JPS58976Y2 - トランジスタノバイアスカイロ - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はトランジスタのベース・エミッタ間立上り電圧
ＶＢＥの温度特性の変化を補償したトランジスタのバイ
アス回路に関する。

一般に温度補償を施したバイアス回路は、第１図に示す
様に分圧抵抗１．２及びダイオード群３゜４によってト
ランジスタ５のベースにバイアス電圧を与え、該トラン
ジスタ５のエミッタに接続したエミッタ抵抗６０両端か
ら安定化した電圧を導出していた。

斯る回路においてはダイオード群３゜４のダイオードの
個数ｎ１ｍと抵抗比の関係をに選べば、 トランジスタ５のエミッタ電圧ＶＥ となり、トランジスタ５のＶＢＥ （ダイオード群の各
ダイオードの順方向電圧Ｖｆに等しい）の影響は完全に
防止される。

ところが式（１）のｎｅｍは正の整数であるため、希望
する電圧（式（２）よりＲＩ ／′Ｒ２で定まる）によ
っては式（１）す満足するｎｔｍの値が非常に大きくな
ってしまい、事実上回路を実現することが不可能となる
場合があった。

そこで本考案は上記欠点を除いた新規なトランジスタの
バイアス回路を提供するもので、以下第２図に従って説
明する。

第２図において７は第１トランジスタ、８は第２トラン
ジスタ、９．１０゜１１．１２は分圧用の抵抗、１３は
エミッタの負荷抵抗、１４は出力端子を示し、トランジ
スタ７゜８の電流増幅率１１ＦＥが充分大であるとする
と、抵抗１２の端子電圧は第１トランジスタ７のＶＢＥ
に等しく、抵抗１１の端子電圧はそのＲ４／Ｒ３倍とな
る。

が成立する。

一方 上式に式（３）を代入する。

となり、従って ■＝ ”Ｊ １ ＶＢＥ が成立する。

式（４）において■がＶＢＥに依存しないためには、第
２項の分子がゼロであればよいから が成立すればよい。

この時 となり、ＶＢＢＯ２場合と同じ電圧が得られる。

更に条件式（５）は希望するＶＥを得る抵抗比Ｒ２／Ｒ
１が決まれば、Ｒ３，４４ｗそれに等しくとればよく、
完全にＶＢＥｉ補償した任意の電圧を抵抗比により構成
できる。

以上の通り本考案によれば上述の抵抗比によって任意の
電圧が得られると共に第１図の例に比べて、多数のダイ
オードが不要となり、集積回路（ＩＣ）化する場合でも
素子数が少くて済みコストダウンが図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は一般のトランジスタのバイアス回路、第２図は
本考案の同図路を示す。 主な図番の説明、７・・・・・・第１トランジスタ、８
・・・・・・第２トランジスタ、 ９．１０．１１ 、
１２・・・・・分圧抵抗・１３・・・・・・負荷抵抗。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 電源とアースとの間に直列接続された第１、第２、第３
   、及び第４の抵抗と、上記第３及び第４の抵抗の接続点
   がベースに接続されると共に上記第２及び第３の抵抗の
   接続点とアースとの間にコレクタ・エミッタが接続され
   た第１のトランジスタと、上記第１及び第２の抵抗の接
   続点がベースに接続されると共に上記電源とアースとの
   間にコレクタ・エミツタ路が挿入された第２のトランジ
   ノ、夕と、該第２のトランジスタのエミッタに接続され
   た負荷抵抗とより成り、上記第１、第２、第３、及び第
   ４の抵抗の値を各々Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４とすると
   き、 Ｒ３／Ｒ４＝Ｒ２／Ｒ１ に設定し、温度変化に対して安定化した直流電圧を上記
   負荷抵抗の両端より導出する事を特徴としたトランジス
   タのバイアス回路。