CN116366046B - 场效应晶体管控制电路及电子设备 - Google Patents

场效应晶体管控制电路及电子设备 Download PDF

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Abstract

本申请涉及一种场效应晶体管控制电路及电子设备，设置有与第一场效应晶体管匹配的第二场效应晶体管，通过放大电路连接到第二场效应晶体管，采集第二场效应晶体管运行时的电流并经过电流镜电路传输到背栅电压调节电路。最终，背栅电压调节电路结合所检测到流经第二场效应晶体管的电流，调整第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的背栅电压，进而实现第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的带宽调节，使得第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以足够高的带宽运行，提高场效应晶体管的工作可靠性。

Description

场效应晶体管控制电路及电子设备
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种场效应晶体管控制电路及电子设备。
背景技术
随着半导体技术的发展，场效应晶体管在各类电子电路产品中使用越来越广泛，在面向高速的应用中，往往要求场效应晶体管的带宽足够高。
然而，半导体制造工艺以及实际电路工作过程中的温度和电压，均会对场效应晶体管产生影响，使得场效应晶体管出现带宽低于典型工作环境的情况。因此，场效应晶体管的工作可靠性较差。
发明内容
基于此，有必要提供一种场效应晶体管控制电路及电子设备，以解决场效应晶体管工作可靠性差的问题。
一种场效应晶体管控制电路，包括：第一场效应晶体管、与所述第一场效应晶体管匹配的第二场效应晶体管、放大电路、电流镜电路和背栅电压调节电路，所述第一场效应晶体管用于连接负载；所述第一场效应晶体管的背栅极连接所述第二场效应晶体管的背栅极；所述放大电路连接所述第二场效应晶体管，用于采集流经所述第二场效应晶体管的电流；所述电流镜电路连接所述放大电路、所述背栅电压调节电路和电流源，用于将所述电流镜像传输到所述背栅电压调节电路；所述背栅电压调节电路连接所述第二场效应管的背栅极和所述电流源，用于根据所述电流调节所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的背栅电压。
上述场效应晶体管控制电路，设置有与第一场效应晶体管匹配的第二场效应晶体管，通过放大电路连接到第二场效应晶体管，采集第二场效应晶体管运行时的电流并经过电流镜电路传输到背栅电压调节电路。最终，背栅电压调节电路结合所检测到流经第二场效应晶体管的电流，调整第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的背栅电压，进而实现第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的带宽调节，使得第一场效应晶体管和第二场效应晶体管以足够高的带宽运行，提高场效应晶体管的工作可靠性。
在其中一个实施例中，所述第一场效应晶体管的第一端和所述第二场效应晶体管的第一端分别接地，所述第一场效应晶体管的第二端和第三端用于连接负载，所述第二场效应晶体管的第二端连接所述放大电路，所述第二场效应晶体管的第三端用于输入参考电压。
在其中一个实施例中，所述电流镜电路包括第一开关器件、第二开关器件、第三开关器件和第四开关器件，所述第一开关器件的第一端连接所述放大电路、所述第二开关器件的第三端和所述第三开关器件的第三端，所述第一开关器件的第二端连接所述第二开关器件的第一端，所述第二开关器件的第二端连接所述第三开关器件的第一端和电源，所述第三开关器件的第二端连接所述第四开关器件的第一端，所述第四开关器件的第二端连接所述背栅电压调节电路和所述电流源，所述第一开关器件的第三端连接所述第四开关器件的第三端，所述第二开关器件的第三端连接所述第三开关器件的第三端。
在其中一个实施例中，所述第一场效应晶体管的第一端和所述第二场效应晶体管的第一端分别连接电源，所述第一场效应晶体管的第二端和第三端用于连接负载，所述第二场效应晶体管的第二端连接所述放大电路，所述第二场效应晶体管的第三端用于输入参考电压。
在其中一个实施例中，所述电流镜电路包括第一开关器件、第二开关器件、第三开关器件和第四开关器件，所述第一开关器件的第一端连接所述放大电路、所述第二开关器件的第三端和所述第三开关器件的第三端，所述第一开关器件的第二端连接所述第二开关器件的第一端，所述第二开关器件的第二端和所述第三开关器件的第一端分别接地，所述第三开关器件的第二端连接所述第四开关器件的第一端，所述第四开关器件的第二端连接所述背栅电压调节电路和所述电流源，所述第一开关器件的第三端连接所述第四开关器件的第三端，所述第二开关器件的第三端连接所述第三开关器件的第三端。
在其中一个实施例中，所述放大电路包括放大器和第五开关器件，所述放大器的第一输入端连接所述第五开关器件的第一端和所述第二场效应晶体管，所述放大器的第二输入端用于输入参考电压，所述放大器的输出端连接所述第五开关器件的第三端，所述第五开关器件的第二端连接所述电流镜电路。
在其中一个实施例中，所述背栅电压调节电路包括比较电路和可调电压源，所述比较电路连接所述电流镜电路、所述电流源和所述可调电压源，所述可调电压源连接所述第二场效应晶体管的背栅极。
在其中一个实施例中，所述比较电路包括动态锁存比较器，所述动态锁存比较器的第一输入端连接所述电流镜电路和所述电流源，所述动态锁存比较器的第二输入端用于输入参考电压，所述动态锁存比较器的时钟端用于输入时钟信号，所述动态锁存比较器的输出端连接所述可调电压源；
和/或，所述可调电压源包括移位寄存器数模转换电压源，所述移位寄存器数模转换电压源连接所述比较电路和所述第二场效应晶体管的背栅极。
一种电子设备，包括电流源和上述的场效应晶体管控制电路。
在其中一个实施例中，所述电流源为数模转换电流源。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例中场效应晶体管控制电路结构示意图；
图2为本申请另一实施例中场效应晶体管控制电路结构示意图；
图3为本申请一实施例中控制电路等效结构示意图；
图4为本申请又一实施例中场效应晶体管控制电路结构示意图；
图5为本申请一实施例中放大电路等效结构示意图；
图6为本申请一实施例中场效应晶体管控制电路电流支路示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。
请参阅图1，一种场效应晶体管控制电路，包括：第一场效应晶体管M1、与第一场效应晶体管M1匹配的第二场效应晶体管M2、放大电路12、电流镜电路14和背栅电压调节电路16，第一场效应晶体管M1用于连接负载(图未示)；第一场效应晶体管M1的背栅极连接第二场效应晶体管M2的背栅极；放大电路12连接第二场效应晶体管M2，用于采集流经第二场效应晶体管M2的电流；电流镜电路14连接放大电路12、背栅电压调节电路16和电流源，用于将电流镜像传输到背栅电压调节电路16；背栅电压调节电路16连接第二场效应管的背栅极和电流源，用于根据电流调节第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的背栅电压。
具体地，场效应晶体管即MOS管(Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)。本实施例的方案中，将第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2设置匹配，使得第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2在实际运行过程中，受电压影响相同，因此可通过检测流经第二场效应晶体管M2的电流，同时实现第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的背栅电压调节。
对于MOS管，在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同，对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位，有VBS≤0；对PMOS管而言，衬底通常接电路的最高电位，有VBS≥0。这时，MOS管的阈值电压将随其源极和衬底之间电位的不同而发生变化，这一效应称为“背栅效应”。MOS管的栅电压定义为阈值电压，它是MOS管的重要参数之一，MOS管的阈值电压等于背栅(backgate)和源极(source)接在一起时，形成沟道(channel)需要的栅极(gate)对源极的偏置电压，如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。
因此，在MOS管工作在饱和区时其带宽可表示为：
VSB＝VS-VB
其中，ft为MOS管的带宽，Cgs为MOS管栅源电容，gm为MOS管跨导，为半导体中本征费米能级与准费米能级的电势差，γ为体效应系数，Vth0为VS＝VB时的阈值电压，VS为MOS管源极电压，VB为MOS管背栅电压，μ为载流子迁移率，Cox为单位面积的栅氧化层电容，/>为MOS管的栅宽和栅长比，Vgs为MOS管栅源电压，Vth为MOS管阈值电压。
基于上述描述可知，提高VB能减小Vth，从而提高gm，最终达到提高MOS管带宽ft的目的。
受工作电压(PVT)影响，MOS管存在带宽低于典型工作环境的情况，由公式可知，带宽ft的减小主要由gm中的参数μ、Cox、Vth的变化，导致gm减小所造成的，根据公式/>可知，gm减小的同时，往往伴随着流经MOS管的电流的减小。故本实施例的方案，可通过检测流经MOS管的电流I的大小，来分析MOS管的带宽变化。
本申请的技术方案，设置放大电路12与第二场效应晶体管M2连接，采集第二场效应晶体管M2工作时的电流，之后经过电流镜电路14将电流镜像传输到背栅电压调节电路16，经过背栅电压调节电路16分析是否需要对场效应晶体管进行背栅电压调节。在需要调节的情况下，通过背栅电压调节电路16调节第一场效应晶体管M1以及第二场效应晶体管M2的背栅电压的大小，最终结合实际运行状态改变第一场效应晶体管M1以及第二场效应晶体管M2的带宽，提高第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的工作可靠性。
应当指出的是，第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的设置方式并不是唯一的，在一个较为详细的实施例中，第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的宽长比可设置为W1/L1:W2/L2＝N:1，其中，N为正整数，W1/L1为第一场效应晶体管M1的宽长比，W2/L2为第二场效应晶体管M2的宽长比。
可以理解，在实际应用场景中，第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的具体选型并不是唯一的，结合实际应用场景不同，第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2也会有所区别。例如，在一个较为详细的实施例中，可将第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2均设置为NMOS管。在另外的实施例中，还可将第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2均设置为PMOS管。
上述场效应晶体管控制电路，设置有与第一场效应晶体管M1匹配的第二场效应晶体管M2，通过放大电路12连接到第二场效应晶体管M2，采集第二场效应晶体管M2运行时的电流并经过电流镜电路14传输到背栅电压调节电路16。最终，背栅电压调节电路16结合所检测到流经第二场效应晶体管M2的电流，调整第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的背栅电压，进而实现第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的带宽调节，使得第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2以足够高的带宽运行，提高场效应晶体管的工作可靠性。
请结合参阅图2，在其中一个实施例中，第一场效应晶体管M1的第一端和第二场效应晶体管M2的第一端分别接地，第一场效应晶体管M1的第二端和第三端用于连接负载(图未示)，第二场效应晶体管M2的第二端连接放大电路12，第二场效应晶体管M2的第三端用于输入参考电压。
具体地，第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的连接方式并不是唯一的，本实施例的方案，将第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的第一端分别接地设置，第二场效应晶体管M2的第三端用于输入参考电压。第一场效应晶体管M1的第二端连接和第三端则连接负载，在第一场效应晶体管M1的导通和关断下，使得负载开启运行或者中断负载运行。
相应的，请继续参阅图2，在其中一个实施例中，电流镜电路14包括第一开关器件Q1、第二开关器件Q2、第三开关器件Q3和第四开关器件Q4，第一开关器件Q1的第一端连接放大电路12、第二开关器件Q2的第三端和第三开关器件Q3的第三端，第一开关器件Q1的第二端连接第二开关器件Q2的第一端，第二开关器件Q2的第二端连接第三开关器件Q3的第一端和电源，第三开关器件Q3的第二端连接第四开关器件Q4的第一端，第四开关器件Q4的第二端连接背栅电压调节电路16和电流源IDAC，第一开关器件Q1的第三端连接第四开关器件Q4的第三端，第二开关器件Q2的第三端连接第三开关器件Q3的第三端。
具体地，电流镜即为镜像恒流源，其受控电流与输入参考电流相等，也即输入、输出电流传输比等于1，其特点是输出电流对输入电流按一定比例复制，用来产生偏置电流和作为有源负载。电流镜电路14的具体结构并不是唯一的，只需完成将放大电路12所采集的电流1：1传输到背栅电压调节电路16均可，结合第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2在电路中的连接方式不同，电流镜电路14的接入方式也会有所区别。
本实施例的方案，以四个开关器件搭建形成电流镜电路14，在第一场效应晶体管M1的第一端和第二场效应晶体管M2的第一端分别接地的基础上，电流镜电路14的第二开关器件Q2的第二端以及第三开关器件Q3的第二端分别连接电源，从而形成完整的电流回路，其等效电路可参阅图3。其中，第一开关器件Q1、第二开关器件Q2、第三开关器件Q3以及第四开关器件Q4均为PMOS管，均偏置在饱和区，第一开关器件Q1的宽长比与第四开关器件Q4的宽长比相等，第二开关器件Q2的宽长比与第三开关器件Q3的宽长比相等。Vcas为第一开关器件Q1和第四开关器件Q4的栅极偏置电压，设置电流源I1＝I2，根据MOS管饱和区漏极电流公式：故有Vb＝Vx，式中μ为载流子迁移率，Cox为单位面积的栅氧化层电容，Vgs为MOS管栅源电压，Vth为MOS管阈值电压，Vds为MOS管漏源电压，λ为沟道长度调制系数，W和L为MOS管的栅宽和栅长。
在另外的实施例中，请参阅图4，第一场效应晶体管M1的第一端和第二场效应晶体管M2的第一端分别连接电源，第一场效应晶体管M1的第二端和第三端用于连接负载，第二场效应晶体管M2的第二端连接放大电路12，第二场效应晶体管M2的第三端用于输入参考电压。
具体地，与上述实施例中第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2接地设置不同，本实施例的方案，还可结合实际需求将第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2接电源设置，也即第一场效应晶体管M1的第一端和第二场效应晶体管M2的第一端分别连接电源，第一场效应晶体管M1的第二端和第三端连接负载，通过第一场效应晶体管M1导通或关断，从而实现负载运行控制。
进一步地，请结合参阅图4，在其中一个实施例中，电流镜电路14包括第一开关器件Q1、第二开关器件Q2、第三开关器件Q3和第四开关器件Q4，第一开关器件Q1的第一端连接放大电路12、第二开关器件Q2的第三端和第三开关器件Q3的第三端，第一开关器件Q1的第二端连接第二开关器件Q2的第一端，第二开关器件Q2的第二端和第三开关器件Q3的第一端分别接地，第三开关器件Q3的第二端连接第四开关器件Q4的第一端，第四开关器件Q4的第二端连接背栅电压调节电路16和电流源IDAC，第一开关器件Q1的第三端连接第四开关器件Q4的第三端，第二开关器件Q2的第三端连接第三开关器件Q3的第三端。
具体地，在第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2接电源的情况下，对应的，可将第二开关器件Q2的第二端以及第三开关器件Q3的第二端接地设置，同样可形成完整的电流回路。基于与上述相同的原理，可得到本实施例的电流镜电路14中，Vb＝Vx，具体不再赘述。
放大电路12的具体类型并不是唯一的，在其中一个实施例中，可结合参阅图2或者图4，放大电路12包括放大器A1和第五开关器件Q5，放大器A1的第一输入端连接第五开关器件Q5的第一端和第二场效应晶体管M2，放大器A1的第二输入端用于输入参考电压，放大器A1的输出端连接第五开关器件Q5的第三端，第五开关器件Q5的第二端连接电流镜电路14。
具体地，放大器A1的第一输入端连接至第五开关器件Q5的第一端以及场效应晶体管的第二端(漏端)，用以采集第二场效应晶体管M2的漏电流。放大器A1的具体类型并不是唯一的，在一个较为详细的实施例中，放大器A1为差分放大器A1，其中，差分放大器A1的第一输入端连接第二场效应晶体管M2和第五开关器件Q5的第一端，差分放大器A1的第二输入端用于输入参考电压Vd，差分放大器A1的输出端连接到第五开关器件Q5的第三端(也即控制端或栅极)。
放大电路12与第二场效应晶体管M2的等效连接电路图可参阅图5，第五开关器件Q5与等效电流源I0构成源极跟随结构，差分放大器A1与源极跟随结构组成两级差分放大结构，放大电路12的输出电压Va以单位负反馈的形式接到差分放大器A1的负输入端，差分放大器A1两个输入端电压虚短，故Va＝Vd。
请结合参阅图2或图4，在其中一个实施例中，背栅电压调节电路16包括比较电路CMP和可调电压源VDAC，比较电路CMP连接电流镜电路14、电流源和可调电压源VDAC，可调电压源VDAC连接第二场效应晶体管M2的背栅极。
具体地，背栅电压调节电路16具体包括比较电路CMP和可调电压源VDAC，首先通过比较电路CMP，分析当前所采集的第二场效应晶体管M2的电流情况下，是否需要对第二场效应晶体管M2的背栅电压进行调整。在所采集的电流过低时，需通过可调电压源VDAC的工作状态调整，调高第二场效应晶体管M2的背栅电压，直至使得所采集的电流小于或等于参考电流。
应当指出的是，比较电路CMP和可调电压源VDAC的具体类型并不是唯一的，只要是能够根据所采集电流的实际情况，确定是否对背栅电压进行调整，并在确定需要对背栅电压进行调整时，改变背栅电压大小类型的电路均可。例如，在其中一个实施例中，比较电路CMP包括动态锁存比较器，动态锁存比较器的第一输入端连接电流镜电路14和电流源，动态锁存比较器的第二输入端用于输入参考电压，动态锁存比较器的时钟端用于输入时钟信号，动态锁存比较器的输出端连接可调电压源VDAC；
和/或，在一个实施例中，可调电压源VDAC包括移位寄存器数模转换电压源，移位寄存器数模转换电压源连接比较电路CMP和第二场效应晶体管M2的背栅极。
具体地，可结合参阅图6，设第二场效应晶体管M2的栅偏置电压为Vg、漏偏置电压Va＝Vd、源极偏置电压和背栅电压为0，Vg、Vd来自参考电压，电压大小随工作电压变化较小。当第二场效应晶体管M2受工作电压影响漏端电流降低时，支路1电流I1减小，根据MOS管饱和区电流公式，第二开关器件Q2的栅源|Vgs2|减小；由于|Vgs2|＝|Vgs3|，故第三开关器件Q3的栅源|Vgs3|减小。支路2的电流I2有：I2＝Iref(电流源的电流)，故Vx点电压下降。反之，当第二场效应晶体管M2受工作电压影响漏端电流升高时，Vx点电压上升。
当I1≥Iref时，由于支路2增益较大，Vx≥Vref，动态锁存比较器输出为1，使移位寄存器数模转换电压源将第二场效应晶体管M2的背栅电压偏置维持为当前偏置电压(初始背栅偏置电压为0)。当I1≤Iref时，Vx≤Vref，动态锁存比较器输出为0，当时钟CLK到来时通过移位寄存器数模转换电压源将第二场效应晶体管M2的背栅电压提高ΔV。之后检测I1与Ire，如仍然I1≤Iref，下一个时钟CLK到来时移位寄存器数模转换电压源将第二场效应晶体管M2的背栅电压再提高ΔV，直至I1≥Iref，动态锁存比较器输出为1，使移位寄存器数模转换电压源将第二场效应晶体管M2的背栅电压偏置维持为当前偏置电压。
由于第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2相匹配，在实际工作过程中受工作电压影响是相同的，故本申请可以通过检测第二场效应晶体管M2的电流，来检测和调整第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的背栅电压，同时提高第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的带宽，而第一场效应晶体管M1也不受本申请场效应晶体管控制电路的环路寄生参数，而影响其本身所在电路的电路带宽。
一种电子设备，包括电流源和上述的场效应晶体管控制电路。
具体地，本申请还提供一种电子设备，场效应晶体管控制电路如上述各个实施例以及附图所示，该电子设备通过第一场效应晶体管M1实现负载运行控制，将第一场效应晶体管M1的背栅极连接到第二场效应晶体管M2的背栅极以及背栅电压调节电路16，在实际工作过程中根据工作电压的变化，适应调整背栅电压大小，以保证第一场效应晶体管M1的工作可靠性。
上述电子设备，设置有与第一场效应晶体管M1匹配的第二场效应晶体管M2，通过放大电路12连接到第二场效应晶体管M2，采集第二场效应晶体管M2运行时的电流并经过电流镜电路14传输到背栅电压调节电路16。最终，背栅电压调节电路16结合所检测到流经第二场效应晶体管M2的电流，调整第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的背栅电压，进而实现第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2的带宽调节，使得第一场效应晶体管M1和第二场效应晶体管M2以足够高的带宽运行，提高场效应晶体管的工作可靠性。
应当指出的是，电流源的具体类型并不是唯一的，只要能够实现为场效应晶体管控制电路提供恒定电流均可，例如，在其中一个实施例中，电流源为数模转换电流源。在另外的实施例中，还可采用其它类型的电流源，具体不做限定。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种场效应晶体管控制电路，其特征在于，包括：
第一场效应晶体管，用于连接负载；
与所述第一场效应晶体管匹配的第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的背栅极连接所述第二场效应晶体管的背栅极；
放大电路，连接所述第二场效应晶体管，用于采集流经所述第二场效应晶体管的电流；
电流镜电路，连接所述放大电路、背栅电压调节电路和电流源，用于将所述电流镜像传输到所述背栅电压调节电路；
背栅电压调节电路，连接所述第二场效应晶体管的背栅极和所述电流源，用于根据所述电流调节所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的背栅电压。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管控制电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管的第一端和所述第二场效应晶体管的第一端分别接地，所述第一场效应晶体管的第二端和第三端用于连接负载，所述第二场效应晶体管的第二端连接所述放大电路，所述第二场效应晶体管的第三端用于输入参考电压。
3.根据权利要求2所述的场效应晶体管控制电路，其特征在于，所述电流镜电路包括第一开关器件、第二开关器件、第三开关器件和第四开关器件，所述第一开关器件的第一端连接所述放大电路、所述第二开关器件的第三端和所述第三开关器件的第三端，所述第一开关器件的第二端连接所述第二开关器件的第一端，所述第二开关器件的第二端连接所述第三开关器件的第一端和电源，所述第三开关器件的第二端连接所述第四开关器件的第一端，所述第四开关器件的第二端连接所述背栅电压调节电路和所述电流源，所述第一开关器件的第三端连接所述第四开关器件的第三端，所述第二开关器件的第三端连接所述第三开关器件的第三端。
4.根据权利要求1所述的场效应晶体管控制电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管的第一端和所述第二场效应晶体管的第一端分别连接电源，所述第一场效应晶体管的第二端和第三端用于连接负载，所述第二场效应晶体管的第二端连接所述放大电路，所述第二场效应晶体管的第三端用于输入参考电压。
5.根据权利要求4所述的场效应晶体管控制电路，其特征在于，所述电流镜电路包括第一开关器件、第二开关器件、第三开关器件和第四开关器件，所述第一开关器件的第一端连接所述放大电路、所述第二开关器件的第三端和所述第三开关器件的第三端，所述第一开关器件的第二端连接所述第二开关器件的第一端，所述第二开关器件的第二端和所述第三开关器件的第一端分别接地，所述第三开关器件的第二端连接所述第四开关器件的第一端，所述第四开关器件的第二端连接所述背栅电压调节电路和所述电流源，所述第一开关器件的第三端连接所述第四开关器件的第三端，所述第二开关器件的第三端连接所述第三开关器件的第三端。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的场效应晶体管控制电路，其特征在于，所述放大电路包括放大器和第五开关器件，所述放大器的第一输入端连接所述第五开关器件的第一端和所述第二场效应晶体管，所述放大器的第二输入端用于输入参考电压，所述放大器的输出端连接所述第五开关器件的第三端，所述第五开关器件的第二端连接所述电流镜电路。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的场效应晶体管控制电路，其特征在于，所述背栅电压调节电路包括比较电路和可调电压源，所述比较电路连接所述电流镜电路、所述电流源和所述可调电压源，所述可调电压源连接所述第二场效应晶体管的背栅极。
8.根据权利要求7所述的场效应晶体管控制电路，其特征在于，所述比较电路包括动态锁存比较器，所述动态锁存比较器的第一输入端连接所述电流镜电路和所述电流源，所述动态锁存比较器的第二输入端用于输入参考电压，所述动态锁存比较器的时钟端用于输入时钟信号，所述动态锁存比较器的输出端连接所述可调电压源；
和/或，所述可调电压源包括移位寄存器数模转换电压源，所述移位寄存器数模转换电压源连接所述比较电路和所述第二场效应晶体管的背栅极。
9.一种电子设备，其特征在于，包括电流源和权利要求1-8任意一项所述的场效应晶体管控制电路。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述电流源为数模转换电流源。
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