JPS609210A - バンドギヤツプ回路 - Google Patents
バンドギヤツプ回路Info
- Publication number
- JPS609210A JPS609210A JP59120092A JP12009284A JPS609210A JP S609210 A JPS609210 A JP S609210A JP 59120092 A JP59120092 A JP 59120092A JP 12009284 A JP12009284 A JP 12009284A JP S609210 A JPS609210 A JP S609210A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- collector
- base
- resistor
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、第１トランジスタを有し、この第１トランジ
スタのベースは抵抗を介して当該第１トランジスタのコ
レクタと接続されており。
スタのベースは抵抗を介して当該第１トランジスタのコ
レクタと接続されており。
第２トランジスタを有し、この第、２トランジスタのベ
ースは第１トランジスタのコレクタに接続されており、
第３トランジスタを有し、この第３トランジスタのベー
スは第２トランジスタノコレクタに接続されており、そ
の際、３つの各トランジスタすべての各エミッタは給電
、源の一方の極と接続されでいるノ々ンドギャップ回路
に関する。
ースは第１トランジスタのコレクタに接続されており、
第３トランジスタを有し、この第３トランジスタのベー
スは第２トランジスタノコレクタに接続されており、そ
の際、３つの各トランジスタすべての各エミッタは給電
、源の一方の極と接続されでいるノ々ンドギャップ回路
に関する。
発明が解決しようとする問題点
本発明の課題は、後置接続された、またはフィードバッ
クループ内に挿入接続された増幅器のコストを低減し、
電流消費も少なくするために、約１．２５ Ｖの素子当
りのバンドギャップ電圧の整数倍のてい倍を可能にする
ノ々ンドギャソゾ回路を提供することにある。更に、安
定化された出力電圧、または所定の温度依存出力電圧を
取出せるようにすることにある。
クループ内に挿入接続された増幅器のコストを低減し、
電流消費も少なくするために、約１．２５ Ｖの素子当
りのバンドギャップ電圧の整数倍のてい倍を可能にする
ノ々ンドギャソゾ回路を提供することにある。更に、安
定化された出力電圧、または所定の温度依存出力電圧を
取出せるようにすることにある。
問題点を解決するための手段
この課題は、本発明によると、冒頭に述べた形式のバン
ドギャップ回路において、エミッタホロアとして接続し
た第４トランジスタを設け。
ドギャップ回路において、エミッタホロアとして接続し
た第４トランジスタを設け。
この第４トランジスタのベースを第３トラン・クスタの
コレクタと電流源とに接続し、第１抵抗を第１トランジ
スタのベースに前置接続し、Ｉ第２抵抗を第２トランジ
スタのコレクタに前置接続し、第４トランジスタのエミ
ッタと前置接続された抵抗の接続点との間に少なくとも
１つの抵抗と少なくとも１つのダイオ−Ｐとの直列回路
を挿入接続したことにより解決される。さらに本発明に
よればエミッタホロアとして接続した第４トランジスタ
を設け、該第４トランジスタノヘースを第３トランジス
タのコレクタト電流源とに接続し、第５トランジスタと
第６トランジスタとから成るカレントミラー回路を設置
ｔｊ、第５トランジスタのコレクタとベースならびに第
６トランジスタ（Ｔｓ）のベースを第１トランジスタの
ベースに接続し、第６トランジスタのコレクタを第２ト
ランジスタのコレクタに接続し、第５トランジスタのエ
ミッタと第６トランジスタのエミッタとの接続点と第４
トランジスタ（Ｔ４ ）のエミッタとの間に少なくとも
１つの抵抗を挿入接続したことにより解決される。
コレクタと電流源とに接続し、第１抵抗を第１トランジ
スタのベースに前置接続し、Ｉ第２抵抗を第２トランジ
スタのコレクタに前置接続し、第４トランジスタのエミ
ッタと前置接続された抵抗の接続点との間に少なくとも
１つの抵抗と少なくとも１つのダイオ−Ｐとの直列回路
を挿入接続したことにより解決される。さらに本発明に
よればエミッタホロアとして接続した第４トランジスタ
を設け、該第４トランジスタノヘースを第３トランジス
タのコレクタト電流源とに接続し、第５トランジスタと
第６トランジスタとから成るカレントミラー回路を設置
ｔｊ、第５トランジスタのコレクタとベースならびに第
６トランジスタ（Ｔｓ）のベースを第１トランジスタの
ベースに接続し、第６トランジスタのコレクタを第２ト
ランジスタのコレクタに接続し、第５トランジスタのエ
ミッタと第６トランジスタのエミッタとの接続点と第４
トランジスタ（Ｔ４ ）のエミッタとの間に少なくとも
１つの抵抗を挿入接続したことにより解決される。
実施例
第１図のノ々ンドギャップ回路は、第１トランジスタＴ
＋ 、第２トランジスタＴ２．第３トランジスタＴ３を
有している。第１トランジスタＴｌのベースは、抵抗Ｒ
３を介し℃この第１トランジスタＴＩのコレクタに接続
されている。
＋ 、第２トランジスタＴ２．第３トランジスタＴ３を
有している。第１トランジスタＴｌのベースは、抵抗Ｒ
３を介し℃この第１トランジスタＴＩのコレクタに接続
されている。
第２トランジスタＴ２のベースは、第１トランジスタＴ
Ｉのコレクタに接続されている。第３トランジスタＴ３
のベースは、第２トランジスタＴ２のコレクタに接続さ
れている。３つのトランジスタＴＩ、Ｔ２ 、Ｔｓすべ
での各エミッタは、給電源の一片の極と接続されている
。更に、第４トランジスタＴ４が設けられており、この
第４トランジスタＴ４は、エミッタホロアとじて接続さ
れている。第４トランジスタＴ４のペースは、第３トラ
ンジスタＴ３のコレクタと電流源■３とに接続されてい
る。第１抵抗Ｒ１は。
Ｉのコレクタに接続されている。第３トランジスタＴ３
のベースは、第２トランジスタＴ２のコレクタに接続さ
れている。３つのトランジスタＴＩ、Ｔ２ 、Ｔｓすべ
での各エミッタは、給電源の一片の極と接続されている
。更に、第４トランジスタＴ４が設けられており、この
第４トランジスタＴ４は、エミッタホロアとじて接続さ
れている。第４トランジスタＴ４のペースは、第３トラ
ンジスタＴ３のコレクタと電流源■３とに接続されてい
る。第１抵抗Ｒ１は。
第１トランジスタＴＩのき一スに前置接続されている。
第２抵抗Ｒ２は、第２トランジスタＴ２のコＶクタに前
置接続されている。出力電圧を整数倍にてい倍するため
に、第４トランジスタＴ４のエミッタと抵抗Ｒ１＋ Ｒ
２の接続点との間に、本発明によれば、ダイオードＤｚ
、Ｄ２と抵抗Ｒ４，Ｒ５との直列回路が挿入接続されて
いる。
置接続されている。出力電圧を整数倍にてい倍するため
に、第４トランジスタＴ４のエミッタと抵抗Ｒ１＋ Ｒ
２の接続点との間に、本発明によれば、ダイオードＤｚ
、Ｄ２と抵抗Ｒ４，Ｒ５との直列回路が挿入接続されて
いる。
各抵抗の総計値は、挿入接続した直列回路に対して温度
依存性が生じないように選定され℃いる。この直列回路
のタップから、比較的小さい値の安定出力電圧や特定の
温度依存性を持った出力電圧を取出すことができる。
依存性が生じないように選定され℃いる。この直列回路
のタップから、比較的小さい値の安定出力電圧や特定の
温度依存性を持った出力電圧を取出すことができる。
第２図の回路の場合、抵抗Ｒ１，Ｒ２の代りに、トラン
ジスタＴ５．Ｔ６を備えたカレントミラー回路が、トラ
ンジスタＴＩ、Ｔ２での所望の電流分配を得るために設
けられている。従って、抵抗Ｒ４を、トランジス゛りＴ
ｌ、Ｔ２の各電流の和が流れる。出力電圧Ｕｓは、トラ
ンジスタＴＩ。
ジスタＴ５．Ｔ６を備えたカレントミラー回路が、トラ
ンジスタＴＩ、Ｔ２での所望の電流分配を得るために設
けられている。従って、抵抗Ｒ４を、トランジス゛りＴ
ｌ、Ｔ２の各電流の和が流れる。出力電圧Ｕｓは、トラ
ンジスタＴＩ。
Ｔ５ならびに抵抗Ｒ４の各電圧降下から成る。
従って、抵抗Ｒ４の電圧降下は、２つのトランジスタダ
イオードの温度特性を補償する。トランジスタ１゛６の
４−スーエミソ名障壁層の障壁層面をトランジスタＴ５
のペース−エミッタ障壁層の障壁層面より大きく選定す
ると、抵抗比Ｒ４／ Ｒ３は小さくなる。
イオードの温度特性を補償する。トランジスタ１゛６の
４−スーエミソ名障壁層の障壁層面をトランジスタＴ５
のペース−エミッタ障壁層の障壁層面より大きく選定す
ると、抵抗比Ｒ４／ Ｒ３は小さくなる。
発明の効果
本発明のバンドギャップ回路によって、約１２５Ｖの素
子当りのバンドギャップ電圧の整数倍のてい倍が可能に
なす、その結果、比較的小さい値の安定出力電圧や特定
の温度依存性を持った出力電圧を取出すことができる。
子当りのバンドギャップ電圧の整数倍のてい倍が可能に
なす、その結果、比較的小さい値の安定出力電圧や特定
の温度依存性を持った出力電圧を取出すことができる。
第１図は、本発明のバンドギャップ回路の実施例を示す
図、第２図は、本発明の別の実施例を示す図である。 １３・ｅ電流源、Ｔ５．Ｔ６・・カレントミラー回路。
図、第２図は、本発明の別の実施例を示す図である。 １３・ｅ電流源、Ｔ５．Ｔ６・・カレントミラー回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、 第１トランジスタを有しており、該第１トランジ
スタのベースは抵抗を介して当該第１トランジスタのコ
レクタと接続されており。 第２トランジスタを有しており、該第２トランジスタの
ベースは第１トランジスタのコレクタに接続されており
、第３トランジスタを有しており、該第３トランジスタ
のベースは第２トランジスタのコレクタに接続されてお
り、その際、前記３つの各トランジスタすべての各エミ
ッタは給電源の一方の極と接続されているバンドギャッ
プ回路におい℃、エミフタホロアとして接続した第４ト
ランジスタ（Ｔ４）を設け、該第４トランジスタ（Ｔ４
）のベースを第３トランジスタ（Ｔａ）のコレクタと電
流源（工３）とに接続し、第１抵抗（Ｒ１）を第１トラ
ンジスタ（Ｔ１）のベースに前置接続し、第２抵抗（Ｒ
２）を第２トランジスタ（Ｔ２）のコレクタに前置接続
し、第４トランジスタ（Ｔ４）のエミッタと前置接続さ
れた前記各抵抗（Ｒ１，Ｒ２）の接続点との間に少なく
とも１つの抵抗（Ｒ４）と少なくとも１つのダイオード
（Ｄｔ）との直列回路を挿入接続したことを特徴とする
バンドギャップ回路。 ２ 第４トランジスタ（Ｔ４）のエミッタに設けた回路
出力側の他に、少なくとも１つの別の出力側をダイオー
ドと抵抗との直列回路からのタップとして取出した特許
請求の範囲第１項記載のバンドギャップ回路。 ３、 第１トランジスタを有しており、該第１トランジ
スタのベースは抵抗を介して当該第１トランジスタのコ
レクタと接続されており、第２トランジスタを有してお
り、該第２トランジスタのベースは第１トランジスタの
コレクタに接続されており、第３トランジスタを有して
おり、該第３トランジスタのベースは第２トランジスタ
のコレクタに接続されておリ、その際、前記３つの各ト
ランジスタすべての各エミッタは給電源の一方の極と接
続されているノζンドギャソゾ回路において、エミッタ
ホロアとして接続した第４トランジスタ（Ｔ４）を設け
、該第４トランジスタ（Ｔ４）のベ−，’、を第３トラ
ンジスタ（Ｔｓ、）のコレクタと電流源（工３）とに接
続し、第５トランジスタ（Ｔｓ）と第６トランジスタ（
Ｔｓ）とから成るカレントミラー回路を設け、第５トラ
ンジスタ（Ｔｓ）のコレクタとベースならびに第６のト
ランジスタのベースな第１トランジスタ（Ｔ＋）のベー
スに接続し、第６トランジスタ（Ｔｓ）のコレクタを第
２トランジスタ（Ｔ２ ）のコレクタに接続し、第５ト
ランジスタ（Ｔｓ ）ノエミソタと前記第６トランジス
タ（Ｔｓ ）のエミッタとの接続点と第４トランジスタ
（Ｔ４）のエミッタとの間に少なくとも１つの抵抗（Ｒ
４）を挿入接続したことを特徴とする・ζンドギャップ
回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE33215561 | 1983-06-15 | ||
| DE3321556A DE3321556A1 (de) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | Bandgap-schaltung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS609210A true JPS609210A (ja) | 1985-01-18 |
Family
ID=6201521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59120092A Pending JPS609210A (ja) | 1983-06-15 | 1984-06-13 | バンドギヤツプ回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4644257A (ja) |
| JP (1) | JPS609210A (ja) |
| DE (1) | DE3321556A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5822818A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-10 | Hitachi Zosen Corp | 焼却炉の側壁背面構造 |
| JPH01117449U (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-08 | ||
| JPH0534430U (ja) * | 1991-10-15 | 1993-05-07 | 株式会社プランテツク | ごみ焼却炉の側壁構造 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3610158A1 (de) * | 1986-03-26 | 1987-10-01 | Telefunken Electronic Gmbh | Referenzstromquelle |
| JP2595545B2 (ja) * | 1987-07-16 | 1997-04-02 | ソニー株式会社 | 定電圧回路 |
| NL8800851A (nl) * | 1988-04-05 | 1989-11-01 | Philips Nv | Halfgeleidergeheugeninrichting. |
| US5053640A (en) * | 1989-10-25 | 1991-10-01 | Silicon General, Inc. | Bandgap voltage reference circuit |
| JPH03179514A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-08-05 | Toshiba Corp | 定電圧回路 |
| US5206581A (en) * | 1989-11-02 | 1993-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Constant voltage circuit |
| DE4344447B4 (de) * | 1993-12-24 | 2009-04-02 | Atmel Germany Gmbh | Konstantstromquelle |
| JP5061830B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2012-10-31 | セイコーエプソン株式会社 | 温度センサ回路と温度補償型発振器 |
| EP3712739B1 (en) | 2019-03-22 | 2024-10-02 | NXP USA, Inc. | A voltage reference circuit |
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| JPS5489234A (en) * | 1977-12-16 | 1979-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage generating circuit |
| JPS56153417A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Nec Corp | Constant voltage circuit |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3579133A (en) * | 1969-01-29 | 1971-05-18 | Rca Corp | Signal translating stage |
| US3659121A (en) * | 1970-11-16 | 1972-04-25 | Motorola Inc | Constant current source |
| JPS4854460A (ja) * | 1971-11-11 | 1973-07-31 |
-
1983
- 1983-06-15 DE DE3321556A patent/DE3321556A1/de active Granted
-
1984
- 1984-06-13 JP JP59120092A patent/JPS609210A/ja active Pending
- 1984-06-14 US US06/620,492 patent/US4644257A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| JPH01117449U (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-08 | ||
| JPH0534430U (ja) * | 1991-10-15 | 1993-05-07 | 株式会社プランテツク | ごみ焼却炉の側壁構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3321556C2 (ja) | 1988-07-28 |
| US4644257A (en) | 1987-02-17 |
| DE3321556A1 (de) | 1984-12-20 |
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