JPS5929447A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS5929447A JPS5929447A JP14025282A JP14025282A JPS5929447A JP S5929447 A JPS5929447 A JP S5929447A JP 14025282 A JP14025282 A JP 14025282A JP 14025282 A JP14025282 A JP 14025282A JP S5929447 A JPS5929447 A JP S5929447A
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- Japan
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- trimming
- resistor
- value
- open state
- integrated circuit
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0802—Resistors only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置に係り、特に基板上にトリ
ミング抵抗器を有する半導体集積回路装置に関するもの
である。
ミング抵抗器を有する半導体集積回路装置に関するもの
である。
従来よシ集積回路のチップ上に作成された抵抗器の相対
精度又は絶対精度をトリミングする事が、レーザーによ
る薄膜抵抗の焼切シ、レー叩−によるアルミニウムリン
クの焼切り、ツ＝ナーザノプ、ポリシリコンフユーズ、
あるいはポリシリコンにパワーパルスを印加する方法に
より行なわれていた。第１図は従来のトリミングが行な
われていた回路の例である。この回路においてはＶ、、
＝Ｖ！２とおいたときの■。、とＶ。２の電位関係によ
り ＲＩ又けＲ２をトリミングして■。Ｉ＝Ｖ０２とす
る事がなされていた。ツェナーザラブトリミングを行う
場合、■。、ンｖｏ、のときＲ７を小さく、ｖｏｌ〈ｖ
ｏ２のときＲ１を小さくするようトリミングは行なわれ
る。レーザーによりアルミニウムリンクを切るトリミン
グ方法による場合、ｖｏ１〉ｖｏ、のときＲ，を大きく
、■。、〈ｖｏ２のとき、■＜２を大きくするようにト
リミングは行なわれる。このように、ある決ったトリミ
ング方法に対して、抵抗値は常に増加する方向に変化す
るか又は減少する方向に変化するかの一方に決ってしま
う。これは第１図のように一対の抵抗の相対精度が必要
とされる場合には有効な手段である。しかしながら、抵
抗値の高い絶対精度を要求される場合や、第２回のよう
に基準電流Ｉ ＲＥＦに対して複数の電流源し、〜ＩＯ
Ｎを作る時、一つの種類のトリミング手段を用いるだけ
では必ずしも有効とけ言えない。このような場合、トリ
ミング手段に応じて、ＲＥ、 、 ＲＥ、、 、 −＝
”’、 Ｒ＋＞Ｎを、初期的には、最終目標値よりも一
様に大きく、又は小さく作っ１おき、’０１１ ＬＭ
ｌ・・・・・・ｌｌ０Ｎが最終目標値になるようにＲＥ
ｌ、ＲＦ、２．・・・・・、１りＥＮをトリミングして
行くのも一つの方法としてとシうる。しかしこのような
方法でｉｔすべて（・抵抗を必ずトリミンクしなければ
：ならず、］・リリミタには比較的長時間を賛するので
量産性は落ちる１、又、トリミングは通常発熱を供うた
め、同一ベレットにおける長時間にわたる多数の箇１９
Ｉのトリミングは、ペレットの温度上昇をもたらし、ト
ランジスタや抵抗等の特性の温度により所期の精バ〔が
得られない等の好ましくない影響がある。
精度又は絶対精度をトリミングする事が、レーザーによ
る薄膜抵抗の焼切シ、レー叩−によるアルミニウムリン
クの焼切り、ツ＝ナーザノプ、ポリシリコンフユーズ、
あるいはポリシリコンにパワーパルスを印加する方法に
より行なわれていた。第１図は従来のトリミングが行な
われていた回路の例である。この回路においてはＶ、、
＝Ｖ！２とおいたときの■。、とＶ。２の電位関係によ
り ＲＩ又けＲ２をトリミングして■。Ｉ＝Ｖ０２とす
る事がなされていた。ツェナーザラブトリミングを行う
場合、■。、ンｖｏ、のときＲ７を小さく、ｖｏｌ〈ｖ
ｏ２のときＲ１を小さくするようトリミングは行なわれ
る。レーザーによりアルミニウムリンクを切るトリミン
グ方法による場合、ｖｏ１〉ｖｏ、のときＲ，を大きく
、■。、〈ｖｏ２のとき、■＜２を大きくするようにト
リミングは行なわれる。このように、ある決ったトリミ
ング方法に対して、抵抗値は常に増加する方向に変化す
るか又は減少する方向に変化するかの一方に決ってしま
う。これは第１図のように一対の抵抗の相対精度が必要
とされる場合には有効な手段である。しかしながら、抵
抗値の高い絶対精度を要求される場合や、第２回のよう
に基準電流Ｉ ＲＥＦに対して複数の電流源し、〜ＩＯ
Ｎを作る時、一つの種類のトリミング手段を用いるだけ
では必ずしも有効とけ言えない。このような場合、トリ
ミング手段に応じて、ＲＥ、 、 ＲＥ、、 、 −＝
”’、 Ｒ＋＞Ｎを、初期的には、最終目標値よりも一
様に大きく、又は小さく作っ１おき、’０１１ ＬＭ
ｌ・・・・・・ｌｌ０Ｎが最終目標値になるようにＲＥ
ｌ、ＲＦ、２．・・・・・、１りＥＮをトリミングして
行くのも一つの方法としてとシうる。しかしこのような
方法でｉｔすべて（・抵抗を必ずトリミンクしなければ
：ならず、］・リリミタには比較的長時間を賛するので
量産性は落ちる１、又、トリミングは通常発熱を供うた
め、同一ベレットにおける長時間にわたる多数の箇１９
Ｉのトリミングは、ペレットの温度上昇をもたらし、ト
ランジスタや抵抗等の特性の温度により所期の精バ〔が
得られない等の好ましくない影響がある。
本発明は複数のトリミング手段を組合せで使用できみ事
により、従来の欠点を解消する半導体集積回路装置を扶
供するものである。
により、従来の欠点を解消する半導体集積回路装置を扶
供するものである。
本発明のトリミ７グ抵抗器は一本の抵抗器、又は直列接
続又は並列接続又はそれらの組合せに接続された等測的
に一本と見做す事のできる抵抗器であって、集積回路の
同一基板上で複数の手段でもってトリミングする事ので
きる又はトリミングされた抵抗器である。
続又は並列接続又はそれらの組合せに接続された等測的
に一本と見做す事のできる抵抗器であって、集積回路の
同一基板上で複数の手段でもってトリミングする事ので
きる又はトリミングされた抵抗器である。
次に本発明を実施例に従い、図面を用いて説明する。第
３図は第１の実施例の回路図であり、第４図は集積回路
化したときのレイアウト図の一例である。初期的にはＳ
Ｗｌは閉状態、Ｓ馬は開状態であシ、Ｔ１と′■゛２の
間の抵抗値はＲ３−） Ｒ，である。トリミンクにより
、ＳＷ、は閉状態から開状態に、ＳＶＶ。
３図は第１の実施例の回路図であり、第４図は集積回路
化したときのレイアウト図の一例である。初期的にはＳ
Ｗｌは閉状態、Ｓ馬は開状態であシ、Ｔ１と′■゛２の
間の抵抗値はＲ３−） Ｒ，である。トリミンクにより
、ＳＷ、は閉状態から開状態に、ＳＶＶ。
は開状態から閉状態に独立に乏二えることが出来る。
その組合せにより Ｒｓ、Ｒｓ十Ｒ４，■シ、十Ｒ，，
Ｒ３−１−Ｒ，＋Ｒ。
Ｒ３−１−Ｒ，＋Ｒ。
の各値をとりうる。第３図においてＳ〜、を開状態にす
ることは第４図においてｉ；’ｒ、、 ＡＩ配線をレー
ザーで溶断する事を意味し、第３図でＳＷ２を閉状態に
することは第４図におい又は、ツゴナータイオードＺＤ
Ｉ７−アノードとカノードをショート−ノーるＩＬを意
味する。
ることは第４図においてｉ；’ｒ、、 ＡＩ配線をレー
ザーで溶断する事を意味し、第３図でＳＷ２を閉状態に
することは第４図におい又は、ツゴナータイオードＺＤ
Ｉ７−アノードとカノードをショート−ノーるＩＬを意
味する。
第５図は第２の実施例の回ヒ１図であり、第６図は集積
回路にし７）−ときのレイ−アウト図の一例である。
回路にし７）−ときのレイ−アウト図の一例である。
第７図は第３の実施例であり、この例においてＲ７：Ｒ
，：Ｒ，：Ｒ，ｏ＝１ ：２ ：４ ：８にすれば、１
゛１〜Ｔ２間の抵抗値は１．＜、、 Ｒ６＋Ｒ７，Ｒ，
＋２Ｒ２，−−−−−−、Ｒ，＋ｉ ５Ｒ７と等間隔に
１−７うる。
，：Ｒ，：Ｒ，ｏ＝１ ：２ ：４ ：８にすれば、１
゛１〜Ｔ２間の抵抗値は１．＜、、 Ｒ６＋Ｒ７，Ｒ，
＋２Ｒ２，−−−−−−、Ｒ，＋ｉ ５Ｒ７と等間隔に
１−７うる。
第８図は第４の実施例であり、第９図は陳積回路化１７
たときのレイアウトの例でを、る１、第１の実施例から
第３の＊施例例においては、抵抗値は離散的な値にトリ
ミングできるが、第４の実施例は連続的にトリミングで
きろ例である３、第９図のＲＩ＋は薄膜拭払で、Ｃの切
り込みはレーザーによって作る事ができ、連続的にその
値をトリミングする事ができるい 以上詳１２＜説明したように、本発明の抵抗器を使用す
Ｚ）ｌにより、抵抗の初期設計値を最彩目標値におく率
ができ、期待値からずれた抵抗だけをトリミングすれば
よいので、トリミング時間が短く、量産性がよくなる。
たときのレイアウトの例でを、る１、第１の実施例から
第３の＊施例例においては、抵抗値は離散的な値にトリ
ミングできるが、第４の実施例は連続的にトリミングで
きろ例である３、第９図のＲＩ＋は薄膜拭払で、Ｃの切
り込みはレーザーによって作る事ができ、連続的にその
値をトリミングする事ができるい 以上詳１２＜説明したように、本発明の抵抗器を使用す
Ｚ）ｌにより、抵抗の初期設計値を最彩目標値におく率
ができ、期待値からずれた抵抗だけをトリミングすれば
よいので、トリミング時間が短く、量産性がよくなる。
又、発熱に、ｒるベレットの温度上昇を比較的低くおさ
えられるので高精度な集積回路を得る事ができる。
えられるので高精度な集積回路を得る事ができる。
第１図、第２図はトリミングが行なわれる従来の回路例
、第３図は本発明の第１の実施例の回路、第４図はその
レイアウト例、第５図は本発明の鋲２の実施例の回路、
第６図はそのレイアウト例、第７図は本発明の第３の￥
雄側の回路、第８図は本発明の第４のすＹ旅例の回路、
第９図は第１１の実施例のｌ／イアウ） ｆｔ１ｉ、で
ある。 Ｒ６、し１に丸・いて、Ｖ、Ｖ−・・・・・・′１攬０
ド路子、〜１１＋Ａ１１．・・・・・・入力庁子、八ｌ
。ｌ ’ Ｖｏｙ・・・・出力郊ｊ−Ｊ、Ｊ＜１゜Ｒ２
，・・・・・１マ１２１ ＲＲＩじＦ＋ １−：、、
１＜、、・・・、Ｒ囮・・・・抵抗、１１・・・・・・
電流源、］ＩＮ・・・・・・入力電流 １゜１，１゜２
．・・・。 Ｊｏ＋＝・・・・・・出力鼓、子、ＳＷ、、 ＳＷ２．
・・・、 ＳＶｌ・、・・・・・・スイング−ＩＪＩ、
、 ｌ１１２・・・・・・抵抗の両端の端子、Ａ・・
・・・・Ｌ／ −ザーカノトするＡ！の部分、１３・・
・・・抵ｔ、ｉｉ、の粥−続１コ」入表足、Ｃ・・・・
・−レーザーによる切り込み、Ｐ、、Ｒ２・・・・バッ
ド、ＺＪ）・・・・・ツェナーサップ用タイオード、又
図にか・いてｆＡ絆の部分は配糾用Ａノ、である。 第 ５ 閏 Ｔｌ第 ６
閉 第 ７ 閉 第 ８ 閉
、第３図は本発明の第１の実施例の回路、第４図はその
レイアウト例、第５図は本発明の鋲２の実施例の回路、
第６図はそのレイアウト例、第７図は本発明の第３の￥
雄側の回路、第８図は本発明の第４のすＹ旅例の回路、
第９図は第１１の実施例のｌ／イアウ） ｆｔ１ｉ、で
ある。 Ｒ６、し１に丸・いて、Ｖ、Ｖ−・・・・・・′１攬０
ド路子、〜１１＋Ａ１１．・・・・・・入力庁子、八ｌ
。ｌ ’ Ｖｏｙ・・・・出力郊ｊ−Ｊ、Ｊ＜１゜Ｒ２
，・・・・・１マ１２１ ＲＲＩじＦ＋ １−：、、
１＜、、・・・、Ｒ囮・・・・抵抗、１１・・・・・・
電流源、］ＩＮ・・・・・・入力電流 １゜１，１゜２
．・・・。 Ｊｏ＋＝・・・・・・出力鼓、子、ＳＷ、、 ＳＷ２．
・・・、 ＳＶｌ・、・・・・・・スイング−ＩＪＩ、
、 ｌ１１２・・・・・・抵抗の両端の端子、Ａ・・
・・・・Ｌ／ −ザーカノトするＡ！の部分、１３・・
・・・抵ｔ、ｉｉ、の粥−続１コ」入表足、Ｃ・・・・
・−レーザーによる切り込み、Ｐ、、Ｒ２・・・・バッ
ド、ＺＪ）・・・・・ツェナーサップ用タイオード、又
図にか・いてｆＡ絆の部分は配糾用Ａノ、である。 第 ５ 閏 Ｔｌ第 ６
閉 第 ７ 閉 第 ８ 閉
Claims (1)
- 半導体基板上に薄膜抵抗回路が設けられた半導体集積回
路装置において、該抵抗回路はトリミングにより抵抗値
の増加および減少が可能なことを特徴とする半導体集積
回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14025282A JPS5929447A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14025282A JPS5929447A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929447A true JPS5929447A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=15264450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14025282A Pending JPS5929447A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929447A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185651A (en) * | 1989-07-14 | 1993-02-09 | U.S. Philips Corporation | Integrated circuit with current detection |
| US5448103A (en) * | 1992-05-19 | 1995-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Temperature independent resistor |
| US8344822B2 (en) | 2007-11-02 | 2013-01-01 | St-Ericsson Sa | Matched integrated electronic components |
-
1982
- 1982-08-12 JP JP14025282A patent/JPS5929447A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5185651A (en) * | 1989-07-14 | 1993-02-09 | U.S. Philips Corporation | Integrated circuit with current detection |
| US5448103A (en) * | 1992-05-19 | 1995-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Temperature independent resistor |
| US8344822B2 (en) | 2007-11-02 | 2013-01-01 | St-Ericsson Sa | Matched integrated electronic components |
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