JPS5931081B2 - 基準電圧源回路 - Google Patents
基準電圧源回路Info
- Publication number
- JPS5931081B2 JPS5931081B2 JP9384176A JP9384176A JPS5931081B2 JP S5931081 B2 JPS5931081 B2 JP S5931081B2 JP 9384176 A JP9384176 A JP 9384176A JP 9384176 A JP9384176 A JP 9384176A JP S5931081 B2 JPS5931081 B2 JP S5931081B2
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- Japan
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- resistor
- resistors
- reference voltage
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- transistors
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度変化に対して安定な出力電圧を発生する集
積化基準電圧源回路に関するものである。
積化基準電圧源回路に関するものである。
今日、ディジタル、アナログ変換器等に温度依存性の小
さな安定な基準電圧源が要求されている。この様な基準
電圧源を得るために従来はツェナーダイオードの正の温
度特性とトランジスタの順方向電圧の負の温度係数を補
償する方法が取られた。この方法はツェナーダイオード
の製造上のバラツキが大きく温度ドリフト値を±５０Ｐ
ＰＭ／℃以下となる様制御する事が非常に難しい事及び
ツェナーダイオードの長期ドリフトが大きい事及び雑音
特性が悪いという欠点を持つていた。又、別の手段とし
てシリコンエネルギーバンドギャップ基準電圧源がある
。従来はこの基準電圧源回路をモノリシック集積化する
際にはモノリシック拡散抵抗器の製造上のバラツキ及び
トランジスタのベース・エミッタ接合電圧のバラツキが
有り、このためシリコンバンドギャップ電圧発生回路の
出力電圧がバラツキ、よつて温度係数も比較的バラツキ
が大きく±５０ＰＰＭ／℃以下に制御する事は困難であ
つた。このため抵抗器として薄膜抵抗を用い、この抵抗
値をレーザートリミング等の方法により精密に調整して
出力電圧を調整し温度係数を小さくしていた。かかる方
法は製造コストを著しく増加させるものであつて得策と
はいえない。本発明の目的はモノリシック集積回路に適
した基準電圧源を提供するものである。本発明の他の目
的はモノリシック拡散抵抗のバラツキを保償し、温度ド
リフトの小さい基準電圧源を提供するものである。
さな安定な基準電圧源が要求されている。この様な基準
電圧源を得るために従来はツェナーダイオードの正の温
度特性とトランジスタの順方向電圧の負の温度係数を補
償する方法が取られた。この方法はツェナーダイオード
の製造上のバラツキが大きく温度ドリフト値を±５０Ｐ
ＰＭ／℃以下となる様制御する事が非常に難しい事及び
ツェナーダイオードの長期ドリフトが大きい事及び雑音
特性が悪いという欠点を持つていた。又、別の手段とし
てシリコンエネルギーバンドギャップ基準電圧源がある
。従来はこの基準電圧源回路をモノリシック集積化する
際にはモノリシック拡散抵抗器の製造上のバラツキ及び
トランジスタのベース・エミッタ接合電圧のバラツキが
有り、このためシリコンバンドギャップ電圧発生回路の
出力電圧がバラツキ、よつて温度係数も比較的バラツキ
が大きく±５０ＰＰＭ／℃以下に制御する事は困難であ
つた。このため抵抗器として薄膜抵抗を用い、この抵抗
値をレーザートリミング等の方法により精密に調整して
出力電圧を調整し温度係数を小さくしていた。かかる方
法は製造コストを著しく増加させるものであつて得策と
はいえない。本発明の目的はモノリシック集積回路に適
した基準電圧源を提供するものである。本発明の他の目
的はモノリシック拡散抵抗のバラツキを保償し、温度ド
リフトの小さい基準電圧源を提供するものである。
本発明の更に他の目的は、Ｄ−Ａ（ディジタル−アナロ
グ）変換器に適した基準電圧源を提供するものである。
グ）変換器に適した基準電圧源を提供するものである。
本発明の基準電圧源は、１対のトランジスタのベース・
エミッタ順方向接合電圧（以下ＶＢＥと称す）の差の電
圧（以下△ＶＢＥと称す）又は△ＶＢＥの定数倍の電圧
とＶＢＥとの和を出力基準電圧として発生し、この出力
基準電圧がＯ°にのときのシリコンエネルギーバンドギ
ャップ電圧（以下ＶＧＯと称す）と等しくなる如く構成
されたいわゆるシリコンエネルギーバンドギヤツプ基準
電圧源回路を対象としたもので、かかる基準電圧源回路
の１対のトランジスタのコレクタ電流を別に設けた可変
抵抗器等のコレクタ電流調整用抵抗により調整し、よつ
て出力電圧を一定値に調節することによつて、モノリシ
ツク拡散抵抗のバラツキ及びＶＢＥのバラツキを補償し
、その結果温度ドリフトをも一定値以下の小さな値に制
御できることを特徴としている。
エミッタ順方向接合電圧（以下ＶＢＥと称す）の差の電
圧（以下△ＶＢＥと称す）又は△ＶＢＥの定数倍の電圧
とＶＢＥとの和を出力基準電圧として発生し、この出力
基準電圧がＯ°にのときのシリコンエネルギーバンドギ
ャップ電圧（以下ＶＧＯと称す）と等しくなる如く構成
されたいわゆるシリコンエネルギーバンドギヤツプ基準
電圧源回路を対象としたもので、かかる基準電圧源回路
の１対のトランジスタのコレクタ電流を別に設けた可変
抵抗器等のコレクタ電流調整用抵抗により調整し、よつ
て出力電圧を一定値に調節することによつて、モノリシ
ツク拡散抵抗のバラツキ及びＶＢＥのバラツキを補償し
、その結果温度ドリフトをも一定値以下の小さな値に制
御できることを特徴としている。
以下本発明の目的、特徴及び利点をよりよく理解するた
めに、図面を参照して説明する。
めに、図面を参照して説明する。
第１図は一般に用いられているシリコンエネルギーバン
ドギャツプ基準電圧源回路であり、「ＡＳｉｍｐｌｅＴ
ｈｒｅｅＴｅｒｎｌｌｎａｌＩＣＢａｎｄＧａｐＲｅｆ
ｅｒｅｎｃｅ」Ａ．Ｐ．ＢｒＯｋａｗ．．ＩＥＥＥＪＯ
ｕｒｎａｌＳＯｌｌｄ−ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．
．ＶＯｌ、ＳＣ−９、ｆ）．９、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ、１
９７４に詳細に述べられている。
ドギャツプ基準電圧源回路であり、「ＡＳｉｍｐｌｅＴ
ｈｒｅｅＴｅｒｎｌｌｎａｌＩＣＢａｎｄＧａｐＲｅｆ
ｅｒｅｎｃｅ」Ａ．Ｐ．ＢｒＯｋａｗ．．ＩＥＥＥＪＯ
ｕｒｎａｌＳＯｌｌｄ−ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．
．ＶＯｌ、ＳＣ−９、ｆ）．９、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ、１
９７４に詳細に述べられている。
図において、１対のＮＰＮトランジスタＴｒｌとＴｒ２
のベースは共通接続され差動増幅器１の出力３の電圧が
帰還されている。これらトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２の
各コレクタはそれぞれ差動増幅器１の和入力及び差入力
となつている。更にトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２の各コ
レクタは負荷抵抗Ｒ３，Ｒ４を介してそれぞれ電源の正
側２に接続されている。トランジスタＴｒｌのエミツタ
は抵抗Ｒ１及びＲ２を介して電源の負側４に接続され抵
抗Ｒ１とＲ２の接続点にトランジスタＴｒ２のエミツタ
が接続されている。かかる構成によりトランジスタＴｒ
２のＶＢＥと、抵抗Ｒ１の両端にかかるトランジスタＴ
ｒｌとＴｒ２のＶＢＥの差すなわち△ＶＢＥの定数倍の
電圧との和が出力端子３に発生され、この出力電圧がシ
リコンバンドギヤツプ電圧（ＶＧＯ）に選ばれ発生され
て、温度に対し安定な出力基準電圧が得られるものであ
る。
のベースは共通接続され差動増幅器１の出力３の電圧が
帰還されている。これらトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２の
各コレクタはそれぞれ差動増幅器１の和入力及び差入力
となつている。更にトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２の各コ
レクタは負荷抵抗Ｒ３，Ｒ４を介してそれぞれ電源の正
側２に接続されている。トランジスタＴｒｌのエミツタ
は抵抗Ｒ１及びＲ２を介して電源の負側４に接続され抵
抗Ｒ１とＲ２の接続点にトランジスタＴｒ２のエミツタ
が接続されている。かかる構成によりトランジスタＴｒ
２のＶＢＥと、抵抗Ｒ１の両端にかかるトランジスタＴ
ｒｌとＴｒ２のＶＢＥの差すなわち△ＶＢＥの定数倍の
電圧との和が出力端子３に発生され、この出力電圧がシ
リコンバンドギヤツプ電圧（ＶＧＯ）に選ばれ発生され
て、温度に対し安定な出力基準電圧が得られるものであ
る。
この場合の出力電圧ＶＯＵＴは次式にて示され、負荷抵
抗Ｒ３とＲ４の値は等しいものとしている。Ｒ ｖＯ［］Ｔ−ＶＢＥ（Ｔｒ２）＋２゜」△ＶＢＥ゜゜゜
゜゛゜（１）Ｒ２（１）式において、更に△ＶＢＥは下
式の如く表わされる。
抗Ｒ３とＲ４の値は等しいものとしている。Ｒ ｖＯ［］Ｔ−ＶＢＥ（Ｔｒ２）＋２゜」△ＶＢＥ゜゜゜
゜゛゜（１）Ｒ２（１）式において、更に△ＶＢＥは下
式の如く表わされる。
△ＶＢＥ−（ＫＴ／ｑ）．１ｎ（Ｉｓｌ／Ｉｓ２・１２
／１１）・・・・・・（２）（２）式においてＫはボル
ツマン定数、ｑは単位電荷、Ｔは絶対温度、ＩＳｌ，Ｉ
Ｓ２はトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２のコレクタ電流をそ
れぞれ示す。
／１１）・・・・・・（２）（２）式においてＫはボル
ツマン定数、ｑは単位電荷、Ｔは絶対温度、ＩＳｌ，Ｉ
Ｓ２はトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２のコレクタ電流をそ
れぞれ示す。
上記（１）、（２）式で示されるＶＯＵＴがシリコンバ
ンドギャツプ電圧（１）÷１．２０５Ｖに等しくなる様
構成する。この出力電圧はモノリシツク拡散抵抗で構成
された抵抗Ｒ１〜Ｒ４の製造上のバラツキ及びトランジ
スタＴｒｌ，Ｔｒ２のベース・エミツタ接合電圧のバラ
ツキにより変化し、その結果温度係数も前述の如く±５
０ＰＰＭ／℃を越え実用的ではない。第２図は本発明の
構成を示す図であり、図において、第１図と同等部分は
同一符号をもつて示す。第１図と異なる部分は、トラン
ジスタＴｒｌ，Ｔｒ２のコレクタ負荷抵抗の部分である
。すなわちトランジスタＴｒｌのコレクタは抵抗Ｒ７及
びＲ５を介して任意のバイアス点１１に接続され、トラ
ンジスタＴｒ２のコレクタは抵抗Ｒ８及びＲ６を介して
同様にバイアス点１１に接続されている。このバイアス
点１１は差動増幅器１の出力３であつても良く、又差動
増幅器１の出力がレベルシフトされた電位点でも良く、
又電源の正側２であつても良い。このバイアス点が電源
の正側２及び出力端子３以外の独立なバイアス点にある
場合が図示してあり、このバイアス点を端子１２として
取り出している。又、抵抗Ｒ７，Ｒ５の接続点５は端子
７として取り出され、抵抗Ｒ８，Ｒ６の接続点６は別の
端子８として取り出される。以上の構成になる部分１０
が本発明を構成する基準電圧源回路のうち集積化可能な
部分回路である。さらに端子７，８及び１２に接続する
可変抵抗器を付加しトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２のコレ
クタ電流を調整し、よつて出力電圧をＶＧＯに調整する
事によつてモノリシツク拡散抵抗のバラツキ及びＶＢＥ
のバラツキを補償し、その結果、出力端子３に現われる
出力電圧の温度ドリフトをも一定値以下の小さな値に制
御出来る基準電圧源回路の構成及びその手段が本発明の
第２の要点である。
ンドギャツプ電圧（１）÷１．２０５Ｖに等しくなる様
構成する。この出力電圧はモノリシツク拡散抵抗で構成
された抵抗Ｒ１〜Ｒ４の製造上のバラツキ及びトランジ
スタＴｒｌ，Ｔｒ２のベース・エミツタ接合電圧のバラ
ツキにより変化し、その結果温度係数も前述の如く±５
０ＰＰＭ／℃を越え実用的ではない。第２図は本発明の
構成を示す図であり、図において、第１図と同等部分は
同一符号をもつて示す。第１図と異なる部分は、トラン
ジスタＴｒｌ，Ｔｒ２のコレクタ負荷抵抗の部分である
。すなわちトランジスタＴｒｌのコレクタは抵抗Ｒ７及
びＲ５を介して任意のバイアス点１１に接続され、トラ
ンジスタＴｒ２のコレクタは抵抗Ｒ８及びＲ６を介して
同様にバイアス点１１に接続されている。このバイアス
点１１は差動増幅器１の出力３であつても良く、又差動
増幅器１の出力がレベルシフトされた電位点でも良く、
又電源の正側２であつても良い。このバイアス点が電源
の正側２及び出力端子３以外の独立なバイアス点にある
場合が図示してあり、このバイアス点を端子１２として
取り出している。又、抵抗Ｒ７，Ｒ５の接続点５は端子
７として取り出され、抵抗Ｒ８，Ｒ６の接続点６は別の
端子８として取り出される。以上の構成になる部分１０
が本発明を構成する基準電圧源回路のうち集積化可能な
部分回路である。さらに端子７，８及び１２に接続する
可変抵抗器を付加しトランジスタＴｒｌ，Ｔｒ２のコレ
クタ電流を調整し、よつて出力電圧をＶＧＯに調整する
事によつてモノリシツク拡散抵抗のバラツキ及びＶＢＥ
のバラツキを補償し、その結果、出力端子３に現われる
出力電圧の温度ドリフトをも一定値以下の小さな値に制
御出来る基準電圧源回路の構成及びその手段が本発明の
第２の要点である。
次に第２図の回路動作の説明及び出力電圧の温度変化を
一定値以下の小さな値に調節出来る機構について説明す
る。第２図に於いて端子３に現われる出力電圧ＶＯＵＴ
は（３）式において工，，１２は各々Ｔｒｌ，Ｔｒ２の
コレクタ電流Ｉｓｌ，Ｉｓ２は各々Ｔｒｌ，Ｔｒ２の飽
和電流、ＲＬ，−Ｒ，＋（Ｒ，／Ｒｘ）、ＲＬ２＝Ｒ８
＋（Ｒ６／ＲＹ）、Ｒｘは外付可変抵抗Ｒの端子１，１
２間の値、 ※ＲＹは外付可変抵抗Ｒの端子８，１２間
の値をそれぞれ示す。
一定値以下の小さな値に調節出来る機構について説明す
る。第２図に於いて端子３に現われる出力電圧ＶＯＵＴ
は（３）式において工，，１２は各々Ｔｒｌ，Ｔｒ２の
コレクタ電流Ｉｓｌ，Ｉｓ２は各々Ｔｒｌ，Ｔｒ２の飽
和電流、ＲＬ，−Ｒ，＋（Ｒ，／Ｒｘ）、ＲＬ２＝Ｒ８
＋（Ｒ６／ＲＹ）、Ｒｘは外付可変抵抗Ｒの端子１，１
２間の値、 ※ＲＹは外付可変抵抗Ｒの端子８，１２間
の値をそれぞれ示す。
又記号１１は並列抵抗値を意味する。又、温度ＴＯの時
のトランジスタの順方向接合電圧をＶＢＥ（ＴＯ）とす
ると（４）式を（３）式に代入して、又Ｔ＝ＴＯでＡｖ
ＯＵＴ／θＴ＝０になる条件を代入して整理すると次式
が得られる。
のトランジスタの順方向接合電圧をＶＢＥ（ＴＯ）とす
ると（４）式を（３）式に代入して、又Ｔ＝ＴＯでＡｖ
ＯＵＴ／θＴ＝０になる条件を代入して整理すると次式
が得られる。
（５）式において△Ｔ＝Ｔ−ＴＯとおいて整理すると次
式を得る。
式を得る。
（４）、（５）、（６）式において、ηはデバイス定数
、Ａは定数係数、Ｆ（ Ｒｘ，．ＲＹ）はＲｘ，ＲＹに
依存した関数、θはＲ７，Ｒ８，Ｒ５，Ｒ６、と付加す
る可変抵抗器Ｒとの温度係数の差である。
、Ａは定数係数、Ｆ（ Ｒｘ，．ＲＹ）はＲｘ，ＲＹに
依存した関数、θはＲ７，Ｒ８，Ｒ５，Ｒ６、と付加す
る可変抵抗器Ｒとの温度係数の差である。
（６）式の第３項が可変抵抗器Ｒを付加した事による付
加的な温度ドリフトの項である。この付加温度ドリフト
の値はＡ，Ｒ，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ５，Ｒ６に適切な値を選
ぷ事によつて±５ＰＰＭ／℃以内の温度ドリフト値に抑
える事が出来る。ところで可変抵抗器Ｒを調整して（３
）式で決まる誤差検出アンプ１の出力電圧を常温、すな
わちＴ＝ＴＯで（６）式の第１項と等しくすると、その
温度ドリフトは（６）式の第２項第３項とから決まり、
この値はＴＯ±３０℃以内で±１０ＰＰＭ／℃以内に入
る。以上説明した通り、誤差検出アンプの出力ＶＯＵＴ
を（４）式で決まる一定値に、付加可変抵抗を調節して
合わせる事により約±ＩＯＰＰＭ／℃以下の低い温度ド
リフトの値を持つ基準電圧源回路を構成する事が出来る
。以上詳述した如く、本発明による基準電圧源回路を用
いることにより、温度係数の小さな出力電圧を得ること
ができるので、Ｄ−Ａ変換器に適した基準電圧発生回路
となり、又抵抗値のトリミング等の面倒な調整が不要と
なるので、モノリシツクＩＣ化が簡単に可能となる。第
３は本発明の基準電圧源回路の実施例である。第２図と
の共通部分については同一番号が付けてある。第３図の
実施例では抵抗器Ｒ，，Ｒ６の共通接続点は差動増幅器
の出力すなわち出力端子３に接続されて出力電圧によつ
てバイアスされている。又トランジスタＴｒ，，Ｔｒ２
の共通ベース接続点が前記基準電圧値すなわちＶＧＯと
等しい時、この電圧の任意の定数倍の基準電圧出力を得
るために前記共通ベース接続点への差動増幅器の出力か
らの帰還量はＲＩＯ／ＲｌＯ＋Ｒ９に減少させている。
加的な温度ドリフトの項である。この付加温度ドリフト
の値はＡ，Ｒ，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ５，Ｒ６に適切な値を選
ぷ事によつて±５ＰＰＭ／℃以内の温度ドリフト値に抑
える事が出来る。ところで可変抵抗器Ｒを調整して（３
）式で決まる誤差検出アンプ１の出力電圧を常温、すな
わちＴ＝ＴＯで（６）式の第１項と等しくすると、その
温度ドリフトは（６）式の第２項第３項とから決まり、
この値はＴＯ±３０℃以内で±１０ＰＰＭ／℃以内に入
る。以上説明した通り、誤差検出アンプの出力ＶＯＵＴ
を（４）式で決まる一定値に、付加可変抵抗を調節して
合わせる事により約±ＩＯＰＰＭ／℃以下の低い温度ド
リフトの値を持つ基準電圧源回路を構成する事が出来る
。以上詳述した如く、本発明による基準電圧源回路を用
いることにより、温度係数の小さな出力電圧を得ること
ができるので、Ｄ−Ａ変換器に適した基準電圧発生回路
となり、又抵抗値のトリミング等の面倒な調整が不要と
なるので、モノリシツクＩＣ化が簡単に可能となる。第
３は本発明の基準電圧源回路の実施例である。第２図と
の共通部分については同一番号が付けてある。第３図の
実施例では抵抗器Ｒ，，Ｒ６の共通接続点は差動増幅器
の出力すなわち出力端子３に接続されて出力電圧によつ
てバイアスされている。又トランジスタＴｒ，，Ｔｒ２
の共通ベース接続点が前記基準電圧値すなわちＶＧＯと
等しい時、この電圧の任意の定数倍の基準電圧出力を得
るために前記共通ベース接続点への差動増幅器の出力か
らの帰還量はＲＩＯ／ＲｌＯ＋Ｒ９に減少させている。
よつて共通ベース電位を今ＶＢとすると、端子３に現わ
れる出力電圧ＶＯＵＴはＶＯＵＴ＝となり抵抗Ｒ９，Ｒ
ＩＯにより任 意の出力電圧を得る事が出来る。
れる出力電圧ＶＯＵＴはＶＯＵＴ＝となり抵抗Ｒ９，Ｒ
ＩＯにより任 意の出力電圧を得る事が出来る。
この時もＶＯＵＴ＝”゜”“”’””・ ＶＧＯへ出力
電圧Ｒ，ハを調整する操作によつて前記と同等の安定な
基準電圧回路が構成される。
電圧Ｒ，ハを調整する操作によつて前記と同等の安定な
基準電圧回路が構成される。
本実施例によれば可変抵抗Ｒはその調整が容易なように
チツプに外付け可能になつており、かつこの可変抵抗お
よび差動増幅器の入力側の抵抗Ｒ５，Ｒ６へは温度変動
による電圧変動が抑えられた差動増幅器の出力がバイア
ス電圧として印加されているので、温度依存性のない非
常に安定したバイアスを与えることができ、優れた基準
電圧特性が得られる。
チツプに外付け可能になつており、かつこの可変抵抗お
よび差動増幅器の入力側の抵抗Ｒ５，Ｒ６へは温度変動
による電圧変動が抑えられた差動増幅器の出力がバイア
ス電圧として印加されているので、温度依存性のない非
常に安定したバイアスを与えることができ、優れた基準
電圧特性が得られる。
第１図は、従来の基準電圧源回路図、第２図は本発明の
一実施例を示す図、第３図は本発明の他の実施例を示す
図。 図において、１は差動増巾器、５，６は抵抗接続点、Ｔ
ｒｌ，Ｔｒ２はトランジスタ、Ｒ１〜ＲｌＯは抵抗、Ｒ
は可変抵抗を示す。
一実施例を示す図、第３図は本発明の他の実施例を示す
図。 図において、１は差動増巾器、５，６は抵抗接続点、Ｔ
ｒｌ，Ｔｒ２はトランジスタ、Ｒ１〜ＲｌＯは抵抗、Ｒ
は可変抵抗を示す。
Claims (1)
- １ 差動増幅器と、該差動増幅器の出力がベース共通接
続点に接続された一対のトランジスタを含み、該トラン
ジスタのコレクタがそれぞれ該差動増幅器の差動入力端
に接続され、該１対のトランジスタのエミッタ間に第１
の抵抗が接続され、該１対のトランジスタの一方のエミ
ッタと接地端子間に第２の抵抗が接続され、前記１対の
トランジスタの両コレクタにそれぞれ第３、第４の抵抗
及び第５、第６の抵抗を直列接続し、前記第３、第４の
抵抗の接続点及び前記第５、第６の抵抗の接続点が第１
、第２の外部端子となり、前記第４、第６の抵抗の他端
に前記差動増幅器の出力が与えられ、前記差動増幅器、
前記１対のトランジスタ、前記第１乃至第６の抵抗は夫
々同一半導体チップ上に形成され、前記第１、第２の外
部端子間に調整用抵抗が接続され、この調整用抵抗に前
記差動増幅器の出力が印加されることを特徴とする基準
電圧源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384176A JPS5931081B2 (ja) | 1976-08-05 | 1976-08-05 | 基準電圧源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384176A JPS5931081B2 (ja) | 1976-08-05 | 1976-08-05 | 基準電圧源回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5319546A JPS5319546A (en) | 1978-02-22 |
| JPS5931081B2 true JPS5931081B2 (ja) | 1984-07-31 |
Family
ID=14093611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9384176A Expired JPS5931081B2 (ja) | 1976-08-05 | 1976-08-05 | 基準電圧源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931081B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4250445A (en) * | 1979-01-17 | 1981-02-10 | Analog Devices, Incorporated | Band-gap voltage reference with curvature correction |
| US4263519A (en) * | 1979-06-28 | 1981-04-21 | Rca Corporation | Bandgap reference |
| US4317054A (en) * | 1980-02-07 | 1982-02-23 | Mostek Corporation | Bandgap voltage reference employing sub-surface current using a standard CMOS process |
| JPS60191319A (ja) * | 1984-03-13 | 1985-09-28 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 定電圧回路 |
| JPH0561558A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-03-12 | Sharp Corp | 基準電圧発生回路 |
-
1976
- 1976-08-05 JP JP9384176A patent/JPS5931081B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5319546A (en) | 1978-02-22 |
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