JPS61115359A - 発光ダイオ−ドアレイ - Google Patents
発光ダイオ−ドアレイInfo
- Publication number
- JPS61115359A JPS61115359A JP59236813A JP23681384A JPS61115359A JP S61115359 A JPS61115359 A JP S61115359A JP 59236813 A JP59236813 A JP 59236813A JP 23681384 A JP23681384 A JP 23681384A JP S61115359 A JPS61115359 A JP S61115359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- resistor
- emitting diode
- current limiting
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/30—Driver circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
- H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
- H05B45/46—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs disposed in parallel lines
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は光プリンタ等に用いられる発光ダイオードア
レイに関し、更に詳細には、発光ダイオードアレイの発
光パワーの調整に関する。
レイに関し、更に詳細には、発光ダイオードアレイの発
光パワーの調整に関する。
（従来の技術）
従来の発光ダイオードアレイとしては、例えば実願昭５
７−４Ｈ８１号（実開昭５８−１５２６８８号）の願書
に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフ
ィルムに記載がある。第３図に、この発光ダイオードア
レイのブロック図を示す、同図において、発光ダイオー
ドＬＥＤ、〜ＬＥＤｎの一端はそれぞれ接地され、他端
はそれぞれ、電流制限抵抗Ｙｘ１〜ＹＸｎ及びトランジ
スタＴＲ，〜ＴＲｎを介して図示しない電流（電源電圧
Ｖｗ）に接続されている。また、これらは同一基板上に
搭載されている０発光ダイオードは、これに対応するト
ランジスタをオンにすることにより駆動される。
７−４Ｈ８１号（実開昭５８−１５２６８８号）の願書
に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフ
ィルムに記載がある。第３図に、この発光ダイオードア
レイのブロック図を示す、同図において、発光ダイオー
ドＬＥＤ、〜ＬＥＤｎの一端はそれぞれ接地され、他端
はそれぞれ、電流制限抵抗Ｙｘ１〜ＹＸｎ及びトランジ
スタＴＲ，〜ＴＲｎを介して図示しない電流（電源電圧
Ｖｗ）に接続されている。また、これらは同一基板上に
搭載されている０発光ダイオードは、これに対応するト
ランジスタをオンにすることにより駆動される。
ここで、このような発光ダイオード７レイでは、各発光
ダイオードの発光パワーを等しく一定にしなければなら
ない（このときの抵抗値を電流制限抵抗値と定義する）
、この調整を行なうのが、各発光ダイオードに対応して
設けられた電流制限抵抗Ｙｘ１〜’？ｘｎである。電流
制限抵抗？ｘ１〜γｘｎはそれぞれ、基板上に設けられ
た抵抗膜により形成されている。各発光ダイオードの発
光パワーの調整は、調整すべき発光ダイオードに対応す
る電流制限抵抗を形成する抵抗膜を製造時にレーザを用
ていトリミングすることにより、電流制限抵抗の抵抗値
が電流制限抵抗となるように行なわれる。このトリミン
グ方法としては、抵抗膜をＬ字状にカットする２字カッ
ト又は抵抗膜をジグザグ状にカットするサーペンタイン
カット等が用いられている。
ダイオードの発光パワーを等しく一定にしなければなら
ない（このときの抵抗値を電流制限抵抗値と定義する）
、この調整を行なうのが、各発光ダイオードに対応して
設けられた電流制限抵抗Ｙｘ１〜’？ｘｎである。電流
制限抵抗？ｘ１〜γｘｎはそれぞれ、基板上に設けられ
た抵抗膜により形成されている。各発光ダイオードの発
光パワーの調整は、調整すべき発光ダイオードに対応す
る電流制限抵抗を形成する抵抗膜を製造時にレーザを用
ていトリミングすることにより、電流制限抵抗の抵抗値
が電流制限抵抗となるように行なわれる。このトリミン
グ方法としては、抵抗膜をＬ字状にカットする２字カッ
ト又は抵抗膜をジグザグ状にカットするサーペンタイン
カット等が用いられている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来の発光ダイオ−。
ドアレイにあっては、次の問題点を有する。
第１に、１つの電流制限抵抗は１つの抵抗膜により形成
されている。従って、所望の電流制限抵抗値を得るため
には抵抗膜のトリミング量を多くしなければならない、
この結果、製造時における抵抗膜の調整の作業が煩雑で
ある。
されている。従って、所望の電流制限抵抗値を得るため
には抵抗膜のトリミング量を多くしなければならない、
この結果、製造時における抵抗膜の調整の作業が煩雑で
ある。
第２に、抵抗膜を直接カッティングするため、抵抗膜の
安定性が悪い、すなわち、カッティングした部分はむき
出しになっているので１時間の経過とともにこの部分が
種々の影響を受け、抵抗膜の抵抗値が次第に変化してい
く、前述したように、トリミング量を多くするためには
カッティング部分も多くしなければならない、従って、
この部分における経年変化に起因する抵抗値の変化は大
きな問題である。
安定性が悪い、すなわち、カッティングした部分はむき
出しになっているので１時間の経過とともにこの部分が
種々の影響を受け、抵抗膜の抵抗値が次第に変化してい
く、前述したように、トリミング量を多くするためには
カッティング部分も多くしなければならない、従って、
この部分における経年変化に起因する抵抗値の変化は大
きな問題である。
従って、この発明はこれらの従来の問題点を解決し、少
ないトリミング量で簡単に所望の電流制限抵抗値が得ら
れ、しかも経年変化に起因する電流制限抵抗の抵抗値の
変化を少なくして電流制限抵抗の安定性を向上させた発
光ダイオードアレイを提供することを目的とする。
ないトリミング量で簡単に所望の電流制限抵抗値が得ら
れ、しかも経年変化に起因する電流制限抵抗の抵抗値の
変化を少なくして電流制限抵抗の安定性を向上させた発
光ダイオードアレイを提供することを目的とする。
（発明が解決しようとする問題点）
この発明は、次の構成要素を含む発光ダイオードアレイ
を対象とする。すなわち、一端が・電源の一端に接続さ
れる発光ダイオードと、この他端に、一端が接続される
電流制限抵抗と、この他端と前記電源の他端に接続され
るトランジスタとが同一の基板上に形成されている発光
ダイオードアレイである。この発明は、このうな発光ダ
イオードアレイにおいて、電流制限抵抗をトリミング可
能なトリミング抵抗とこれに直列に接続される基準抵抗
とで構成する。
を対象とする。すなわち、一端が・電源の一端に接続さ
れる発光ダイオードと、この他端に、一端が接続される
電流制限抵抗と、この他端と前記電源の他端に接続され
るトランジスタとが同一の基板上に形成されている発光
ダイオードアレイである。この発明は、このうな発光ダ
イオードアレイにおいて、電流制限抵抗をトリミング可
能なトリミング抵抗とこれに直列に接続される基準抵抗
とで構成する。
（作用）
発光ダイオードを駆動する電流は、トランジスタ、電流
制限抵抗及び発光ダイオードの順（又はこの順番と逆の
順番）に流れ、発光ダイオードは発光する。ここで、所
望の電流制限抵抗値（又は所望の電流値）は、製造時に
電流制限抵抗の一つの構成要素であるトリミング抵抗を
レーザによりトリミングすることにより得られる。この
ように、トリミングすべき抵抗を基準抵抗とは別個に設
けているので、電流制限抵抗値の基本的な値、換言すれ
ば電流制限抵抗値の大半の抵抗値を占める基準抵抗を直
接トリミングする必要がなくなる。この結果、トリミン
グ抵抗を抵抗値の調節専用として設計することができ、
少ないトリミング量で大きな抵抗変化を呈するように、
トリミング抵抗の基板上における抵抗膜のパターンを設
定することができる。
制限抵抗及び発光ダイオードの順（又はこの順番と逆の
順番）に流れ、発光ダイオードは発光する。ここで、所
望の電流制限抵抗値（又は所望の電流値）は、製造時に
電流制限抵抗の一つの構成要素であるトリミング抵抗を
レーザによりトリミングすることにより得られる。この
ように、トリミングすべき抵抗を基準抵抗とは別個に設
けているので、電流制限抵抗値の基本的な値、換言すれ
ば電流制限抵抗値の大半の抵抗値を占める基準抵抗を直
接トリミングする必要がなくなる。この結果、トリミン
グ抵抗を抵抗値の調節専用として設計することができ、
少ないトリミング量で大きな抵抗変化を呈するように、
トリミング抵抗の基板上における抵抗膜のパターンを設
定することができる。
（実施例）
以下、この発明を一実施例に基づき図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は、この発明による発光ダイオードアレイの一実
施例を示す回路図である。同図において、ＬＥＤ、〜Ｌ
ＥＤｎは発光ダイオード、及びＴＲ，〜ＴＲｎはそれぞ
れ発光ダイオードＬＥＤ、〜ＬＥＤｎのオン／オフ鷺制
御するトランジスタである。尚、これらは第３図に示し
たものと同一である。Ｒｘ１〜Ｒｘｎはトリミング抵抗
で、その一端は個々に対応する発光ダイオードＬＥＤＩ
ＮＬＥＤｎの７ノードに図示の如く接続されている。ト
リミング抵抗Ｒｘ、〜Ｒｘｎは、レーザを用いてトリミ
ングすることによりその抵抗値が変化する。Ｒ１ｘＲｘ
ｎは基準抵抗で、その一端はトリミング抵抗Ｒｘ、〜Ｒ
ｘｎの他端にそれぞれ接続され、その他端はトランジス
タＴＲ，〜ＴＲｎのエミッタにそれぞれ接続されている
。基準抵抗Ｒ１〜Ｒｎのそれぞれの抵抗値はほぼ同一と
なるように設定されている。また、この抵抗値は電流制
限抵抗値の大半を占めるように設定されている。
施例を示す回路図である。同図において、ＬＥＤ、〜Ｌ
ＥＤｎは発光ダイオード、及びＴＲ，〜ＴＲｎはそれぞ
れ発光ダイオードＬＥＤ、〜ＬＥＤｎのオン／オフ鷺制
御するトランジスタである。尚、これらは第３図に示し
たものと同一である。Ｒｘ１〜Ｒｘｎはトリミング抵抗
で、その一端は個々に対応する発光ダイオードＬＥＤＩ
ＮＬＥＤｎの７ノードに図示の如く接続されている。ト
リミング抵抗Ｒｘ、〜Ｒｘｎは、レーザを用いてトリミ
ングすることによりその抵抗値が変化する。Ｒ１ｘＲｘ
ｎは基準抵抗で、その一端はトリミング抵抗Ｒｘ、〜Ｒ
ｘｎの他端にそれぞれ接続され、その他端はトランジス
タＴＲ，〜ＴＲｎのエミッタにそれぞれ接続されている
。基準抵抗Ｒ１〜Ｒｎのそれぞれの抵抗値はほぼ同一と
なるように設定されている。また、この抵抗値は電流制
限抵抗値の大半を占めるように設定されている。
第２図（Ａ）は第１図に示す発光ダイオードアレイを厚
膜基板上に形成した場合の断面図、及び第２図（Ｂ）は
同図（Ａ）に示されるトリミング抵抗のパターンの平面
図である。
膜基板上に形成した場合の断面図、及び第２図（Ｂ）は
同図（Ａ）に示されるトリミング抵抗のパターンの平面
図である。
第２図（Ａ）において、１は厚膜基板で、第１図に示さ
れる各構成要素を搭載する。２ないし８は厚膜基板ｌ上
に印刷、焼成により形成された導体である。これらの導
体間に、第１図に示される各構成要素が設けられる。９
及び１０はそれぞれ基準抵抗Ｒ１及びＲ２で、基準抵抗
９は導体２と３との間に設けられ、基準抵抗１０は導体
７と８との間に設けられている。導体２及び８はそれぞ
れ図示しないトランジスタＴＲ，及びＴＲ，（厚膜基板
ｌ上に設けられているが、この発明の特徴部分でないの
で図示しない）のエミッタに接続されている。尚、基準
抵抗は印刷、焼成により形成される。 １１及び１２は
それぞれトリミング抵抗Ｒｘｌ及びＲｘ２で、トリミン
グ抵抗１１は導体３と４の間に印刷、焼成により設けら
れ、トリミング抵抗１２は導体６と７との間に同様にし
て設けられている。尚、図示しないが、導体４と５の間
にはＬＥＤ、が設けられ、導体５と６の間にはＬＥＤ２
が設けられている。また発光ダイオードＬＥＤ、〜ＬＥ
Ｄｎは、ダイスボンディング、ワイヤポンディング等に
より基板ｌに設けられる。
れる各構成要素を搭載する。２ないし８は厚膜基板ｌ上
に印刷、焼成により形成された導体である。これらの導
体間に、第１図に示される各構成要素が設けられる。９
及び１０はそれぞれ基準抵抗Ｒ１及びＲ２で、基準抵抗
９は導体２と３との間に設けられ、基準抵抗１０は導体
７と８との間に設けられている。導体２及び８はそれぞ
れ図示しないトランジスタＴＲ，及びＴＲ，（厚膜基板
ｌ上に設けられているが、この発明の特徴部分でないの
で図示しない）のエミッタに接続されている。尚、基準
抵抗は印刷、焼成により形成される。 １１及び１２は
それぞれトリミング抵抗Ｒｘｌ及びＲｘ２で、トリミン
グ抵抗１１は導体３と４の間に印刷、焼成により設けら
れ、トリミング抵抗１２は導体６と７との間に同様にし
て設けられている。尚、図示しないが、導体４と５の間
にはＬＥＤ、が設けられ、導体５と６の間にはＬＥＤ２
が設けられている。また発光ダイオードＬＥＤ、〜ＬＥ
Ｄｎは、ダイスボンディング、ワイヤポンディング等に
より基板ｌに設けられる。
トリミング抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ２は、厚膜基板１上に第２
図（Ｂ）のように形成されている。第２図（Ｂ）はこの
うち、トリミング抵抗１１ （ＲＸ、 ）を示す、トリ
ミング抵抗１１は複数の折返し点を待つミアンダ型（又
はラダー型）の抵抗膜パターン１１．を有し、更に任意
の折返し点間にはトリミングされるべきブリッジ部１１
２ 、ｔｔ３を有する。
図（Ｂ）のように形成されている。第２図（Ｂ）はこの
うち、トリミング抵抗１１ （ＲＸ、 ）を示す、トリ
ミング抵抗１１は複数の折返し点を待つミアンダ型（又
はラダー型）の抵抗膜パターン１１．を有し、更に任意
の折返し点間にはトリミングされるべきブリッジ部１１
２ 、ｔｔ３を有する。
また、抵抗膜パターン１１．の導体２に接続される側の
端部ａは、他端の端部すに比べそのパターン幅“大と１
１う９形成３６１°゛６・０１１２・７Ｉリッジ部１１
２，１１３等を最初にトリミングして切断することによ
りの大きな抵抗変化を得、次に抵抗膜パターン１１の端
部ａを連続的にトリミングしてカッティングすることに
より、抵抗値の微調整を可能とするためである。
端部ａは、他端の端部すに比べそのパターン幅“大と１
１う９形成３６１°゛６・０１１２・７Ｉリッジ部１１
２，１１３等を最初にトリミングして切断することによ
りの大きな抵抗変化を得、次に抵抗膜パターン１１の端
部ａを連続的にトリミングしてカッティングすることに
より、抵抗値の微調整を可能とするためである。
次に、動作について説明する。
まず、第１図、第２図に示される発光ダイオードアレイ
を暗箱の中で各々の発光ダイオードの発光パワーを定電
流回路（図示しない）にて測定する０次に、各々の発光
ダイオードの電光パワーを一定にするため、電流制限抵
抗値を算出する０次に、各発光ダイオードごとに第２図
（Ｂ）に示すブリッジ部１１２．１１３を適当にレーザ
を用いてトリミングすることによりカッティングする。
を暗箱の中で各々の発光ダイオードの発光パワーを定電
流回路（図示しない）にて測定する０次に、各々の発光
ダイオードの電光パワーを一定にするため、電流制限抵
抗値を算出する０次に、各発光ダイオードごとに第２図
（Ｂ）に示すブリッジ部１１２．１１３を適当にレーザ
を用いてトリミングすることによりカッティングする。
このカティングにより、トリミング抵抗の抵抗値は数十
オーム程度変化する０次に、抵抗膜パターン１１の端部
ａをレーザを用いて連続的にトリミングし。
オーム程度変化する０次に、抵抗膜パターン１１の端部
ａをレーザを用いて連続的にトリミングし。
微調整（数オーム程度）を行なう、この結果、所望の電
流制限抵抗値が得られる。
流制限抵抗値が得られる。
以上のとおり、この実験例ではトリミングされる部分は
トリミング抵抗のみであって、しかもトリミングする部
分はブリッジ部をトリミングしてカッティングし、更に
微調整用として端部ａを連続的にトリミングするだけで
よい、従って、この実験例によれば、少ないトリミング
量で大きな抵抗変化及び微少な抵抗変化を得ることがで
き、加えて経年変化に対する影響を受けにくいという効
果が得られる。
トリミング抵抗のみであって、しかもトリミングする部
分はブリッジ部をトリミングしてカッティングし、更に
微調整用として端部ａを連続的にトリミングするだけで
よい、従って、この実験例によれば、少ないトリミング
量で大きな抵抗変化及び微少な抵抗変化を得ることがで
き、加えて経年変化に対する影響を受けにくいという効
果が得られる。
以上、この発明を一実施例に基づき説明した。
尚、上記説明では、第１図に示す発光ダイオードアレイ
を厚膜基板を用いた場合について示したが、薄膜基板を
用いても同様に構成できる。尚、この場合、トリミング
抵抗、基準抵抗及び導体等はスパッタリング、蒸着、ホ
トリングラフィ等によりパターン形成される。また、厚
膜基板を用いた場合のトリミング時のレーザの径はほぼ
２５４に設定し、−力落膜基板を用いた場合にはｌｏ′
〆に設定するか、又はいずれの基板を用いた場合にも径
を１−、ｌ’とし、レーザのパターンを厚膜基板を用い
た場合に大とすることにより、トリミングを行なう、更
に、トリミング抵抗パターンをコの字型のミアンダ型と
したが、他のパターンとして例えば折返し点を曲線にし
たもの等、種々のものが考えられる。
を厚膜基板を用いた場合について示したが、薄膜基板を
用いても同様に構成できる。尚、この場合、トリミング
抵抗、基準抵抗及び導体等はスパッタリング、蒸着、ホ
トリングラフィ等によりパターン形成される。また、厚
膜基板を用いた場合のトリミング時のレーザの径はほぼ
２５４に設定し、−力落膜基板を用いた場合にはｌｏ′
〆に設定するか、又はいずれの基板を用いた場合にも径
を１−、ｌ’とし、レーザのパターンを厚膜基板を用い
た場合に大とすることにより、トリミングを行なう、更
に、トリミング抵抗パターンをコの字型のミアンダ型と
したが、他のパターンとして例えば折返し点を曲線にし
たもの等、種々のものが考えられる。
（発明の効果）
以上説明したように、この発明によれば、電流制限抵抗
をトリミング抵抗と基準抵抗とで構成されるようにした
ので、少ないトリミング量で簡単に所望の電流制限抵抗
値が得られ、しかも経年変化に起因する電流制限抵抗の
抵抗値の変化を少なくすることができ、この結果安定性
の向上が図られ、ひいては信頼性の高い発光ダイオード
アレイを提供することができる。
をトリミング抵抗と基準抵抗とで構成されるようにした
ので、少ないトリミング量で簡単に所望の電流制限抵抗
値が得られ、しかも経年変化に起因する電流制限抵抗の
抵抗値の変化を少なくすることができ、この結果安定性
の向上が図られ、ひいては信頼性の高い発光ダイオード
アレイを提供することができる。
第１図はこの発明の一実施例の回路図、第２図（Ａ）は
この実施例を厚膜基板を用いて形成した場合における断
面図、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）に示されるトリミン
グ抵抗の詳細を示す平面図、及び第３図は従来の発光ダ
イオードアレイの回路図である。 １・・・厚膜基板、 ２〜８・・・導体、 ９・・・基準抵抗Ｒ□。 ｌＯ・・・基準抵抗Ｒ２， １１・・・トリミング抵抗Ｒｘ１． １２・・・トリミング抵抗Ｒｘ２． １１凰・・・抵抗膜パターン、 ｔｔ２．１１３・・・ブリッジ部、 ａ、ｂ・・・抵抗膜パターン１１にの端部、ＬＥＤＩＮ
ＬＥＤｎ ・・・発光ダイオード、Ｙ 〜”Ｘｆｌ・
・・電流制限抵抗、ｘ！ ＴＲ１〜Ｔｉｔｓ・・・トランジスタ、Ｒｘ、〜Ｒｘｎ
・・・トリミング抵抗、Ｒ１−Ｒｎ・・・基準抵抗。
この実施例を厚膜基板を用いて形成した場合における断
面図、第２図（Ｂ）は第２図（Ａ）に示されるトリミン
グ抵抗の詳細を示す平面図、及び第３図は従来の発光ダ
イオードアレイの回路図である。 １・・・厚膜基板、 ２〜８・・・導体、 ９・・・基準抵抗Ｒ□。 ｌＯ・・・基準抵抗Ｒ２， １１・・・トリミング抵抗Ｒｘ１． １２・・・トリミング抵抗Ｒｘ２． １１凰・・・抵抗膜パターン、 ｔｔ２．１１３・・・ブリッジ部、 ａ、ｂ・・・抵抗膜パターン１１にの端部、ＬＥＤＩＮ
ＬＥＤｎ ・・・発光ダイオード、Ｙ 〜”Ｘｆｌ・
・・電流制限抵抗、ｘ！ ＴＲ１〜Ｔｉｔｓ・・・トランジスタ、Ｒｘ、〜Ｒｘｎ
・・・トリミング抵抗、Ｒ１−Ｒｎ・・・基準抵抗。
Claims (1)
- 一端が電源の一端に接続される発光ダイオードと、こ
の他端に一端が接続される電流制限抵抗と、この他端と
前記電源の他端に接続されるトランジスタとが同一の基
板上に形成されている発光ダイオードアレイにおいて、
前記電流制限抵抗が、所望の電流制限抵抗値を得るため
にトリミング可能なトリミング抵抗と、これに直列に接
続される基準抵抗とから成ることを特徴とする発光ダイ
オードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236813A JPS61115359A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59236813A JPS61115359A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61115359A true JPS61115359A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=17006160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59236813A Pending JPS61115359A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | 発光ダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61115359A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4962375A (en) * | 1987-03-27 | 1990-10-09 | Hitachi, Ltd. | Driving circuit for a light emitting diode array |
| JPH0334476A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-14 | Nec Corp | 発光ダイオードアレイ装置 |
| JP2005224957A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | ラインヘッドおよびそれを用いた画像形成装置 |
| JP2006310402A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Sony Corp | 光源基板製造方法、光源基板、バックライト装置、液晶ディスプレイ装置、調整装置 |
| JP2008014089A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Honda Motor Co Ltd | ドアハンドルの取付構造 |
| JP2011024954A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Olympus Corp | アダプタおよび内視鏡 |
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-
1984
- 1984-11-12 JP JP59236813A patent/JPS61115359A/ja active Pending
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