JPWO2016152321A1 - 表示装置および照明装置ならびに発光素子および半導体デバイス - Google Patents

Abstract

本開示の一実施形態の表示装置は、各々が少なくとも第１原色の発光素子を含むと共に２次元配置された複数の画素を備え、１画素または隣接する２以上の画素からなる画素群は、第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む。

Description

本開示は、原色の発光素子を用いた表示装置および照明装置ならびに半導体の積層方向に光を射出する発光素子およびこれを備えた半導体デバイスに関する。

近年、発光ダイオード（ＬＥＤ：light emitting diode）を複数個集めて構成した照明装置や表示装置が普及してきている。その中でも、ＬＥＤを表示画素に用いたＬＥＤディスプレイは軽量で薄型のディスプレイとして注目を集めており、発光効率の向上などの様々な改良がなされてきている。

例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）などの３原色を用いた表示装置（ＬＥＤディスプレイ）は、高輝度かつ高色純度であり、屋外や屋内の大型ディスプレイとして多く利用されている（例えば、特許文献１参照）。これらの多くは、いくつかの独立したモジュールが組合せて並べられることにより（いわゆるタイリングにより）、目地のない大型のディスプレイを実現できる。

ところが、ＬＥＤのような発光素子では、その製造プロセスにおいて、ウエハ毎あるいはロット毎に波長が設計値からずれ、ウエハ間あるいはロット間でばらつきを生じ易い。

また、一般に、ディスプレイに用いられる発光ユニットは、樹脂やガラスなどを含んだ筐体の中に複数色の発光素子（例えば、ＬＥＤ）が配列されているか、液晶などの方式によって構成されている。発光ユニット内のＬＥＤで発生した光は、発光ユニットの上面から外部に射出されるだけでなく、筐体内も伝播する。筐体内を伝播する光が他の色のＬＥＤに入射すると、素子の劣化や発光などが誘発され、表示映像にクロストークが生じたり、色度が変化したり、色再現範囲が減少する。

これに対して、例えば、上記特許文献１では、発光素子の側面および底面を絶縁層および金属層からなる積層体で覆うことによって発光ユニット内を伝播する光による悪影響を低減した発光素子（ＬＥＤ）が開示されている。

特開２０１２−１８２２７６号公報

しかしながら、特許文献１に記載の発光素子では、その構造上、視野角特性、特に、遠視野像（Far Field Pattern；ＦＦＰ）に偏りが生じる。この偏りは、発光光の色によって異なるため、ＬＥＤを発光素子として用いた表示装置では、ディスプレイを正面から見た場合と斜めから見た場合との間でＲＧＢ比率が異なる不均一な映像が表示されるという問題が生じる。

更に、このような発光素子が各画素に配置されると、所望の色味や明るさが表現されず、品位が低下する。発光素子を用いた表示装置あるいは照明装置において、品位向上を図ることが可能な手法の実現が望まれている。

従って、品位向上を実現することが可能な表示装置および照明装置を提供することが望ましい。また、視野角特性の偏りを低減することの可能な発光素子および半導体デバイスを提供することが望ましい。

本開示の一実施形態の表示装置は、各々が少なくとも第１原色の発光素子を含むと共に２次元配置された複数の画素を備え、１画素または隣接する２以上の画素からなる画素群は、第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含むものである。

本開示の一実施形態の表示装置では、１画素または隣接する２以上の画素からなる画素群が、第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む。これにより、画素または画素群における第１原色の波長として、第１および第２の発光素子の各波長の合成波長を用いた映像表示が可能となる。

本開示の一実施形態の照明装置は、各々が少なくとも第１原色の発光素子を含むと共に２次元配置された複数のユニットを備え、１ユニットまたは隣接する２以上のユニットからなるユニット群は、第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含むものである。

本開示の一実施形態の照明装置では、１ユニットまたは隣接する２以上のユニットからなるユニット群が、第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む。これにより、ユニットまたはユニット群における第１原色の波長として、第１および第２の発光素子の各波長の合成波長を用いた発光が可能となる。

本開示の第１の一実施形態の発光素子は、第１面および第２面を有すると共に、第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、第１導電型層と電気的に接続されると共に、第１面に設けられた第１電極と、第２導電型層と電気的に接続されると共に、第１面に設けられ、第１電極よりも厚い第２電極とを備えたものである。

本開示の第２の一実施形態の発光素子は、第１面および第２面を有すると共に、第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、第１導電型層と電気的に接続され、第１面に設けられると共に、面内方向に厚みが異なる第１電極と、第２導電型層と電気的に接続されると共に、第２面の面内において非対称に設けられた第２電極とを備えたものである。

本開示の第１の一実施形態の半導体デバイスは、上記第１の一実施形態の発光素子を複数備えたものである。

本開示の第２の一実施形態の半導体デバイスは、上記第２の一実施形態の発光素子を複数備えたものである。

本開示の第１の一実施形態の発光素子および一実施形態の半導体デバイスでは、第１面および第２面を有すると共に、第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層の、第１導電型層と電気的に接続される第１電極と、第２導電型層を電気的に接続される第２電極とを、それぞれ第１面に設け、このうち、第２電極を第１電極よりも膜厚を厚く設けるようにした。これにより、活性層から射出される光の偏りが補正される。

本開示の第２の一実施形態の発光素子および一実施形態の半導体デバイスでは、第１面および第２面を有すると共に、第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層の第２面に、第２導電型層に電気的に接続されると共に、第２面の面内において非対称に設けられた第２電極とは半導体層を間に反対側の第１面に設けられた第１電極を、その面内方向に厚みが異なるようにした。これにより、活性層から射出される光の偏りが補正される。

本開示の一実施形態の表示装置によれば、１画素または隣接する２以上の画素からなる画素群が、第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む。これにより、製造プロセスなどに起因して、第１原色の発光素子の波長が画面内でばらついた場合にも、波長ばらつきによる表示への影響を軽減することができ、所望の色味や明るさを表現可能となる。よって、品位（画品位）向上を実現することが可能となる。

本開示の一実施形態の照明装置によれば、１ユニットまたは隣接する２以上のユニットからなるユニット群が、第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む。これにより、製造プロセスなどに起因して、第１原色の発光素子の波長が、発光面内でばらついた場合にも、波長ばらつきによる照明光への影響を軽減することができ、所望の色味や明るさを表現可能となる。よって、品位（照明品位）向上を実現することが可能となる。

本開示の第１および第２の一実施形態の発光素子および一実施形態の半導体デバイスによれば、第１の発光素子では第２電極を第１電極よりも膜厚を厚く、第２の発光素子では第１電極を面内方向に厚みが異なるようにした。これにより、活性層から射出される光の偏りが補正され、視野角特性の偏りを低減することが可能となる。

尚、上記内容は本開示の一例である。本開示の効果は、上述したものに限らず、他の異なる効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。

本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成を表すブロック図である。 図１に示した画素の構成例を表す平面模式図である。 図２に示した青色発光素子間の距離を説明するための特性図である。 図２に示した青色発光素子間の距離を説明するための特性図である。 インチサイズと画素ピッチと関係を表す特性図である。 推奨視聴距離と画素ピッチとインチサイズとの関係を表す特性図である。 比較例に係る画素の波長ばらつきについて説明するための模式図である。 比較例に係る画素のＲ，Ｇ，Ｂの各色度を表す特性図である。 図２に示した画素の波長ばらつきについて説明するための模式図である。 図９に示した第１の画素における青色の２波長と、これらの２波長の合成波長の一例を表す特性図である。 図９に示した第２の画素における青色の２波長と、これらの２波長の合成波長の一例を表す特性図である。 図９に示した第３の画素における青色の２波長と、これらの２波長の合成波長の一例を表す特性図である。 図９に示した各画素のＲ，Ｇ，Ｂの各色度を表す特性図である。 適用例に係る表示ユニットの構成を表す斜視図である。 適用例に係るタイリングデバイスの構成を表す斜視図である。 変形例１−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例１−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例２−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例２−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例２−３に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例３−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例３−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例３−３に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例４−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例４−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例５−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例５−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例６−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例６−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例７−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例７−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例７−３に係る画素の構成例を表す平面模式図である。 変形例８に係るＧ波長の補正について説明するための特性図である。 変形例８に係るＲ波長の補正について説明するための特性図である。 変形例９に係るＱＤ（量子ドット）フィルタの吸収スペクトルの一例を表す特性図である。 図２３に示したＱＤフィルタの発光スペクトルの一例を表す特性図である。 変形例９に係るＱＤフィルタの波長変換機能を説明するための特性図である。 本開示の第２の実施形態に係る照明装置の要部構成を表す模式図である。 図２６に示したユニットの構成例を表す平面模式図である。 本開示の第３の実施形態に係る発光素子の構成の一例を表す断面図である。 図２８Ａに示した発光素子の構成を表す平面図である。 図２８Ａに示した発光素子を複数備えた発光ユニットの構成の一例を表す斜視図である。 図２９Ａに示した発光ユニットの構成の一例を表す断面図である。 比較例としての発光素子の発光の偏りを表す極座標である。 比較例としての発光素子の発光の偏りを表す直交座標である。 比較例としての発光素子の構成を表す平面図である。 図３２Ａに示した発光素子のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。 図３２Ａに示した発光素子のＩＩＩ―ＩＩＩ線における断面図である。 図３２Ａ〜３２Ｃに示した発光素子を基板に実装した際の光の傾きを表す断面模式図である。 図２８Ａに示した発光素子の直交座標である。 図２８Ａおよび図３２Ａに示した発光素子を備えたパネルの視野角特性図である。 本開示の第３の実施形態に係る発光素子の構成の他の例を表す断面図である。 本開示の第３の実施形態に係る発光素子の構成の他の例を表す断面図である。 本開示の第４の実施形態に係る発光素子の構成の一例を表す断面図である。 図３８Ａに示した発光素子の構成を一例を表す平面図である。 図３８Ａおよび図３８Ｂに示した発光素子を複数備えた発光ユニットの構成の一例を表す斜視図である。 図３９Ａに示した発光ユニットの構成の一例を表す断面図である。 比較例としての発光素子を基板に実装した際の光の傾きを表す断面模式図である。 図４０に示した発光素子の中心位置に対する配光特性を表す図である。 図３８Ａおよび図３８Ｂに示した発光素子の中心位置に対する配光特性を表す図である。 本開示の第４の実施形態に係る発光素子の構成の他の例を表す断面図である。 図３８Ａおよび図３８Ｂに示した発光素子の構成の他の例を表す平面図である。 図３８Ａおよび図３８Ｂに示した発光素子の構成の他の例を表す平面図である。 適用例としての表示ユニットの構成の一例を表す斜視図である。 図４６に示した表示ユニットのレイアウトの一例を表した模式図である。 適用例としての照明装置の一例を表す平面図である。 図４８Ａに示した照明装置の斜視図である。 適用例としての照明装置の他の例を表す平面図である。 図４９Ａに示した照明装置の斜視図である。 適用例としての照明装置の他の例を表す平面図である。 図５０Ａに示した照明装置の斜視図である。

以下、本開示の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（画素内に配置した２種の青色発光素子を用いて表示を行う表示装置の例）
１−１．構成
１−２．作用・効果
２．変形例１〜４（画素内に２種以上の青色発光素子を配置のバリエーション例）
３．変形例５〜７（画素群内に２種以上の青色発光素子を配置する場合の例）
４．変形例８（緑色発光素子および赤色発光素子についても２種以上配置する場合の例）
５．変形例９（ＱＤフィルタを用いる場合の例）
６．第２の実施の形態（ユニット内に配置した２種の青色発光素子を用いて発光を行う照明装置の例）
７．第３の実施の形態（半導体層の下面に電極を有する発光素子の例）
７−１．発光素子の構成
７−２．発光ユニットの構成
７−３．作用・効果
８．第４の実施の形態（半導体層の上面および下面に電極を有する発光素子の例）
８−１．発光素子の構成
８−２．発光ユニットの構成
８−３．作用・効果
９．適用例

＜第１の実施の形態＞
（１−１．構成）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を表すものである。表示装置１は、例えば、画素アレイ部１００と、駆動部２００と、補正処理部３００と、制御部４００とを備えたものである。画素アレイ部１００は、例えば複数の画素Ｐを含んで構成されている。

画素アレイ部１００は、例えば２次元配置された複数の画素Ｐを有する。１つの画素Ｐ内には、２以上の原色（ここではＲ，Ｇ，Ｂの３原色）の光を発する発光素子が配置されている。発光素子としては、例えば、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の色光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ）が挙げられる。赤色ＬＥＤ（赤色発光素子）は、例えばＡｌＧａＩｎＰ系の材料、緑色ＬＥＤ（緑色発光素子）および青色ＬＥＤ（青色発光素子）は、例えばＡｌＧａＩｎＮ系の材料から構成されている。画素アレイ部１００では、外部から入力される映像信号に基づいて各画素Ｐがパルス駆動されることにより、各ＬＥＤの輝度が調整されて映像が表示される。

駆動部２００は、画素アレイ部１００の各画素Ｐを表示駆動するものであり、例えば定電流ドライバを含んで構成されている。この駆動部２００は、補正処理部３００から供給される補正後の駆動信号を用いて、例えばパルス幅変調（ＰＷＭ）により各画素Ｐを駆動するように構成されている。

補正処理部３００は、例えば予め保持された補正係数（後述の２種の波長の合成比率（出力比率）に関するデータ）に基づいて、画素Ｐ内に配置された発光素子の駆動信号を補正する信号処理部である。この補正係数は、画素Ｐ毎に設定され、図示しないデータメモリに格納されている。

制御部４００は、例えばマイクロプロセッサユニット（ＭＰＵ：Micro-processing unit）を含んで構成されている。この制御部４００は、補正処理部３００および駆動部２００を制御するものである。

（画素Ｐの詳細構成）
図２は、画素Ｐの構成例を表したものである。上記のように、画素アレイ部１００では、１画素Ｐ内に、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色の発光素子がそれぞれ配置される。本実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のうち、青色（第１原色）の発光素子として、２種の発光素子（青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２）を含んでいる。この例では、青色以外の原色（緑色および赤色）の発光素子（緑色発光素子１０Ｇ，赤色発光素子１０Ｒ）は、それぞれ１つずつ配置されている。また、画素Ｐ内において、赤色発光素子１０Ｒと、緑色発光素子１０Ｇと、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２とが、全体として２行２列で（２×２の配列を成して）配置されている。青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２は、行方向（図の左右方向）に沿って並んで配置されている。青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が、本開示における「第１の発光素子」「第２の発光素子」の一具体例に相当する。

赤色発光素子１０Ｒは、例えば波長６２５ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の赤色光を発する発光素子である。この赤色発光素子１０Ｒは、例えば上述したように赤色ＬＥＤによって構成され、その赤色ＬＥＤにおいて使用される波長帯に発光ピーク波長（発光強度が最大値となる波長）を有している。緑色発光素子１０Ｇは、例えば波長５００ｎｍ以上５６５ｎｍ以下の緑色光を発する発光素子である。この緑色発光素子１０Ｇは、例えば上述したように緑色ＬＥＤによって構成され、その緑色ＬＥＤにおいて使用される波長帯に発光ピーク波長を有している。

青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２はそれぞれ、例えば波長４５０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下の青色光を発する発光素子である。この青色発光素子１０Ｂは、例えば上述したように青色ＬＥＤによって構成され、その青色ＬＥＤにおいて使用される波長帯に発光ピーク波長を有している。本実施の形態では、これらの青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２は、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長を有している。例えば、青色発光素子１０Ｂ１は、上記青色の波長範囲（波長４５０ｎｍ以上４８５ｎｍ以下）のうちの一部の波長帯Ｗｂ１に発光ピーク波長を有している。青色発光素子１０Ｂ２は、上記青色の波長範囲の中で、波長帯Ｗｂ１とは異なる波長帯Ｗｂ２に発光ピーク波長を有している。但し、波長帯Ｗｂ１と波長帯Ｗｂ２とは、各一部がオーバーラップしていてもよい。尚、本明細書において、発光素子における「波長」「設計波長」とは、発光強度がピークとなる波長（発光ピーク波長）を示すものとする。

波長帯Ｗｂ１は、青色発光素子１０Ｂ１の設計波長を含む波長範囲であり、例えば青色発光素子１０Ｂ１の設計波長と、この設計波長に対して製造誤差の範囲(例えば−５ｎｍ〜＋５ｎｍ程度)の波長を含むものである。波長帯Ｗｂ２は、青色発光素子１０Ｂ２の設計波長を含む波長範囲であり、例えば青色発光素子１０Ｂ２の設計波長と、この設計波長に対して製造誤差の範囲(例えば−５ｎｍ〜＋５ｎｍ程度)の波長を含むものである。

青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各設計波長の差は、例えば製造誤差（−５ｎｍ〜＋５ｎｍ程度）を考慮して１０ｎｍ程度に設定することができる。また、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各設計波長の差が大きくなり過ぎると、合成波長においてピークが分離する（ピークが２つになる）ため、ピークが分離しない程度の波長差に設定されることが望ましい。画素Ｐ内に配置された青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長の差は、画素Ｐ毎にばらつくが、例えば５ｎｍ以上３０ｎｍ以下となっている。

このような青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長は、映像表示の際には、画素Ｐ毎に合成波長として扱われる。青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長の合成比率（出力比率）は、予め画素Ｐ毎に設定されており、補正係数として補正処理部３００に記憶されている。例えば、製造工程において、画素Ｐ毎に青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長が測定される。測定された２波長の合成波長が画面全体において略一定となるように、画素Ｐ毎に適切な合成比率（出力比率）が設定される。この青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の出力比率に関するデータが、補正係数として補正処理部３００に記憶される。

青色発光素子１０Ｂ１と青色発光素子１０Ｂ２との間の距離ｄは、所定の距離以下となるように近接していることが望ましい。これは、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長を組み合わせて（合成波長により）、１つの画素Ｐの青色を疑似的に表現するためである。青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の境界が見えにくく、より自然な表示とするために、距離ｄが人間の眼によって判別不可能な程度の大きさに（視聴距離に応じて変化する眼の分解能距離以下となるように）設定されることが望ましい。

なお、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２、緑色発光素子１０Ｇおよび赤色発光素子１０Ｒの具体的な構成については後述する。

ここで、図３および図４に、視聴距離（視聴対象から眼までの距離）と、人間の眼の分解可能距離との関係について示す。尚、図３は、視力を１とした場合の特性である。このように、人間の眼には判別可能な距離に限度があり、視聴距離が大きくなるほど、分解可能距離も大きくなる。例えば、図４に示したように、視聴距離ＯＰ１の位置における分解可能範囲Ａ１および分解不可能範囲Ａ２と、視聴距離ＯＰ２（＞ＯＰ１）の位置における分解可能範囲Ａ１および分解不可能範囲Ａ２とは異なる。また、図３において、各視聴距離に対する分解可能距離以上となる範囲（分解能ラインｃ１よりも上側の範囲）が分解可能範囲Ａ１となり、分解可能距離以下となる範囲（分解能ラインｃ１よりも下側の範囲：斜線部分）が人間の眼によって判別が不可能な分解不可能範囲Ａ２となる。

一方で、図５に示したように、画素ピッチ（画素幅）は、画素アレイ部１００の画面サイズ（インチサイズ）に応じた値に設定される。また、ディスプレイの分野では、インチサイズに応じて最適な視聴距離（推奨視聴距離）が定められている。

図６に、画素ピッチおよびインチサイズと推奨視聴距離との関係について示す。一例として、解像度が約２０００×１０００ピクセル程度のディスプレイ（サンプル１）と、解像度が約４０００×２０００ピクセル程度のディスプレイ（サンプル２）との推奨視聴距離について示す。サンプル２での推奨視聴距離では、画素ピッチが分解能距離以下となることから、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の境界が見えにくく、より自然な表示を実現できる。一方、サンプル１の推奨視聴距離では、分解能距離よりも若干画素ピッチが大きくなるものの、おおよそ同レベルであり、視認性を大きく低下させることはない。このように、既存の解像度のディスプレイに本実施の形態の画素Ｐを採用することで、後述するような合成波長による効果（見かけの波長均一化）を得ることができる。

（１−２．作用，効果）
本実施の形態の表示装置１では、外部から入力された映像信号に基づき、駆動部２００が画素アレイ部１００の各画素へ駆動電流を供給する（駆動信号を出力する）。各画素Ｐでは、供給された駆動電流に基づいて、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のＬＥＤ（赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２）がそれぞれ所定の輝度で発光する。画素Ｐ毎の３原色の加法混色により、画素アレイ部１００に映像が表示される。

ところが、このようなＬＥＤを用いた表示装置１では、製造プロセスなどに起因して、発光素子の発光波長にばらつきを生じ易い。この波長ばらつきにより、表示映像において所望の色味や明るさが表現されず、画品位が低下する。

図７は、本実施の形態の比較例に係る画素の構成と、各画素における青色の波長の一例を表したものである。このように、例えば隣接する画素Ｐ１０１，Ｐ１０２，Ｐ１０３のそれぞれに、赤色発光素子１０１Ｒ，緑色発光素子１０１Ｇおよび青色発光素子１０１Ｂが配置されている場合、画素毎に発光素子の波長が設計値からずれ、画素Ｐ１０１，Ｐ１０２，Ｐ１０３間においてばらつきを生じる。具体的には、画素Ｐ１０１の青色発光素子１０１Ｂの波長は４７５ｎｍ、画素Ｐ１０２の青色発光素子１０１Ｂの波長は４７７ｎｍ、画素Ｐ１０３の青色発光素子１０１Ｂの波長は４７０ｎｍ、となる。

比較例では、上記のような波長ばらつきによって、例えば図８に示したように、青色の色度点１０２ｂ１，１０２ｂ２，１０２ｂ３がばらつく。これらの波長ばらつきを均一化する補正は困難である。尚、図８では、赤色の色度点１０２ｒおよび緑色の色度点１０２ｇは、ばらつきのないものとして図示している。また、色度点ｒ０，ｇ０，ｂ０は、赤色発光素子１０１Ｒ，緑色発光素子１０１Ｇおよび青色発光素子１０１Ｂのそれぞれの設計波長に対応する色度点である。

これに対し、本実施の形態では、各画素Ｐ内に、青色の発光素子として、２種の青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置されている。これにより、上述したように、製造段階において、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の合成比率を求めておき、この合成比率に基づいて、駆動信号を補正することで、波長ばらつきによる表示への影響を軽減することができる。換言すると、見かけの上での各画素Ｐの青色の波長（合成波長）を略一定にする（均一化する）ことが可能である。

図９に、隣接する３つの画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３における青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長の一例について示す。製造工程では、これらの画素Ｐ１〜Ｐ３のそれぞれにおいて、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の波長が測定される。一例を挙げると、画素Ｐ１では、青色発光素子１０Ｂ１の波長ｂ１ａが４６５ｎｍであり、青色発光素子１０Ｂ２の波長ｂ２ａが４６５ｎｍである。画素Ｐ２では、青色発光素子１０Ｂ１の波長ｂ１ｂが４７０ｎｍであり、青色発光素子１０Ｂ２の波長ｂ２ｂが４６０ｎｍである。画素Ｐ３では、青色発光素子１０Ｂ１の波長ｂ１ｃが４６８ｎｍであり、青色発光素子１０Ｂ２の波長ｂ２ｃが４６３ｎｍである。尚、波長ｂ１ａ（４６５ｎｍ），波長ｂ１ｂ（４７０ｎｍ），波長ｂ１ｃ（４６８ｎｍ）が、上述の波長帯Ｗｂ１に属する波長の一例である。波長ｂ２ａ（４６５ｎｍ），波長ｂ２ｂ（４６０ｎｍ），波長ｂ２ｃ（４６３ｎｍ）が、上述の波長帯Ｗｂ２に属する波長の一例である。

製造工程では、測定された各波長に基づいて、所望の合成波長を得るための合成比率が画素Ｐ毎に算出される。例えば、ターゲット波長が４６５ｎｍである（全画素Ｐの青色の波長を４６５ｎｍに合わせる）場合、次のように合成比率を設定することができる。即ち、画素Ｐ１では、図１０Ａに示したように、例えば波長ｂ１ａ，ｂ２ａをそれぞれ５０％ずつ（ｂ１ａ：ｂ２ａ＝０．５：０．５の比率で）足し合わせることにより、波長４６５ｎｍ付近に強度ピークをもつ合成波長ｂ１２ａを得ることができる。また、画素Ｐ２では、図１０Ｂに示したように、例えば波長ｂ１ｂを５５％、波長ｂ２ｂを４５％の比率で（ｂ１ｂ：ｂ２ｂ＝０．５５：０．４５の比率で）足し合わせることにより、波長４６５ｎｍ付近に強度ピークをもつ合成波長ｂ１２ｂを得ることができる。また、画素Ｐ３では、図１０Ｃに示したように、例えば波長ｂ１ｃを８０％、波長ｂ２ｃを２０％の比率で（ｂ１ｃ：ｂ２ｃ＝０．８：０．２の比率で）足し合わせることにより、波長４６５ｎｍ付近に強度ピークをもつ波長ｂ１２ｃを得ることができる。

算出された画素Ｐ毎の合成比率（出力比率）は、補正係数として補正処理部３００に保持される。補正処理部３００は、この補正係数を用いて、制御部４００から送られてきた駆動信号を、画素Ｐ毎に補正する。具体的には、補正処理部３００は、青色の駆動信号において、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２のそれぞれへの出力（駆動電流）を、上記補正係数に応じて設定する。このようにして補正された駆動信号が駆動部２００によって各画素Ｐへ供給され、各画素Ｐにおいて各色のＬＥＤが発光する。Ｒ，Ｇ，Ｂの加法混色により映像が表示される。

これにより、図１１に示したように、各画素Ｐにおける青色の色度点は、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長に対応する色度点ｂ１，ｂ２ではなく、それらの合成波長に対応する色度点ｂ１２として扱うことができる。即ち、各画素Ｐにおける加法混色には、赤色発光素子１０Ｒの色度点ｒ１および緑色発光素子１０Ｇの色度点ｇ１と、青色の合成波長に対応する色度点ｂ１２とが寄与する。

したがって、１つの画素Ｐ内に、青色の発光素子として、異なる波長帯Ｗｂ１，Ｗｂ２に発光ピーク波長を有する２種の青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２を配置することで、青色の波長ばらつきを疑似的に均一化（見かけの上で均一化）することができる。この結果、青色の波長ばらつきによる表示への影響を軽減できる。

以上説明したように、本実施の形態では、画素Ｐが、原色の１つである青色の発光素子として、異なる波長帯Ｗｂ１，Ｗｂ２に発光ピーク波長をもつ青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２を含む。これにより、画素Ｐにおける青色の波長として、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の各波長の合成波長を用いた映像表示が可能となる。製造プロセスなどに起因して、青色の波長が画面内でばらついた場合にも、見かけ上の波長均一性を高めることができ、その波長ばらつきによる表示への影響を軽減して、所望の色味や明るさを表現可能となる。よって、品位（画品位）向上を実現することが可能となる。

尚、上記第１の実施の形態では、青色の波長ばらつきにのみ着目し、画素Ｐ内に２種の青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２を配置したが、この手法は、赤色および緑色の波長ばらつきに対しても適用することができ、青色の場合と同などの効果を得ることができる。赤色および緑色の発光素子を２種以上配置する場合のレイアウトについては後述する。

＜適用例＞
図１２および図１３は、上記第１の実施の形態の表示装置１の適用例に係る電子機器の一例を表したものである。表示装置１は、図１２に示した表示ユニット３１０として、図１３に示したようなタイリングデバイス４を構成することができる。表示ユニット３１０は、上述の画素アレイ部１００を有する素子基板３３０と実装基板３２０とが組み合わせられたものである。タイリングデバイス４は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。タイリングデバイス４は、複数の表示ユニット３１０が２次元配置されたものであり、屋内外に設置される大型のディスプレイとして好適に使用される。タイリングデバイス４は、詳細は後述するが、例えば、図４６に示した表示ユニット３１０と、表示ユニット３１０を駆動する駆動回路（図示せず）とを備えている。

以下、上記第１の実施形態の変形例および他の実施の形態について説明する。尚、上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。

＜変形例１−１，１−２＞
図１４Ａは、変形例１−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１４Ｂは、変形例１−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。上記第１の実施の形態では、画素Ｐにおいて、２つの青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が行方向に沿って並んで配置された構成を例示したが、画素Ｐ内における青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の配置はこれに限定されるものではない。例えば、図１４Ａに示した変形例１−１のように、２×２の画素配列において、斜め方向に沿って青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置されていてもよい。また、図示は省略するが、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が列方向に沿って配置されていても構わない。

また、上記第１の実施の形態では、画素Ｐにおいて、赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が、２×２の配列を成して配置された構成を例示したが、画素Ｐ内での各素子の配列はこれに限定されるものではない。例えば図１４Ｂに示した変形例１−２のように、１行に（１×４の配列を成して）赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置されていてもよい。また、図示は省略するが、赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が、１列に（４×１の配列を成して）配置されていても構わない。

＜変形例２−１〜２−３＞
図１５Ａは、変形例２−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１５Ｂは、変形例２−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１５Ｃは、変形例２−３に係る画素の構成例を表す平面模式図である。上記第１の実施の形態では、画素Ｐ内に、計２つの青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置された構成を例示したが、画素Ｐに配置される青色発光素子の個数（種類）は、これに限定されるものではない。

例えば、図１５Ａに示した変形例２−１のように、画素Ｐ内に、３つの青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３が配置されていてもよい。この場合、青色発光素子１０Ｂ３は、青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２の波長帯Ｗｂ１，Ｗｂ２とは異なる波長帯に発光ピーク波長を有している。また、１つの赤色発光素子１０Ｒと１つの緑色発光素子１０Ｇとが１行に並んで配置され、３つの青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３が、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇとは異なる行に沿って並んで配置されている。

また、図１５Ｂに示した変形例２−２のように、３つの青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３に対して、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇの位置をシフトさせ、対称性をもつレイアウトとしてもよい。

更に、図１５Ｃに示した変形例２−３のように、画素Ｐ内の２行にわたって３つの青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３が配置されていてもよい。即ち、画素Ｐ内の各行に、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３が入り混じって配置されていても構わない。

＜変形例３−１〜３−３＞
図１６Ａは、変形例３−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１６Ｂは、変形例３−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１６Ｃは、変形例３−３に係る画素の構成例を表す平面模式図である。これらの変形例３−１〜３−３のように、画素Ｐ内に、４つの青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４が配置されていてもよい。この場合、青色発光素子１０Ｂ４は、青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３の各波長帯とは異なる波長帯に発光ピーク波長を有している。

図１６Ａに示した変形例３−１では、１つの赤色発光素子１０Ｒと１つの緑色発光素子１０Ｇとが１行に並んで配置され、４つの青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３が、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇとは異なる行に沿って並んで配置されている。

図１６Ｂに示した変形例３−２では、４つの青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４のうちの１つ（ここでは、青色発光素子１０Ｂ４）の位置を、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇの配置された行にシフトさせている。赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４が、全体として２行３列で（２×３の配列を成
して）配置されている。

図１６Ｃに示した変形例３−３では、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇおよび青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４が、全体として２行３列で配置された構成において、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇが中央の列を成している。これらの赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇの両側に、青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４が配置されている。

＜変形例４−１，４−２＞
図１７Ａは、変形例４−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１７Ｂは、変形例４−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。上記第１の実施の形態では、画素Ｐ内に、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇが１つずつ配置された構成を例示したが、画素Ｐに配置される赤色発光素子および緑色発光素子の個数（種類）は、これに限定されるものではない。

例えば、図１７Ａに示した変形例４−１のように、画素Ｐ内に、赤色の発光素子として、異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ２つの赤色発光素子１０Ｒ１，１０Ｒ２が配置されていてもよい。また、画素Ｐ内に、緑色の発光素子として、異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ２つの緑色発光素子１０Ｇ１，１０Ｇ２が配置されていてもよい。これにより、青色だけでなく、赤色および緑色についても、上記と同様の手法により波長ばらつきによる表示への影響を軽減することができる。

また、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のうちの赤色または緑色においてのみ、２種以上の発光素子を配置することにより、青色ではなく、赤色または緑色の波長のばらつきを均一化するような構成としても構わない。更には、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のうちの２つ以上（２つまたは３つ）の原色において、２種以上の発光素子を配置して、２つ以上の原色において波長ばらつきを均一化するような構成とすることもできる。このように、補正対象とする原色は任意に選択することができ、また２以上の原色を選択する場合、その波長の組み合わせも特に限定されない。但し、３原色のうち青色が人間の眼により視認され易いことから、特に青色において上述したような波長ばらつきを考慮した補正を行うことでより大きな効果を得ることができる。

加えて、図１７Ｂに示したように、画素Ｐ内に、赤色、緑色、青色の発光素子として、それぞれ計３種の発光素子が配置されていても構わない。この例では、赤色発光素子１０Ｒ１〜１０Ｒ３、緑色発光素子１０Ｇ１〜１０Ｇ３、および青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３がそれぞれ列方向に沿って並んで配置されている。

＜変形例５−１，５−２＞
図１８Ａは、変形例５−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１８Ｂは、変形例５−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。上記第１の実施の形態および変形例１〜４では、１つの画素Ｐ内に、青色の発光素子（あるいは赤色および緑色の発光素子）として、異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ２以上の発光素子が配置された構成について説明した。しかしながら、青色の発光素子は、画素Ｐ内ではなく、複数の画素Ｐからなる画素群内に（複数の画素Ｐに跨って）配置されていてもよい。この場合、青色の発光素子の出力比率についての補正係数は、画素群毎に設定される。

例えば、図１８Ａに示した変形例５−１のように、行方向に沿って隣接する２つの画素Ｐ１１，Ｐ２１（または画素Ｐ１２，Ｐ２２）からなる画素群Ｈ１において、上述したような青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置されていてもよい。この例では、画素Ｐ１１に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ２１に青色発光素子１０Ｂ２がそれぞれ配置されている。また、画素Ｐ１２に青色発光素子１０Ｂ２が、画素Ｐ２２に青色発光素子１０Ｂ１がそれぞれ配置されている。

また、図１８Ｂに示した変形例５−２のように、列方向に沿って隣接する２つの画素Ｐ１１，Ｐ１２（または画素Ｐ２１，Ｐ２２）からなる画素群Ｈ２において、上述したような青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置されていてもよい。この例では、画素Ｐ１１に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ１２に青色発光素子１０Ｂ２がそれぞれ配置されている。また、画素Ｐ２１に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ２２に青色発光素子１０Ｂ２がそれぞれ配置されている。

＜変形例６−１，６−２＞
図１９Ａは、変形例６−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図１９Ｂは、変形例６−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。上記変形例５−１，５−２では、１つの画素群に、計２つの青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置された構成を例示したが、画素群に配置される青色発光素子の個数（種類）は、これに限定されるものではない。

例えば、図１９Ａに示した変形例６−１のように、行方向に沿って隣接する３つの画素Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１（または、画素Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３２、画素Ｐ１３，Ｐ２３，Ｐ３３）からなる画素群Ｈ３において、上述したような青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３が配置されていてもよい。この例では、画素Ｐ１１に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ２１に青色発光素子１０Ｂ２が、画素Ｐ３１に青色発光素子１０Ｂ３が、それぞれ配置されている。また、画素Ｐ１２に青色発光素子１０Ｂ３が、画素Ｐ２２に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ３２に青色発光素子１０Ｂ２が、それぞれ配置されている。画素Ｐ１３に青色発光素子１０Ｂ２が、画素Ｐ２３に青色発光素子１０Ｂ３が、画素Ｐ３３に青色発光素子１０Ｂ１が、それぞれ配置されている。尚、青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３の配列は、画素群Ｈ３毎に異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、図１９Ｂに示した変形例６−２のように、列方向に沿って隣接する３つの画素Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３（または、画素Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３、画素Ｐ３１，Ｐ３２，Ｐ３３）からなる画素群Ｈ４において、上述したような青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３が配置されていてもよい。この例では、画素Ｐ１１に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ１２に青色発光素子１０Ｂ２が、画素Ｐ１３に青色発光素子１０Ｂ３が、それぞれ配置されている。また、画素Ｐ２１に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ２２に青色発光素子１０Ｂ２が、画素Ｐ２３に青色発光素子１０Ｂ３が、それぞれ配置されている。画素Ｐ３１に青色発光素子１０Ｂ１が、画素Ｐ３２に青色発光素子１０Ｂ２が、画素Ｐ３３に青色発光素子１０Ｂ３が、それぞれ配置されている。尚、青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ３の配列は、画素群Ｈ４毎に異なっていてもよいし、同じであってもよい。

＜変形例７−１〜７−３＞
図２０Ａは、変形例７−１に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図２０Ｂは、変形例７−２に係る画素の構成例を表す平面模式図である。図２０Ｃは、変形例７−３に係る画素の構成例を表す平面模式図である。上記変形例５−１，５−２では、１つの画素群に、計２つの青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２が配置された構成を例示したが、画素群に配置される青色発光素子の個数（種類）は、これに限定されるものではない。

例えば、図２０Ａに示した変形例７−１のように、行方向に沿って隣接する４つの画素Ｐからなる画素群Ｈ５において、上述したような青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４が配置されていてもよい。尚、青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４の配列は、画素群Ｈ５毎に異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、図２０Ｂに示した変形例７−２のように、列方向に沿って隣接する４つの画素Ｐからなる画素群Ｈ６において、上述したような青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４が配置されていてもよい。尚、青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４の配列は、画素群Ｈ６毎に異なっていてもよいし、同じであってもよい。

更に、図２０Ｃに示した変形例７−３のように、２行２列で（２×２の配列を成して）隣接する４つの画素Ｐからなる画素群Ｈ７において、上述したような青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４が配置されていてもよい。尚、青色発光素子１０Ｂ１〜１０Ｂ４の配列は、画素群Ｈ７毎に異なっていてもよいし、同じであってもよい。

＜変形例８＞
図２１は、変形例８に係るＧ波長の補正について説明するための特性図である。図２２は、変形例８に係るＲ波長の補正について説明するための特性図である。画素Ｐにおいて、上記変形例４−１，４−２において説明した構成とすることで、赤色および緑色の波長ばらつきに起因する表示への影響を軽減することができ、より画品位の向上に有利となる。

Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のうちの緑色を補正対象とする場合には、図２１に示したように、画素Ｐの緑色の色度点は、各緑色発光素子の波長に対応する色度点ｇ１，ｇ２ではなく、それらの合成波長に対応する色度点ｇ１２として加法混色を行うことができる。また、赤色を補正対象とする場合には、図２２に示したように、画素Ｐの赤色の色度点は、各緑色発光素子の波長に対応する色度点ｒ１，ｒ２ではなく、それらの合成波長に対応する色度点ｒ１２として加法混色を行うことができる。尚、上述したように、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色のうちの２つ以上の原色を補正対象としてもよい。

＜変形例９＞
図２３は、変形例９に係るＱＤ（量子ドット）フィルタの一例を説明するための特性図である。上記実施の形態などでは、原色の波長ばらつきに対して、画素Ｐあるいは画素群内に２種以上の発光素子を配置することで、波長ばらつきによる色むらなどを軽減したが、本変形例のように、所定の波長変換フィルタを用いて波長ばらつきを軽減してもよい。即ち、本変形例では、例えばＱＤフィルタなどの波長変換フィルタを画素アレイ部１００に配置することで、ＱＤフィルタのもつ吸収特性および発光特性に応じた波長での出力が可能となり、面内の波長ばらつきを軽減することができる。

例えば図２３に示したような吸収スペクトルと、図２４に示したような４６０ｎｍ付近に強度ピークをもつ発光スペクトルとを有するＱＤフィルタを用いることができる。このような特性を発揮する材料としては、例えばＣｄＳおよびＺｎＳを用いた蛍光体が挙げられる。これにより、図２５に示したように、例えば青色のうちの短波長（Ｅ１）の発光の一部が吸収され、長波長（Ｅ２）の発光に変換される。波長ばらつきが大きい場合にも、このような波長変換フィルタを使用することで、面内での波長ばらつきを軽減し、波長を均一化することが可能である。

＜第２の実施の形態＞
図２６は、本開示の第２の実施の形態に係る照明装置（照明装置５）の要部構成を表すものである。照明装置５は、例えば２次元配置された複数のユニットＵを含んで構成された素子アレイ部５００を備えたものである。１つのユニットＵ内には、２以上の原色（ここではＲ，Ｇ，Ｂの３原色）の光を発する発光素子が配置されている。発光素子としては、例えば、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の色光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ）が挙げられる。赤色ＬＥＤ（赤色発光素子）は、例えばＡｌＧａＩｎＰ系の材料、緑色ＬＥＤ（緑色発光素子）および青色ＬＥＤ（青色発光素子）は、例えばＡｌＧａＩｎＮ系の材料から構成されている。この素子アレイ部５００では、例えば図示しない駆動部によりユニットＵが駆動されて各ユニットＵ内のＬＥＤの輝度が調整されることで、例えば白色の照明光が得られる。

図２７は、ユニットＵの構成例を表したものである。このように、１つのユニットＵ内に、上記実施の形態などの画素Ｐと同様、緑色発光素子４０Ｇと、赤色発光素子４０Ｒと、２種の青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２とが配置されている。また、ユニットＵ内において、赤色発光素子４０Ｒと、緑色発光素子４０Ｇと、青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２とが、全体として２行２列で（２×２の配列を成して）配置されている。青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２は、行方向（図の左右方向）に沿って並んで配置されている。これらの青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２は、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長を有している。青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２が、本開示における「第１の発光素子」「第２の発光素子」の一具体例に相当する。

このように、照明装置５では、１ユニットＵ内に、原色の１つである青色の発光素子として、異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２を含む。これにより、発光の際には、上述したような補正により、ユニットＵにおける青色の波長として、青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２の各波長の合成波長を用いることができる。製造プロセスなどに起因して、青色の波長が画面内でばらついた場合にも、見かけ上の波長均一性を高めることができ、その波長ばらつきによる照明光への影響を軽減して、所望の色味や明るさを表現可能となる。よって、品位（照明品位）向上を実現することが可能となる。

尚、このような青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２は、上記のように１つのユニットＵ内に配置されていてもよいし、隣接する２以上のユニットＵからなるユニット群に配置されていても構わない。

＜７．第３の実施の形態＞
図２８Ａは、例えば、本開示の表示装置（例えば、表示装置１）および照明装置（照明装置５）に用いられる青色発光素子１０Ｂ１，１０Ｂ２，緑色発光素子１０Ｇ，赤色発光素子１０Ｒおよび青色発光素子４０Ｂ１，４０Ｂ２，緑色発光素子４０Ｇ，赤色発光素子４０Ｒの一例としての発光素子（発光素子１０）の断面構成を表したものである。図２８Ｂは、図２８Ａに示した発光素子１０の平面構成を表したものである。なお、図２８Ａは、図２８Ｂに示した発光素子１０のＩ−Ｉ線における断面を表したものである。この発光素子１０は、Flip-Chip構造のＬＥＤチップであり、例えば、上記表示装置１の表示画素（画素Ｐ）に配置されている青色発光素子１０Ｂ，緑色発光素子１０Ｇおよび赤色発光素子１０Ｒとして用いられるものである。

発光素子１０は、第１導電型層１１，活性層１２および第２導電型層１３からなる半導体層において、第２導電型層１３の一部，第１導電型層１１および活性層１２を含む部分が柱状のメサ部Ｍとなった構造を有する。メサ部Ｍの上面（第１導電型層１１の表面）には第１電極１４が設けられている。第２導電型層１３の上面（半導体のうちメサ部Ｍとは反対側の面）は、光取り出し面Ｓ_２となっている。半導体層のうち、第１導電型層１１には第１電極１４が設けられると共に、メサ部Ｍの裾野には、第２導電型層１３が露出する平坦面有し、この平坦面の一部に第２電極１５が設けられている。本実施の形態では、第２電極１５は第１電極１４よりも厚く形成され、発光素子１０の実装用の基板に対して、発光素子１０の光取り出し面Ｓ_２が、例えば、略平行になるように調整された構成を有する。なお、図２８Ａおよび図２８Ｂは発光素子１０の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる場合がある。

（７−１．発光素子の構成）
発光素子１０は、所定の波長体の光を上面（光取り出し面Ｓ_２）から発する固体発光素子であり、具体的にはＬＥＤ（Light Emitting Diode）チップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウエハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで覆われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば５μｍ以上１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、略正方形となっている。ＬＥＤチップは薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さ／幅）は、例えば、０．１以上１未満となっている。

発光素子１０は、上記のように、第１導電型層１１、活性層１２および第２導電型層１３を順に積層してなると共に、第２導電型層１３が光取り出し面Ｓ_２（第２面）となる半導体層を有する。この半導体層は、第１導電型層１１および活性層１２を含む柱状のメサ部Ｍが設けられており、光取り出し面Ｓ_２と対向する面に、第１導電型層１１が露出する凸部と、第２導電型層１３が露出する凹部とからなる段差を有する。本実施の形態では、この凸部および凹部を含む、光取り出し面Ｓ_２に対向する面を下面Ｓ_３（第１面）とする。第１導電型層１１および第２導電型層１３に電気的に接続される第１電極１４および第２電極１５は、それぞれ、下面Ｓ_３に設けられている。具体的には、第１電極１４は第１面の凸部である第１導電型層１１上に設けられ、第２電極１５は第２面の凹部である第２導電型層１３上に設けられている。

発光素子１０（具体的には、半導体層）の側面Ｓ_１は、例えば、図２８Ａに示したように、メサ部Ｍと同様に、積層方向と交差する傾斜面となっている。このように、メサ部Ｍおよび側面Ｓ_１がテーパ状となっていることにより、光取り出し面Ｓ_２からの光取り出し効率を向上させることができる。また、本実施の形態の発光素子１０は、図２８Ａおよび図２８Ｂに示したように、第１絶縁層１６，金属層１７および第２絶縁層１８からなる積層体を有している。この積層体は半導体層の側面Ｓ_１から光取り出し面Ｓ_２とは対向すると共に、発光素子１０を基板に実装する際の実装面（下面Ｓ_３）にかけて形成された層である。下面Ｓ_３に形成された積層体（具体的には、第１絶縁層１６）は、第１電極１４および第２電極１５の表面の外縁に渡って形成されている。即ち、第１電極１４および第２電極１５は、それぞれ、積層体に覆われていない露出面１４Ａ，１５Ａを有している。この露出面１４Ａ，１５Ａには、それぞれ、引き出し電極としてパッド電極１９，２０が設けられている。本実施の形態では、第２電極１５の引き出し電極であるパッド電極２０の膜厚をパッド電極１９よりも厚く形成することにより、発光素子１０の形状による傾きを調整している。

以下に、発光素子１０を構成する各部材について説明する。

半導体層を構成する第１導電型層１１，活性層１２および第２導電型層１３は、所望の波長帯の光によって適宜材料を選択する。具体的には、緑色帯の光あるいは青色帯の光を得る場合には、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料を用いることが好ましい。赤色帯の光を得る場合には、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を用いることが好ましい。

第１電極１４は、第１導電型層１１に接すると共に、第１導電型層１１に電気的に接続されている。即ち、第１電極１４は第１導電型層１１とオーミック接触している。第１電極１４は、金属電極であり、例えば、チタン（Ｔｉ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）あるいは金とゲルマニウムの合金（ＡｕＧｅ）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕなどの多層体として構成されている。この他、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）などの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。

第２電極１５は、第２導電型層１３に接すると共に、第２導電型層１３に電気的に接続されている。即ち、第２電極１５は第２導電型層１３とオーミック接触している。第２電極１５は、金属電極であり、第１電極と同様に例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕあるいはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどの多層体として構成されており、さらに、ＡｇやＡｌなどの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。第１電極１４および第２電極１５は、それぞれ単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。

積層体は、半導体層の側面Ｓ_１から下面Ｓ_３にかけて形成された層であり、半導体層に対して、第１絶縁層１６，金属層１７および第２絶縁層１８の順に積層された構成を有する。積層体は、少なくとも側面Ｓ_１全体を覆っており、側面Ｓ_１との対向領域から、第１電極１４との対向領域の一部に渡って形成されている。なお、第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、それぞれ、薄い層であり、例えば、ＣＶＤ、蒸着、スパッタなどの薄膜形成プロセスによって形成されたものである。つまり、この積層体のうち、少なくとも第１絶縁層１６、金属層１７および第２絶縁層１８は、スピンコートなどの厚膜形成プロセスや樹脂モールド、ポッティングなどによって形成されたものではない。

第１絶縁層１６は、金属層１７と半導体層との電気的な絶縁をとるためのものである。第１絶縁層１６は、側面Ｓ_１のうち、メサ部Ｍの裾野側の端部から、第１電極１４の表面の外縁に渡って形成されている。即ち、第１絶縁層１６は、側面Ｓ_１全体に接して形成されており、さらに、第１電極１４の表面の外縁に接して形成されている。第１絶縁層１６の材料としては、活性層１２から発せられる光に対して透明な材料、例えば、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，ＴｉＮなどが挙げられる。第１絶縁層１６の厚みは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度であり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第１絶縁層１６は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。

金属層１７は、活性層１２から発せられた光を遮蔽もしくは反射するためのものである。金属層１７は、第１絶縁層１６の表面に接して形成されている。金属層１７は、第１絶縁層１６の表面において、光取り出し面Ｓ_２側の端部から、第１電極１４側の端部よりも少し後退した箇所まで形成されている。即ち、第１絶縁層１６は、第１電極１４と対向する部分に、金属層１７に覆われていない露出面１６Ａを有している。

金属層１７の光取り出し面Ｓ_２側の端部は、第１絶縁層１６の光取り出し面Ｓ_２側の端部と同一面（光取り出し面Ｓ_２と同一面）に形成されている。一方、金属層１７の第１電極１４側の端部は、第１電極１４と対向する領域に形成されており、第１絶縁層１６を間にして金属層１７の一部と互いに重なり合っている。即ち、金属層１７は、半導体層、第１電極１４および第２電極１５とは第１絶縁層１６によって絶縁分離（電気的に分離）されている。

金属層１７の第１電極１４側の端部と、金属層１７との間には、第１絶縁層１６の厚さの分だけ間隙が存在する。但し、金属層１７の第１電極１４側の端部と、第１電極１４とは第１絶縁層１６を介して互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。更に、第１絶縁層１６の厚みは、厚くても数μｍ程度であるため、活性層１２から発せられた光は、上記の間隙を介して直接に、外に漏れ出ることはほとんどない。

金属層１７の材料としては、活性層１２から発せられる光を遮蔽もしくは反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，銅（Ｃｕ），Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。金属層１７の厚みは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度であり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、金属層１７は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。

第２絶縁層１８は、発光素子１０を実装用の基板（図示せず）に実装する際に、パッド電極１９と実装用の基板とを互いに接合する導電性材料（例えば、半田、めっき、スパッタ金属）と、金属層１７とが互いにショートするのを防止するためのものである。第２絶縁層１８は、金属層１７の表面と、第１絶縁層１６の表面（上記の露出面１６Ａ）に接して形成されている。第２絶縁層１８は、金属層１７の表面全体に形成されるとともに、第１絶縁層１６の露出面１６Ａの全体または一部に形成されている。即ち、第２絶縁層１８は、第１絶縁層１６の露出面１６Ａから金属層１７の表面に渡って形成されており、金属層１７は、第１絶縁層１６および第２絶縁層１８によって覆われている。第２絶縁層１８の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，ＴｉＮなどが挙げられる。また、第２絶縁層１８は、上記材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。第２絶縁層１８の厚みは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度であり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第２絶縁層１８は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。

パッド電極１９は、第１電極１４から引き出された電極である。パッド電極１９は、第１電極１４の露出面１４Ａから、第１絶縁層１６の表面および第２絶縁層１８の表面に渡って形成されている。パッド電極１９は、第１電極１４と電気的に接続されており、パッド電極１９の一部が、第２絶縁層１８を介して金属層１７の一部と重なり合っている。即ち、パッド電極１９は、金属層１７とは第２絶縁層１８によって絶縁分離（電気的に分離）されている。パッド電極１９は、活性層１２から発せられる光を高反射率で反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。また、パッド電極１９は、上記材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。

パッド電極２０は、第２電極１５から引き出された電極ある。パッド電極２０は、第２電極１５の露出面１５Ａから、第１絶縁層１６の表面および第２絶縁層１８の表面にわたって形成されている。パッド電極２０は、第２電極１５と電気的に接続されており、パッド電極２０の一部が、第２絶縁層１８を介して金属層１７の一部と重なり合っている。即ち、パッド電極２０は、金属層１７とは第２絶縁層１８によって絶縁分離（電気的に分離）されている。パッド電極２０の材料は、パッド電極１９と同様の材料を用いることができ、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金、あるいは、これらのうち複数の材料から形成されていてもよい。

パッド電極１９（およびパッド電極２０）の端部と、金属層１７との間には、第２絶縁層１８の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、パッド電極１９（およびパッド電極２０）の端部と、金属層１７の第１電極１４側の端部とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。更に、第２絶縁層１８の厚さは、厚くても数μｍ程度である。加えて、第１電極１４（および第２電極１５）と、金属層１７の第１電極１４側（および第２電極１５）の端部と、パッド電極１９（およびパッド電極２０）の端部とが、互いに重なり合っており、第１絶縁層１６および第２絶縁層１８を介して活性層１２から外部に通じる通路は、Ｓ字状に曲がりくねっている。つまり、活性層１２から発せられた光が透過し得る通路がＳ字状に曲がりくねっている。以上のことから、金属層１７の絶縁として用いられる第１絶縁層１６および第２絶縁層１８が、活性層１２から外部に通じる通路になり得るものの、その通路は、極めて狭く、しかもＳ字状となっており、活性層１２から発せられた光が外部に漏れ出ることのほとんどない構造となっている。

また、第１電極１４とパッド電極１９との間には、反射層２１が設けられている。この反射層２１は、活性層１２において第１電極側に出射された光を光取り出し面Ｓ_２側に反射するものである。反射層２１は、高反射性を有する材料により構成されている。高反射性の材料としては、例えば、ＡｇやＡｌなどの金属材料が挙げられる。

本実施の形態では、パッド電極２０は、上記のように、パッド電極１９よりも厚く形成されている。パッド電極１９およびパッド電極２０の厚みは、発光素子１０の形状によるが、発光素子１０を実装用の基板に実装する際に、発光素子１０の形状によって生じる傾き（図３３参照）を緩和する、具体的には、この傾きによって活性層１２から射出される光の配向形状（光強度分布）の非対称性を緩和するように調整されている。

（７−２．発光ユニットの構成）
図２９Ａは、発光ユニット２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図２９Ｂは、図２９Ａの発光ユニット２のＩＩ−ＩＩ線における断面構成の一例を表したものである。発光ユニット２は、例えば、上記画素Ｐとして適用可能なものであり、複数の発光素子１０を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。

発光ユニット２内には、上記発光素子１０（例えば赤色発光素子１０Ｒ）が他の発光素子１０（例えば青色発光素子１０Ｂあるいは緑色発光素子１０Ｇ）と所定の間隙を介して一列に配置されている。本実施の形態の発光ユニット２は、例えば、図１４Ｂに示したように、複数の発光素子１０を行方向に沿って並んで配置された構成としてもよい。また、例えば、図１４Ａや図１６に示したように複数の発光素子１０を２×２や２×３の配置としてもよく、あるいは、図１５Ｂに示したように複数の発光素子１０を互い違いに配置するようにしてもよい。ここでは、簡略化して赤色発光素子１０Ｒ、青色発光素子１０Ｂおよび緑色発光素子１０Ｇを一列に配置した例を挙げて説明する。

発光ユニット２は、上記のように、例えば、発光素子１０の配設方向に延在する細長い形状となっている。互いに隣り合う２つの発光素子１０の隙間は、例えば、各発光素子１０のサイズと同じか、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては各発光素子１０のサイズより狭くなっていてもよい。

各発光素子１０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図２９Ａに示したように、３つの発光素子１０は、緑色帯の光を発する緑色発光素子１０Ｇと、赤色帯の光を発する赤色発光素子１０Ｒと、青色帯の光を発する青色発光素子１０Ｂとにより構成されている。例えば、発光ユニット２が発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状となっている場合には、緑色発光素子１０Ｇは、例えば、発光ユニット２の短辺近傍に配置され、青色発光素子１０Ｂは、例えば、発光ユニット２の短辺のうち緑色発光素子１０Ｇの近接する短辺とは異なる短辺の近傍に配置されている。赤色発光素子１０Ｒは、例えば、緑色発光素子１０Ｇと青色発光素子１０Ｂとの間に配置されている。なお、赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇ，青色発光素子１０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇ，青色発光素子１０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。

発光ユニット２は、さらに、図２９Ａ，図２９Ｂに示したように、各発光素子１０を覆うチップ状の絶縁体３０と、各発光素子１０に電気的に接続された端子電極３１，３２とを備えている。端子電極３１，３２は、絶縁体３０の底面側に配置されている。

絶縁体３０は、各発光素子１０を、少なくとも各発光素子１０の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体３０は、例えば、シリコーン，アクリル、エポキシなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体３０は、一部にポリイミドなどの別材料を含んでいてもよい。絶縁体３０は、各発光素子１０の側面と、各発光素子１０の上面に接して形成されている。絶縁体３０は、各発光素子１０の配列方向に延在する細長い形状（例えば、直方体形状）となっている。絶縁体３０の高さは、各発光素子１０の高さよりも高くなっており、絶縁体３０の横幅（短辺方向の幅）は、各発光素子１０の幅よりも広くなっている。絶縁体３０自体のサイズは、例えば、１ｍｍ以下となっている。絶縁体３０は、薄片状となっている。絶縁体３０のアスペクト比（最大高さ／最大横幅）は、発光ユニット２を転写する際に発光ユニット２が横にならない程度に小さくなっており、例えば、１／５以下となっている。

絶縁体３０は、例えば、図２９Ａ，２９Ｂ示したように、各発光素子１０の直下に対応する箇所に開口３０Ａを有している。各開口３０Ａの底面には、少なくともパッド電極１９（図２９Ａ，２９Ｂでは図示せず）が露出している。パッド電極１９は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極３１に接続されている。一方、パッド電極２０は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極３２に接続されている。端子電極３１，３２は、例えば、主にＣｕを含んで構成されている。端子電極３１，３２の表面の一部が、例えば、Ａｕなどの酸化されにくい材料で被覆されていてもよい。

（７−３．作用・効果）
次に、本実施の形態の発光素子１０の作用・効果について説明する。

一般に、大規模集積回路（ＬＳＩ）の回路面を基板側に向けたFlip-Chip構造のＬＥＤ（発光素子）は実装面積が小さくすることができると共に、光取り出し面に電極などの遮蔽構造がないことから活性層から射出される光を効率よく取り出すことができるという利点がある。しかしながら、一般的な発光素子（例えば、図３２Ａ〜３２Ｃに示した発光素子１１０）は、その非対称な構造上、面内に活性層の偏りを有する。このため、活性層から射出される光の強度分布には偏りが生じていた。

図３０は、一般的な発光素子１１０の光強度分布を極座標系のＦＦＰで表わしたものである。図３０の下に示したように、発光素子１１０の第２電極１１５を右側にして計測した場合、計測結果は、特性図内の点線で示した完全に均一な光強度分布に比べてやや右側に寄った円になっている。これは、例えば、発光素子１１０の真上方向を０°とした「点光源からの角度」が５０°の方向では、完全に均一な場合の光強度分布に比べて、光強度が５％から１０％ほど高い値となっている。また、−５０°の方向では、完全に均一な場合に比べて光強度が５％から１０％ほど低い値となっている。

図３１は、発光素子１１０の光強度分布を直交座標系のＦＦＰで表わしたものである。この特性図で見ても、発光素子１１０の第２電極１１５を右側にして計測した場合には、発光素子１１０の高い光強度分布が右側に寄っていることがわかる。

図３２Ａ〜図３２Ｃは、発光素子１１０の平面構成（図３２Ａ）および図３２ＡにおけるＩＩ−ＩＩ線（図３２Ｂ），ＩＩＩ−ＩＩＩ線（図３２Ｃ）における発光素子１１０の断面構成を表したものである。図３２Ｂからわかるように、第２導電型層１１３の下面Ｓ_３側に電気的に接続された第２電極１１５が設けられた部分は、第１導電型層１１１および活性層１１２が取り除かれている分、下面Ｓ_３において窪んだ形状となっている。また、第２電極１１５が設けられていない部分でも、図３２Ｃに示したように、発光素子１１０の約半分の領域に形成された反射層１２１の厚みの分、第１電極１１４側が厚くなっている。

このように、面内方向に厚みに偏りのある発光素子１１０を実装用の基板に戴置した場合、その非対称な形状から、図３３に示したように第２電極１１５側に傾いた状態となる。このため、その光強度分布は、図３０や図３１に示したものよりもさらに大きな偏りとなってしまう。よって、このような発光素子１１０をＬＥＤディスプレイの発光素子として用いた場合には、ディスプレイを正面から見た場合と斜めから見た場合との間でＲＧＢ比率が異なる不均一な映像が表示されるという問題があった。

これに対して、本実施の形態では、発光素子１０のメサ部Ｍの裾野、換言すると、下面Ｓ_３における凹部に設けられた第２電極１５を、下面Ｓ_３の凸部に設けられた第１電極１４よりも厚く設けるようにした。具体的には、第２電極１５の外縁を含む半導体層の側面Ｓ_１および下面Ｓ_３を覆う積層体から第２電極１５を引き出す引き出し電極であるパッド電極２０を、第１電極１４のパッド電極１９よりも厚く設け、発光素子１０を実装用の基板などに戴置した際の傾きを緩和し、発光素子１０の光取り出し面Ｓ_２と、発光素子１０を実装する実装用の基板、即ち、戴置面とが略平行となるようにした。ここで、「略平行」とは、必ずしも光取り出し面Ｓ_２と戴置面とが完全に平行である場合のみを指すものではなく、発光素子１０の構造上の光強度分布の偏りが相殺された状態のことをいう。即ち、発光素子１０の光強度分布の偏りがなく、例えば、図３１の極座標系のＦＦＰで示した特性図において点線で示した均一な強度分布、あるいは図３４に示したよう、直交座標系のＦＦＰにおいて、角度０°を対称軸として左右対称な光強度分布となるように、発光素子１０の光取り出し面Ｓ_２が戴置面に対して、例えば、０°から２０°程度メサ部Ｍ側に傾いた状態を含むものである。

これにより、本実施の形態の発光素子１０を、例えば、上述した表示装置１の表示画素（画素Ｐ）として用いた場合、図３５に示したように、視野角によって輝度が変化した一般的な発光素子１１０とは異なり、いずれの視野角において均一な輝度を有するＬＥＤディスプレイを提供することが可能となる。

以上のように、本実施の形態における発光素子１０では、第１導電型層１１，活性層１２および第２導電型層１３の順に積層された半導体層の下面Ｓ_３に設けられ、それぞれ第１導電型層１１および第２導電型層１３に電気的に接続される第１電極１４（パッド電極１９）および第２電極１５（パッド電極２０）のうち、凹部に設けられた第２電極１５（パッド電極２０）の厚みを第１電極１４（パッド電極１９）よりも厚くするようにした。これにより、発光素子１０の非対称な構造による光強度分布の偏りが補正され、視野角特性の偏りを低減することが可能となる。

なお、発光素子１０は、光取り出し面Ｓ_２に対して、光の特性を向上させるために特殊加工が施されていてもよい。例えば、図３６に示した発光素子１０Ａのように、光取り出し面Ｓ_２に凹凸を形成してもよい。第２導電型層１３の表面に複数の凹部１３Ａを形成することにより、活性層１２から射出される光の方向をさまざまな方向に取り出すことが可能となり、発光素子１０Ａの光強度分布をさらに均一にすることが可能となる。

また、本実施の形態の発光素子１０は、図２８Ａに示したように、光取り出し面Ｓ_２を、第２導電型層１３が露出した構造物が設けられていない構造としたが、例えば、光を透過する導電層や絶縁層が設けられていてもよい。

更に、発光素子１０の側面、具体的には、半導体層の側面Ｓ_１は、図３７に示した青色発光素子１０Ｂのように、半導体層の積層方向と直交する垂直面となっていてもよい。あるいは、図２８Ａなどに示した発光素子１０の側面Ｓ_１の傾斜とは逆の下面Ｓ_３側に広くなる逆テーパ状の側面となっていてもよい。

更にまた、本実施の形態では、半導体層の側面Ｓ_１および下面Ｓ_３に積層体を設けたが、必ずしも設ける必要はなく、半導体層の側面Ｓ_１および下面Ｓ_３に第１絶縁層１６のみを形成するようにしてもよい。

＜第４の実施の形態＞
図３８Ａは、本開示の第４の実施の形態に係る発光素子（発光素子５０）の断面構成を表したものであり、図３８Ｂは、図３８Ａに示した発光素子５０の平面構成を表したものである。なお、図３８Ａは、図３８Ｂに示した発光素子５０のＩＶ−ＩＶ線における断面を表したものである。この発光素子５０は、上下電極構造のＬＥＤチップであり、上記第３の実施の形態で説明した発光素子１０と同様に、例えば、上記表示装置１の表示画素（画素Ｐ）に配置されている青色発光素子１０Ｂ，緑色発光素子１０Ｇおよび赤色発光素子１０Ｒとして用いられるものである。

発光素子５０は、第１導電型層５１，活性層５２および第２導電型層５３からなる半導体層の半導体層の下面（下面Ｓ_６）に第１電極５４が、上面（光取り出し面Ｓ_５）に第２電極５５が、それぞれ電気的に接続されており、この第２電極５５は、光取り出し面Ｓ_５の面内において非対称に設けられている。本実施の形態の発光素子５０は、半導体層の下面Ｓ_６に設けられた第１電極５４が面内方向に厚みが異なるように、具体的には、光取り出し面Ｓ_５の面内における第２電極５５の形成領域が広い方が薄く、狭い方が厚くなるように形成された構成を有する。なお、図３８Ａおよび図３８Ｂは発光素子５０の構成を模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なる場合がある。

（８−１．発光素子の構成）
発光素子５０は、所定の波長体の光を上面（光取り出し面Ｓ_５）から発する固体発光素子であり、具体的にはＬＥＤチップである。ＬＥＤチップとは、結晶成長に用いたウエハから切り出した状態のものを指しており、成形した樹脂などで覆われたパッケージタイプのものではないことを指している。ＬＥＤチップは、例えば５μｍ以上１００ｍｍ以下のサイズとなっており、いわゆるマイクロＬＥＤと呼ばれるものである。ＬＥＤチップの平面形状は、例えば、略正方形となっている。ＬＥＤチップは薄片状となっており、ＬＥＤチップのアスペクト比（高さ／幅）は、例えば、０．１以上１未満となっている。

発光素子５０は、上記のように、第１導電型層５１、活性層５２および第２導電型層５３を順に積層してなると共に、第２導電型層５３が光取り出し面Ｓ_５（第２面）となる半導体層を有する。この半導体層は、側面Ｓ_４が、例えば、図３８Ａに示したように、積層方向と交差する傾斜面となっており、具体的には、発光素子５０の断面が逆台形状となるような傾斜面となっている。このように、側面Ｓ_４がテーパ状となっていることにより、光取り出し面Ｓ_５からの光取り出し効率を向上させることができる。

また、本実施の形態の発光素子５０は、図３８Ａに示したように、第１絶縁層５６，金属層５７および第２絶縁層５８からなる積層体を有している。この積層体は半導体層の側面Ｓ_４から光取り出し面Ｓ_５と対向する面（下面Ｓ_６）にかけて形成された層である。下面Ｓ_６に形成された積層体（具体的には、第１絶縁層５６）は、第１電極５４の表面の外縁に渡って形成されている。即ち、第１電極５４は、積層体に覆われていない露出面５４Ａを有している。この露出面５４Ａには、引き出し電極としてパッド電極５９が設けられている。本実施の形態では、第１電極５４のパッド電極５９の膜厚が、光取り出し面Ｓ_５に設けられた第２電極５５の延在方向と反対側の方向に向かって徐々に厚くなるように加工され、これによって、第２電極５５の形成領域が広い方に発光素子５０の光取り出し面Ｓ_５が傾くように調整されている。

以下に、発光素子５０を構成する各部材について説明する。

半導体層を構成する第１導電型層５１，活性層５２および第２導電型層５３は、所望の波長帯の光によって適宜材料を選択する。具体的には、緑色帯の光あるいは青色帯の光を得る場合には、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料を用いることが好ましい。赤色帯の光を得る場合には、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料を用いることが好ましい。

第１電極５４は、第１導電型層５１に接すると共に、第１導電型層５１に電気的に接続されている。即ち、第１電極５４は第１導電型層５１とオーミック接触している。第１電極５４は、金属電極であり、例えば、チタン（Ｔｉ）／白金（Ｐｔ）／金（Ａｕ）あるいは金とゲルマニウムの合金（ＡｕＧｅ）／Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕなどの多層体として構成されている。この他、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）などの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。

第２電極５５は、第２導電型層５３に接すると共に、第２導電型層５３に電気的に接続されている。即ち、第２電極５５は第２導電型層５３とオーミック接触している。第２電極５５は、第２導電型層５３の光取り出し面Ｓ_５上に、面内において非対称、具体的には、例えば、光取り出し面Ｓ_５の中心付近からＸ軸方向に延在し、光取り出し面の一部を遮蔽している。第２電極５５は、金属電極であり、第１電極と同様に例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕあるいはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕなどの多層体として構成されており、さらに、ＡｇやＡｌなどの高反射性の金属材料を含んで構成されていてもよい。第１電極５４および第２電極５５は、それぞれ単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。

積層体は、半導体層の側面Ｓ_４から下面Ｓ_６にかけて形成された層であり、半導体層に対して、第１絶縁層５６，金属層５７および第２絶縁層５８の順に積層された構成を有する。積層体は、少なくとも側面Ｓ_４全体を覆っており、側面Ｓ_４との対向領域から、第１電極５４との対向領域の一部に渡って形成されている。なお、第１絶縁層５６、金属層５７および第２絶縁層５８は、それぞれ、薄い層であり、例えば、ＣＶＤ、蒸着、スパッタなどの薄膜形成プロセスによって形成されたものである。つまり、この積層体のうち、少なくとも第１絶縁層５６、金属層５７および第２絶縁層５８は、スピンコートなどの厚膜形成プロセスや樹脂モールド、ポッティングなどによって形成されたものではない。

第１絶縁層５６は、金属層５７と半導体層との電気的な絶縁をとるためのものである。第１絶縁層５６は、側面Ｓ_４のうち、メサ部Ｍの裾野側の端部から、第１電極５４の表面の外縁に渡って形成されている。即ち、第１絶縁層５６は、側面Ｓ_４全体に接して形成されており、さらに、第１電極５４の表面の外縁に接して形成されている。第１絶縁層５６の材料としては、活性層５２から発せられる光に対して透明な材料、例えば、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，ＴｉＮなどが挙げられる。第１絶縁層５６の厚みは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度であり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第１絶縁層５６は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。

金属層５７は、活性層５２から発せられた光を遮蔽もしくは反射するためのものである。金属層５７は、第１絶縁層５６の表面に接して形成されている。金属層５７は、第１絶縁層５６の表面において、光取り出し面Ｓ_５側の端部から、第１電極５４側の端部よりも少し後退した箇所まで形成されている。即ち、第１絶縁層５６は、第１電極５４と対向する部分に、金属層５７に覆われていない露出面５６Ａを有している。

金属層５７の光取り出し面Ｓ_５側の端部は、第１絶縁層５６の光取り出し面Ｓ_５側の端部と同一面（光取り出し面Ｓ_５と同一面）に形成されている。一方、金属層５７の第１電極５４側の端部は、第１電極５４と対向する領域に形成されており、第１絶縁層５６を間にして金属層５７の一部と互いに重なり合っている。即ち、金属層５７は、半導体層および第１電極５４とは第１絶縁層５６によって絶縁分離（電気的に分離）されている。

金属層５７の第１電極５４側の端部と、金属層５７との間には、第１絶縁層５６の厚さの分だけ間隙が存在する。但し、金属層５７の第１電極５４側の端部と、第１電極５４とは第１絶縁層５６を介して互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。更に、第１絶縁層５６の厚みは、厚くても数μｍ程度であるため、活性層５２から発せられた光は、上記の間隙を介して直接に、外に漏れ出ることはほとんどない。

金属層５７の材料としては、活性層５２から発せられる光を遮蔽もしくは反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，銅（Ｃｕ），Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。金属層５７の厚みは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度であり、ほぼ均一な厚さとなっている。
なお、金属層５７は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。

第２絶縁層５８は、発光素子５０を実装用の基板（図示せず）に実装する際に、パッド電極１９と実装用の基板とを互いに接合する導電性材料（例えば、半田、めっき、スパッタ金属）と、金属層５７とが互いにショートするのを防止するためのものである。第２絶縁層５８は、金属層５７の表面と、第１絶縁層５６の表面（上記の露出面５４Ａ）に接して形成されている。第２絶縁層５８は、金属層５７の表面全体に形成されるとともに、第１絶縁層５６の露出面１６Ａの全体または一部に形成されている。即ち、第２絶縁層５８は、第１絶縁層５６の露出面１６Ａから金属層５７の表面に渡って形成されており、金属層５７は、第１絶縁層５６および第２絶縁層５８によって覆われている。第２絶縁層５８の材料としては、例えば、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_２，ＴｉＮなどが挙げられる。また、第２絶縁層５８は、上記材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。第２絶縁層５８の厚みは、例えば、０．１μｍ〜１μｍ程度であり、ほぼ均一な厚さとなっている。なお、第２絶縁層５８は、製造誤差に起因する厚さの不均一性を有していてもよい。

パッド電極５９は、第１電極５４から引き出された電極である。パッド電極５９は、第１電極５４の露出面５４Ａから、第１絶縁層５６の表面および第２絶縁層５８の表面に渡って形成されている。パッド電極５９は、第１電極５４と電気的に接続されており、パッド電極５９の一部が、第２絶縁層５８を介して金属層５７の一部と重なり合っている。即ち、パッド電極５９は、金属層５７とは第２絶縁層５８によって絶縁分離（電気的に分離）されている。パッド電極５９は、活性層５２から発せられる光を高反射率で反射する材料、例えば、Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ，またはそれらの合金からなる。また、パッド電極５９は、上記材料のうち複数の材料から形成されていてもよい。

パッド電極５９の端部と、金属層５７との間には、第２絶縁層５８の厚さの分だけ間隙が存在する。しかし、パッド電極５９の端部と、金属層５７の第１電極５４側の端部とは互いに重なり合っているので、上記の間隙は、積層方向（つまり厚さ方向）からは視認できない。更に、第２絶縁層５８の厚さは、厚くても数μｍ程度である。加えて、第１電極５４と、金属層５７の第１電極５４側の端部と、パッド電極５９の端部とが、互いに重なり合っており、第１絶縁層５６および第２絶縁層５８を介して活性層５２から外部に通じる通路は、Ｓ字状に曲がりくねっている。つまり、活性層５２から発せられた光が透過し得る通路がＳ字状に曲がりくねっている。以上のことから、金属層５７の絶縁として用いられる第１絶縁層５６および第２絶縁層５８が、活性層５２から外部に通じる通路になり得るものの、その通路は、極めて狭く、しかもＳ字状となっており、活性層５２から発せられた光が外部に漏れ出ることのほとんどない構造となっている。

本実施の形態では、パッド電極５９は、上記のように、第２電極５５の延在方向とは反対方向に電極の膜厚が厚くなるように設けられている。具体的には、図３８Ａおよび図３８Ｂに示したように、光取り出し面Ｓ_５の中心付近から右方向（Ｘ軸方向）に延在する第２電極５５に対して、延在方向とは反対側の左方向に膜厚が厚くなるように加工されている。これにより、第２電極５５の形成領域が広い方向、換言すると、第２電極５５による遮蔽面積の大きな方向に傾いた発光素子５０が形成される。

なお、パッド電極５９の膜厚は、第２電極５５の延在方向のパッド電極５９の膜厚よりも厚ければよい。即ち、第２電極５５の延在方向とは反対側に連続して徐々に厚くしてもよいし、階段状に厚みを変化させてもよい。また、単純に、第２電極５５の延在方向のパッド電極５９の厚みよりも厚い一定の膜厚としてもよい。

（８−２．発光ユニットの構成）
図３９Ａは、発光ユニット３の概略構成の一例を斜視的に表したものである。図３９Ｂは、図３９Ａの発光ユニット３のＶ−Ｖ線における断面構成の一例を表したものである。発光ユニット３は、上記画素Ｐとして適用可能なものであり、複数の発光素子を薄い肉厚の樹脂で被った微小パッケージである。ここでは、上記第３の実施の形態と同様に、簡略化して赤色発光素子５０Ｒ、青色発光素子５０Ｂおよび緑色発光素子５０Ｇを一列に配置した例を挙げて説明する。

発光ユニット３内には、上記発光素子５０が他の発光素子５０と所定の間隙を介して一列に配置されている。この発光ユニット３は、例えば、発光素子５０の配設方向に延在する細長い形状となっている。互いに隣り合う２つの発光素子５０の隙間は、例えば、各発光素子５０のサイズと同などか、それよりも大きくなっている。なお、上記の隙間は、場合によっては各発光素子５０のサイズより狭くなっていてもよい。

各発光素子５０は、互いに異なる波長帯の光を発するようになっている。例えば、図３９Ａに示したように、３つの発光素子５０は、緑色帯の光を発する緑色発光素子５０Ｇと、赤色帯の光を発する赤色発光素子５０Ｒと、青色帯の光を発する青色発光素子５０Ｂとにより構成されている。例えば、発光ユニット２が発光素子５０の配列方向に延在する細長い形状となっている場合に、緑色発光素子５０Ｇは、例えば、発光ユニット２の短辺近傍に配置され、青色発光素子５０Ｂは、例えば、発光ユニット３の短辺のうち緑色発光素子５０Ｇの近接する短辺とは異なる短辺の近傍に配置されている。赤色発光素子５０Ｒは、例えば、緑色発光素子５０Ｇと青色発光素子５０Ｂとの間に配置されている。なお、赤色発光素子５０Ｒ，緑色発光素子５０Ｇ，青色発光素子５０Ｂのそれぞれの位置は、上記に限定されるものではないが、以下では、赤色発光素子５０Ｒ，緑色発光素子５０Ｇ，青色発光素子５０Ｂが上で例示した箇所に配置されているものとして、他の構成要素の位置関係を説明する場合がある。

発光ユニット３は、さらに、図３９Ａ，３９Ｂに示したように、各発光素子５０を覆うチップ状の絶縁体７０と、各発光素子５０に電気的に接続された端子電極７１とを備えている。端子電極７１は、絶縁体７０の底面側に配置されている。

絶縁体７０は、各発光素子５０を、少なくとも各発光素子５０の側面側から囲むとともに保持するものである。絶縁体７０は、例えば、シリコーン，アクリル、エポキシなどの樹脂材料によって構成されている。絶縁体７０は、一部にポリイミドなどの別材料を含んでいてもよい。絶縁体７０は、各発光素子５０の側面と、各発光素子５０の上面に接して形成されている。絶縁体７０は、各発光素子５０の配列方向に延在する細長い形状（例えば、直方体形状）となっている。絶縁体７０の高さは、各発光素子５０の高さよりも高くなっており、絶縁体７０の横幅（短辺方向の幅）は、各発光素子５０の幅よりも広くなっている。絶縁体７０自体のサイズは、例えば、１ｍｍ以下となっている。絶縁体７０は、薄片状となっている。絶縁体７０のアスペクト比（最大高さ／最大横幅）は、発光ユニット２を転写する際に発光ユニット２が横にならない程度に小さくなっており、例えば、１／５以下となっている。

絶縁体７０は、例えば、図３９Ａ，３９Ｂ示したように、各発光素子５０の直上および直下に対応する箇所に、それぞれ開口７０Ａおよび開口７０Ｂを有している。各開口７０Ｂの底面には、少なくともパッド電極５９（図３９Ａ，３９Ｂでは図示せず）が露出している。パッド電極５９は、所定の導電性部材（例えば、半田、めっき金属）を介して端子電極７１に接続されている。端子電極７１は、例えば、主にＣｕを含んで構成されている。端子電極７１の表面の一部が、例えば、Ａｕなどの酸化されにくい材料で被覆されていてもよい。一方、発光素子５０の第２電極５５は、図３９Ａに示したバンプ７３および接続部７４を介して端子電極７２に接続されている。バンプ７３は絶縁体７０に埋め込まれた柱状の導電性部材であり、接続部７４は絶縁体７０の上面に形成された帯状の導電性部材である。

（２−３．作用・効果）
次に、本実施の形態の発光素子５０の作用・効果について説明する。

一般的に、電極を上下から取り出す上下電極構造のＬＥＤ（発光素子）では、上面および下面に設けられた電極は、図４０に示した発光素子１５０のように、それぞれ、ほぼ均一な厚みを有し、光取り出し面Ｓ_１０５は実装用の基板１１１０に対してほぼ平行に戴置される。しかしながら、光取り出し面に設けられた電極１５５が面内方向に非対称な形状、例えば、本実施の形態の発光素子５０のように、第２電極５５が取り出し面Ｓ_５の中心付近からある一方向（ここでは、Ｘ軸方向）に延在する場合、光取り出し面Ｓ_５から射出される光は、第２電極５５によって遮蔽される。即ち、図４１に示したように、発光素子１５０の光強度は、中心部分からＸ軸の左方向にシフトした分布を示す。

これに対して、本実施の形態では、発光素子５０の第１電極５４を、光取り出し面Ｓ_５上に設けられた第２電極５５の延在方向とは反対側に膜厚が厚くなるようにした。具体的には、第１電極５４に電気的に接続されると共に、発光素子５０の下面Ｓ_６に設けられたパッド電極５９の、第２電極５５による遮蔽面積の大きな方向に光取り出し面Ｓ_５が傾くように、第２電極５５の形成領域とは反対側の領域の膜厚が厚くなるようにした。これにより、発光素子５０は、光取り出し面Ｓ_５が、第２電極５５の形成領域が広い方向に傾くこととなり、その光強度分布は、図４２に示したように、発光素子５０の中心と発光強度の中心が一致したものとなる。

これにより、本実施の形態の発光素子５０を、例えば、上述した表示装置１の表示画素（画素Ｐ）として用いた場合、いずれの視野角において均一な輝度を有するＬＥＤディスプレイを提供することが可能となる。

以上のように、本実施の形態における発光素子５０では、第１導電型層１１，活性層１２および第２導電型層１３の順に積層された半導体層の下面Ｓ_６に設けられた第１電極５４の膜厚を、半導体層の光取り出し面Ｓ_５に設けられた第２電極５５の延在方向とは反対側に厚くなるようにした。これにより、第２電極５５の面内方向の非対称な形状による光強度分布の偏りが補正され、視野角特性の偏りを低減することが可能となる。

なお、発光素子５０の側面、具体的には、半導体層の側面Ｓ_４は、図４３に示した発光素子５０Ａのように、半導体層の積層方向と直交する垂直面となっていてもよい。あるいは、図３８Ａなどに示した発光素子１０の側面Ｓ_４の傾斜とは逆の下面Ｓ_６側に広くなる逆テーパ状の側面となっていてもよい。

また、本実施の形態では、半導体層の側面Ｓ_４および下面Ｓ_６に積層体を設けたが、必ずしも設ける必要はなく、半導体層の側面Ｓ_４および下面Ｓ_６に第１絶縁層５６のみを形成するようにしてもよい。

更に、本実施の形態の効果は、半導体層の光取り出し面Ｓ_５に設けられる第２電極の面内方向における形状が非対称な発光素子全てに適用される。即ち、本実施の形態では、第２電極５５を発光素子５０の中心付近からＸ軸方向に延在する形状としたが、例えば、図４４に示したように、例えば、略矩形状の光取り出し面Ｓ_５のある一辺に第２電極が形成された青色発光素子５０Ｂや、図４５に示したように、略矩形状の光取り出し面Ｓ_５の３辺に連続して設けられた発光素子５０Ｃにも適用することができる。具体的には、図４４に示した青色発光素子５０Ｂでは、第２電極５５が設けられた一辺とは対向する辺方向に第１電極５４の膜厚を厚くするようにすればよい。図４５に示した発光素子５０Ｃでは、第２電極５５の未形成領域方向、即ち、第２電極５５が形成されていない辺方向に第１電極５４の膜厚を厚くするようにすればよい。

＜９．適用例＞
以下に、上記第３の実施の形態および第４の実施の形態において説明した発光素子１０，５０の適用例について説明する。上記第３、第４の実施の形態の発光素子１０，５０は、これらをそれぞれ用いた発光ユニット２または発光ユニット３を表示画素（画素Ｐ）として備えた表示装置（例えば、表示装置１）、あるいは、発光素子１０，５０を個別にあるいは、発光ユニット２または発光ユニット３として備えた照明装置（例えば、照明装置６００Ａ，６００Ｂ，６００Ｃ）に適用することができる。以下にその一例を示す。

（適用例１）
図４６は、例えば図１３に示した表示装置（タイリングデバイス４）を構成する表示ユニット３１０の概略構成の一例を斜視的に表したものである。

表示ユニット３１０は、実装基板３２０と、素子基板３３０とを互いに重ね合わせたものである。素子基板３３０の表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域３１０Ａを有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域３１０Ｂを有している。

図４７は、実装基板３２０の素子基板３３０側の表面のうち表示領域３１０Ａに対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板３２０の表面のうち表示領域３１０Ａに対応する領域には、例えば、図４７に示したように、複数のデータ配線３２１が所定の方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。実装基板３２０の表面のうち表示領域３１０Ａに対応する領域には、さらに、例えば、複数のスキャン配線３２２がデータ配線３２１と交差（例えば、直交）する方向に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。データ配線３２１およびスキャン配線３２２は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。

スキャン配線３２２は、例えば、最表層に形成されており、例えば、基材表面に形成された絶縁層（図示せず）上に形成されている。なお、実装基板３２０の基材は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなり、基材上の絶縁層は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２、またはＡｌ_２Ｏ_３からなる。一方、データ配線３２１は、スキャン配線３２２を含む最表層とは異なる層（例えば、最表層よりも下の層）内に形成されており、例えば、基材上の絶縁層内に形成されている。絶縁層の表面上には、スキャン配線３２２の他に、例えば、必要に応じて、ブラックが設けられている。ブラックは、コントラストを高めるためのものであり、光吸収性の材料によって構成されている。ブラックは、例えば、絶縁層の表面のうち少なくとも後述のパッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂの非形成領域に形成されている。なお、ブラックは、必要に応じて省略することも可能である。

データ配線３２１とスキャン配線３２２との交差部分の近傍が表示画素３２３となっており、複数の表示画素３２３が表示領域３１０Ａ内においてマトリクス状に配置されている。各表示画素３２３には、複数の発光素子１０を含む発光ユニット２または複数の発光素子５０を含む発光ユニット３が実装されている。なお、図４７には、３つの赤色発光素子１０Ｒ，緑色発光素子１０Ｇ，青色発光素子１０Ｂまたは３つの赤色発光素子５０Ｒ，緑色発光素子５０Ｇ，青色発光素子５０Ｂで一つの表示画素３２３が構成されており、赤色発光素子１０Ｒまたは赤色発光素子５０Ｒから赤色の光を、緑色発光素子１０Ｇまたは緑色発光素子５０Ｇから緑色の光を、青色発光素子１０Ｂまたは青色発光素子５０Ｂから青色の光をそれぞれ出力することができるようになっている場合が例示されている。

発光ユニット２，３には、発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）または発光素子５０（５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ）ごとに一対の端子電極３１，３２または一対の端子電極６１，６２が設けられている。そして、一方の端子電極３１または端子電極６１がデータ配線３２１に電気的に接続されており、他方の端子電極３２または端子電極６２がスキャン配線３２２に電気的に接続されている。例えば、端子電極３１または端子電極６１は、データ配線３２１に設けられた分枝３２１Ａの先端のパッド電極３２１Ｂに電気的に接続されている。また、例えば、端子電極３２または端子電極６２は、スキャン配線３２２に設けられた分枝３２２Ａの先端のパッド電極３２２Ｂに電気的に接続されている。

各パッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂは、例えば、最表層に形成されており、例えば、図４７に示したように、各発光ユニット２，３が実装される部位に設けられている。ここで、パッド電極３２１Ｂ，３２２Ｂは、例えば、Ａｕ（金）などの導電性材料からなる。

実装基板３２０には、さらに、例えば、実装基板３２０と素子基板３３０との間の間隔を規制する複数の支柱（図示せず）が設けられている。支柱は、表示領域３１０Ａとの対向領域内に設けられていてもよいし、フレーム領域３１０Ｂとの対向領域内に設けられていてもよい。

素子基板３３０は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。素子基板３３０において、発光ユニット２，３側の表面は平坦となっていてもよいが、粗面となっていることが好ましい。粗面は、表示領域３１０Ａとの対向領域全体に渡って設けられていてもよいし、表示画素３２３との対向領域にだけ設けられていてもよい。粗面は、発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）または発光素子５０（５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂ）から発せられた光が当該粗面に入射したときに入射光を散乱させる程度に細かな凹凸を有している。粗面の凹凸は、例えば、サンドブラストや、ドライエッチングなどによって作製可能である。

駆動回路は、映像信号に基づいて各表示画素３２３（各発光ユニット２，３）を駆動するものである。駆動回路は、例えば、表示画素３２３に接続されたデータ配線３２１を駆動するデータドライバと、表示画素３２３に接続されたスキャン配線３２２を駆動するスキャンドライバとにより構成されている。駆動回路は、例えば、実装基板３２０上に実装されていてもよいし、表示ユニット３１０とは別体で設けられ、かつ配線（図示せず）を介して実装基板３２０と接続されていてもよい。

（適用例２）
図４８Ａおよび図４８Ｂは、発光素子１０または発光素子５０を用いた照明装置の一例である照明装置６００Ａの平面構成（図４８Ａ）および斜視方向（図４８Ｂ）の構成を表したものである。図４８Ａおよび図４８Ｂに示したように、発光素子１０または発光素子５０は、円盤状の実装用ステージ（実装基板）上に、例えば４つの発光素子１０が、例えば、点対称に配置されている。勿論、発光素子１０の配置方法は、点対称以外の方法で配置されていてもよい。

図４９Ａおよび図４９Ｂは、発光素子１０または発光素子５０を用いた照明装置の他の例である照明装置６００Ｂの平面構成（図４９Ａ）および斜視方向（図４９Ｂ）の構成を表したものである。図４９Ａおよび図４９Ｂに示したように、発光素子１０または発光素子５０は、円環状の実装用ステージ（実装基板）上に、例えば８つの発光素子１０が配置されている。

図５０Ａおよび図５０Ｂは、発光素子１０または発光素子５０を用いた照明装置の他の例である照明装置６００Ｃの平面構成（図５０Ａ）および斜視方向（図５０Ｂ）の構成を表したものである。図５０Ａおよび図５０Ｂに示したように、例えば、長方形状の実装用ステージに９個の発光素子１０が配置されている。この照明装置６００Ｃは、シーリングライト用カバーを備えていてもよい。

以上、第１〜第４実施の形態および変形例１〜９を挙げて本開示を説明したが、本開示はこれらの実施の形態などに限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態などでは、本開示の発光素子としてＲ，Ｇ，Ｂの３原色のＬＥＤが配置された場合を例示して説明したが、更に他の色のＬＥＤが配置されていてもよく、即ち４原色以上のＬＥＤディスプレイにも本開示は適用可能である。また、Ｒ，Ｇ，ＢのＬＥＤのいずれかに代えて他の色のＬＥＤを含んでいても構わない。

また、上記実施の形態などでは、１画素または１ユニットに３原色の発光素子が配置された場合を例示したが、用途に応じて、２原色または１原色の発光素子のみが配置された構成であってもよい。例えばデジタルサイネージなどの表示装置、あるいは照明装置では、必ずしも３原色が必要とされず、２色表示あるいは単色表示とされる場合もある。このような場合にも、本開示は適用可能である。

また、上記実施の形態などでは、本開示の発光素子としてＬＥＤを例示したが、本開示は、他の発光素子、例えば有機電界発光素子あるいは量子ドットを活性層として用いた自発光型のディスプレイにも広く適用することができる。

尚、本開示内容は以下のような構成であってもよい。
（１）
各々が少なくとも第１原色の発光素子を含むと共に２次元配置された複数の画素を備え、
１画素または隣接する２以上の画素からなる画素群は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む
表示装置。
（２）
前記第１および第２の発光素子は、各画素内において、行方向、列方向または斜め方向において隣り合って配置されている
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記画素は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ３以上の発光素子を含む
上記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第１および第２の発光素子は、各画素群において、行方向、列方向または斜め方向において隣り合う２以上の画素に配置されている
上記（１）に記載の表示装置。
（５）
前記画素群は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ３以上の発光素子を有する
上記（４）に記載の表示装置。
（６）
前記第１原色は青色である
上記（１）ないし（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記画素は、更に、赤色および緑色の発光素子をそれぞれ１つずつ含む
上記（６）に記載の表示装置。
（８）
前記画素は、更に、赤色および緑色の発光素子を含み、
前記画素または前記画素群は、前記赤色および緑色の発光素子としてそれぞれ、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ２以上の発光素子を含む
上記（６）に記載の表示装置。
（９）
前記第１原色は緑色または赤色である
上記（１）ないし（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間の距離は、視聴距離に応じて変化する眼の分解能距離以下となる範囲内の大きさに設定されている
上記（１）ないし（９）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
前記第１および第２の発光素子の各発光ピーク波長の差は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である
上記（１）ないし（１０）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）
前記第１および第２の発光素子の駆動信号を補正する補正処理部と、
補正された駆動信号に基づいて前記複数の画素を発光駆動する駆動部とを備え、
前記補正処理部は、前記第１および第２の発光素子の各発光ピーク波長に基づいて予め設定された補正係数に基づいて、前記駆動信号を補正する
上記（１）ないし（１１）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
前記補正係数は、前記画素毎または前記画素群毎に設定されている
上記（１２）に記載の表示装置。
（１４）
前記発光素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ：light emitting diode）である
上記（１）ないし（１３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１５）
各々が前記複数の画素を有すると共に２次元配置された複数の発光ユニットから構成されている
上記（１）ないし（１４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１６）
各々が少なくとも第１原色の発光素子を含むと共に２次元配置された複数のユニットを備え、
１ユニットまたは隣接する２以上のユニットからなるユニット群は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む
照明装置。
（１７）第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、前記第１導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられた第１電極と、前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられ、前記第１電極よりも厚い第２電極と
を備えた発光素子。
（１８）前記第１面は段差を有し、前記第１電極は前記第１面の凸部に、前記第２電極は前記第１面の凹部に設けられている、前記（１７）に記載の発光素子。
（１９）前記第２面内において光の特性に偏りを有する、前記（１７）または（１８）に記載の発光素子。
（２０）前記半導体層の表面のうち少なくとも実装面に、絶縁層および金属層がこの順に設けられた積層構造を有する、前記（１７）乃至（１９）のうちのいずれか１つに記載の発光素子。
（２１）前記積層構造は、少なくとも前記半導体層の側面全体を被覆している、前記（２０）に記載の発光素子。
（２２）第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、前記第１導電型層と電気的に接続され、前記第１面に設けられると共に、面内方向に厚みが異なる第１電極と、前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第２面の面内において非対称に設けられた第２電極とを備えた発光素子。
（２３）前記第１電極の厚みは、前記第２電極の形成領域が広い方が薄く、狭い方が厚い、前記（２２）に記載の発光素子。
（２４）前記第２面は、実装用の基板に対して傾きを有する、前記（２２）または（２３）に記載の発光素子。
（２５）複数の発光素子を有し、前記複数の発光素子は、第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、前記第１導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられた第１電極と、前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられ、前記第１電極よりも厚い第２電極とを備えた半導体デバイス。
（２６）複数の発光素子を有し、前記複数の発光素子は、第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、前記第１導電型層と電気的に接続され、前記第１面に設けられると共に、面内方向に厚みが異なる第１電極と、前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第２面の面内において非対称に設けられた第２電極とを備えた半導体デバイス。

本出願は、日本国特許庁において２０１５年３月２０日に出願された日本特許出願番号２０１５−０５８６４９号および２０１５年３月２５日に出願された日本特許出願番号２０１５−０６２３９４号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。

当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (26)

1. 各々が少なくとも第１原色の発光素子を含むと共に２次元配置された複数の画素を備え、
   １画素または隣接する２以上の画素からなる画素群は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む
   表示装置。
2. 前記第１および第２の発光素子は、各画素内において、行方向、列方向または斜め方向において隣り合って配置されている
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記画素は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ３以上の発光素子を含む
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１および第２の発光素子は、各画素群において、行方向、列方向または斜め方向において隣り合う２以上の画素に配置されている
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記画素群は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ３以上の発光素子を有する
   請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１原色は青色である
   請求項１に記載の表示装置。
7. 前記画素は、更に、赤色および緑色の発光素子をそれぞれ１つずつ含む
   請求項６に記載の表示装置。
8. 前記画素は、更に、赤色および緑色の発光素子を含み、
   前記画素または前記画素群は、前記赤色および緑色の発光素子としてそれぞれ、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ２以上の発光素子を含む
   請求項６に記載の表示装置。
9. 前記第１原色は緑色または赤色である
   請求項１に記載の表示装置。
10. 前記第１の発光素子と前記第２の発光素子との間の距離は、視聴距離に応じて変化する眼の分解能距離以下となる範囲内の大きさに設定されている
    請求項１に記載の表示装置。
11. 前記第１および第２の発光素子の各発光ピーク波長の差は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である
    請求項１に記載の表示装置。
12. 前記第１および第２の発光素子の駆動信号を補正する補正処理部と、
    補正された駆動信号に基づいて前記複数の画素を発光駆動する駆動部とを備え、
    前記補正処理部は、前記第１および第２の発光素子の各発光ピーク波長に基づいて予め設定された補正係数に基づいて、前記駆動信号を補正する
    請求項１に記載の表示装置。
13. 前記補正係数は、前記画素毎または前記画素群毎に設定されている
    請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記発光素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ：light emitting diode）である
    請求項１に記載の表示装置。
15. 各々が前記複数の画素を有すると共に２次元配置された複数の発光ユニットから構成されている
    請求項１に記載の表示装置。
16. 各々が少なくとも第１原色の発光素子を含むと共に２次元配置された複数のユニットを備え、
    １ユニットまたは隣接する２以上のユニットからなるユニット群は、前記第１原色の発光素子として、互いに異なる波長帯に発光ピーク波長をもつ第１および第２の発光素子を含む
    照明装置。
17. 第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられた第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられ、前記第１電極よりも厚い第２電極と
    を備えた発光素子。
18. 前記第１面は段差を有し、前記第１電極は前記第１面の凸部に、前記第２電極は前記第１面の凹部に設けられている、請求項１７に記載の発光素子。
19. 前記第２面内において光の特性に偏りを有する、請求項１７に記載の発光素子。
20. 前記半導体層の表面のうち少なくとも実装面に、絶縁層および金属層がこの順に設けられた積層構造を有する、請求項１７に記載の発光素子。
21. 前記積層構造は、少なくとも前記半導体層の側面全体を被覆している、請求項２０に記載の発光素子。
22. 第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続され、前記第１面に設けられると共に、面内方向に厚みが異なる第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第２面の面内において非対称に設けられた第２電極と
    を備えた発光素子。
23. 前記第１電極の厚みは、前記第２電極の形成領域が広い方が薄く、狭い方が厚い、請求項２２に記載の発光素子。
24. 前記第２面は、実装用の基板に対して傾きを有する、請求項２２に記載の発光素子。
25. 複数の発光素子を有し、
    前記複数の発光素子は、
    第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられた第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第１面に設けられ、前記第１電極よりも厚い第２電極と
    を備えた半導体デバイス。
26. 複数の発光素子を有し、
    前記複数の発光素子は、
    第１面および第２面を有すると共に、前記第１面側から順に、第１導電型層、活性層および第２導電型層を積層してなる半導体層と、
    前記第１導電型層と電気的に接続され、前記第１面に設けられると共に、面内方向に厚みが異なる第１電極と、
    前記第２導電型層と電気的に接続されると共に、前記第２面の面内において非対称に設
    けられた第２電極と
    を備えた半導体デバイス。

Images