JPS61108953A - セラミツクスを用いたセンサ素子の電気的接続端子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は１１例えば自動車の排気ガス中の酸素濃度を
検出するのに用いられる酸素センサ等のセラミックスを
用いたセンサに利用され得るもので、特にそのセンサ素
子の電気的接続端子の改良に関する。

（従来の技術） 従来、例えば、自動車の排気ガス等の被検物質中の酸素
濃度を検出する酸素センサとして、ジルコニアを主成分
としだ長尺平板状のセンサ基体の先端部両面に各々電極
層を設け、一方の電極を基準物質中（・例えば、大気中
）に晒し、他方の電極、を被検物質中（例えば、排気ガ
ス中）に晒して。

酸素濃淡電池の原理によって生ずる起電力を検出償号と
する構造のものが提案されている。

ところで、このような酸素センサは、検出信号を外部回
路へ出力するために、複数本の被覆ＩＪ　＋ド線が接続
されており、センサ基体の後端部には、これらの被覆リ
ード線を接続するための接続端子が設けられているのが
一般的である。

ここで、上記被覆リード線とセンサ基体側の接続端子と
を、１つ１つハンダ付けする作業は能率が悪く、又接続
端子から補助リードを延ばし上記被覆リード線とを適当
なカシメ接続子で接続ゼしめる構造でもその接続作業は
能率が悪く困難なものであるため、これを解決すべく、
上記の被覆リード線を一体にまとめたコネクタソケット
を、上記接続端子が設けられているセンサ基体後端に嵌
合させる構成によって作業を簡易化、迅速化するように
したセンサを本発明者は先に提案したＣ実願昭５９−８
８４０６１０ 第５図は、このような酸素センサ４０の全体構、成を示
す縦断面図である。

酸素イオン云導性固体電解質板および２つの電極等から
構成されるセンサ素子４１が上記電極が設けられた先端
部４４を下方として、その中間部が絶縁碍子４ａによっ
て、また上端部がコネクタ碍子４５によって支持された
状態で、円筒状の金属製保護管４２内に収容され、絶縁
碍子４８の上下に充填されたセメント、タルク、ガラス
等の充填剤４６によって固定されている。

保護管４２の先端部には多数の透孔４７が形成だれてお
り、センサ素子４１の先端部外面に設けられた電極（測
定電極）が雰囲気に触れるようになっている。

また、保護管４２の上端部には、ゴム栓４８を貫通して
差込まれたリード線５１〜５８と保護管４２の内壁に接
するアースリード＠５０が設けられている。上記コネク
タ碍子４５は、第７図と第８図に示すように円筒形状を
なし、その一方の側に、センサ素子４１の端部を挿入す
る挿入孔５６を有しており、またこの挿入孔５５に対し
て、他方の側から上記リード＠ＳＯ〜５８を挿入するリ
ード線挿入孔５６〜°５９が連通形成されている。

また、第６図に示すように、上記リード暇挿入孔５６〜
５９に挿入されるリード線５０〜５８の先端には、園示
のごとく折曲げたバネ性の接触子５１．６５が、これと
一体形成された固定金具６２．６６をカシメにより固着
している。

上記接触子６１．６５は、挿入孔５５内に挿入されるセ
ンサ素子４１に圧接し、センサ素子４１の端部表面に設
けられている接続端子６０．６４に接触する。

なお、リード線が４本あるのは、上記酸素センサ４Ｄは
、ヒーター付であるため、センサ素子４１にヒータが一
体に設けてあり、このヒータ電源供給用のリード線が２
本必要であるからである。

このように、コネクタ碍子４５が、コネクタソケットの
働きをなして、リード線５０〜５３とセンサ素子４１側
の接続端子との接続？容易に行えるようにしている。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、上記センサ素子４１に設けられている接
続端子６０．６４は、ニッケル、金、銀、白金等の金属
膜を固体電解質の平板の表面に焼付けて固着ざぜる方法
が従来用いられており、このため、付着力がそれ程強く
なく、例えば、上記酸素センサ４０を自動車に装着した
場合、その振動により、上記の接触子６１．８５に摩擦
されたり、加熱・冷却の繰返しにより剥離する虞れがあ
る。

また、接続端子６０．６４と固体電解質板との付着力を
高めるために、接続端子６０．６４の形成有料として、
上記金属とセラミックスとの混合物を用いて焼付けを行
う方法も考えられるが、この場合には、混合するセラミ
ックスの割合が多いと、接触子６１との間の接触抵抗が
高くなり、検出信号のレベル低下や内部抵抗増大等の不
都合が生じることになる。

（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するために、本発明は、セラミックス
を主体とするセッサ基体の一端部に設けられ、別体の電
気的接続用のコネクタソケット内にセンサ基体の端部と
ともに挿入されて、該コネクタソケット内の接触子に導
通される電気的従続端子を、２層以上の厚膜層又は薄膜
層モ積層して形成するとともに、少なくとも上記センサ
基体に接する最下層をセラミックスまたはガラスのうち
少なくとも一方と金属導体との混合物で形成することを
特徴とする。

（作用］ 上記のように電気的接続端子の最下層がセラミックスや
ガラスを含むことで、セラミックスを主体とするセンサ
基体上に焼付けた際の固着力が強化される■また、この
最下層より上方の層は、最下層とは成分が異なり、例え
ば、上方へ行く程金属導体の含有量が多くなるようにす
れば、最上層と上記コネクタソケットの接触子との接触
抵抗を低くすることができる。

Ｃ実施例） 本発明の第１実施例の構成を第１図に示す。同図は、酸
素センサのセンサ素子１を分解して示す図であり、この
センサ素子１は、前記センサ素子４０と同様に第ｓＦＡ
に示すような保護管４２内に収容されて酸素センサを構
成するものである。

このセンサ素子ｌ＆ｉ、大別して、センサ部１゜とヒー
タ部２０とから構成されている。センサ部１０は、ジル
コニアな主成分とする酸素イオン伝導性固体電解質を長
尺平板状に形成してなる８枚の固体電解質板２，３．４
を積層固着（焼成により固着ざぜる）することによって
形成されたセンナ基体５と、上段の固体電解質板２の上
面右端部に印刷により平面状に塗着された測定電極（被
検物質に晒される電極）１１と、下段の固体電解質板４
の上面右端部に同じく印刷により平面状に塗着された基
準電極（基準物質に晒される電極）１２とを備えている
。

中段の固体電解質板８には、その長手方向に幅方向の中
心を定るスリット８が形成されている。

また、上段の固体電解質板２の上面には、測定電極１１
の一端から固体電解質板２の左端へ帯状に走る導電性の
電極リード１８が塗着ぎれており、同様に下段の固体電
解質板４の上面には、基準電極１２の一端から固体電解
質板４の左端へ向けて帯状に走る導電性の電極リード１
４が塗着されている。この電極リード１４は、上段と中
段の固体電解質板２，８に設けられた透孔２ａｔａａＥ
通して、上段の固体電解質板２上に塗着された帯状の電
極リード１５に導通している。

上記上段の固体電解質板２の上面には、電極リード１８
．１５を保護するための多孔質セラミックス族の保護層
６が塗着されている。

そして、上記電極リード１３．１５の左端部１６、ｌ？
の上面には、これら電極リード１３゜１５よりも金属含
有量の多い導電性膜を塗着することにより、接続端子上
層１８．１９が形成どれでいる。

他方、ヒータ部２０は、２枚の長尺平板状の絶縁セラミ
ックス層２１．２２の間の右端部に、抵抗発熱体からな
るヒータ２８が挾み込まれてδつ、このヒータ２８の両
極から絶縁セラミックス層２１．２２の左端へ帯状に走
る２本の導電性のヒ、−タリード２８．２９が同様に挾
み込まれているｂ上記ヒータリード２８．２９の左端部
２４゜２５の下面には、これらヒータリード２８　、２
９よりも金属含有量の多い導電性膜を塗着することによ
り、接続端子上層２６．２７が形成されている。

このように形成されたヒータ部２０は、絶縁層８０を介
して上記センサｇ！ｈ２０の下面に一体に接合されてお
り、従って、絶縁セラミックス層２１゜２２と絶縁層８
０は、センサ基体の一部をなしている。

第２図は上記第１図に示した構造のセンサ素子１の接続
端子部分を示す斜視図であり、この部分に、第５〜８図
で示したコネクタ碍子４トが嵌合される。そして、コネ
クタ碍子４５内の接触子６１．６５（４つあるが２つは
図示していない）は、各六范極側の接続端子上層１８，
１９とヒータ側の接続端子上層２６．２７の上面に圧接
される。

上述したように、接続端子上層１８．１９と２６．２７
は、接続端子下層となる電極リード１３．１５の左端部
１６，１フおよびヒータリード２８．２９の左ｇｓ部２
４．２５よりも金属含有量が多く、コネクタ碍子４５内
の接触子６１との接触抵抗を小ざくするようになってい
る。また。

逆に見れば、接続端子下層１６．１７と２４．　。

２５は、接続端子上層１８．１９よりもセラミックス含
有量が多く、固体電解質板２あるいは絶縁セラミックス
層２１との付着力が強くなるようになっている。

次に、上記の内容を具体的に説明するため、接続端子上
層１８，１９，２６，２７および電極リード１．９．１
４．１５とヒータリード２８．２９の製造方法の一例を
示す。

先ず、電極リード１８〜１５とヒータリード２８．２９
は、主として白金族金属、金、銀、銅、ニッケル、クロ
ム、タングステン、モリブデン等の金属成分のうち１種
あるいは２種以上の混合物又は合金からなる粉末６０　
ＶＯｔ％と安定化ジルコニア粉末（たとえばＹ、０．６
　ｍｏｔ％添加したｚｒｏ　。

等）４０　ｖｏｔ％に、エチルセルロース４ｗｔ％と縁
セラミックス層２１の表面に塗着することで、焼成前の
状態が出来上がる。

そして、上記白金等の金属粉末ｇ　ｏ　ｖｏｔ％と安定
化ジルコニア粉末１０　Ｔｏ／％に、エチルセルロール
４　ｗｔ％と溶媒としてのノルマルブチルカルピトール
アセテートな添加してペースト状とし、これを印刷によ
り、上記電極リード１８．１５となるペースト層の端部
とヒータリード２８．２９となるペースト層の端部の上
面に塗着することで、接続端子上Ｎ１８．１９と２６．
２７の焼成前の状態が出来上がる。

次に、上記のようにペーストが塗着された固体電解質板
２．４と絶縁セラミックス層２１およびその他の部材を
全て積層した状態で、１４００℃、３時間の焼成を行う
ことで第２図にその端部を示すようなセンサ素子が完成
する〇 この具体例において、金、銀、銅は融点が低いため、主
として他の高融点金属との合金又は焼成過程で合金化す
る混合物として使用される、またニッケル、クロム、タ
ングステン、モリブデン、銅等は酸化雰囲気中での特に
１４００’ＣＭ度の高温では酸化しやすいため、必要に
応じて、中性あるいは還元等の雰囲気調節または耐震化
性ペースト処理等を実施する。

このように、接続端子上層と下層とを予めペーストの状
態で積層しておき、同時に焼成する方″法（これを「方
法ｌ」とする）の他、接続端子下層、すなわち電極リー
ドとヒータリードを形成するペーストを塗着した後に焼
成ご行い、この後に接続端子上層を形成するペーストを
塗着して焼成時よりも低い温度（たとえば１０００°ｃ
、１５分）で焼けける方法（これを「方法２」とする）
でも良い０ また、第８図、第４図に示すように、−極り−ド１．９
．１５とヒータリード２８．２９の左端部を少量短くし
、その分、これらリードとは成分の！Ａなる打料を用い
て接続端子下層８１．８２と　゛３８．３４を形成し、
この上面に接続端子上層１８．１９と２８．２７を積層
させた構造も考えられる。この場合、接続端子下層８１
〜３４は、たとえばリード１８〜１５と２８．２９より
もセラミックス含有量分多くしてやれば、リード１８〜
１５と２８．２９の抵抗値を変えることなく、接続端子
部のけ着力なより一層強化することができる。

これら接続端子上層１８，１９，２６．２７と下層３１
〜３４は、予めペーストの状態で積層ざぜた後に固体電
解質板２〜４等を同時に焼成しても良いし、接続端子上
層１８，１９，２６，２７Ｊ−後に焼付けても良い。

ざらに、接続端子の上層１８，１９，２６゜２７の上に
これらより金属含有量の多いペーストを印刷積層して焼
成あるいは焼付けご１回あるいは複数回実施しても良く
、ざらに別の方法としてこれら接続端子上層の上に化学
メッキ、物理メッキなどの方法により白金族金属、金、
銀、銅、ニッケル、クロム、タングステン、モリブデン
等の１種あるいは２種以上の被膜を一層又は複数層も・
うけても良い。

本願発明は、上記第１図と第８図の構成で、接続端子部
上層と下層の成分およげ、その製法を種々変更したもの
を作製してみた。そのうちの代表的な７種を挙げる。

（１）第１図に示す構造で、 接続端子下層が Ｐｔ　　　　　　　　　　　ｅ　ｏ　ｖｏｔ％ＹＯ−２
ｒ２　　　　　４０ｖｏｔ％ 焼成後の面積抵抗　　　　　０．２５Ｑ／口接続端子上
層が゛ Ｐｔ　　　　　　　　　　　９０　ＶＯ／％Ｙ、Ｏ，−
Ｚｒ０ＩＳ１　ｏ　ｖｏｚ　％焼成後の面積抵抗　　　
ｏ、ｏ１９Ｑ／口で、上層と下層を同時焼成した（方法
１）もσノ。

（２）第１図に示す構造で、 接続端子下層が ｐｔ　　　　　　　　　　　６０　ＶＯｔ％Ｙ　Ｏ−Ｚ
ｒ０．　　　　　　４０　ｖｏｔ　％焼成後の面積抵抗
　　　０，４００／口接続端子上層が Ｒｈ　　　　　　　　　　　９７　ＶＯｔ％”１２０８
　　　　　　　　　８　ＶＯ１％焼成後の面積抵抗　　
　０．０１０Ｑ／口で方法１を用いたもの。

（３）第１図に示す構造で、 接続端子下層が Ｐｔ　　　　　　　　　　　６０　ｖｏ１％ｙ、ｏ８−
　ｚｒｏ２４０　ｖａｔ％ 焼付後の面積抵抗　　　０．３８Ｑ／口接続端子上層が Ｐｔ　　　　　　　　　　　９７　ＶＯＩ％ガラス　　
　　　　　　　５ｖｏｔ％ 焼成後の面積抵抗　　　０．０１０Ω／口で上層を後で
焼付た（方法２）もの。

（４）第１図に示す構造で、 接続端子下層が ｐｔ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　６　　ｏ　　　ｖｏｔ　　％
Ｙ２Ｏ８−Ｚｒｏ２４　ｏｖｏｔ％ 焼成後の面積抵抗　　　０．２５Ω／口接続端子上層が Ｎｉ　　　　　　　　　　　９９　ｖ（０％ガラス　　
　　　　　　　Ｉ　ＶＯｔ％焼付後の面積抵抗　　　０
．０３Ω／口で方法２を用いたもの。

（５）第８図に示す構造で。

接続端子下層が Ｐｔ　　　　’　　　　　　　４５ＶＯｔ％Ｙ、０８−
　ｚｒｏ２５０　ｖａｔ　％Ａｔ、Ｏ８５ｖｏｔ％ 焼成後の面積抵抗　　１０１ＪＱ／口 接続端子上層が Ｐｔ　　　　　　　　　　　９５　ｖｏｔ％Ａｔ、０，
５　ＶＯ／％ 焼成後の面積抵抗　　　０．０１５　Ｑ　７口で方法１
を用いたもの。

（６）第８図に示す構造で、 接続端子下層が Ｐｔ　　　　　　　　　　　４０　ｖｏ１％Ａｔ、０３
　　　　　　　６０　ｖＯｔ％焼成捗焼成槽抵抗　　　
フＯＯＱ／ロ 接続端子上層が Ｐｔ　　　　　　　　　　　９５　ｖｏ１％”ｌ０１ｌ
　　　　　　　　　　５　ＶＯ４％焼成後の面積抵抗　
　　０．０１５Ｑ／口で方法ｌを用いたもの。

（７）第３図に示す構造で、 接続端子下層が Ｐｔ　、　　　　　　　　　　４　Ｏｖｏ１％Ａｔ２０
．　　　　　　　　６０　ＶＯｔ　％焼成後の面積抵抗
　　　ＷＯＯΩ／口 接続端子上層が Ｐｔ　　　　　　　　　　　９５　ＶＯ１％Ａ４２０３
５　ＶＯｔ％ 焼成後の面積抵抗　　　０．［＋１５０７口で、方法１
号用い、ざらに、接続端子上層の上面に、面抵抗が０．
０ＩＱ／口より小ぎくなる程度に１　ｐｍの厚どの金メ
ッキを施したもの。

そして、これら７種のセンサ素子（以下、（１）〜、（
７）で表わす）における接続端子部の耐久性を実験・に
より確めてみた。

ここで行った実験は、上記７種のセンサ素子（１）〜（
７）を、第５図のように組立て、２０　（１（１ｃ、６
気筒の自動車エンジンの排気筒に装着し、４００Ｏｒｐ
ｍの状態（排気ガス温か約Ｂｕｎ℃）で８０Ｏ゛時間の
連続使用を行うものである。

このような実験を行った後、各センサ素子の接続端子部
を点検した結果、全て、接続端子上層、下層ともに、剥
離や傷は生じていなかった。但し、各々若干の面積抵抗
の上昇が見られたが、性能に変化を与える程ではなかっ
た。

また、これに対して、比較のため、従来のような金属含
有量の多い膜を一層のみ塗着ざぜた構造のセンサ素子を
以下の如く４種ｆｆ１（８）〜（１１）作成し。

上記と同様の実験を行ってみた。

（８）接続端子部分が Ｎｉ　　　　　　　　　　　ｏ　９　ｖｏｔ％ガラス　
　　　　　　　　１　ｖｏｔ％焼成後の面積抵抗　　　
０．０１００／口で、センサ基体を先に焼成した後、焼
付けたものｂ（９）接続端子部分が、 Ｐｔ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　９
　　フ　ｖＯｔ　％ガラス　　　　　　　　　ａ　ｖａ
ｔ％焼成後の面積抵抗　　　０．０２０Ω／口で、セン
サ基体Ｐ先に焼成した後、焼付けたもの。

（転）接続端子部分が、 ｐｔ　　　　　　　　　　　ａ　ｏ　ｖｏｔ％Ｙ　Ｏ−
Ｚｒ０．　　　　　４０　ＶＯ／　％焼成後の面積抵抗
　　　ｏ、８６　Ｑ　７口で、センサ基体と同時に焼成
したもの。

但）接続端子部分が、 Ｒｈ　　　　　　　　　　１００　ＶＯＩ％焼成後の面
積抵抗　　　０．０１５０／口で、センサ基体と同時に
焼成したもの。

そして、これらの実験結果は、以下の如くである０ （８）・・・・・ａＯＯ時間で接続端子部分の剥離が生
じた０ （９）・・・・・５８０時間で接続端子部分の剥離が生
じた。

（至）・・・・・面抵抗がｏ、４２　Ｑ　７口に上昇し
、振動により導通不良となったり、導通が回復したりし
た。

（￥・・・・・面抵抗が０．１０Ｑ／口に上昇し、接続
端子部分の一部が剥離してさており、ざらに長時間の使
用で全面的剥離に至ると思われる。

このように、本発明の構造を用いた酸素センサは、その
接続端子部の強度が極めて強いことが判１・・明した。

また、゛以上の結果からまたぎらに種々検討したところ
、接！ｉ！端子下層は、セラミックス含有量が２０　ｖ
ａｔ％以上、より好ましくは、３５ＶＯｔ％以上とすれ
ば、半永久的に剥離を生じない程にｆｆｉ力１を強化で
きることが判明した。

逆に、接続端子上層のセラミックス含有量は、２０　Ｖ
ＯＩ％以下、より好ましくは３〜１５　ＶＯｔ％の範囲
とすれば、特にセンサ基体と一体焼成する場合には剥離
防止とともに、接触抵抗ご小さくす゛ることかできる。

ざらに、接続端子上層と下層は、同時焼成する方が、後
に焼付けるよりも強度が高くなる。

また、接続端子部分の合計厚ざは、１０　Ｐｍ以上、よ
つ好ましくは１５μｍ以上とすることで、接合強度、お
よび面積抵抗のうえで有利となる。

なお、接続端子部分は、上記各実施例のように、２層と
するのみならず、８層以上の積層構造としても良い。こ
の場合に、最下層よりも上層へ行く程、セラミックス含
有量を減少させるようにすれば、より効果的である。そ
の他の条件は、上記２層の場合と同様である。

また、接続端子部分は、平滑面状のみならず、例えば、
その上面に！！１部または凸部を設け、コネクタ碍子（
コネクタソケット）の傍触子の係合力を高めるようにし
ても良い。

ざらに、本発明は、上記酸素センサのみならず、その他
、セラミックスを基体として、その表面に導電性の接続
端子を設け、これにコネクタ碍子ッ）’ｉｖＣ合ざぜる
構造のセンサ、例えば、チタニア（Ｔｉｅ、　ｌを用い
た酸素センサや高温用の温度センサ等にも適用できる。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、本発明は、電気的接続端子
を多層構造とし、その最下層がセラミックスやガラスを
含むことで、セラミックスを主体とするセンサ基体との
付着力を強化することができ、電気的接続端子が、加熱
・冷却の繰返しや、コネクタソケットの接触子の摩擦等
により剥離することを防止できる。

また、最下層よりも上層は、最下層とは成分が異なり、
例えば、上層へ行く程金属導体の含有量が多くなるよう
にすれば、あるいは導電率の大きい金属導体を使用する
ようにすればコネクタソケットの接触子との間の接触抵
抗を低減ぎぜることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成を示す分解斜視凱 第２図は同実施例の接続端子部分を示す斜視図、第８図
は本発明の他の実施例の構成を示す分解ｌ斜視図、 第４図は同実施例の接続端子部分を示す斜視図。 第５図は酸素センサの全体構造を示す縦断面図、第６Ｆ
ｉＪは第５図中のコネクタ碍子の縦断面図Ｔ第７ＦＡの
コネクタ碍子の■−■断面図）、！！７図は第６図のコ
ネクタ碍子の■−■断面図、第８図は第６図のコネクタ
碍子の■−■断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、セラミックスを主体とするセンサ基体の一端部に設
   けられ、別体の電気的接続用のコネクタソケット内にセ
   ンサ基体の端部とともに挿入されて、該コネクタソケッ
   ト内の接触子に導通される電気的接続端子であつて、 該電気的接続端子は、２層以上の厚膜層又 は薄膜層を積層してなるとともに、 少なくともセンサ基体に接する最下層は、 セラミックスまたはガラスのうち少なくとも一方と金属
   導体との混合物からなることを特徴とするセラミックス
   を用いたセンサ素子の電気的接続端子。 ２、前記電気的接続端子は、前記最下層から上層へ行く
   程、金属導体の含有率がほぼ等しいかまたは高くなり、
   かつ少なくとも最上層は導電性を有する特許請求の範囲
   第１項記載のセラミックスを用いたセンサ素子の電気的
   接続端子。 ３、前記電気的接続端子に含有される金属導体が主とし
   て白金族金属、金、銀、銅、ニッケル、クロム、タング
   ステン、モリブデンのうち１種あるいは２種以上である
   特許請求の範囲第１項または第２項に記載のセラミック
   スを用いたセンサ素子の電気的接続端子。 ４、前記電気的接続端子は、前記最下層のセラミックス
   含有量が２０ｖｏｌ％以上で、かつ該最下層より上層の
   セラミックス含有量は２０ｖｏｌ％以下である特許請求
   の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載のセラミックス
   を用いたセンサ素子の電気的接続端子。 ５、前記電気的接続端子の少なくとも最下層は、該最下
   層を形成するためのペーストを未焼成のセンサ基体上に
   印刷により塗着した後に、センサ基体の焼結温度にて一
   体に焼成してなる特許請求の範囲第１項〜第４項のいず
   れかに記載のセラミックスを用いたセンサ素子の電気的
   接続端子。 ６、前記最下層と該最下層上の少なくとも一層は、これ
   らの層を形成するためのペーストを前記未焼成のセンサ
   基体上に印刷により積層塗着した後に、センサ基体の焼
   結温度にて一体に焼成してなる特許請求の範囲第５項記
   載のセラミックスを用いたセンサ素子の電気的接続端子
   。