JPH06204560A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオードInfo
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- JPH06204560A JPH06204560A JP35589692A JP35589692A JPH06204560A JP H06204560 A JPH06204560 A JP H06204560A JP 35589692 A JP35589692 A JP 35589692A JP 35589692 A JP35589692 A JP 35589692A JP H06204560 A JPH06204560 A JP H06204560A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 既存のシングル又はダブルヘテロ構造の発光
ダイオード製造工程から食刻工程により抵抗性領域を設
定して同一のチップ上に発光ダイオードと抵抗を同時に
形成する。 【構成】 Ｐ型基板２の左側上面に各々所定の厚さに順
次積層されたＰクラッド層３ａ、活性層４ａ及びＮクラ
ッド層５ａを含むＬＥＤ部ａと、Ｐ型基板２の右側上面
に前記ＬＥＤ部ａと間隔を置いて順次積層されたＰクラ
ッド層３ｂ、活性層４ｂ及びＮクラッド５ｂを含む抵抗
部ｂと、前記Ｐ型基板２の上面にＰクラッド層３ａ周囲
に提供されるＰ型電極端子６と、前記ＬＥＤ部ａのＮク
ラッド層５ａの上面に提供されるＮ型電極端子７と、そ
の異なる抵抗値に該当する位置で抵抗部ｂのＮクラッド
層５ｂの上面に提供される多数の抵抗端子８−１０とを
備える。
ダイオード製造工程から食刻工程により抵抗性領域を設
定して同一のチップ上に発光ダイオードと抵抗を同時に
形成する。 【構成】 Ｐ型基板２の左側上面に各々所定の厚さに順
次積層されたＰクラッド層３ａ、活性層４ａ及びＮクラ
ッド層５ａを含むＬＥＤ部ａと、Ｐ型基板２の右側上面
に前記ＬＥＤ部ａと間隔を置いて順次積層されたＰクラ
ッド層３ｂ、活性層４ｂ及びＮクラッド５ｂを含む抵抗
部ｂと、前記Ｐ型基板２の上面にＰクラッド層３ａ周囲
に提供されるＰ型電極端子６と、前記ＬＥＤ部ａのＮク
ラッド層５ａの上面に提供されるＮ型電極端子７と、そ
の異なる抵抗値に該当する位置で抵抗部ｂのＮクラッド
層５ｂの上面に提供される多数の抵抗端子８−１０とを
備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光の強度可変用抵抗が一
体に形成された発光ダイオードに関するものである。
体に形成された発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から発光ダイオードを、自動車のハ
イトップマウント（Ｈｉｇｈ ＴｏｐＭｏｕｎｔ）用ブ
レーキランプに使用する試みがされてきたが、回路構成
面より見る時、２つのレベル以上の明るさを表わすため
には幾つもの発光ダイオードをお互いに連結して使用し
なければならない。のみならず、この場合には周辺の回
路の構造が複雑になるという問題点もあった。
イトップマウント（Ｈｉｇｈ ＴｏｐＭｏｕｎｔ）用ブ
レーキランプに使用する試みがされてきたが、回路構成
面より見る時、２つのレベル以上の明るさを表わすため
には幾つもの発光ダイオードをお互いに連結して使用し
なければならない。のみならず、この場合には周辺の回
路の構造が複雑になるという問題点もあった。
【０００３】このために、自動車のブレーキ用のテール
ランプには発光ダイオードは稀にしか用いられていな
い。
ランプには発光ダイオードは稀にしか用いられていな
い。
【０００４】又、発光ダイオードが用いられる殆どの回
路では、発光ダイオードに流れる電流を制御するため、
別途のハイブリッド（Ｈｙｂｒｉｄ）抵抗を用いなけれ
ばならないし、回路設計の際、発光ダイオードの保護の
ためにも抵抗を用いることが殆ど必須的であった。
路では、発光ダイオードに流れる電流を制御するため、
別途のハイブリッド（Ｈｙｂｒｉｄ）抵抗を用いなけれ
ばならないし、回路設計の際、発光ダイオードの保護の
ためにも抵抗を用いることが殆ど必須的であった。
【０００５】即ち、発光ダイオードを駆動させるための
電源より発光ダイオードに流れる電流を所定値に制限す
るためには、別途の抵抗が各々必要になるだけでなく、
又、光の強度が変化する状態に発光ダイオードを駆動さ
せるための別途のスイッチ含めれば、回路の配線等が非
常に複雑になることは勿論のこと、発光ダイオード駆動
回路の生産コストが大幅に増加する等の問題点があっ
た。
電源より発光ダイオードに流れる電流を所定値に制限す
るためには、別途の抵抗が各々必要になるだけでなく、
又、光の強度が変化する状態に発光ダイオードを駆動さ
せるための別途のスイッチ含めれば、回路の配線等が非
常に複雑になることは勿論のこと、発光ダイオード駆動
回路の生産コストが大幅に増加する等の問題点があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は前述の従来の技術の問題点を勘案して既存のシングル
又はダブルヘテロ（Ｓｉｎｇｌｅ ｏｒ Ｄｏｕｂｌｅ
Ｈｅｔｅｒｏ）構造の発光ダイオード製造工程からエ
ッチング工程により抵抗性領域を設けて同一のチップ上
に発光ダイオードと抵抗を同時に構成することにより光
の強度をワンチップ内で２レベル以上に調節できるよう
にした光の強度可変用抵抗が一体に形成された発光ダイ
オードを提供することにある。
は前述の従来の技術の問題点を勘案して既存のシングル
又はダブルヘテロ（Ｓｉｎｇｌｅ ｏｒ Ｄｏｕｂｌｅ
Ｈｅｔｅｒｏ）構造の発光ダイオード製造工程からエ
ッチング工程により抵抗性領域を設けて同一のチップ上
に発光ダイオードと抵抗を同時に構成することにより光
の強度をワンチップ内で２レベル以上に調節できるよう
にした光の強度可変用抵抗が一体に形成された発光ダイ
オードを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を解決するため
に、本発明は、 (a) 所定のタイプ（ｔｙｐｅ）にドーピング（ｄｏｐｉ
ｎｇ）された基板と； (b) 前記基板の上に順次積層された１つの活性層（ａｃ
ｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）、前記基板と異なるタイプ（ｔ
ｙｐｅ）でドーピングされた１つのクラッド層（ｃｌａ
ｄ ｌａｙｅｒ）を含み、そのクラッド層の上面に第１
電極端子を有する光を発するＬＥＤ部と； (c) 前記基板の上に順次積層された１つの活性層と前記
基板と異なるタイプでドーピングされた１つのクラッド
層を包み、写真食刻法によるエッチング（ｅｔｃｈｉｎ
ｇ）により前記ＬＥＤ部と離隔して設けられ、そのクラ
ッド層の上面に複数の異なる抵抗値を得るために複数の
抵抗端子を有し、前記ＬＥＤ部へ流れる電流を複数段に
制限する抵抗部と； (d) 前記ＬＥＤ部と前記抵抗部との間においてエッチン
グにより大気に露出された部分に設けられる第２電極端
子とを有することを特徴としている。
に、本発明は、 (a) 所定のタイプ（ｔｙｐｅ）にドーピング（ｄｏｐｉ
ｎｇ）された基板と； (b) 前記基板の上に順次積層された１つの活性層（ａｃ
ｔｉｖｅ ｌａｙｅｒ）、前記基板と異なるタイプ（ｔ
ｙｐｅ）でドーピングされた１つのクラッド層（ｃｌａ
ｄ ｌａｙｅｒ）を含み、そのクラッド層の上面に第１
電極端子を有する光を発するＬＥＤ部と； (c) 前記基板の上に順次積層された１つの活性層と前記
基板と異なるタイプでドーピングされた１つのクラッド
層を包み、写真食刻法によるエッチング（ｅｔｃｈｉｎ
ｇ）により前記ＬＥＤ部と離隔して設けられ、そのクラ
ッド層の上面に複数の異なる抵抗値を得るために複数の
抵抗端子を有し、前記ＬＥＤ部へ流れる電流を複数段に
制限する抵抗部と； (d) 前記ＬＥＤ部と前記抵抗部との間においてエッチン
グにより大気に露出された部分に設けられる第２電極端
子とを有することを特徴としている。
【０００８】
【作用】前記構成によれば、発光ダイオードに一体に形
成される複数の異なる抵抗値の抵抗により別途抵抗を接
続することなしに、前記ＬＥＤ部へ流れる電流を複数段
に制限することができる。
成される複数の異なる抵抗値の抵抗により別途抵抗を接
続することなしに、前記ＬＥＤ部へ流れる電流を複数段
に制限することができる。
【０００９】
【実施例】本発明の望ましい実施例が図１乃至図３に示
されている。
されている。
【００１０】ダブルヘテロ構造の本発明の一実施例を示
した図１及び図２を参照すると、ＬＥＤ部ａはＰ型基板
２の左側上面に各々所定の厚さに順次積層されたＰクラ
ッド層３ａ、活性層４ａ及びＮクラッド層５ａを含む。
した図１及び図２を参照すると、ＬＥＤ部ａはＰ型基板
２の左側上面に各々所定の厚さに順次積層されたＰクラ
ッド層３ａ、活性層４ａ及びＮクラッド層５ａを含む。
【００１１】抵抗部ｂはＰ型基板２の右側上面に前記Ｌ
ＥＤ部ａと間隔を置いて順次積層されたＰクラッド層３
ｂ、活性層４ｂ及びＮクラッド層５ｂを含む。
ＥＤ部ａと間隔を置いて順次積層されたＰクラッド層３
ｂ、活性層４ｂ及びＮクラッド層５ｂを含む。
【００１２】図示されてはいないが、シングルヘテロ構
造ではＰクラッド層３ａ、３ｂが前記構造より除外され
る。しかし、このシングルヘテロ構造は、ダブルヘテロ
構造より効率が半分ぐらいに下がる。
造ではＰクラッド層３ａ、３ｂが前記構造より除外され
る。しかし、このシングルヘテロ構造は、ダブルヘテロ
構造より効率が半分ぐらいに下がる。
【００１３】前記Ｐ型基板２の上面にはＰクラッド層３
ａ周囲にＰ型電極端子６が設けてあり、前記ＬＥＤ部ａ
のＮクラッド層５ａの上面にはＮ型電極端子７が設けて
ある。前記複数の抵抗値を取り出させるように複数の抵
抗端子（８−１０）がその異なる抵抗値に該当する位置
で抵抗部ｂのＮクラッド層５ｂの上面にそれぞれ設けて
ある。
ａ周囲にＰ型電極端子６が設けてあり、前記ＬＥＤ部ａ
のＮクラッド層５ａの上面にはＮ型電極端子７が設けて
ある。前記複数の抵抗値を取り出させるように複数の抵
抗端子（８−１０）がその異なる抵抗値に該当する位置
で抵抗部ｂのＮクラッド層５ｂの上面にそれぞれ設けて
ある。
【００１４】この抵抗部ｂが抵抗性領域として専用さ
れ、ＬＥＤ部ａは発光ダイオードとして作用する。本発
明の他の実施例を示す図３では、活性層４ａ、４ｂだけ
が完全に露出し、Ｐクラッド層３ａ、３ｂはその一部だ
けが露出している。従って、この場合には、図２の実施
例とは異なり、Ｐ型電極端子６が食刻されていないＰク
ラッグ層の上面に提供される。又、選択的Ｐ型電極端子
１が選択的に用いられるため、図３でのようにＰ型基板
の下面に形成されることもある。かかる、選択的Ｐ型電
極端子１は図２での実施例にも適用され得るが、基板が
Ｐ型でない半絶縁性基板の場合には背面電極は不可能で
ある。
れ、ＬＥＤ部ａは発光ダイオードとして作用する。本発
明の他の実施例を示す図３では、活性層４ａ、４ｂだけ
が完全に露出し、Ｐクラッド層３ａ、３ｂはその一部だ
けが露出している。従って、この場合には、図２の実施
例とは異なり、Ｐ型電極端子６が食刻されていないＰク
ラッグ層の上面に提供される。又、選択的Ｐ型電極端子
１が選択的に用いられるため、図３でのようにＰ型基板
の下面に形成されることもある。かかる、選択的Ｐ型電
極端子１は図２での実施例にも適用され得るが、基板が
Ｐ型でない半絶縁性基板の場合には背面電極は不可能で
ある。
【００１５】一方、本発明に従う発光ダイオードの製造
方法は次の通りである。即ち、本発明の発光ダイオード
はＰ型基板２（図３では選択的Ｐ型電極端子１が底面に
形成される）の上面にＰクラッド層、活性層及びＮクラ
ッド層を順次積層させた後、引き続き写真食刻法による
エッチングを実施してＰ型基板が露出するように周辺部
においてＰクラッド３ａ、３ｂ、活性層４ａ、４ｂ及び
Ｎクラッド層５ａ、５ｂを除いた部分を形成する。
方法は次の通りである。即ち、本発明の発光ダイオード
はＰ型基板２（図３では選択的Ｐ型電極端子１が底面に
形成される）の上面にＰクラッド層、活性層及びＮクラ
ッド層を順次積層させた後、引き続き写真食刻法による
エッチングを実施してＰ型基板が露出するように周辺部
においてＰクラッド３ａ、３ｂ、活性層４ａ、４ｂ及び
Ｎクラッド層５ａ、５ｂを除いた部分を形成する。
【００１６】図３の実施例では、図２の実施例とは異な
りＰクラッド層が露出するようにエッチングさせる。そ
の後、Ｐ型電極端子６を図２の実施例ではＰ型基板の上
面に形成させ、図３の実施例ではＬＥＤ部ａのＰクラッ
ド３ａ周囲の残存するＰクラッド層の上面に形成させ
る。又、発光ダイオードの負極性端子のＮ型電極端子７
は、一方のＮクラッド層５ａの上面に形成させて自動車
の夜間走行及びブレーキスイッチＳａ、Ｓｂの一方の端
子に共通に連結されるようにし、前記スイッチＳａ、Ｓ
ｂの他の側の端子に各々連絡される抵抗電極端子９、８
は、Ｎクラッド層５ｂの上面の抵抗値に該当する位置に
形成させる。
りＰクラッド層が露出するようにエッチングさせる。そ
の後、Ｐ型電極端子６を図２の実施例ではＰ型基板の上
面に形成させ、図３の実施例ではＬＥＤ部ａのＰクラッ
ド３ａ周囲の残存するＰクラッド層の上面に形成させ
る。又、発光ダイオードの負極性端子のＮ型電極端子７
は、一方のＮクラッド層５ａの上面に形成させて自動車
の夜間走行及びブレーキスイッチＳａ、Ｓｂの一方の端
子に共通に連結されるようにし、前記スイッチＳａ、Ｓ
ｂの他の側の端子に各々連絡される抵抗電極端子９、８
は、Ｎクラッド層５ｂの上面の抵抗値に該当する位置に
形成させる。
【００１７】前述のＰクラッド層３ｂ活性層４ｂ及びＮ
クラッド層５ｂから構成される抵抗部ｂの形状は抵抗値
により変化させることができる。例えば、前記の実施例
で抵抗部ｂの形状を抵抗Ｒａ＋Ｒｂに相応する“コ”の
字形にして抵抗１０を接地させる場合、抵抗端子８、９
は“コ”字形のＮクラッド層５ｂの両端部上面に形成さ
せ、抵抗Ｒａの値（４ＫΩ）と抵抗Ｒ６の値（６００
Ω）に比例する距離の位置に抵抗端子１０が形成され
る。
クラッド層５ｂから構成される抵抗部ｂの形状は抵抗値
により変化させることができる。例えば、前記の実施例
で抵抗部ｂの形状を抵抗Ｒａ＋Ｒｂに相応する“コ”の
字形にして抵抗１０を接地させる場合、抵抗端子８、９
は“コ”字形のＮクラッド層５ｂの両端部上面に形成さ
せ、抵抗Ｒａの値（４ＫΩ）と抵抗Ｒ６の値（６００
Ω）に比例する距離の位置に抵抗端子１０が形成され
る。
【００１８】かかる、過程からなる本発明の作用効果を
図１乃至図４を参照して説明すると次の通りである。先
ず、本発明に従う発光ダイオードは主に自動車のブレー
キ等のように２レベル以上の明るさを必要とする装置に
設けられた場合に関して説明すると、図４で２つのスイ
ッチＳａ、Ｓｂの“オン”及び“オフ”の組合せとそれ
に連結された抵抗Ｒａ、Ｒｂ値により発光ダイオードに
流れる電流が異なるようになり、発光ダイオードの光の
明るさが異なるようになる。即ち、昼間の走行中、自動
車のブレーキペダルが踏まれない場合には、スイッチＳ
ａ、Ｓｂが共に“オフ”になるように設けることにより
発光ダイオードは消灯された状態を保持し、昼間の走行
中ブレーキが踏まれた状態では、スイッチＳｂだけが
“オン”になるように設定することにより電源電圧が抵
抗Ｒａ値より少ない値を有する抵抗Ｒｂを通じて発光ダ
イオードに印加されるので中間電源（例えば、Ｒａ＝４
ＫΩ、Ｒｂ＝６００ＫΩ、Ｖｃｃ＝１２Ｖの場合、約Ｉ
ｂ＝２０ｍＡ）が発光ダイオードに流れることになり、
発光ダイオードの光の明るさは中間の明るさになるの
で、日光等により一部が減殺されても後方の車両の運転
者が前方の車両の状態を容易に認識することができるよ
うになる。
図１乃至図４を参照して説明すると次の通りである。先
ず、本発明に従う発光ダイオードは主に自動車のブレー
キ等のように２レベル以上の明るさを必要とする装置に
設けられた場合に関して説明すると、図４で２つのスイ
ッチＳａ、Ｓｂの“オン”及び“オフ”の組合せとそれ
に連結された抵抗Ｒａ、Ｒｂ値により発光ダイオードに
流れる電流が異なるようになり、発光ダイオードの光の
明るさが異なるようになる。即ち、昼間の走行中、自動
車のブレーキペダルが踏まれない場合には、スイッチＳ
ａ、Ｓｂが共に“オフ”になるように設けることにより
発光ダイオードは消灯された状態を保持し、昼間の走行
中ブレーキが踏まれた状態では、スイッチＳｂだけが
“オン”になるように設定することにより電源電圧が抵
抗Ｒａ値より少ない値を有する抵抗Ｒｂを通じて発光ダ
イオードに印加されるので中間電源（例えば、Ｒａ＝４
ＫΩ、Ｒｂ＝６００ＫΩ、Ｖｃｃ＝１２Ｖの場合、約Ｉ
ｂ＝２０ｍＡ）が発光ダイオードに流れることになり、
発光ダイオードの光の明るさは中間の明るさになるの
で、日光等により一部が減殺されても後方の車両の運転
者が前方の車両の状態を容易に認識することができるよ
うになる。
【００１９】又、夜間の走行中、ブレーキペダルが踏ま
れない状態では、スイッチＳａが“オン”になり、スイ
ッチＳｂは、“オフ”になるように設けることにより発
光ダイオードには抵抗Ｒａによる弱い電流（前記の例で
約Ｉａ＝３ｍＡ）が流れることになり発光ダイオード
（ＬＥＤ）の光の明るさは弱くなるが昼間の走行の場合
とは異なり日光の妨げを受けないので、前方の車両の状
態を容易に認識することができる。
れない状態では、スイッチＳａが“オン”になり、スイ
ッチＳｂは、“オフ”になるように設けることにより発
光ダイオードには抵抗Ｒａによる弱い電流（前記の例で
約Ｉａ＝３ｍＡ）が流れることになり発光ダイオード
（ＬＥＤ）の光の明るさは弱くなるが昼間の走行の場合
とは異なり日光の妨げを受けないので、前方の車両の状
態を容易に認識することができる。
【００２０】又、夜間の走行中、ブレーキペダルを踏む
状態ではスイッチＳａ、Ｓｂが総て“オン”になるよう
に設定することにより、発光ダイオードには抵抗Ｒａ、
Ｒｂが並列に接続され、流れる電流Ｉａ、Ｉｂ（前記の
例で、Ｉａ＝３ｍＡ、Ｉｂ＝２０ｍＡ）が総て印加され
て増加するので発光ダイオードの光の明るさが極めて明
るくなり、後方の車両ヘッドライドの明りにより一部の
光が減殺されるとしても後方の車両より前方の自動車の
制動状態を容易に見ることができるようになる。
状態ではスイッチＳａ、Ｓｂが総て“オン”になるよう
に設定することにより、発光ダイオードには抵抗Ｒａ、
Ｒｂが並列に接続され、流れる電流Ｉａ、Ｉｂ（前記の
例で、Ｉａ＝３ｍＡ、Ｉｂ＝２０ｍＡ）が総て印加され
て増加するので発光ダイオードの光の明るさが極めて明
るくなり、後方の車両ヘッドライドの明りにより一部の
光が減殺されるとしても後方の車両より前方の自動車の
制動状態を容易に見ることができるようになる。
【００２１】前述の製造方法により製造された本発明の
光の強度可変用抵抗が一体になった発光ダイオードをエ
ージングテスト（ａｇｉｎｇ ｔｅｓｔ）した結果、温
度５５℃、電流３６ｍＡ（電流密度４５Ａ／Ｃｍ２）で
１，０００時間後、光の出力が５％劣化されたし、この
結果は常温、２０ｍＡで輝度は１，０００ｍｃｄ、寿命
は１００，０００時間以上に該当する。
光の強度可変用抵抗が一体になった発光ダイオードをエ
ージングテスト（ａｇｉｎｇ ｔｅｓｔ）した結果、温
度５５℃、電流３６ｍＡ（電流密度４５Ａ／Ｃｍ２）で
１，０００時間後、光の出力が５％劣化されたし、この
結果は常温、２０ｍＡで輝度は１，０００ｍｃｄ、寿命
は１００，０００時間以上に該当する。
【００２２】前述の実施例の他にも、発光ダイオードの
種類及び製造方法に従う変化、Ｐ−タイプとＮタイプの
変更、抵抗値に従う抵抗部の形状の変化等のような本発
明の他の変更された実施例が当業者には容易であり、
又、かかる総ての変更も請求の範囲に記載された本発明
の範囲内に属する。
種類及び製造方法に従う変化、Ｐ−タイプとＮタイプの
変更、抵抗値に従う抵抗部の形状の変化等のような本発
明の他の変更された実施例が当業者には容易であり、
又、かかる総ての変更も請求の範囲に記載された本発明
の範囲内に属する。
【００２３】
【発明の効果】以上で説明したように、本発明によれば
光の強度可変用抵抗が発光ダイオードに別途の工程なし
にその製造工程中に一体に形成されるので、例えば本発
明の発光ダイオードを自動車のブレーキのテールランプ
と同じ場合に用いることによりその寿命が殆ど半永久的
にすることができ、別途の（ｈｙｂｒｉｄ）抵抗が不必
要であり、発光ダイオード駆動回路を簡単に構成できる
ようになり、生産コスト及び電力消耗を大幅に節減し得
る効果を得ることができる。
光の強度可変用抵抗が発光ダイオードに別途の工程なし
にその製造工程中に一体に形成されるので、例えば本発
明の発光ダイオードを自動車のブレーキのテールランプ
と同じ場合に用いることによりその寿命が殆ど半永久的
にすることができ、別途の（ｈｙｂｒｉｄ）抵抗が不必
要であり、発光ダイオード駆動回路を簡単に構成できる
ようになり、生産コスト及び電力消耗を大幅に節減し得
る効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示したダブルヘテロ構造の
発光ダイオードの平面図である。
発光ダイオードの平面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す図１のＡ−Ａ′断面図
である。
である。
【図３】本発明の他の実施例に従う図２と類似する断面
図である。
図である。
【図４】本発明の実施例による発光ダイオードの等価回
路図である。
路図である。
ａ ＬＥＤ部 ｂ 抵抗部 ２ Ｐ型基板 ３ａ、３ｂ Ｐクラッド層 ４ａ、４ｂ 活性層 ５ａ、５ｂ Ｎクラッド層 ６ Ｐ型電極端子 ７ Ｎ型電極端子 ８ 抵抗端子 ９ 抵抗端子 １０ 抵抗端子 Ｒａ 抵抗 Ｒｂ 抵抗
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】前述のＰクラッド層３ｂ活性層４ｂ及びＮ
クラッド層５ｂから構成される抵抗部ｂの形伏は抵抗値
により変化させることができる。例えば、前記の実施例
で抵抗部ｂの形状を抵抗Ｒａ＋Ｒｂに相応する“コ”の
字形にして抵抗１０を接地させる場合、抵抗端子８、９
は“コ”字形のＮクラッド層５ｂの両端部上面に形成さ
せ、抵抗Ｒａの値（４ＫΩ）と抵抗Ｒ６の値（６００
Ω）に比例する距離の位置に抵抗端子１０が形成され
る。即ち、図３で前記Ｎクラッド層５ｂの厚さをｄ、幅
をＷ、非抵抗をρとし、抵 非抵抗ρは、前記Ｎクラッド層の積層時決定されるの
で、前記Ｎクラッド層の幅Ｗを一定にした場合、抵抗値
Ｒは距離Ｌに比例することになる。
クラッド層５ｂから構成される抵抗部ｂの形伏は抵抗値
により変化させることができる。例えば、前記の実施例
で抵抗部ｂの形状を抵抗Ｒａ＋Ｒｂに相応する“コ”の
字形にして抵抗１０を接地させる場合、抵抗端子８、９
は“コ”字形のＮクラッド層５ｂの両端部上面に形成さ
せ、抵抗Ｒａの値（４ＫΩ）と抵抗Ｒ６の値（６００
Ω）に比例する距離の位置に抵抗端子１０が形成され
る。即ち、図３で前記Ｎクラッド層５ｂの厚さをｄ、幅
をＷ、非抵抗をρとし、抵 非抵抗ρは、前記Ｎクラッド層の積層時決定されるの
で、前記Ｎクラッド層の幅Ｗを一定にした場合、抵抗値
Ｒは距離Ｌに比例することになる。
Claims (6)
- 【請求項１】 (a) 所定のタイプにドーピングされた基
板と； (b) 前記基板の上に順次積層された１つの活性層、前記
基板と異なるタイプでドーピングされた１つのクラッド
層を含み、そのクラッド層の上面に第１電極端子を有し
光を発するＬＥＤ部と； (c) 前記基板の上に順次積層された１つの活性層と前記
基板と異なるタイプでドーピングされた１つのクラッド
層を含み、写真食刻法によるエッチングにより前記ＬＥ
Ｄ部と離隔して設けられ、そのクラッド層の上面に複数
の異なる抵抗値を得るために複数の抵抗端子を有し、前
記ＬＥＤ部へ流れる電流を複数段に制限する抵抗部と； (d) 前記ＬＥＤ部と前記抵抗部との間においてエッチン
グにより大気に露出された部分に設けられる第２電極端
子とを有することを特徴とする発光ダイオード。 - 【請求項２】 前記ＬＥＤ部と前記抵抗部とが各々前記
基板と前記活性層の間に前記基板と同一タイプでドーピ
ングされた１つのクラッド層を更に備えることを特徴と
する請求項１に記載の発光ダイオード。 - 【請求項３】 前記多数の抵抗端子が複数の異なる抵抗
値により接地される１つの抵抗端子と、抵抗端子間の距
離が各々異なる位置に設けられる他の端子とからなるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項４】 前記抵抗部が複数の異なる抵抗値を有す
る所定の形状でエッチングされることを特徴とする請求
項１又は請求項２に記載の発光ダイオード。 - 【請求項５】 前記基板の他の面に選択的第２電極端子
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイ
オード。 - 【請求項６】 前記基板が半絶縁性基板からなることを
特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光ダイオー
ド。
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|---|---|---|---|
| KR91-23361 | 1991-12-18 | ||
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|---|---|
| JPH06204560A true JPH06204560A (ja) | 1994-07-22 |
| JPH07114294B2 JPH07114294B2 (ja) | 1995-12-06 |
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