JPS62196877A - 発光素子の輝度補償方法 - Google Patents
発光素子の輝度補償方法Info
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- JPS62196877A JPS62196877A JP61038050A JP3805086A JPS62196877A JP S62196877 A JPS62196877 A JP S62196877A JP 61038050 A JP61038050 A JP 61038050A JP 3805086 A JP3805086 A JP 3805086A JP S62196877 A JPS62196877 A JP S62196877A
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Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
1粟上Δ机皿分此
本発明は、発光素子の輝度をハードウェア的に補償する
方法に関する。
方法に関する。
を太度皮貯
ここでは、例えば光プリンタの書込みヘッドとして用い
ている発光素子について説明する。前記書込みヘッドは
、64〜256個の発光素子が集積化されたLEDアレ
イチップを複数個組み合わせて構成したものが用いられ
ている。この書込みヘッドとしては全ての発光素子の輝
度がほぼ均一であることが要求される。ところで、ウェ
ハ内の各チップに関してはあまり輝度ばらつきがないが
、ウェハに内在する欠陥や製造工程の不均一性などに起
因して例えばAウェハから取れたチップとBウェハから
取れたチップとでは輝度がばらついてしまうのが現状で
ある。このような輝度ばらつきは書込みヘッドにおける
印字ドツト径の不揃いにつながるため、印字品質を向上
させるには前記チップの輝度ばらつきを補償させなけれ
ばならない。
ている発光素子について説明する。前記書込みヘッドは
、64〜256個の発光素子が集積化されたLEDアレ
イチップを複数個組み合わせて構成したものが用いられ
ている。この書込みヘッドとしては全ての発光素子の輝
度がほぼ均一であることが要求される。ところで、ウェ
ハ内の各チップに関してはあまり輝度ばらつきがないが
、ウェハに内在する欠陥や製造工程の不均一性などに起
因して例えばAウェハから取れたチップとBウェハから
取れたチップとでは輝度がばらついてしまうのが現状で
ある。このような輝度ばらつきは書込みヘッドにおける
印字ドツト径の不揃いにつながるため、印字品質を向上
させるには前記チップの輝度ばらつきを補償させなけれ
ばならない。
この補償方法として例えばハードウェア的方法およびソ
フトウェア的方法の2つがあるが、ここでの従来技術と
しては前者の方法が通しているのでそれについて説明す
る。それは、各々の発光素子に素子毎に抵抗値の異なる
シリーズ抵抗を外付けして定電圧で駆動することである
。
フトウェア的方法の2つがあるが、ここでの従来技術と
しては前者の方法が通しているのでそれについて説明す
る。それは、各々の発光素子に素子毎に抵抗値の異なる
シリーズ抵抗を外付けして定電圧で駆動することである
。
、・・ よ゛ −、r占
ところで、上記補償方法では、外付は用の抵抗が多数必
要となる上にその取付作業も煩わしいという欠点を有す
る。
要となる上にその取付作業も煩わしいという欠点を有す
る。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、極めて簡
単な作業で輝度を調整することができる発光素子の輝度
補償方法を提供することを目的としている。
単な作業で輝度を調整することができる発光素子の輝度
補償方法を提供することを目的としている。
d′占を1ン1 るための
本発明は、ハードウェア的な補償方法であって、発光面
上に透光性被膜を被着させて輝度を調整するようにして
いる。しかも発光素子の輝度に応じて透光性被膜の膜厚
を可変して所望の輝度にさせるようにした。
上に透光性被膜を被着させて輝度を調整するようにして
いる。しかも発光素子の輝度に応じて透光性被膜の膜厚
を可変して所望の輝度にさせるようにした。
皿
発光面上に被着させた透光性被膜の膜厚によって輝度が
設定される。そして、透光性被膜を付けると輝度は向上
する傾向にあるから、かかる補償方法は発光素子の輝度
を高める方向に調整されることとなる。
設定される。そして、透光性被膜を付けると輝度は向上
する傾向にあるから、かかる補償方法は発光素子の輝度
を高める方向に調整されることとなる。
実見±
以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する
。本実施例では発光素子を64〜258個集禎して構成
するLEDアレイチップの場合について説明し、第1図
にはLEDアレイチップの1素子のみを示している。
。本実施例では発光素子を64〜258個集禎して構成
するLEDアレイチップの場合について説明し、第1図
にはLEDアレイチップの1素子のみを示している。
第1図において、符号10はN″″形GaAsPのエピ
タキシャル層11を有するN十形GaAsよりなる半導
体基板10であって、エピタキシャル層11の表面上に
はSi3N4からなる絶縁膜20が形成されている。
タキシャル層11を有するN十形GaAsよりなる半導
体基板10であって、エピタキシャル層11の表面上に
はSi3N4からなる絶縁膜20が形成されている。
この絶縁膜20の一部には開口窓21が開けられていて
、この開口窓21の下方のエピタキシャル層11の表面
にはP形の不純物層30が埋め込まれている。
、この開口窓21の下方のエピタキシャル層11の表面
にはP形の不純物層30が埋め込まれている。
符号40はアルミニウムなどからなるP形電極であって
、開口窓21の内周縁に沿って環状に形成されている。
、開口窓21の内周縁に沿って環状に形成されている。
このP形電極40は不純物[30にオーミック接続され
ている。一方、半導体基板10の裏面全面には例えばA
u−Ge−N 1−Auなど多層構造のN形電極50が
形成されている。
ている。一方、半導体基板10の裏面全面には例えばA
u−Ge−N 1−Auなど多層構造のN形電極50が
形成されている。
上記構成の発光素子において前記の両電極間に順方向の
電圧を印加すると、P形電極40の開口部4Iから露出
している不純物層30の表面が発光するから、ここを発
光面31と称する。
電圧を印加すると、P形電極40の開口部4Iから露出
している不純物層30の表面が発光するから、ここを発
光面31と称する。
ところで、一般的にLEDアレイチップは、製造ライン
の同一ロット内のウェハにおいて、ひとつのウェハから
取れた各チップ間の輝度はあまりばらつかないのである
が、例えばAウェハから取れたチップとBウェハから取
れたチップとでは輝度がばらつくことがある。このため
、第2図に示すように各発光素子における発光面31上
つまり不純物層30の表面上に透光性被膜60を被着さ
せて輝度を調整させるのである。但し、透光性被膜60
を付けると輝度が高くなるとともに透光性被膜60の膜
厚を可変すると輝度が変化するようになっている。この
ような透光性被膜60としては例えば周知のスパッタリ
ング装置などで形成できるPSGなどがある。
の同一ロット内のウェハにおいて、ひとつのウェハから
取れた各チップ間の輝度はあまりばらつかないのである
が、例えばAウェハから取れたチップとBウェハから取
れたチップとでは輝度がばらつくことがある。このため
、第2図に示すように各発光素子における発光面31上
つまり不純物層30の表面上に透光性被膜60を被着さ
せて輝度を調整させるのである。但し、透光性被膜60
を付けると輝度が高くなるとともに透光性被膜60の膜
厚を可変すると輝度が変化するようになっている。この
ような透光性被膜60としては例えば周知のスパッタリ
ング装置などで形成できるPSGなどがある。
そこで、透光性被膜60による輝度補償方法の手順とし
ては、まずウェハ状態にて各チップにおける発光素子の
輝度をプローブ装置などでもって順次測定してからチッ
プ毎に輝度のランク付けをする。同様に他のウェハにつ
いても輝度のランク付けを行う。そして、所望の輝度値
に基づいて透光性被膜60の膜厚を下記する■、■式か
ら求める。
ては、まずウェハ状態にて各チップにおける発光素子の
輝度をプローブ装置などでもって順次測定してからチッ
プ毎に輝度のランク付けをする。同様に他のウェハにつ
いても輝度のランク付けを行う。そして、所望の輝度値
に基づいて透光性被膜60の膜厚を下記する■、■式か
ら求める。
■、■式において、nは透光性被膜60の屈折率、dは
膜厚、λは波数である。
膜厚、λは波数である。
輝度最大の場合、nd=λ/4・・・■輝度最小の場合
、nd−λ/2・・・■この式から、透光性被膜60の
膜厚をウェハ毎に算出し例えば第3図に一点鎖線で示す
ように帯状に透光性被膜60をLEDアレイチップ上に
被着する。但し、透光性被膜60は全面に被着してもか
まわない。次に、各チップの輝度を再度プローブ装置な
どでもって順次測定してから各チップを輝度別にランク
分けする。
、nd−λ/2・・・■この式から、透光性被膜60の
膜厚をウェハ毎に算出し例えば第3図に一点鎖線で示す
ように帯状に透光性被膜60をLEDアレイチップ上に
被着する。但し、透光性被膜60は全面に被着してもか
まわない。次に、各チップの輝度を再度プローブ装置な
どでもって順次測定してから各チップを輝度別にランク
分けする。
このように調整されたLEDアレイチップを複数個組み
合わせて例えば光プリンタの書込みヘッドを作成した場
合には定電圧で駆動すればよく、こうすることによりチ
ップ間の輝度ばらつきが大幅に減少して印字ドツト径の
不揃いがほぼ解消できるようになる。よって、従来のハ
ードウェア的な補償方法のように煩雑な外部補正を行う
必要がなくなる。また、各チップにおける通電時間を制
御する必要がないから、各チップの各発光素子の劣化モ
ードが不均一になることはない。
合わせて例えば光プリンタの書込みヘッドを作成した場
合には定電圧で駆動すればよく、こうすることによりチ
ップ間の輝度ばらつきが大幅に減少して印字ドツト径の
不揃いがほぼ解消できるようになる。よって、従来のハ
ードウェア的な補償方法のように煩雑な外部補正を行う
必要がなくなる。また、各チップにおける通電時間を制
御する必要がないから、各チップの各発光素子の劣化モ
ードが不均一になることはない。
なお、本発明は上記実施例で説明したLEDアレイチッ
プなどにのみ通用されるものでなく、例えば半導体レー
ザなどにも適用可能である。
プなどにのみ通用されるものでなく、例えば半導体レー
ザなどにも適用可能である。
交所■遡来
本発明によれば、透光性被膜をその膜厚を可変して発光
面上に被着させるだけの極めて簡単な作業で輝度を調整
できる。
面上に被着させるだけの極めて簡単な作業で輝度を調整
できる。
第1図は本発明の一実施例で説明する透光性被膜形成前
のLEDアレイチップの1素子を示す縦断面図、第2図
は透光性被膜を被着した同LEDアレイチップの1素子
を示す縦断面図、第3図は透光性被膜を被着したLED
アレイチップを略示した平面図である。 30・・・不純物層 31・・・発光面 60・・・透光性被膜。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 31発2を面 第2図 第3図
のLEDアレイチップの1素子を示す縦断面図、第2図
は透光性被膜を被着した同LEDアレイチップの1素子
を示す縦断面図、第3図は透光性被膜を被着したLED
アレイチップを略示した平面図である。 30・・・不純物層 31・・・発光面 60・・・透光性被膜。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 31発2を面 第2図 第3図
Claims (1)
- (1)発光面上に透光性被膜をその膜厚を可変して被着
することで輝度を調整させることを特徴とする発光素子
の輝度補償方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61038050A JPS62196877A (ja) | 1986-02-22 | 1986-02-22 | 発光素子の輝度補償方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61038050A JPS62196877A (ja) | 1986-02-22 | 1986-02-22 | 発光素子の輝度補償方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62196877A true JPS62196877A (ja) | 1987-08-31 |
Family
ID=12514691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61038050A Pending JPS62196877A (ja) | 1986-02-22 | 1986-02-22 | 発光素子の輝度補償方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62196877A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63187674A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Yokogawa Medical Syst Ltd | 発光素子アレイの製造方法 |
JPH0195072A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光プリンタ用発光ダイオードアレイ |
JP2009088434A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ |
JP2020140981A (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-02-22 JP JP61038050A patent/JPS62196877A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63187674A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Yokogawa Medical Syst Ltd | 発光素子アレイの製造方法 |
JPH0195072A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光プリンタ用発光ダイオードアレイ |
JP2009088434A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ |
JP2020140981A (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
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