JPH0656571B2 - 温度補償付電圧基準回路 - Google Patents
温度補償付電圧基準回路Info
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- JPH0656571B2 JPH0656571B2 JP59281957A JP28195784A JPH0656571B2 JP H0656571 B2 JPH0656571 B2 JP H0656571B2 JP 59281957 A JP59281957 A JP 59281957A JP 28195784 A JP28195784 A JP 28195784A JP H0656571 B2 JPH0656571 B2 JP H0656571B2
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/30—Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities
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- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
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Description
【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、電圧基準回路に関し、更に詳細には、所定の
態様で温度に従つて変化する出力電圧によつて特徴づけ
られる電圧基準回路であつて、自然な温度変化に対し基
準出力を相補的に調節する補償サブ回路を含み、基準電
圧の正味の温度変化を減少させる電圧基準回路に関す
る。
態様で温度に従つて変化する出力電圧によつて特徴づけ
られる電圧基準回路であつて、自然な温度変化に対し基
準出力を相補的に調節する補償サブ回路を含み、基準電
圧の正味の温度変化を減少させる電圧基準回路に関す
る。
(従来技術) 電圧基準回路は、入力電圧,出力電流又は温度の変化に
かかわりなく出力電圧を実質的に一定にする必要があ
る。その電圧基準回路は各種の装置、例えば、デイジタ
ル−アナログ変換器,電源,冷接点(cold junction)
サーミスタ補償回路,アナログ−デイジタル変換器,パ
ネル・メータ,較正用標準装置,高精度電流源及び制御
設定点回路に使用される。
かかわりなく出力電圧を実質的に一定にする必要があ
る。その電圧基準回路は各種の装置、例えば、デイジタ
ル−アナログ変換器,電源,冷接点(cold junction)
サーミスタ補償回路,アナログ−デイジタル変換器,パ
ネル・メータ,較正用標準装置,高精度電流源及び制御
設定点回路に使用される。
近年の電圧基準回路は、一般に、ツエナーダイオード又
はバンドギヤツプ発生電圧に基づいている。ツエナーダ
イオード装置は電力消費が大きいこと、及び雑音特性が
良くないことが特徴である。一方、バンドギヤツプ電圧
基準装置は、負及び正の温度係数の一対の電圧を加算す
ることによつて温度変化に対し一定の出力電圧を供給す
るように設計される。負の温度係数の電圧はトランジス
タのベース・エミツタ接合から得られ、正の温度係数の
電圧は異なる電流密度で動作する2つのトランジスタの
ベース・エミツタ電圧の差から得られる。その差電圧は
増幅され、第1のトランジスタのベース・エミツタ電圧
に加えられるとき、加算値が1.23ボルトに等しいと
非常に小さな温度係数の電圧レベルとなる。、その1.
23ボルト・レベルは増幅され、典型的には5.0乃至
10.0ボルトの安定した出力電圧が供給される。
はバンドギヤツプ発生電圧に基づいている。ツエナーダ
イオード装置は電力消費が大きいこと、及び雑音特性が
良くないことが特徴である。一方、バンドギヤツプ電圧
基準装置は、負及び正の温度係数の一対の電圧を加算す
ることによつて温度変化に対し一定の出力電圧を供給す
るように設計される。負の温度係数の電圧はトランジス
タのベース・エミツタ接合から得られ、正の温度係数の
電圧は異なる電流密度で動作する2つのトランジスタの
ベース・エミツタ電圧の差から得られる。その差電圧は
増幅され、第1のトランジスタのベース・エミツタ電圧
に加えられるとき、加算値が1.23ボルトに等しいと
非常に小さな温度係数の電圧レベルとなる。、その1.
23ボルト・レベルは増幅され、典型的には5.0乃至
10.0ボルトの安定した出力電圧が供給される。
現在入手可能なバンドギヤツプ電圧基準装置は、残念な
がら温度に対し完全に不変動ではなく、ある場合には温
度による変化が許容レベルを超えてしまう。温度による
電圧変動を均衡化させるように発達してきた従来の回路
の一例を第1図に示す。これは1982年IEEE Interna
tional Solid State Circuits Conference Digestの第
296頁、G.McGlinchey著「A Monolithic12b 3us
ADC」の第4図を簡略化したものである。この回路は、
出力基準電圧の温度依存性を著しく減少させる温度補償
部を有する。しかし、この回路は正及び負電圧源の両方
を必要とする。ところが、独立型の電圧基準は通常正電
圧源のみを必要とする。従つて、ユーザーは負電圧源を
設けなければならず、それによつてコストが高くなり、
装置の複雑さも増すことになる。更に、この従来回路
は、製造変動(processing variations)を補償する適
当なメカニズムがなく、この製造変動が温度依存性をも
たらす。
がら温度に対し完全に不変動ではなく、ある場合には温
度による変化が許容レベルを超えてしまう。温度による
電圧変動を均衡化させるように発達してきた従来の回路
の一例を第1図に示す。これは1982年IEEE Interna
tional Solid State Circuits Conference Digestの第
296頁、G.McGlinchey著「A Monolithic12b 3us
ADC」の第4図を簡略化したものである。この回路は、
出力基準電圧の温度依存性を著しく減少させる温度補償
部を有する。しかし、この回路は正及び負電圧源の両方
を必要とする。ところが、独立型の電圧基準は通常正電
圧源のみを必要とする。従つて、ユーザーは負電圧源を
設けなければならず、それによつてコストが高くなり、
装置の複雑さも増すことになる。更に、この従来回路
は、製造変動(processing variations)を補償する適
当なメカニズムがなく、この製造変動が温度依存性をも
たらす。
第1図において、バンドギヤツプ電圧基準回路2は点線
の中に示されている。この回路は、出力増幅器4,正及
び負入力を増幅器に供給する抵抗−トランジスタ回路網
6,正電圧源端子8,そして増幅器4の出力とグランド
との間に直列に接続される抵抗R1及びR2から成る出
力インピーダンス回路を含む。R1とR2の接続点は基
準回路のトランジスタのためのバイアス点として作用す
る。
の中に示されている。この回路は、出力増幅器4,正及
び負入力を増幅器に供給する抵抗−トランジスタ回路網
6,正電圧源端子8,そして増幅器4の出力とグランド
との間に直列に接続される抵抗R1及びR2から成る出
力インピーダンス回路を含む。R1とR2の接続点は基
準回路のトランジスタのためのバイアス点として作用す
る。
増幅器4の出力の基準電圧は、一対の電流源I1及びI
2に電力を供給し、その電流源はダイオード接続された
トランジスタT1及びT2を夫々介してグランドに接続
される。I1の大きさは一定の値Ic、典型的には60
マイクロアンペアに設定される。I2の大きさはT/Toの
I1倍に等しくされる(ここで、Tは絶対温度でToは
基準温度、典型的には25℃である)。McGlincheyの論
文にはI1及びI2を確立するのに使用することのでき
る回路が示されている。T1及びT2のベースは差動入
力をトランジスタT3及びT4から成る差動増幅器に供
給し、トランジスタT3及びT4のエミツタは一緒に接
続される。電流源I3は、負電圧供給源端子10に接続
され、差動増幅器トランジスタを通して電流を流す。
2に電力を供給し、その電流源はダイオード接続された
トランジスタT1及びT2を夫々介してグランドに接続
される。I1の大きさは一定の値Ic、典型的には60
マイクロアンペアに設定される。I2の大きさはT/Toの
I1倍に等しくされる(ここで、Tは絶対温度でToは
基準温度、典型的には25℃である)。McGlincheyの論
文にはI1及びI2を確立するのに使用することのでき
る回路が示されている。T1及びT2のベースは差動入
力をトランジスタT3及びT4から成る差動増幅器に供
給し、トランジスタT3及びT4のエミツタは一緒に接
続される。電流源I3は、負電圧供給源端子10に接続
され、差動増幅器トランジスタを通して電流を流す。
差動増幅器トランジスタT3及びT4のコレクタは、共
にトランジスタT5及びT6から成るミラー回路に結合
され、このミラー回路には基準電圧出力端子から電力が
供給される。T3に対するT4の電流はT1に対するT
2の電流によつて決定され、T1に対するT2の電流は
I2とI1との間のT/Toの関係に従つて温度によつて変
化する。温度がToを越えて上昇すると、I2によつて
T2を流れる電流はToを越える温度に比例する量だけ
増加する。T4に対するバイアスが大きくなるとそのト
ランジスタを流れる電流が増加し、差動増幅器の動作に
よつてT3を流れる電流が対応して低下する。T5を流
れる電流は、T3と直列に結合され、T3を流れる電流
の低下と同じ量だけ低下し、この電流の低下はミラー回
路によつてT6を流れる電流の同様の低下として反映さ
れる。T6を流れる電流は、T4と直列に結合され、T
4を流れる電流増加とT3を流れる電流低下との結合と
に等しい量だけ、T4を流れる電流よりも少なくなる。
にトランジスタT5及びT6から成るミラー回路に結合
され、このミラー回路には基準電圧出力端子から電力が
供給される。T3に対するT4の電流はT1に対するT
2の電流によつて決定され、T1に対するT2の電流は
I2とI1との間のT/Toの関係に従つて温度によつて変
化する。温度がToを越えて上昇すると、I2によつて
T2を流れる電流はToを越える温度に比例する量だけ
増加する。T4に対するバイアスが大きくなるとそのト
ランジスタを流れる電流が増加し、差動増幅器の動作に
よつてT3を流れる電流が対応して低下する。T5を流
れる電流は、T3と直列に結合され、T3を流れる電流
の低下と同じ量だけ低下し、この電流の低下はミラー回
路によつてT6を流れる電流の同様の低下として反映さ
れる。T6を流れる電流は、T4と直列に結合され、T
4を流れる電流増加とT3を流れる電流低下との結合と
に等しい量だけ、T4を流れる電流よりも少なくなる。
T4とT6を流れる電流の差は、電圧基準出力インピー
ダンス回路において、R1とR2の接続点から線12に
出力訂正電流Ioとして供給される。この電流は電圧基
準出力からR1を介して送られ、R1の両端の電圧と増
幅器4の出力Voにおける基準電圧との両方を上昇させ
る。このようにして、温度上昇による基準電圧の降下
は、線12に沿つて出力インピーダンス回路に送られる
補償電流の増加によつて補償され、この出力インピーダ
ンス回路が基準電圧変動の補償に貢献している。
ダンス回路において、R1とR2の接続点から線12に
出力訂正電流Ioとして供給される。この電流は電圧基
準出力からR1を介して送られ、R1の両端の電圧と増
幅器4の出力Voにおける基準電圧との両方を上昇させ
る。このようにして、温度上昇による基準電圧の降下
は、線12に沿つて出力インピーダンス回路に送られる
補償電流の増加によつて補償され、この出力インピーダ
ンス回路が基準電圧変動の補償に貢献している。
以上の補償法が第2図及び第3図に示される。第2図は
温度補償なしの出力基準電圧を示す。この電圧は、動作
温度範囲の下限の温度Toで所望の基準値にあり、温度
の上昇に伴なつて次第に降下している。その値は関数(k
T/q)In(T/To)となることがわかつた(ここで、kはボル
ツマン定数、qは電荷)。第3図に示す補償電流Ioは
温度Toで実質上零で、温度の上昇とともに増加する。
回路は、Ioによつてもたらされる基準出力電圧調節が
温度上昇による基準電圧の低下との均衡をとり、実質上
一定の出力基準電圧となるように設計される(第2図及
び第3図の曲線の傾斜は例示のため誇張してある)。
温度補償なしの出力基準電圧を示す。この電圧は、動作
温度範囲の下限の温度Toで所望の基準値にあり、温度
の上昇に伴なつて次第に降下している。その値は関数(k
T/q)In(T/To)となることがわかつた(ここで、kはボル
ツマン定数、qは電荷)。第3図に示す補償電流Ioは
温度Toで実質上零で、温度の上昇とともに増加する。
回路は、Ioによつてもたらされる基準出力電圧調節が
温度上昇による基準電圧の低下との均衡をとり、実質上
一定の出力基準電圧となるように設計される(第2図及
び第3図の曲線の傾斜は例示のため誇張してある)。
以上の補償回路は電圧基準回路の温度特性を著しく改善
するけれども、前述したように通常必要としない負電源
を必要とする。更に、製造過程における変動を補償する
ため回路を都合よく調節するのに多くの回路素子の整合
が必要となる。
するけれども、前述したように通常必要としない負電源
を必要とする。更に、製造過程における変動を補償する
ため回路を都合よく調節するのに多くの回路素子の整合
が必要となる。
(発明の概要) 前述の従来技術に関連する問題に鑑み、本発明の目的
は、所定の温度範囲に亘って温度変化に実質上不感動な
電圧出力を有し、付加的電源を必要としない温度補償電
圧基準回路を提供することである。
は、所定の温度範囲に亘って温度変化に実質上不感動な
電圧出力を有し、付加的電源を必要としない温度補償電
圧基準回路を提供することである。
本発明のこれらのそして他の目的を達成するため、電圧
基準回路には、従来のような差動増幅器ではなく、受動
インピーダンス素子(好適には抵抗)を含み、出力基準
インピーダンス回路に補償電流として反映される電流差
を発生する温度補償回路が設けられる。一対の整合され
たトランジスタには夫々I1及びI2電流が供給され、
それらのベース間に接続される受動インピーダンス素子
はベース電圧差に比例する電流を流す。この電流は電流
ミラーによつて反映され、基準出力回路に対し比例した
補償電流を発生する。グランド基準以外に必要となる唯
一の外部電圧は、電圧基準回路のための通常の正電源で
ある。
基準回路には、従来のような差動増幅器ではなく、受動
インピーダンス素子(好適には抵抗)を含み、出力基準
インピーダンス回路に補償電流として反映される電流差
を発生する温度補償回路が設けられる。一対の整合され
たトランジスタには夫々I1及びI2電流が供給され、
それらのベース間に接続される受動インピーダンス素子
はベース電圧差に比例する電流を流す。この電流は電流
ミラーによつて反映され、基準出力回路に対し比例した
補償電流を発生する。グランド基準以外に必要となる唯
一の外部電圧は、電圧基準回路のための通常の正電源で
ある。
好適実施例においては、抵抗は例えばトリミング回路を
設けることによつて可変にされ、基準回路の製造工程変
動を補正する。一対のトランジスタは抵抗の両端の電流
ミラーに接続され、抵抗の両端とグランドとの間に接続
される一対の高抵抗素子によつて静止電流が供給され
る。その補償電流は電圧基準出力回路の中間位置に送ら
れ結合トランジスタの飽和を防止している。
設けることによつて可変にされ、基準回路の製造工程変
動を補正する。一対のトランジスタは抵抗の両端の電流
ミラーに接続され、抵抗の両端とグランドとの間に接続
される一対の高抵抗素子によつて静止電流が供給され
る。その補償電流は電圧基準出力回路の中間位置に送ら
れ結合トランジスタの飽和を防止している。
(実施例の説明) 第4図を参照すると、本発明の好適実施例が示され、温
度補償回路はバンドギヤツプ電圧基準(リフアレンス)
部2と共に使用され、第1図の従来回路とは出力インピ
ーダンス回路を除き本質的に同じである。第4図におい
て、第1図の素子に対応する素子には同じ参照符号を用
いている。一定電流Icが電流源I1によつて周知の態
様で発生され、Ic(T/To)に等しい大きさの温度依存電
流が電流源I2によつて周知の方法と同様にして発生さ
れる。I1は基準出力電圧バスVoとグランドとの間に
トランジスタT7のコレクタ・エミツタ回路を介して接
続され、I2は出力基準電圧バスVoとグランドとの間
に別のトランジスタT8のコレクタ・エミツタ回路を介
して接続される。
度補償回路はバンドギヤツプ電圧基準(リフアレンス)
部2と共に使用され、第1図の従来回路とは出力インピ
ーダンス回路を除き本質的に同じである。第4図におい
て、第1図の素子に対応する素子には同じ参照符号を用
いている。一定電流Icが電流源I1によつて周知の態
様で発生され、Ic(T/To)に等しい大きさの温度依存電
流が電流源I2によつて周知の方法と同様にして発生さ
れる。I1は基準出力電圧バスVoとグランドとの間に
トランジスタT7のコレクタ・エミツタ回路を介して接
続され、I2は出力基準電圧バスVoとグランドとの間
に別のトランジスタT8のコレクタ・エミツタ回路を介
して接続される。
第4図に示す本発明と第1図の従来回路との基本的差異
は、第1図の差動増幅器T3,T4の代りに受動インピーダ
ンス素子、好適には抵抗R3を使用することである。R
3はT7とT8のベース間に接続され、2つのトランジ
スタのベース間の電圧差に比例する電流を流す。R3を
流れる電流は、最終的には電圧基準部の出力インピーダ
ンス回路に反映され、温度補償機能を達成する。
は、第1図の差動増幅器T3,T4の代りに受動インピーダ
ンス素子、好適には抵抗R3を使用することである。R
3はT7とT8のベース間に接続され、2つのトランジ
スタのベース間の電圧差に比例する電流を流す。R3を
流れる電流は、最終的には電圧基準部の出力インピーダ
ンス回路に反映され、温度補償機能を達成する。
R3の値は、そこに流れる電流の大きさが電圧基準回路
の製造過程の変動を補償できるように調節することがで
きる。例えば、製造変動は実際の出力電圧−温度曲線を
第2図に示すより少し大きい傾斜を有するようにしてし
まうかもしれない。その場合に、R3の抵抗値は減少さ
せられ、それによつてR3を流れる電流と電圧基準部に
与えられる温度補償の両方が比例して増加する。
の製造過程の変動を補償できるように調節することがで
きる。例えば、製造変動は実際の出力電圧−温度曲線を
第2図に示すより少し大きい傾斜を有するようにしてし
まうかもしれない。その場合に、R3の抵抗値は減少さ
せられ、それによつてR3を流れる電流と電圧基準部に
与えられる温度補償の両方が比例して増加する。
R3の抵抗値を調節するメカニズム、例えば「ツエナー
・ザツプ(zener zap)」トリミング、レーザー・トリミ
ング又はR3をポテンシヨメータにすること等を利用す
ることができる。好適な方法はツエナー・ザツプで、第
4図に示される。この技術を実施する方法は多数ある
が、第4図においては、R3に調整用抵抗R4及びR5
を並列に接続し、この抵抗R4及びR5には夫々ツエナ
ー・ダイオードZ1及びZ2が直列に接続される。Z1
及びZ2に「ザツプ」電圧を外部から与えるためにトリ
ミング端子TT1及びTT2が設けられ、第3のトリミ
ング端子TT3がツエナー・ダイオードの共通のアノー
ドに接続され基準電圧を供給する。通常の動作において
は、R4及びR5の回路がZ1及びZ2によつてオープ
ン状態にされている。TT3に基準電圧が加えられ、T
T1及び/又はTT2に適当な外部電圧が加えられる
と、それらのツエナー・ダイオードは短絡する。これに
よつてR4,R5の回路が形成され、並列に接続されること
によつてR3の抵抗値を減少させる。トリミングの精度
を上げるために、ツエナー制御部を更に付加することが
できる。第1図の従来回路においては調節を可能にする
ため多くの素子の整合が必要であつたが、第4図に示す
本発明の実施においては、後述するようにR3を基準出
力抵抗R8及びR9とほぼ同じ大きさにするだけでよ
い。
・ザツプ(zener zap)」トリミング、レーザー・トリミ
ング又はR3をポテンシヨメータにすること等を利用す
ることができる。好適な方法はツエナー・ザツプで、第
4図に示される。この技術を実施する方法は多数ある
が、第4図においては、R3に調整用抵抗R4及びR5
を並列に接続し、この抵抗R4及びR5には夫々ツエナ
ー・ダイオードZ1及びZ2が直列に接続される。Z1
及びZ2に「ザツプ」電圧を外部から与えるためにトリ
ミング端子TT1及びTT2が設けられ、第3のトリミ
ング端子TT3がツエナー・ダイオードの共通のアノー
ドに接続され基準電圧を供給する。通常の動作において
は、R4及びR5の回路がZ1及びZ2によつてオープ
ン状態にされている。TT3に基準電圧が加えられ、T
T1及び/又はTT2に適当な外部電圧が加えられる
と、それらのツエナー・ダイオードは短絡する。これに
よつてR4,R5の回路が形成され、並列に接続されること
によつてR3の抵抗値を減少させる。トリミングの精度
を上げるために、ツエナー制御部を更に付加することが
できる。第1図の従来回路においては調節を可能にする
ため多くの素子の整合が必要であつたが、第4図に示す
本発明の実施においては、後述するようにR3を基準出
力抵抗R8及びR9とほぼ同じ大きさにするだけでよ
い。
R3の両端は夫々トランジスタT9及びT10を介して
電流ミラー回路に結合される。T9及びT10はT7及
びT8と整合するnpnトランジスタの形で与えられる。
T9及びT10のエミツタは夫々T7及びT8のベース
とR3の両端とに接続され、それらのベースはT7及び
T8のコレクタに接続され、それらのコレクタは電流ミ
ラー入力及び出力端子14及び16に接続される。抵抗
R6及びR7はグランドとR3の両端及びT9,T10
の接続点との間に接続される。
電流ミラー回路に結合される。T9及びT10はT7及
びT8と整合するnpnトランジスタの形で与えられる。
T9及びT10のエミツタは夫々T7及びT8のベース
とR3の両端とに接続され、それらのベースはT7及び
T8のコレクタに接続され、それらのコレクタは電流ミ
ラー入力及び出力端子14及び16に接続される。抵抗
R6及びR7はグランドとR3の両端及びT9,T10
の接続点との間に接続される。
電流ミラー18は、第1図の従来回路に使用される2ト
ランジスタ・ミラーではなく、精度を上げるため周知の
ウイルソン(Wilson)電流ミラーの形にするのが望まし
い。電流ミラーには基準回路出力端子Voから電力が供
給され、該ミラーは入力端子14を通つてT9のコレク
タに流れる入力電流を出力端子16に流れる等しい出力
電流に反映させる。
ランジスタ・ミラーではなく、精度を上げるため周知の
ウイルソン(Wilson)電流ミラーの形にするのが望まし
い。電流ミラーには基準回路出力端子Voから電力が供
給され、該ミラーは入力端子14を通つてT9のコレク
タに流れる入力電流を出力端子16に流れる等しい出力
電流に反映させる。
ミラー入力及び出力電流は等しいけれども、T9及びT
10のコレクタ電流は温度がToと異なるときには等し
くならない。もし温度がToよりも高いと、I2はI1
よりも大きくなつてT8のベース電圧は周知のトランジ
スタ方程式によつて決定される量だけT7のベース電圧
よりも大きくなる。これらの式に基づいて、T7及びT
8のベース・エミツタ電圧はこれらのコレクタ電流を飽
和電流で割つた商の自然対数に比例して変化する。各ト
ランジスタのエミツタは接地されているので、そのベー
ス電圧はこの商の対数に従つて直接的に変化する。
10のコレクタ電流は温度がToと異なるときには等し
くならない。もし温度がToよりも高いと、I2はI1
よりも大きくなつてT8のベース電圧は周知のトランジ
スタ方程式によつて決定される量だけT7のベース電圧
よりも大きくなる。これらの式に基づいて、T7及びT
8のベース・エミツタ電圧はこれらのコレクタ電流を飽
和電流で割つた商の自然対数に比例して変化する。各ト
ランジスタのエミツタは接地されているので、そのベー
ス電圧はこの商の対数に従つて直接的に変化する。
T8及びT7のベース電圧差はR3にT8からT7に向
つて電流を流す。この電流はT10のコレクタ・エミツ
タ電流の増加によつて与えられる。R3を流れる電流は
R6を通つてグランドにもどり、T9を流れるコレクタ
・エミツタ電流をR3を流れる電流に等しい量だけ低下
させ、R3とR6の接続点の電流のバランスを維持す
る。T9を流れる電流の低下は、ミラー入力端子14か
らの電流に対応する低下をもたらす。この電流の低下は
ミラーによつてミラー出力端子16に送られる電流の等
しい低下として反映される。T10のコレクタ・エミツ
タ電流はR3に流れる電流によつて増加されており、ま
た端子16へのミラー出力電流はR3を流れる電流によ
つて減少されてしまつているので(ベース電流は無
視)、R3を流れる電流の2倍に等しい電流の不均衡
が、ミラー出力電流とT10のコレクタ電流との間に生
じる。補償ライン20がミラー出力端子16と電圧基準
出力インピーダンス回路との間に与えられ、この不均衡
を訂正する出力補償電流Ioを供給する。Ioは所望の
温度補償を行ない、所望の温度範囲に亘つて基準電圧出
力を安定させる。
つて電流を流す。この電流はT10のコレクタ・エミツ
タ電流の増加によつて与えられる。R3を流れる電流は
R6を通つてグランドにもどり、T9を流れるコレクタ
・エミツタ電流をR3を流れる電流に等しい量だけ低下
させ、R3とR6の接続点の電流のバランスを維持す
る。T9を流れる電流の低下は、ミラー入力端子14か
らの電流に対応する低下をもたらす。この電流の低下は
ミラーによつてミラー出力端子16に送られる電流の等
しい低下として反映される。T10のコレクタ・エミツ
タ電流はR3に流れる電流によつて増加されており、ま
た端子16へのミラー出力電流はR3を流れる電流によ
つて減少されてしまつているので(ベース電流は無
視)、R3を流れる電流の2倍に等しい電流の不均衡
が、ミラー出力電流とT10のコレクタ電流との間に生
じる。補償ライン20がミラー出力端子16と電圧基準
出力インピーダンス回路との間に与えられ、この不均衡
を訂正する出力補償電流Ioを供給する。Ioは所望の
温度補償を行ない、所望の温度範囲に亘つて基準電圧出
力を安定させる。
トランジスタ方程式によつて示されるようにトランジス
タ電圧と電流との対数関係からスタートすると、R3を
流れる電流は式(kT/q)In(T/To)に従つて変化するという
ことができる。電圧基準部の出力はTIn(T/To)に従つて
変化するので、各抵抗値を適当に選択すれば、補償電流
Ioを実際の基準回路温度特性に正確に合わせることが
可能となる。
タ電圧と電流との対数関係からスタートすると、R3を
流れる電流は式(kT/q)In(T/To)に従つて変化するという
ことができる。電圧基準部の出力はTIn(T/To)に従つて
変化するので、各抵抗値を適当に選択すれば、補償電流
Ioを実際の基準回路温度特性に正確に合わせることが
可能となる。
抵抗R6及びR7はR3よりもかなり大きい抵抗値を有
し、T9及びT10に静止電流を供給して、R3に電流
が流れない温度Toにおいてさえもこれらのトランジス
タをオンに保持する。このR6及びR7の機能は一対の
電流源によつて与えることもできるが、高抵抗が最も簡
単である。
し、T9及びT10に静止電流を供給して、R3に電流
が流れない温度Toにおいてさえもこれらのトランジス
タをオンに保持する。このR6及びR7の機能は一対の
電流源によつて与えることもできるが、高抵抗が最も簡
単である。
本発明が従来技術に対してもたらす他の改善点は、補償
電流ライン20が電圧基準回路に接続されることによつ
て与えられる。第1図の従来回路を参照すると、補償電
流は出力インピーダンス回路のR1とR2の接続点にも
たらされる。この点は典型的には1.205ボルトに保
持されている。本発明による第4図においては、3つの
抵抗R8,R9及びR10が基準出力端子Voとグラン
ドとの間に直列に接続され、R9とR10の接続点22
は従来回路と同じく1.205ボルトに保持され、電圧
基準回路内のトランジスタにバイアスを与える。ライン
20は、接続点22の補償電流を伝達するのではなく、
2つの直列抵抗R8,R9を使用し、ライン20をその
2つの抵抗の接続点24に接続して、接続点22とVo
との中間の位置に接続される。これによつてT10のコ
レクタ電圧を上昇させ、そのトランジスタを逆バイアス
に保持する。このことは望ましいことである。その理由
は、T10及びT8のベース・エミツタ回路によつてグ
ランドから分離されているので、典型的ベース・エミツ
タ電圧降下0.7ボルトによりT10のベース電圧は約
1.4ボルトになるからである。もし電流補償ライン2
0が出力インピーダンス回路の1.205ボルト点22
に接続されていたとすると、T10のコレクタはそのベ
ースよりも低い電圧となつて、このトランジスタは少し
順方向バイアスを受けるであろう。その順方向バイアス
量はそれ程大きくないので回路は多分動作するであろう
が、T10には逆バイアスが維持される方が望ましい。
電流ライン20が電圧基準回路に接続されることによつ
て与えられる。第1図の従来回路を参照すると、補償電
流は出力インピーダンス回路のR1とR2の接続点にも
たらされる。この点は典型的には1.205ボルトに保
持されている。本発明による第4図においては、3つの
抵抗R8,R9及びR10が基準出力端子Voとグラン
ドとの間に直列に接続され、R9とR10の接続点22
は従来回路と同じく1.205ボルトに保持され、電圧
基準回路内のトランジスタにバイアスを与える。ライン
20は、接続点22の補償電流を伝達するのではなく、
2つの直列抵抗R8,R9を使用し、ライン20をその
2つの抵抗の接続点24に接続して、接続点22とVo
との中間の位置に接続される。これによつてT10のコ
レクタ電圧を上昇させ、そのトランジスタを逆バイアス
に保持する。このことは望ましいことである。その理由
は、T10及びT8のベース・エミツタ回路によつてグ
ランドから分離されているので、典型的ベース・エミツ
タ電圧降下0.7ボルトによりT10のベース電圧は約
1.4ボルトになるからである。もし電流補償ライン2
0が出力インピーダンス回路の1.205ボルト点22
に接続されていたとすると、T10のコレクタはそのベ
ースよりも低い電圧となつて、このトランジスタは少し
順方向バイアスを受けるであろう。その順方向バイアス
量はそれ程大きくないので回路は多分動作するであろう
が、T10には逆バイアスが維持される方が望ましい。
前述の回路は、軍用温度範囲−55℃〜125℃でかなり正
確に動作することがわかつた。R3を調節することが可
能であるので従来よりも誤差が少なくなり、負電圧源が
必要ないので簡単になり、電圧基準回路の使用コストを
低減させることができた。
確に動作することがわかつた。R3を調節することが可
能であるので従来よりも誤差が少なくなり、負電圧源が
必要ないので簡単になり、電圧基準回路の使用コストを
低減させることができた。
以上、本発明を実施例に従つて説明したが、各種修正及
び他の実施例が可能であることは当業者には明らかであ
る。
び他の実施例が可能であることは当業者には明らかであ
る。
第1図は従来の温度補償を設けた電圧基準回路の回路図
である。 第2図及び第3図は第1図の従来技術と本発明について
補償のない電圧基準と補償電流との温度依存性を表わす
グラフである。 第4図は本発明の好適実施例の回路図である。 (符号説明) 2:バンドギヤツプ電圧基準部 I1,I2:電流源 TT1,TT2,TT3:トリミング端子 18:電流ミラー
である。 第2図及び第3図は第1図の従来技術と本発明について
補償のない電圧基準と補償電流との温度依存性を表わす
グラフである。 第4図は本発明の好適実施例の回路図である。 (符号説明) 2:バンドギヤツプ電圧基準部 I1,I2:電流源 TT1,TT2,TT3:トリミング端子 18:電流ミラー
Claims (2)
- 【請求項1】(a)温度によって変化する出力基準電圧
を発生し得る電圧基準回路と、 (b)抵抗と、 (c)前記出力基準電圧の温度変化と相補的に温度に対
し変化する電流を前記抵抗に発生させる電流発生手段で
あって、 (i)温度変化に対して実質的に不変である第1の電流
を生じさせる手段と、 (ii)温度変化に伴い変動する第2の電流を生じさせる
手段と、 (iii)それぞれの入力電流に伴い変化する出力電圧を
有する第1及び第2の回路手段と、 (iv)前記第1及び第2の電流を、前記第1及び第2の
回路手段に入力電流としてそれぞれ供給する手段と、 (v)前記第1及び第2の回路手段の出力電圧の差を、
前記抵抗の両端に印加する手段と、を備える電流発生手
段と、 (d)前記発生された電流に応答して、前記出力基準電
圧の温度依存性を実質上補償するように出力基準電圧を
調整する手段と、 から構成される温度補償付電圧基準回路。 - 【請求項2】前記抵抗が前記電圧基準回路の製造過程に
おける変動を補償できる調整範囲を有するように調節可
能である特許請求の範囲第1項記載の温度補償付電圧基
準回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US640995 | 1984-08-15 | ||
US06/640,995 US4633165A (en) | 1984-08-15 | 1984-08-15 | Temperature compensated voltage reference |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6149224A JPS6149224A (ja) | 1986-03-11 |
JPH0656571B2 true JPH0656571B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=24570506
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59281957A Expired - Lifetime JPH0656571B2 (ja) | 1984-08-15 | 1984-12-28 | 温度補償付電圧基準回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4633165A (ja) |
JP (1) | JPH0656571B2 (ja) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE66756T1 (de) * | 1985-09-30 | 1991-09-15 | Siemens Ag | Trimmbare schaltungsanordnung zur erzeugung einer temperaturunabhaengigen referenzspannung. |
US4789819A (en) * | 1986-11-18 | 1988-12-06 | Linear Technology Corporation | Breakpoint compensation and thermal limit circuit |
US4879505A (en) * | 1986-12-23 | 1989-11-07 | Analog Devices, Inc. | Temperature and power supply compensation circuit for integrated circuits |
US4954769A (en) * | 1989-02-08 | 1990-09-04 | Burr-Brown Corporation | CMOS voltage reference and buffer circuit |
US4939442A (en) * | 1989-03-30 | 1990-07-03 | Texas Instruments Incorporated | Bandgap voltage reference and method with further temperature correction |
US4937697A (en) * | 1989-05-22 | 1990-06-26 | Motorola, Inc. | Semiconductor device protection circuit |
US4902959A (en) * | 1989-06-08 | 1990-02-20 | Analog Devices, Incorporated | Band-gap voltage reference with independently trimmable TC and output |
US5382916A (en) * | 1991-10-30 | 1995-01-17 | Harris Corporation | Differential voltage follower |
WO1993009599A2 (en) * | 1991-10-30 | 1993-05-13 | Harris Corporation | Analog-to-digital converter and method of fabrication |
US5589792A (en) * | 1995-04-19 | 1996-12-31 | Analog Devices, Inc. | Resistor programmable temperature switch |
US5856742A (en) * | 1995-06-30 | 1999-01-05 | Harris Corporation | Temperature insensitive bandgap voltage generator tracking power supply variations |
US6121824A (en) * | 1998-12-30 | 2000-09-19 | Ion E. Opris | Series resistance compensation in translinear circuits |
US6294902B1 (en) | 2000-08-11 | 2001-09-25 | Analog Devices, Inc. | Bandgap reference having power supply ripple rejection |
JP2002094334A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Canon Inc | 温度特性補正回路及び半導体集積回路 |
US6483372B1 (en) | 2000-09-13 | 2002-11-19 | Analog Devices, Inc. | Low temperature coefficient voltage output circuit and method |
US6255807B1 (en) | 2000-10-18 | 2001-07-03 | Texas Instruments Tucson Corporation | Bandgap reference curvature compensation circuit |
KR100630542B1 (ko) * | 2000-11-29 | 2006-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 변화에 따른 전압 보상이 가능한 기준 전압 발생기 |
US7053694B2 (en) * | 2004-08-20 | 2006-05-30 | Asahi Kasei Microsystems Co., Ltd. | Band-gap circuit with high power supply rejection ratio |
JP4822431B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2011-11-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 基準電圧発生回路および半導体集積回路並びに半導体集積回路装置 |
US8433265B2 (en) * | 2009-10-14 | 2013-04-30 | Javelin Semiconductor, Inc. | Providing a temperature dependent bias for a device |
JP5946304B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2016-07-06 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 基準電圧回路 |
US9019727B2 (en) | 2012-07-18 | 2015-04-28 | Linear Technology Corporation | Temperature compensation of output diode in an isolated flyback converter |
CN108536210B (zh) * | 2018-07-10 | 2023-04-28 | 成都信息工程大学 | 一种平滑温度补偿带隙基准源电路 |
US10409312B1 (en) * | 2018-07-19 | 2019-09-10 | Analog Devices Global Unlimited Company | Low power duty-cycled reference |
CN116795167B (zh) * | 2023-08-29 | 2023-11-21 | 厦门优迅高速芯片有限公司 | 一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路以及方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4100437A (en) * | 1976-07-29 | 1978-07-11 | Intel Corporation | MOS reference voltage circuit |
US4176308A (en) * | 1977-09-21 | 1979-11-27 | National Semiconductor Corporation | Voltage regulator and current regulator |
-
1984
- 1984-08-15 US US06/640,995 patent/US4633165A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-28 JP JP59281957A patent/JPH0656571B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6149224A (ja) | 1986-03-11 |
US4633165A (en) | 1986-12-30 |
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