロエ
ピタキシャル成長後のものを各々示す。第５図及び第６
図は本発明の他の実施例で製作されたGaAlAsエピタキシ
ャルウェハーの各製造工程での断面図であり、第５図は
Ｐ型GaAs基板加工後、第６図は厚膜Ga1-xAlxAsエピタキ
シャル成長後のものを各々示す。第７図は従来のGaAlAs
シングルヘテロＬＥＤエピタキシャルウェハーの断面図
である。 １……厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層、２……ア
ンドープGaAsエピタキシャル層、３……Ｐ型GaAs基板、
４……Ｐ型Ga1-yAlyAsクラッド層、５……Ｐ型Ga1-zAlz
As活性層、６……Ｎ型Ga1-vAlvAsクラッド層、７……Ｐ
型GaAs基板、８……厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル
層、９……Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層、１０……
Ｎ型Ga1-yAlyAsエピタキシャル層。
ダブルヘテロ赤色ＬＥＤエピタキシャルウェハーの各製
造工程での断面図であり、順にＰ型GaAs基板除去後、ア
ンドープGaAsエピタキシャル成長後、アンドープGaAsエ
ピタキシャル層メルトバック除去後及びダブルヘテロエ
ピタキシャル成長後のものを各々示す。第５図及び第６
図は本発明の他の実施例で製作されたGaAlAsエピタキシ
ャルウェハーの各製造工程での断面図であり、第５図は
Ｐ型GaAs基板加工後、第６図は厚膜Ga1-xAlxAsエピタキ
シャル成長後のものを各々示す。第７図は従来のGaAlAs
シングルヘテロＬＥＤエピタキシャルウェハーの断面図
である。 １……厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層、２……ア
ンドープGaAsエピタキシャル層、３……Ｐ型GaAs基板、
４……Ｐ型Ga1-yAlyAsクラッド層、５……Ｐ型Ga1-zAlz
As活性層、６……Ｎ型Ga1-vAlvAsクラッド層、７……Ｐ
型GaAs基板、８……厚膜Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル
層、９……Ｐ型Ga1-xAlxAsエピタキシャル層、１０……
Ｎ型Ga1-yAlyAsエピタキシャル層。
Claims (1)
- 【請求項１】100μｍ以上の厚さを有するGa1-xAlxAs(0.
1＜ｘ≦１）結晶の一主面上に0.05〜100μｍの厚さを有
するGa1-uAluAs(0≦ｕ＜0.1）結晶が隣接しているるこ
とを特徴とするGaAlAsエピタキシャルウェハー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14934787A JPH0636438B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14934787A JPH0636438B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63312629A JPS63312629A (ja) | 1988-12-21 |
| JPH0636438B2 true JPH0636438B2 (ja) | 1994-05-11 |
Family
ID=15473134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14934787A Expired - Lifetime JPH0636438B2 (ja) | 1987-06-15 | 1987-06-15 | ＧａＡｌＡｓエピタキシヤルウエハ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636438B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135170A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Sharp Corp | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
-
1987
- 1987-06-15 JP JP14934787A patent/JPH0636438B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61135170A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-23 | Sharp Corp | 発光ダイオ−ドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63312629A (ja) | 1988-12-21 |
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