CN116795167B - 一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路以及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路以及方法，包括：第一晶体管的漏极与电路输入端、第一电阻的一端连接，栅极与第一外部电流供应端、第一电阻的另一端连接，源极与公共端连接；第二晶体管的漏极与第二电阻的一端连接，栅极与第一电阻的另一端连接，源极与公共端连接；第三晶体管的漏极与电路输出端连接，栅极与栅电压控制模块连接，源极与第二电阻的一端连接；第二电阻的另一端与第二外部电流供应端连接。本发明的优点在于：输入电压不受晶体管阈值电压VTH的限制和温度变化的影响，实现了在低压输入时电流镜像结构电路既可以全温下正常工作，又可以精确地镜像电流，同时输入端无需消耗更多的电压余度，输入电压范围更大。

Description

一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路以及方法

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，具体地涉及一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路以及方法。

背景技术

在模拟电路中，电流源的设计是基于对基准电流的精准“复制”，从而得到系统中很多电流源。电流镜就是一种电流镜像结构，有着广泛的应用，它不仅可以作为偏置单元也可以作为信号处理单元。如图1所示，是一个由两个NMOS管组成的基本电流镜像结构电路，如果不考虑沟道长度调制效应，该电路的一个关键特性就是可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响。I_in和I_out的比值由晶体管NM₁和NM₂的尺寸大小决定，该值可控制在合理的精度范围内。但如果考虑沟道长度效应，镜像电流会产生极大的误差，尤其是当NM₁和NM₂使用最小长度，以便通过减小宽度来减小电流源输出电容时。同时NM₂输出端受负载的影响，V_out电压由输入电压V_in以及NM₁和NM₂的栅源电压共同决定，它可能不等于V_in。另外，如果输入电压V_in比较低时（V_in<V_TH），其中V_TH为NMOS管的阈值电压，受NMOS管阈值电压V_TH的限制以及温度变化的影响，电流镜像电路可能无法正常工作。

为了抑制沟道调制效应的影响，从而得到更精确的电流镜像，可以使用共源共栅电流镜像结构电路，如图2所示。通过增加NM₀和NM₃两个共源共栅器件可以使NM₁和NM₂免受V_out变化的影响，使得A、B两点的电压相等，那么I_out就可以精确地镜像I_in。但是这样一个精度的获得是以NM₀消耗的电压余度为代价的，这在某些低压输入应用上是不允许的，例如EML激光器MPD（监控光电二极管）直连应用。

目前的电流镜像结构电路存在的缺点：输入电压V_in受晶体管器件阈值电压V_TH的限制和温度变化的影响，无法实现低压输入时电流镜像结构电路正常工作，导致输入电压范围较小，同时需要通过消耗更多电压余度为代价来获得电流镜像精准度。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路以及方法，输入电压不受晶体管阈值电压V_TH的限制和温度变化的影响，在低压输入时电流镜像结构电路正常工作，又可以精确地镜像电流，输入端无需消耗更多的电压余度，输入电压范围更大。

本发明是这样实现的：一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，包括：

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻与栅电压控制模块；

所述第一晶体管的漏极与电路输入端、所述第一电阻的一端连接，栅极与第一外部电流供应端、所述第一电阻的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第二晶体管的漏极与所述第二电阻的一端连接，栅极与所述第一电阻的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第三晶体管的漏极与电路输出端连接，栅极与所述栅电压控制模块连接，源极与所述第二电阻的一端连接；

所述第二电阻的另一端与第二外部电流供应端连接。

进一步地，所述栅电压控制模块包括第三电阻、第四电阻与第五电阻；

所述第三电阻的一端与所述第二晶体管的漏极连接，所述第三电阻的另一端与所述第二电阻的一端、所述第三晶体管的源极连接；

所述第四电阻的一端与所述第五电阻的一端、所述第三晶体管的栅极连接，所述第四电阻的另一端与参考电源的正极连接，所述第五电阻的另一端与参考电源的负极连接。

进一步地，所述栅电压控制模块包括运算放大器，所述运算放大器的正向输入端与所述电路输入端连接，反向输入端与所述第二晶体管的漏极连接，所述运算放大器的输出端与第三晶体管的栅极连接。

进一步地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管都是NMOS管，所述公共端与参考电源的负极连接，所述电路输入端与输入电流源的正极连接，输入电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第一外部电流供应端与第一基准电流源的正极连接，第一基准电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第二外部电流供应端与第二基准电流源的正极连接，第二基准电流源的负极与参考电源的正极连接。

进一步地，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管都是PMOS管，所述公共端与参考电源的正极连接，所述电路输入端与输入电流源的负极连接，输入电流源的正极与参考电源的负极连接，所述第一外部电流供应端与第一基准电流源的负极连接，第一基准电流源的正极与参考电源的负极连接，所述第二外部电流供应端与第二基准电流源的负极连接，第二基准电流源的正极与参考电源的负极连接。

进一步地，所述第一基准电流源是输出与温度系数无关电流，所述第二基准电流源是输出带有温度系数关系的电流。

进一步地，所述第一电阻是可调电阻。

一种实现低压输入工作的电流镜像方法，使用上述的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，包括以下步骤：

当所述电路输入端的电压小于所述第一晶体管的阈值电压时，调高所述第一电阻的阻值或者调高所述第一外部电流供应端的电流值，使所述第一晶体管的栅源电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压。

进一步地，当所述电路输入端电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压时，将所述第一电阻的阻值调零或者将所述第一外部电流供应端的电流值调零，使所述第一晶体管的栅源电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压。

进一步地，当所述第一晶体管与所述第二晶体管的尺寸比例为1：N时，设置所述第一外部电流供应端与所述第二外部电流供应端的电流值比例为1：N。

本发明的优点在于：输入电压不受晶体管阈值电压VTH的限制和温度变化的影响，实现了在低压输入时电流镜像结构电路既可以全温下正常工作，又可以精确地镜像电流，同时输入端无需消耗更多的电压余度，输入电压范围更大，满足更多的运用场景需求。

附图说明

下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的说明。

图1是背景技术中基本电流镜像结构电路的示意图。

图2是背景技术中共源共栅电流镜像结构电路的示意图。

图3是本发明实施例一的电流镜像结构电路的示意图。

图4是本发明实施例二的电流镜像结构电路的示意图。

图5是本发明实施例三的电流镜像结构电路的示意图。

具体实施方式

本发明实施例的技术方案的总体思路如下：

通过引入两路外部电流和电阻把常规共源共栅电流镜结构变成一个伪电流镜结构，以提高晶体管的栅源电压，并使源漏电压可以工作在更低范围；此电流镜像结构电路具有一个独特地负反馈结构，可以很好地钳位住输入电压，同时又可以保证晶体管在全温下正常工作。另外通过调整基准电流的温度系数及电阻分压控制方式或Gain-boosting（增益自举）结构提高电流镜像精度。

本发明的电流镜像结构电路以及方法克服了背景技术中所记载的缺点，具有输入电压不受晶体管阈值电压V_TH的限制和温度变化的影响，实现了在低压输入时电流镜像结构电路既可以全温下正常工作，又可以精确地镜像电流，同时输入端无需消耗更多的电压余度，输入电压范围更大，满足更多的运用场景需求。

为了更好地理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。

参阅图1至图3，本发明的实施例一。

一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，包括：

第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂、第三晶体管NM₃、第一电阻R₁、第二电阻R₂与栅电压控制模块；

所述第一晶体管NM₁的漏极与电路输入端、所述第一电阻R₁的一端连接，栅极与第一外部电流供应端、所述第一电阻R₁的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第二晶体管NM₂的漏极与所述第二电阻R₂的一端连接，栅极与所述第一电阻R₁的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第三晶体管NM₃的漏极与电路输出端连接，栅极与所述栅电压控制模块连接，源极与所述第二电阻R₂的一端连接；

所述第二电阻R₂的另一端与第二外部电流供应端连接。

相较于背景技术的图1与图2所示的电流镜像结构电路，本发明取消晶体管NM₀，避免了以NM₀消耗的电压余度为代价获得精度；本发明引入第一外部电流I₁与第一电阻R₁作用于第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂的栅极，提高第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂的栅极电压，当电路输入端电压较低时，第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂的栅极电压也能使电流镜像结构电路正常工作，从而电路输入端电压不受晶体管阈值电压V_TH的限制和温度变化的影响。本发明引入第二外部电流I₂与第二电阻R₂，以及抵消第一外部电流I₁对电路输出端电流的干扰，达到精确地镜像电流。栅电压控制模块输出电压至第三晶体管NM₃的栅极，用于控制第三晶体管NM₃的导通关闭。

所述栅电压控制模块包括第三电阻R₃、第四电阻R₄与第五电阻R₅；

所述第三电阻R₃的一端与所述第二晶体管NM₂的漏极连接，所述第三电阻R₃的另一端与所述第二电阻R₂的一端、所述第三晶体管NM₃的源极连接；

所述第四电阻R₄的一端与所述第五电阻R₅的一端、所述第三晶体管NM₃的栅极连接，所述第四电阻R₄的另一端与参考电源的正极连接，所述第五电阻R₅的另一端与参考电源的负极连接。此处参考电源的负极为接地。

所述第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂、第三晶体管NM₃都是NMOS管，所述公共端与参考电源的负极连接，所述电路输入端与输入电流源的正极连接，输入电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第一外部电流供应端与第一基准电流源的正极连接，第一基准电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第二外部电流供应端与第二基准电流源的正极连接，第二基准电流源的负极与参考电源的正极连接。

所述第一基准电流源是输出与温度系数无关电流I₁，所述第二基准电流源是输出带有温度系数关系的电流I₂。所述第一电阻R₁是可调电阻。

如图3所示，第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂、第三晶体管NM₃以及第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃构成一个NMOS管共源共栅伪电流镜，电流I₁和I₂为外部基准产生的电流，第三晶体管NM₃为共源共栅管，第四电阻R₄和第五电阻R₅的分压控制着第三晶体管NM₃的栅极电压，第三晶体管NM₃通过第三电阻R₃与第二晶体管NM₂相连接。该电流镜像结构电路可以实现输入很低的一个电压V_in就可以正常工作，并同时可以精确地把电路输入端电流I_in镜像到电路输出端电流I_out。

本发明实施例一的电流镜像结构电路的工作原理分析如下：

当电路输入端电压V_in为低电压时（V_in可以小于NMOS管阈值电压V_TH），为保证第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂的正常导通，既第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂的栅极电压V_ctrl大于其阈值电压V_TH，可通过引入第一外部电流I₁（I₁为与温度系数无关电流）流经第一电阻R₁后再流入第一晶体管NM₁，这样第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂的栅极电压V_ctrl=V_in+I₁×R₁。在电路输入端电压V_in的基础上，第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂的栅极电压可以再提高I₁×R₁，通过调节I₁和R₁的值，可以使NMOS管在全温下正常导通工作。同时V_in和V_ctrl环路是一个特殊的负反馈结构，当V_in增大时，V_ctrl也增大，但V_ctrl的增大，会使V_in电压减小；这是由于V_ctrl的增大使第一晶体管NM₁强导通，从而又减小了V_in；因此电路输入端电压V_in的值可以很好的被钳位在一个很窄的范围内，不受工艺和温度的影响。

为了确保电路输出端电流I_out与第一外部电流I₁无关，需要增加第二外部电流I₂（I₂为带有温度系数关系的电流），以抵消第一外部电流I₁。假定第一晶体管NM₁与第二晶体管NM₂的尺寸比例为1：N，则电路输出端电流和电路输入端电流的关系为I_out+I₂=N×(I_in+I₁)，当设置I₂=N×I₁时，就可以得到I_out=N×I_in，同时通过调整第二外部电流I₂的温度系数和增加第三晶体管NM₃（共源共栅NMOS管）把第二晶体管NM₂的漏极电压钳制在与电路输入端电压V_in相当的水平，可以使本发明的伪电流镜具有很好的线性度，从而得到一个精确地N×I_in倍镜像电流。

一种实现低压输入工作的电流镜像方法，使用本实施例的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，包括以下步骤：

当所述电路输入端的电压小于所述第一晶体管的阈值电压时，调高所述第一电阻的阻值或者调高所述第一外部电流供应端的电流值，使所述第一晶体管的栅源电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压。

结合上文说明，第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂的栅极电压V_ctrl=V_in+I₁×R₁。当电路输入端的电压V_in小于NMOS管阈值电压V_TH，即第一晶体管NM₁的漏源电压V_DS小于阈值电压V_TH，同时第一晶体管NM₁的源极接地，调高I₁×R₁的数值，使栅极电压V_ctrl大于等于NMOS管阈值电压V_TH，第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂导通工作。

当所述电路输入端电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压时，将所述第一电阻的阻值调零或者将所述第一外部电流供应端的电流值调零，使所述第一晶体管的栅源电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压。

由于第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂的栅极电压V_ctrl=V_in+I₁×R₁。当电路输入端的电压V_in大于NMOS管阈值电压V_TH时，将I₁×R₁的结果调零，则栅极电压V_ctrl= V_in，从而栅极电压V_ctrl大于NMOS管阈值电压V_TH，第一晶体管NM₁和第二晶体管NM₂导通工作。

当所述第一晶体管NM₁与所述第二晶体管NM₂的尺寸比例为1：N时，设置所述第一外部电流供应端与所述第二外部电流供应端的电流值比例为1：N。

结合上文说明，假定第一晶体管NM₁与第二晶体管NM₂的尺寸比例为1：N，则电路输出端电流和电路输入端电流的关系为I_out+I₂=N×(I_in+I₁)，当设置I₂=N×I₁时，就可以得到I_out=N×I_in。所以当电路输入端的电压V_in小于NMOS管阈值电压V_TH，如果选择调高所述第一外部电流供应端的电流值I₁，就要以N×I₁地调高第二外部电流供应端的电流值I₂。

参阅图4，本发明的实施例二。

一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，包括：

第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂、第三晶体管NM₃、第一电阻R₁、第二电阻R₂与栅电压控制模块；

所述第一晶体管NM₁的漏极与电路输入端、所述第一电阻R₁的一端连接，栅极与第一外部电流供应端、所述第一电阻R₁的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第二晶体管NM₂的漏极与所述第二电阻R₂的一端连接，栅极与所述第一电阻R₁的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第三晶体管NM₃的漏极与电路输出端连接，栅极与所述栅电压控制模块连接，源极与所述第二电阻R₂的一端连接；

所述第二电阻R₂的另一端与第二外部电流供应端连接。

所述栅电压控制模块包括运算放大器OP，所述运算放大器OP的正向输入端与所述电路输入端连接，反向输入端与所述第二晶体管NM₂的漏极连接，所述运算放大器OP的输出端与第三晶体管NM₃的栅极连接。

所述第一晶体管NM₁、第二晶体管NM₂、第三晶体管NM₃都是NMOS管，所述公共端与参考电源的负极连接，所述电路输入端与输入电流源的正极连接，输入电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第一外部电流供应端与第一基准电流源的正极连接，第一基准电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第二外部电流供应端与第二基准电流源的正极连接，第二基准电流源的负极与参考电源的正极连接。此处参考电源的负极为接地。

所述第一基准电流源是输出与温度系数无关电流I₁，所述第二基准电流源是输出带有温度系数关系的电流I₂。所述第一电阻R₁是可调电阻。

本发明实施例二的电流镜像结构电路的工作原理分析如下：

相比实施例一的电路，实施例二中采用了Gain-boosting（增益自举）结构的共源共栅电流镜来提高电流镜像精度。利用运算放大器OP，把第三晶体管NM₃的栅源电压V_GS3提高了A+1倍，其中A为运算放大器OP的增益，既相当于把跨导增加了A+1倍，形成了一个负反馈，只要运放增益足够大，电路输入端电压V_in会准确地跟随着运算放大器OP的反相输入端电压V_X，不仅提高电流镜像精度还提升了输出的摆幅。实施例二也同样满足低压输入工作，其工作原理与实施例一相同。实施例一和实施例二的电路结构相比，各有优缺点，实施例一电路结构简单，只需要通过调整第四电阻R₄和第五电阻R₅的阻值就可以让伪电流镜精确镜像，但其电流镜像精度没有实施例二高。虽然实施例二的电流镜像精度很高，但其结构较为复杂，引入了运算放大器OP，提高了设计难度，同时还需要保证负反馈结构的稳定性，因此可以根据应用需求选择合适地电路结构。

参阅图5，本发明的实施例三。

一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，包括：

第一晶体管PM₁、第二晶体管PM₂、第三晶体管PM₃、第一电阻R₁、第二电阻R₂与栅电压控制模块；

所述第一晶体管PM₁的漏极与电路输入端、所述第一电阻R₁的一端连接，栅极与第一外部电流供应端、所述第一电阻R₁的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第二晶体管PM₂的漏极与所述第二电阻R₂的一端连接，栅极与所述第一电阻R₁的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第三晶体管PM₃的漏极与电路输出端连接，栅极与所述栅电压控制模块连接，源极与所述第二电阻R₂的一端连接；

所述第二电阻R₂的另一端与第二外部电流供应端连接。

所述栅电压控制模块包括运算放大器OP，所述运算放大器OP的正向输入端与所述电路输入端连接，反向输入端与所述第二晶体管PM₂的漏极连接，所述运算放大器OP的输出端与第三晶体管PM₃的栅极连接。

所述第一晶体管PM₁、第二晶体管PM₂、第三晶体管PM₃都是PMOS管，所述公共端与参考电源的正极VDD连接，所述电路输入端与输入电流源的负极连接，输入电流源的正极与参考电源的负极连接，所述第一外部电流供应端与第一基准电流源的负极连接，第一基准电流源的正极与参考电源的负极连接，所述第二外部电流供应端与第二基准电流源的负极连接，第二基准电流源的正极与参考电源的负极连接。

所述第一基准电流源是输出与温度系数无关电流I₁，所述第二基准电流源是输出带有温度系数关系的电流I₂。所述第一电阻R₁是可调电阻。

本发明实施例三的电流镜像结构电路的工作原理分析如下：

本发明的电流镜像结构电路的技术构思运用于PMOS管共源共栅电流镜结构上，可以实现一个输入电压范围更大，不受PMOS管阈值电压V_TH的限制和温度变化的影响，电流镜像精度很高的伪电流镜电路结构。但与NMOS管伪电流镜工作原理不同是，利用引入第一外部电流I₁抽走部分电流，以达到第一晶体管PM₁和第二晶体管PM₂的栅极电压V_ctrl=V_in-I₁×R₁，既当电路输入端电压V_in较大时，在电路输入端电压Vin的基础，第一晶体管PM₁和第二晶体管PM₂的栅极电压减小I₁×R₁；通过调节I₁和R₁的值，可以使PMOS管工作在一个更低地V_DS电压范围，其中V_DS为第一晶体管PM₁的源漏电压，并提高PMOS管栅源电压，可在全温下可以正常导通工作。另外为了确保电路输出端电流I_out与第一外部电流I₁无关，同样需要引入第二外部电流I₂（与温度系数相关的电流I₂）抽走部分电流，假定第一晶体管PM₁与第二晶体管PM₂的尺寸比例为1：N，当设置I₂=N×I₁时，就可以得到电路输出端电流I_out=N×I_in，同时通过调整I₂的温度系数和增加一个运算放大器OP把第二晶体管PM₂的漏极电压V_X跟随电路输入端电压V_in，可以使本实施例的PMOS管伪电流镜具有很好的线性度，从而得到一个精确地N×I_in倍镜像电流。

虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是熟悉本技术领域的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本发明的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本发明的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本发明的权利要求所保护的范围内。

Claims (9)

1.一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，其特征在于，包括：

第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电阻、第二电阻与栅电压控制模块；

所述第一晶体管的漏极与电路输入端、所述第一电阻的一端连接，栅极与第一外部电流供应端、所述第一电阻的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第二晶体管的漏极与所述第二电阻的一端连接，栅极与所述第一电阻的另一端连接，源极与公共端连接；

所述第三晶体管的漏极与电路输出端连接，栅极与所述栅电压控制模块连接，源极与所述第二电阻的一端连接；

所述第二电阻的另一端与第二外部电流供应端连接；

所述公共端与参考电源的负极连接，所述电路输入端与输入电流源的正极连接，输入电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第一外部电流供应端与第一基准电流源的正极连接，第一基准电流源的负极与参考电源的正极连接，所述第二外部电流供应端与第二基准电流源的正极连接，第二基准电流源的负极与参考电源的正极连接；

所述第一基准电流源是输出与温度系数无关电流，所述第二基准电流源是输出带有温度系数关系的电流。

2.根据权利要求1所述的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，其特征在于，所述栅电压控制模块包括第三电阻、第四电阻与第五电阻；

所述第三电阻的一端与所述第二晶体管的漏极连接，所述第三电阻的另一端与所述第二电阻的一端、所述第三晶体管的源极连接；

所述第四电阻的一端与所述第五电阻的一端、所述第三晶体管的栅极连接，所述第四电阻的另一端与参考电源的正极连接，所述第五电阻的另一端与参考电源的负极连接。

3.根据权利要求1所述的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，其特征在于，所述栅电压控制模块包括运算放大器，所述运算放大器的正向输入端与所述电路输入端连接，反向输入端与所述第二晶体管的漏极连接，所述运算放大器的输出端与第三晶体管的栅极连接。

4.根据权利要求2或3所述的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管都是NMOS管。

5.根据权利要求3所述的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，其特征在于，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管都是PMOS管，所述公共端与参考电源的正极连接，所述电路输入端与输入电流源的负极连接，输入电流源的正极与参考电源的负极连接，所述第一外部电流供应端与第一基准电流源的负极连接，第一基准电流源的正极与参考电源的负极连接，所述第二外部电流供应端与第二基准电流源的负极连接，第二基准电流源的正极与参考电源的负极连接。

6.根据权利要求1所述的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，其特征在于，所述第一电阻是可调电阻。

7.一种实现低压输入工作的电流镜像方法，其特征在于，使用权利要求4所述的一种实现低压输入工作的电流镜像结构电路，包括以下步骤：

当所述电路输入端的电压小于所述第一晶体管的阈值电压时，调高所述第一电阻的阻值或者调高所述第一外部电流供应端的电流值，使所述第一晶体管的栅源电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压。

8.根据权利要求7所述的一种实现低压输入工作的电流镜像方法，其特征在于，当所述电路输入端电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压时，将所述第一电阻的阻值调零或者将所述第一外部电流供应端的电流值调零，使所述第一晶体管的栅源电压大于等于所述第一晶体管的阈值电压。

9.根据权利要求7所述的一种实现低压输入工作的电流镜像方法，其特征在于，当所述第一晶体管与所述第二晶体管的尺寸比例为1：N时，设置所述第一外部电流供应端与所述第二外部电流供应端的电流值比例为1：N。