JPS625330B2 - - Google Patents
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- JPS625330B2 JPS625330B2 JP54036426A JP3642679A JPS625330B2 JP S625330 B2 JPS625330 B2 JP S625330B2 JP 54036426 A JP54036426 A JP 54036426A JP 3642679 A JP3642679 A JP 3642679A JP S625330 B2 JPS625330 B2 JP S625330B2
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- semiconductor
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は選択成長を行う液相エピタキシヤル成
長法に関するものである。
長法に関するものである。
従来、同一平面上に異なる組成を持つ半導体を
二次元的に配置させる場合には、あらかじめ選択
的にエツチングをした基板を用いてその上に結晶
成長させるか、又は酸化膜を保護膜として結晶成
長時に選択的にエツチングをした後、引き続いて
結晶成長を行うといつた方法がとられていた。あ
らかじめ選択的にエツチングをした基板を用いる
場合には、基板が長時間室温で大気に、又、高温
で結晶成長雰囲気にさらされる結果、不純物汚染
及び半導体構成元素の解離といつた問題を生じ
る。又、酸化膜を保護膜として選択エツチングの
後結晶成長を行う場合には、酸化膜上には結晶が
成長しないので、結晶成長膜厚を制御しないと、
平坦な表面が得られない。
二次元的に配置させる場合には、あらかじめ選択
的にエツチングをした基板を用いてその上に結晶
成長させるか、又は酸化膜を保護膜として結晶成
長時に選択的にエツチングをした後、引き続いて
結晶成長を行うといつた方法がとられていた。あ
らかじめ選択的にエツチングをした基板を用いる
場合には、基板が長時間室温で大気に、又、高温
で結晶成長雰囲気にさらされる結果、不純物汚染
及び半導体構成元素の解離といつた問題を生じ
る。又、酸化膜を保護膜として選択エツチングの
後結晶成長を行う場合には、酸化膜上には結晶が
成長しないので、結晶成長膜厚を制御しないと、
平坦な表面が得られない。
本発明は上記の問題を解決することのできる液
相エピタキシヤル成長方法を提供するものであ
る。
相エピタキシヤル成長方法を提供するものであ
る。
本発明では、金属溶液中への組成の異なる半導
体の溶解速度の差を利用して、半導体薄膜を保護
膜とする半導体の結晶成長時の雰囲気中における
選択エツチング工程及びそれに引き続く結晶成長
工程により、同一平面上に異なる組成を持つ半導
体を二次元的に配置させる液相エピタキシヤル成
長法である。
体の溶解速度の差を利用して、半導体薄膜を保護
膜とする半導体の結晶成長時の雰囲気中における
選択エツチング工程及びそれに引き続く結晶成長
工程により、同一平面上に異なる組成を持つ半導
体を二次元的に配置させる液相エピタキシヤル成
長法である。
以下本発明を従来例と対比して詳細に説明す
る。
る。
まず、従来例を半導体レーザの作成を例にとつ
て説明する。半導体レーザにおいては横モードの
安定化が大きな課題となつており、これを実現す
るいくつかの構造が提案されてきた。第１図は横
モードを安定化するレーザの一例の断面を示した
ものである。この構造では、活性層３に接する光
閉じこめ層４の外側の部分を発光波長の光を吸収
する組成の部分５と吸収しない組成の部分６′の
二組の異なる半導体で構成し、発光領域３′の実
効屈折率をその外側の部分に比べて大きくするこ
とにより、横モードの制御を図つている。
て説明する。半導体レーザにおいては横モードの
安定化が大きな課題となつており、これを実現す
るいくつかの構造が提案されてきた。第１図は横
モードを安定化するレーザの一例の断面を示した
ものである。この構造では、活性層３に接する光
閉じこめ層４の外側の部分を発光波長の光を吸収
する組成の部分５と吸収しない組成の部分６′の
二組の異なる半導体で構成し、発光領域３′の実
効屈折率をその外側の部分に比べて大きくするこ
とにより、横モードの制御を図つている。
以下に第１図のレーザをInGaAsP系を用いて
実現する場合の従来の工程の一例を説明する。第
２図ａに示すようにｎ型InP基板１上に、ｎ型
InP２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦0.50t）層
３、ｐ型InP層４、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w
≦ｖ≦0.50w）層５を順次形成する。次に、ホ
ト・リソグラフイ技術及び化学エツチングによ
り、第２図ｂに示すように、In1-vGavAswP1-w層
５の中央部分を溝状に除去する。こうして得られ
たウエハーを基板として、その上に第２図ｃに示
すようにｐ型In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦
0.50q）層６の成長を行う。なお、半導体層３，
５，６の禁止帯幅をそれぞれEg3，Eg5，Eg6とす
るとEg5＜Eg3＜Eg6の関係を満足するようにす
る。この後、基板研磨、電極７，８の形成及び劈
開を経て、レーザが作成される。こうした工程で
は、発光領域３′に近接した光閉じこめ領域４′が
結晶成長開始前に高温で長時間結晶成長雰囲気に
さらされる為、不純物に汚染されやすく、又構成
元素が解離しやすかつた。その為、発光領域３′
に悪影響を及ぼす可能性があつた。
実現する場合の従来の工程の一例を説明する。第
２図ａに示すようにｎ型InP基板１上に、ｎ型
InP２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦0.50t）層
３、ｐ型InP層４、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w
≦ｖ≦0.50w）層５を順次形成する。次に、ホ
ト・リソグラフイ技術及び化学エツチングによ
り、第２図ｂに示すように、In1-vGavAswP1-w層
５の中央部分を溝状に除去する。こうして得られ
たウエハーを基板として、その上に第２図ｃに示
すようにｐ型In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦
0.50q）層６の成長を行う。なお、半導体層３，
５，６の禁止帯幅をそれぞれEg3，Eg5，Eg6とす
るとEg5＜Eg3＜Eg6の関係を満足するようにす
る。この後、基板研磨、電極７，８の形成及び劈
開を経て、レーザが作成される。こうした工程で
は、発光領域３′に近接した光閉じこめ領域４′が
結晶成長開始前に高温で長時間結晶成長雰囲気に
さらされる為、不純物に汚染されやすく、又構成
元素が解離しやすかつた。その為、発光領域３′
に悪影響を及ぼす可能性があつた。
本発明による液相エピタキシヤル成長法によれ
ば、結晶成長時に基板を選択的にエツチングした
後、結晶成長を行うことが可能となる為、長時間
室温で大気に、又高温で結晶成長雰囲気にさらさ
れる事による不純物汚染、半導体構成元素の解離
の問題はさけられる。以下に波長約1.3μｍで発
振するレーザを例にとつて、その作成工程を説明
する。
ば、結晶成長時に基板を選択的にエツチングした
後、結晶成長を行うことが可能となる為、長時間
室温で大気に、又高温で結晶成長雰囲気にさらさ
れる事による不純物汚染、半導体構成元素の解離
の問題はさけられる。以下に波長約1.3μｍで発
振するレーザを例にとつて、その作成工程を説明
する。
実施例 １
第３図ａに示すように、ｎ型InP基板１上に、
ｎ型InP層２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦
0.50t、0.58≦ｔ≦0.65）層３、ｐ型InP層４（第
四の半導体層）、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w≦
ｖ≦0.50w、かつ0.7≦ｗ≦１）層５（第一の半導
体層）、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦ｘ≦
0.50y、０≦ｙ≦0.65）層９（第二の半導体層）
を順次形成する。
ｎ型InP層２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦
0.50t、0.58≦ｔ≦0.65）層３、ｐ型InP層４（第
四の半導体層）、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w≦
ｖ≦0.50w、かつ0.7≦ｗ≦１）層５（第一の半導
体層）、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦ｘ≦
0.50y、０≦ｙ≦0.65）層９（第二の半導体層）
を順次形成する。
次にホト・リソグラフイ技術及び化学エツチン
グにより、第３図ｂに示すように、
In1-xGaxAsyP1-y層９の中央部分を溝状に除去す
る。こうして得られたウエハーを基板として、液
相エピタキシヤル成長法によりその上に第三の半
導体層としてIn1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦
0.50q）層６の成長を行う。この成長直前に、例
えばIn溶媒中のＰの液相成分の割合が約0.55原子
パーセントである溶液を、水素雰囲気中温度約
630℃で上記ウエハーと接触させると、
In1-xGaxAsyP1-y層９、InP層４は上記溶液にはほ
とんど溶解せず、In1-vGavAswP1-w層５は上記溶
液に容易に溶け込む。そこで、この溶液を用いて
In1-xGaxAsyP1-y層９、InP層４を保護膜として、
In1-vGavAswP1-w層５の中央部分を第３図ｃに示
すごとく溝状に選択的にエツチングする。その
後、引き続いて適当な成分比を持つ溶液を用い
て、ｐ型In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦0.50q）
層６を第３図ｄに示すように形成する。この時、
半導体層３，５，６の禁止帯幅をそれぞれEg3，
Eg5，Eg6とすると、Eg5＜Eg3＜Eg6の関係を満
足するようにする。この溶液によるエツチングの
際、半導体層４，９の上にはInP層が析出する場
合もあるが、この析出層がｐ型となるように溶液
中にZn等の不純物を入れておけば問題はない。
こうして得られたウエハーは、第１図に示す構造
と比べ、In1-xGaxAsyP1-y層９がある点は異なる
が、発光領域３′の実効屈折率を、その外側に比
して大きくせしめ、よつて横モードの安定化をは
かるという機能の点では変りがない。
グにより、第３図ｂに示すように、
In1-xGaxAsyP1-y層９の中央部分を溝状に除去す
る。こうして得られたウエハーを基板として、液
相エピタキシヤル成長法によりその上に第三の半
導体層としてIn1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦
0.50q）層６の成長を行う。この成長直前に、例
えばIn溶媒中のＰの液相成分の割合が約0.55原子
パーセントである溶液を、水素雰囲気中温度約
630℃で上記ウエハーと接触させると、
In1-xGaxAsyP1-y層９、InP層４は上記溶液にはほ
とんど溶解せず、In1-vGavAswP1-w層５は上記溶
液に容易に溶け込む。そこで、この溶液を用いて
In1-xGaxAsyP1-y層９、InP層４を保護膜として、
In1-vGavAswP1-w層５の中央部分を第３図ｃに示
すごとく溝状に選択的にエツチングする。その
後、引き続いて適当な成分比を持つ溶液を用い
て、ｐ型In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦0.50q）
層６を第３図ｄに示すように形成する。この時、
半導体層３，５，６の禁止帯幅をそれぞれEg3，
Eg5，Eg6とすると、Eg5＜Eg3＜Eg6の関係を満
足するようにする。この溶液によるエツチングの
際、半導体層４，９の上にはInP層が析出する場
合もあるが、この析出層がｐ型となるように溶液
中にZn等の不純物を入れておけば問題はない。
こうして得られたウエハーは、第１図に示す構造
と比べ、In1-xGaxAsyP1-y層９がある点は異なる
が、発光領域３′の実効屈折率を、その外側に比
して大きくせしめ、よつて横モードの安定化をは
かるという機能の点では変りがない。
なお、第一の半導体層が金属溶液によつてエツ
チングをされる間に、第二の半導体層がエツチン
グをされる場合でも、第一の半導体層を選択的に
エツチングした後に、第二の半導体層が残存し、
保護膜としての機能を有していれば、差支えな
い。
チングをされる間に、第二の半導体層がエツチン
グをされる場合でも、第一の半導体層を選択的に
エツチングした後に、第二の半導体層が残存し、
保護膜としての機能を有していれば、差支えな
い。
実施例 ２
実施例１では、選択的にエツチングされる第一
の半導体層が一種類である場合を示したが二種類
以上積層されてもかまわない。例えば、第４図ａ
に示すように、ｎ型InP基板１上に、ｎ型InP層
２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦0.50t）層３、
ｐ型InP層４、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w≦ｖ
≦0.50w、0.7≦ｗ≦１）層５、ｎ型
In1-nGanAsoP1-o（0.42n≦ｍ≦0.50n、かつ0.7≦
ｎ≦１）層１０、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦
ｘ≦0.50y、かつ０≦ｙ≦0.65）層９を順次形成
する。この実施例では、第一の半導体層に層５と
層１０が含まれる。次に、In1-xGaxAsyP1-y層９
の中央部分を第４図ｂに示すように溝状に除去し
た後、このウエハーを基板として液相エピタキシ
ヤル成長法により成長を行う。この際に先ず、In
溶媒中の液相成分の割合が約0.55原子パーセント
である溶液を水素雰囲気中温度約630℃で上記ウ
エハーと接触させて、InP層４とIn1-xGaxAsyP1-y
層９を保護膜として第４図ｃに示すように、
In1-nGanAsoP1-o層１０とIn1-vGavAswP1-w層５
を選択的にエツチングする。その後、引き続いて
適当な成分比を持つ溶液を用いて、ｐ型
In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦0.50q）層６を第
４図ｄに示すように形成する。
の半導体層が一種類である場合を示したが二種類
以上積層されてもかまわない。例えば、第４図ａ
に示すように、ｎ型InP基板１上に、ｎ型InP層
２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦0.50t）層３、
ｐ型InP層４、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w≦ｖ
≦0.50w、0.7≦ｗ≦１）層５、ｎ型
In1-nGanAsoP1-o（0.42n≦ｍ≦0.50n、かつ0.7≦
ｎ≦１）層１０、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦
ｘ≦0.50y、かつ０≦ｙ≦0.65）層９を順次形成
する。この実施例では、第一の半導体層に層５と
層１０が含まれる。次に、In1-xGaxAsyP1-y層９
の中央部分を第４図ｂに示すように溝状に除去し
た後、このウエハーを基板として液相エピタキシ
ヤル成長法により成長を行う。この際に先ず、In
溶媒中の液相成分の割合が約0.55原子パーセント
である溶液を水素雰囲気中温度約630℃で上記ウ
エハーと接触させて、InP層４とIn1-xGaxAsyP1-y
層９を保護膜として第４図ｃに示すように、
In1-nGanAsoP1-o層１０とIn1-vGavAswP1-w層５
を選択的にエツチングする。その後、引き続いて
適当な成分比を持つ溶液を用いて、ｐ型
In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦0.50q）層６を第
４図ｄに示すように形成する。
実施例 ３
選択的にエツチングされる第一の半導体層が２
種類以上である他の実施例を示す。第５図ａに示
すように、第一の半導体層が２種類の組成の半導
体層５及び１０で同一平面上に形成されている場
合である。例えば、ｎ型InP基板１上に、ｎ型
InP層２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦0.50t）層
３、ｐ型InP層４、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w
≦ｖ≦0.50w、0.7≦ｗ≦１）層５、ｎ型
In1-nGanAsoP1-o（0.42n≦ｍ≦0.50n、かつ0.7≦
ｎ≦１）層１０、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦
ｘ≦0.50y、０≦ｙ≦0.65）層９を第５図ａに示
すように順次形成する。次に、In1-xGaxAsyP1-y
層９の中央部分を第５図ｂに示すように溝状に除
去した後、このウエハーを基板として液相エピタ
キシヤル成長法により成長を行う。この際に、先
ずIn溶媒中のＰの液相成分の割合が約0.55原子％
である溶液を水素雰囲気中温度約630℃で上記ウ
エハーと接触させて、InP層４、In1-xGaxAsyP1-y
層９を保護膜として第５図ｃに示すように
In1-nGanAsoP1-o層１０とIn1-vGavAswP1-w層５
を選択的にエツチングする。その後、引き続いて
適当な成分比を持つ溶液を用いてｐ型
In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦0.50q）層６を第
５図ｄに示すように形成する。
種類以上である他の実施例を示す。第５図ａに示
すように、第一の半導体層が２種類の組成の半導
体層５及び１０で同一平面上に形成されている場
合である。例えば、ｎ型InP基板１上に、ｎ型
InP層２、In1-sGasAstP1-t（0.42t≦ｓ≦0.50t）層
３、ｐ型InP層４、ｎ型In1-vGavAswP1-w（0.42w
≦ｖ≦0.50w、0.7≦ｗ≦１）層５、ｎ型
In1-nGanAsoP1-o（0.42n≦ｍ≦0.50n、かつ0.7≦
ｎ≦１）層１０、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦
ｘ≦0.50y、０≦ｙ≦0.65）層９を第５図ａに示
すように順次形成する。次に、In1-xGaxAsyP1-y
層９の中央部分を第５図ｂに示すように溝状に除
去した後、このウエハーを基板として液相エピタ
キシヤル成長法により成長を行う。この際に、先
ずIn溶媒中のＰの液相成分の割合が約0.55原子％
である溶液を水素雰囲気中温度約630℃で上記ウ
エハーと接触させて、InP層４、In1-xGaxAsyP1-y
層９を保護膜として第５図ｃに示すように
In1-nGanAsoP1-o層１０とIn1-vGavAswP1-w層５
を選択的にエツチングする。その後、引き続いて
適当な成分比を持つ溶液を用いてｐ型
In1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦0.50q）層６を第
５図ｄに示すように形成する。
実施例 ４
以上の実施例では、金属溶液によつて選択エツ
チングをされる半導体が表面に露出している場合
について述べたが、必ずしも表面に露出している
必要はない。例えば、第６図ａに示すように、ｎ
型InP基板１上にｎ型InP層２、In1-sGasAstP1-t
（0.42t≦ｓ≦0.50t）層３、ｐ型InP層４、ｎ型
In1-vGavAswP1-w（0.42w≦ｖ≦0.50w、0.7≦ｗ
≦１）層５、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦ｘ≦
0.50y、０≦ｙ≦0.65）層９を順次形成する。次
に、In1-xGaxAsyP1-y層９を第６図ｂに示すよう
に溝状に一部分の膜厚が薄くなるようにエツチン
グを行う。このウエハーを基板として液相エピタ
キシヤル成長法により成長を行う。この際に先
ず、In溶媒中のＰの液相成分の割合が０ないし
0.4原子％である溶液を水素雰囲気中温度約630℃
で上記ウエハーと接触させて、第６図ｃに示すよ
うにIn1-xGaxAsyP1-y層９を一様にエツチングし
た後、引き続いてIn溶媒中のＰの液相成分の割合
が約0.55原子％である溶液を水素雰囲気中におい
て温度約630℃でこのウエハーと接触させて、
InP層４、In1-xGaxAsyP1-y層９を保護膜として第
６図ｄに示すようにIn1-vGavAswP1-w層５を選択
的にエツチングする。その後引き続いて適当な成
分比を持つ溶液を用いて、ｐ型In1-pGapAsqP1-q
（0.42q≦ｐ≦0.50q）層６を第６図ｅに示すよう
に形成する。
チングをされる半導体が表面に露出している場合
について述べたが、必ずしも表面に露出している
必要はない。例えば、第６図ａに示すように、ｎ
型InP基板１上にｎ型InP層２、In1-sGasAstP1-t
（0.42t≦ｓ≦0.50t）層３、ｐ型InP層４、ｎ型
In1-vGavAswP1-w（0.42w≦ｖ≦0.50w、0.7≦ｗ
≦１）層５、ｎ型In1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦ｘ≦
0.50y、０≦ｙ≦0.65）層９を順次形成する。次
に、In1-xGaxAsyP1-y層９を第６図ｂに示すよう
に溝状に一部分の膜厚が薄くなるようにエツチン
グを行う。このウエハーを基板として液相エピタ
キシヤル成長法により成長を行う。この際に先
ず、In溶媒中のＰの液相成分の割合が０ないし
0.4原子％である溶液を水素雰囲気中温度約630℃
で上記ウエハーと接触させて、第６図ｃに示すよ
うにIn1-xGaxAsyP1-y層９を一様にエツチングし
た後、引き続いてIn溶媒中のＰの液相成分の割合
が約0.55原子％である溶液を水素雰囲気中におい
て温度約630℃でこのウエハーと接触させて、
InP層４、In1-xGaxAsyP1-y層９を保護膜として第
６図ｄに示すようにIn1-vGavAswP1-w層５を選択
的にエツチングする。その後引き続いて適当な成
分比を持つ溶液を用いて、ｐ型In1-pGapAsqP1-q
（0.42q≦ｐ≦0.50q）層６を第６図ｅに示すよう
に形成する。
以上の実施例では、第四の半導体層４がInPで
ある場合について説明したが、この第四の半導体
層４にはIn1-kGakAslP1-l（0.42 ｌ≦ｋ≦0.50
ｌ、０≦ｌ≦0.65）を用いることができる。又、
本発明は、半導体レーザに限らず半導体素子作成
一般に適用可能である。実施例では、InGaAsP
系において選択エツチング用の金属溶液としてIn
にＰを溶解させたものを用いる組合せについて述
べたが、金属溶液への溶解速度の異なる組合せの
半導体を選べば、どのような組成の半導体、金属
溶液の組合せでも適用可能である。半導体がｐ
型、ｎ型又は真性半導体のいずれであるかを問わ
ず適用可能である。
ある場合について説明したが、この第四の半導体
層４にはIn1-kGakAslP1-l（0.42 ｌ≦ｋ≦0.50
ｌ、０≦ｌ≦0.65）を用いることができる。又、
本発明は、半導体レーザに限らず半導体素子作成
一般に適用可能である。実施例では、InGaAsP
系において選択エツチング用の金属溶液としてIn
にＰを溶解させたものを用いる組合せについて述
べたが、金属溶液への溶解速度の異なる組合せの
半導体を選べば、どのような組成の半導体、金属
溶液の組合せでも適用可能である。半導体がｐ
型、ｎ型又は真性半導体のいずれであるかを問わ
ず適用可能である。
以上、半導体レーザの作成を例にとつて詳細に
説明したように、本発明の液相エピタキシヤル成
長法では、成長直前に金属溶液により基板を選択
エツチングすることにより、従来行われているよ
うな結晶成長を行つたウエハーを大気中で加工処
理した後、再度結晶成長を行うという工程中で起
りがちな基板への不純物汚染及び基板表面の半導
体構成元素の解離による素子特性への影響を避け
ることができ、その工業的価値は極めて大であ
る。
説明したように、本発明の液相エピタキシヤル成
長法では、成長直前に金属溶液により基板を選択
エツチングすることにより、従来行われているよ
うな結晶成長を行つたウエハーを大気中で加工処
理した後、再度結晶成長を行うという工程中で起
りがちな基板への不純物汚染及び基板表面の半導
体構成元素の解離による素子特性への影響を避け
ることができ、その工業的価値は極めて大であ
る。
第１図は半導体レーザの断面、第２図は第１図
の半導体レーザを従来の方法で作成する工程を説
明するための断面図、第３図は本発明の方法で作
成する工程を説明するための断面図、第４図、第
５図、第６図は本発明の他の実施例を説明するた
めの断面図である。 １……ｎ型InP基板、２……ｎ型InP層、３…
…活性層、３′……発光領域、４……光閉じ込め
層、４′……光閉じ込め領域、５……発光波長の
光を吸収する部分、６……ｐ型InGaAsP層、
７，８……電極、９，１０……ｎ型InGaAsP
層。
の半導体レーザを従来の方法で作成する工程を説
明するための断面図、第３図は本発明の方法で作
成する工程を説明するための断面図、第４図、第
５図、第６図は本発明の他の実施例を説明するた
めの断面図である。 １……ｎ型InP基板、２……ｎ型InP層、３…
…活性層、３′……発光領域、４……光閉じ込め
層、４′……光閉じ込め領域、５……発光波長の
光を吸収する部分、６……ｐ型InGaAsP層、
７，８……電極、９，１０……ｎ型InGaAsP
層。
Claims (1)
- １ In溶媒中のＰの液相成分の割合がほぼ0.55原
子パーセントである溶液に溶け込む溶解速度の少
なるIn1-kGakAslP1-l（0.42 ｌ≦ｋ≦0.50 ｌ、０
≦ｌ≦0.65）の第四の半導体層上に、該溶液に溶
け込む溶解速度の大なるIn1-vGavAswP1-w
（0.42w≦ｖ≦0.50w、0.7≦ｗ≦１）の第一の半導
体層を少なくとも１層と、前記溶液に溶け込む溶
解速度の小なるIn1-xGaxAsyP1-y（0.42y≦ｘ≦
0.50y、０≦ｙ≦0.65）の第二の半導体である保
護層を形成し、前記第一の半導体層を結晶成長時
の雰囲気中で次に結晶成長すべき第三の半導体層
の導電型と同一の導電型の層を析出する前記溶液
により選択的にエツチングをし、そのエツチング
により得られる基板上に前記雰囲気中で引き続い
てIn1-pGapAsqP1-q（0.42q≦ｐ≦0.50q）の該第
三の半導体層を結晶成長させることを特徴とする
液相エピタキシヤル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3642679A JPS55128822A (en) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Method of epitaxial growth at liquid phase |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3642679A JPS55128822A (en) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Method of epitaxial growth at liquid phase |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55128822A JPS55128822A (en) | 1980-10-06 |
| JPS625330B2 true JPS625330B2 (ja) | 1987-02-04 |
Family
ID=12469487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3642679A Granted JPS55128822A (en) | 1979-03-28 | 1979-03-28 | Method of epitaxial growth at liquid phase |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55128822A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57140399A (en) * | 1981-02-23 | 1982-08-30 | Toshiba Corp | Liquid phase epitaxial growing method |
| GB2105099B (en) * | 1981-07-02 | 1985-06-12 | Standard Telephones Cables Ltd | Injection laser |
| JPS58180078A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-21 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
-
1979
- 1979-03-28 JP JP3642679A patent/JPS55128822A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JAPAN.J.APPL.PHYS * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55128822A (en) | 1980-10-06 |
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