JP2838182B2 - 単眼レンズヘッド用ledアレイ - Google Patents

単眼レンズヘッド用ledアレイ

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の利用分野】この発明は、LEDヘッドに用いる
LEDアレイに関する。
【0002】
【従来技術】単眼レンズを用いたLEDヘッドは低価格
で高性能との特徴を持つが、未だに実用化されていな
い。単眼レンズ方式のLEDヘッドに関して指摘されて
いる問題点は、次の通りである。 1) レンズとLEDアレイとを1:1に対応させ、LE
Dアレイに対してレンズを正確に搭載することが必要で
ある。しかしレンズやアレイを正確に搭載するのは難し
い。 2) 均一な特性で明るく、しかも結像性能の優れたレン
ズを、安価に製造するのが難しい。 3) LEDアレイの特性のばらつきやレンズの特性のば
らつきは、ブロック(LEDアレイ単位のブロック)毎
の特性ばらつきをもたらす。またアレイとレンズとの位
置決め誤差は、ブロックの変わり目での白筋や黒筋をも
たらす。
【0003】発明者はこれら以外に、単眼レンズ方式の
LEDヘッドの問題点として、アレイの中心部からの光
に対して、アレイの周辺部から得られる光が暗くなるこ
とを見い出した。この機構を図7に示す。図のように発
光出力が均一なLEDアレイ02を用いて、単眼レンズ
2により感光体ドラム等に結像させる。個々のLEDか
ら出射される光の強度分布は、出射角をθとして、CO
Sθの4乗に比例する。これはLED光のビームの角度
分布を表している。LEDアレイ02の両端付近からの
光はビームの内で出射角θが大きい部分が主として用い
られ、アレイ02の中心部では出射角θが小さい部分が
主として用いられる。このため感光体ドラム等での受光
出力は、ブロックの中心で大きく、周辺では小さい。図
7のように光路を考えると、LEDからの出射角θはレ
ンズ2への入射角に等しく、受光出力はCOSθの4乗
に依存して変化する。このためブロック毎に、ブロック
の中心と周辺とで出力のむらが生じる。
【0004】これに対して最初に考えられる対策は、L
ED(発光体)の発光面積をアレイ02の中心と周辺と
で変え、中心で発光面積を小さくし、周辺で大きくする
ことである。しかしこれでは、LEDアレイ02のマス
クが複雑になり、かつアレイ02の中心と周辺とでドッ
トサイズが異なることになる。さらに単眼レンズには像
面湾曲等があり、一般に周辺で結像性能が低下し、ドッ
トサイズが増加する。ここで周辺の発光体に対して発光
面積を増加させると、像面湾曲等の影響に発光面積を大
きくした影響が加わり、アレイ周辺部からの光のドット
サイズが著しく増加する。
【0005】
【発明の課題】この発明の課題は、このような発光出力
の分布を解消し、ブロック内での出力むらの無いLED
ヘッドを提供するためのLEDアレイを得ることにあ
る。
【0006】
【発明の構成】この発明は、単眼レンズを用いたLED
ヘッドに用いるためのLEDアレイであって、LEDア
レイの発光体を配列したのと同じ側の面の両端部付近
に、該アレイのカソード電極を配置したことを特徴とす
る。
【0007】
【発明の作用】この発明では、LEDアレイの発光体を
配列したのと同じ側の面の両端部付近に、該アレイのカ
ソード電極を配置する。このようにすると、個々の発光
体に接続したアノード電極(陽極)から、アレイの両端
付近に配置したカソード電極(陰極)への抵抗値は、ア
レイの内部抵抗のため、アレイの中央部の発光体で大き
く、周辺部の発光体では小さくなる。この結果、周辺部
の発光体に対して発光電流が増加し、単眼レンズを用い
たヘッドでの出力分布を解消することができる。
【0008】
【実施例】図1,図2に実施例のLEDアレイを示す。
図2において、4はアレイオンシリコンのLEDアレイ
で、シリコン基板6にGaAs層8をエピタキシャル成
長等で形成したもので、10はGaAsバッファー、1
2はGaAsのN型第1層、14はGaAsのP型第1
層、16はGaAsのP型第2層である。また18は発
光体、20はシリカや窒化ケイ素等の絶縁膜、22はA
l等のアノード電極、24は同じくAl等のカソード電
極である。このようなLEDアレイ4を製造するには、
シリコン基板6に、GaAsバッファー10とN型第1
層12、P型第1層14をエピタキシャル成長させ、絶
縁膜20に設けた窓を介してP型不純物を注入し、P型
第2層16や発光体18を形成する。カソード電極24
の付近にはGaAs層8はなく、カソード電極24はシ
リコン基板6上に直接形成してある。このようにする
と、カソード電極24は発光体18を設けたのと同じ側
の面に現れ、アノード電極22は必然的に発光体18と
同じ側の面に現れるので、カソード電極24とアノード
電極22は同じ側の面に現れる。カソード電極24とア
ノード電極22はともにシリコン基板6上にあり、違い
はアノード電極ではシリコン基板6との間に絶縁膜20
があることのみで、この結果電極22,24の表面はほ
ぼ同じ高さとなり、これらの電極22,24は同じ面上
に配置される。
【0009】カソード電極24はアレイ4の両端の上下
に各箇所ずつ合計4箇所設け、両端に設けるのはアレイ
4の中心部からカソード電極までの抵抗(主としてシリ
コン基板6の抵抗)が、アレイ4の短辺方向中心軸A−
A線に関して、対称になるようにするためである。また
アレイ4の両端に2箇所ずつカソード電極24を設けた
のは、アノード電極22を2列に配置したので、各列に
対してそれぞれカソード電極24を設け、上下の列でカ
ソード電極24とアノード電極22間の抵抗値が異なら
ないようにし、2つの列を対称にするためである。
【0010】好ましくは図2に示したように、アノード
電極22はアレイ4の短辺方向中心軸A−A線と長辺方
向中心軸B−B線とに関して対称に配置し、アノード電
極22はA−A線とB−B線の2軸に関して線対称とす
る。このようにすることの第1の効果は、図2のよう
に、アノード電極22の面積をできる限り大きくし、ボ
ンディングを容易にすることである。事実A−A線とB
−B線の2軸に対称な配置とすることにより、アノード
電極22のボンディングパッドの面積を最大にできる。
第2の効果は、A−A線の両側で発光体18とアノード
電極22との接続が反転するので、アレイ4の中心を検
出し易くなることである。これは単眼レンズ2の中心と
アレイ4の中心を一致させ、アレイ4とレンズ2との位
置合わせを容易にする。アノード電極22でボンディン
グパッドから発光体18へと延びる電極を見ると、電極
の向きはA−A線の両側で対称で、アレイ4の中心部で
のみ2つの電極の向きが等しくなり、これ以外の位置で
は隣合った2つの電極は向きが逆となる。これ以外に、
アノード電極22をA−A線とB−B線の2軸に対称に
することには、ヘッドの基板との接続が容易にする意義
がある。この点は、図4を用いて後述する。
【0011】LEDアレイ4の発光出力分布を考える
と、発光体18は均一な発光面積であるが、カソード電
極24との距離がアレイ4の中心と両端付近とで異な
り、周辺の発光体ほどカソード電極24との間の抵抗が
小さい。アノード電極22から注入された発光電流はシ
リコン基板6やGaAsバッファー10を通じてカソー
ド電極24へ流れ、シリコン基板6やGaAsバッファ
ー10の抵抗値を選べば、これらの抵抗値を図7での出
射角θに対してCOSθの4乗の関数となるように定め
ることができる。この結果発光電流をCOSθの4乗の
関数として変化させ、単眼レンズ2を介して結像した際
に、光の強度分布を均一にすることができる。
【0012】発光体18の面積は均一で、アレイ4の周
辺部でも光のビーム径の太りがない。周辺部の発光体
(アレイ4の両端付近の発光体)では、発光電流の増加
に従って発光ビームのピーク高さが増加し、結像に際し
てはビームの内で感光体ドラム等の露光域値よりもビー
ム強度が高い部分で、露光ドットのサイズが定まる。周
辺の発光体に対してはCOSθの4乗則が働き、発光体
から射出された直後のビームで考えると、露光の域値は
中央の発光体よりも高くなる。このことはドット径を絞
ることを意味する。そしてこれに単眼レンズ4での像面
湾曲等の周辺での結像性能の低下を加味すると、結像性
能の低下をドット径の減少で補い、アレイ4の中心部で
の周辺部でも結像時のドット径を、ほぼ均一にできる。
【0013】カソード電極24からのアレイ4内での抵
抗値はCOSθの4乗の関数として変化させることが理
想的であるが、これに限るものではなく、アレイ4の両
端で抵抗値が小さく、中央部で抵抗値が大きいようにす
れば良い。
【0014】LEDアレイ4の駆動方法としては、定電
圧駆動と定電流駆動とが代表的であるが、定電圧駆動の
場合、LEDアレイ4内でカソード電極24とアノード
電極22との間に、例えば50〜100Ω程度の抵抗値
分布を設ければ、無効電圧として1V程度の分布が生
じ、結像時の出力分布をほぼ解消できる。定電流駆動の
場合、アレイ4での抵抗値を変えても発光電流は定電圧
駆動ほど変化しないが、通常の定電流電源は完全な定電
流電源ではなく、LEDアレイ4内でのインピーダンス
の分布により発光出力を制御し、中心での発光出力を小
さくし、周辺での発光出力を大きくすることができる。
【0015】
【変形例】図1,図2では、シリコン基板6上にGaA
s層8を積層したLEDアレイ4を示したが、シリコン
基板6無しでも、出射角θの影響を補正したLEDアレ
イが得られる。このようなLEDアレイ30を図3に示
す。図において、32はN型のGaAs基板で、34は
基板32上にエピタキシャル成長させたP型のGaAs
層、36は絶縁膜20に設けた窓からP型不純物を注入
した発光体である。このLEDアレイ30は文字通りに
プレーナーである。図3のように図示しないアノード電
極(絶縁膜20上に形成し、配置は図2と同じ)から発
光電流を注入すると、発光電流は少数キャリアとしてN
型のGaAs基板32を流れて、カソード電極24へと
流れる。そしてN型のGaAs基板32の抵抗値を利用
し、カソード電極24から遠い発光体ほど発光電流を小
さくし、COSθの4乗の関数を近似した発光出力分布
を得ることができる。
【0016】
【LEDヘッドの基板】図4〜図6に、図1,図2のL
EDアレイ4を用いたヘッドの基板40を示す。この基
板40の特徴は、 1) 硬質プリント基板等の安価な基板40を用い、 2) 硬質プリント基板ではカソード電極24を駆動でき
るだけの大きな電流を流せることを利用して、カソード
駆動IC42を基板40上に搭載し、 3) 硬質プリント基板40ではスルーホール54を設け
るのが容易なことを利用して、基板40に両面配線を施
し、 4) データバス48,50の配置を工夫し、 5) これらによって配線密度を下げて、硬質プリント基
板40でも配線できるようにすることにある。 またここでLEDアレイ4をA−A線とB−B線の2軸
に関して対称としたのは、 6) パッド52−1〜52−64やパッド53−1〜5
3−64との接続を容易にするためである。
【0017】LEDアレイ4とのボンディングの種類
は、ワイヤボンディングでもフリップチップボンディン
グでも良いが、フリップチップボンディングでは大量の
パッドを一括してボンディングできるので、以下にフリ
ップチップボンディングを例に説明する。
【0018】これらの図において、40は硬質プリント
基板、42はカソード駆動IC、44はアノード駆動I
C、46は基板40に設けた開口で、発光体18からの
光を取り出すためのものである。48,50はそれぞれ
データバスで、各32本の個別配線からなり(LEDア
レイ4の発光体数を64個とした場合)、52−1〜5
2−64はデータバス48に設けた64個のボンディン
グ用のバンプ、53−1〜53−64はデータバス50
に設けたバンプである。
【0019】図4にはLEDアレイ4の搭載前の基板4
0を示し、LEDアレイ4を2個で1組として搭載し、
これらの組毎にLEDアレイ4の両側にそれぞれデータ
バス48,50を設ける。56はカソード電極24に接
続するためのバンプで、58はバンプ56,56間の裏
面配線である。LEDアレイ4のGaAs層87が開口
46の上部に来るように位置決めし、アノード電極22
とカソード電極24をバンプ52,53,56にフリッ
プチップ接続する。同様に、IC42,44もフリップ
チップ接続する。
【0020】ここで図2に示したように、アノード電極
22のボンディングパッドはA−A線に関して対称で、
左側のLEDアレイの左下隅(接続後の基板40を上か
ら見て)のパッドはバンプ53−1に接続され、右側の
アレイの右下隅のパッドはバンプ53−64に接続され
る。これらのパッドは同じ個別配線に接続されるので、
アレイ毎にデータの供給順序を逆にするだけで正しい接
続ができる。同様に、左側のLEDアレイの左上隅のパ
ッドはバンプ52−1に接続され、右側のアレイの右上
隅のパッドはバンプ52−64に接続される。これも正
しい接続である。データバス48,50はアレイ4を2
個1組とするので、バス48,50の中心に関して線対
称で、これに応じてLEDアレイ4も中心のA−A線に
関して対称にすることにより、バス48,50とLED
アレイ4との正しい順序での接続ができる。仮に公知の
LEDアレイのように、アレイでのボンディングパッド
を中心に関して点対称に配置すると、例えばバンプ53
−64に接続すべきパッドがバンプ52−64に面した
位置に現れ、接続不能になる。
【0021】図6に示すように、発光体からの光は開口
46で取り出せるので、硬質プリント基板40にフリッ
プチップ接続しても問題はなく、かつ硬質プリント基板
では薄膜配線と異なり配線の電流容量を大きくできるの
で、カソード駆動IC42を同じ基板40上に搭載でき
る。この結果、基板の枚数を1枚減らすことができる。
【0022】データバス48,50は、LEDアレイ4
の2個からなる組毎に分断されている。これに対する基
板40の構造を、図5により説明する。44はアノード
駆動ICで、60はこれに接続したデータバスである。
分断したデータバス48,48や、データバス50,5
0の個別配線をスルーホール54を用いて、基板40の
裏面に引出し、裏面データバス62を介して相互に接続
する。
【0023】硬質プリント基板40では、スルーホール
54を設けることも容易である。またデータバス48,
50をLEDアレイ4の列の上下に設けると、データバ
ス48,50での配線密度が1/2に低下し、硬質プリ
ント基板40でも配線が可能になる。即ちバス48,5
0での個別配線の数は、64本を2分して各32本とな
り、配線ピッチが1/2になる。
【0024】
【発明の効果】この発明のLEDアレイを用いると、単
眼レンズを用いたLEDヘッドで、ブロックの中心で出
力が大きく周辺で出力が小さいとの分布を解消し、出力
むらの無いLEDヘッドが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例のLEDアレイの断面図
【図2】 実施例のLEDアレイの正面と側面、並び
にカソード電極から見たチップ内抵抗の分布を示す図
【図3】 変形例のLEDアレイの断面図
【図4】 実施例のLEDアレイを用いた画像装置で
の、基板の要部平面図
【図5】 図4の基板の平面図
【図6】 図4の基板の断面図
【図7】 従来例でのLEDアレイの発効出力分布
と、単眼レンズで結像後の出力分布を示す特性図
【符号の説明】
2 単眼レンズ 40
基板 4 LEDアレイ 42
カソード駆動IC 6 シリコン基板 44
アノード駆動IC 8 GaAs層 46
開口 10 GaAsバッファー 48,50
データバス 12 N型第1層 52−1〜
64 バンプ 14 P型第1層 53−1〜
64 バンプ 16 P型第2層 54
スルーホール 18 発光体 56
バンプ 20 絶縁膜 58
裏面配線 22 アノード電極 60
データバス 24 カソード電極 62
裏面データバス 30 LEDアレイ 32 GaAs基板 34 P型のGaAs層 36 発光体

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 単眼レンズを用いたLEDヘッドに用い
    るためのLEDアレイであって、 LEDアレイの発光体を配列したのと同じ側の面の両端
    部付近に、該アレイのカソード電極を配置したことを特
    徴とする、単眼レンズヘッド用LEDアレイ。
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