CN109491440B - 一种电压参考电路 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电压参考电路，包括带隙基准模块、运算放大器、电阻电压修调电路和负温度系数电流补偿电路。带隙基准模块包括电阻R1～R4、三极管Q1～Q3，运算放大器的第一输入端和第二输入端分别连接Q2、Q3的集电极，电阻电压修调电路串联在Q1和R1之间，负温度系数电流补偿电路连接在电阻电压修调电路的尾端。本发明通过引入修调电路和负温度系数电流补偿电路，使得在任一工艺角下，参考电压均可以满足进度指标要求，并且温漂系数也能得到有效改善。

Description

一种电压参考电路
技术领域
本发明涉及一种电压参考电路，特别涉及一种高精度低温漂的电压参考电路，适用于开关电源的环路控制。
背景技术
在集成电路领域，电压参考电路有着非常重要的作用，被广泛应用在模拟集成电路和数字集成电路中；电压参考电路性能的好坏往往影响着整个集成电路系统性能的好坏。一个理想的电压参考电路其参考电压不受工作电压、温度和电路中器件工艺偏差(工艺角)的影响，始终保持一个稳定的电压值。
通常情况下，电压参考电路一般通过将正温度系数电压和负温度系数电压以适当的参数耦合相加，从而令正温度系数电压的温度系数和负温度系数电压的温度系数相互抵消，以此得到一个温漂系数接近于零的参考电压。正温度系数电压来源于两个三极管的基极-发射极电压之差ΔVBE，负温度系数电压则来源于三极管的基极-发射极电压VBE。
如图1是典型的带隙基准参考电压电路，通过运算放大器将电路中的A、B两点钳制在同一电位，其中三极管Q1的发射极连接着一个电阻R1，三极管Q1、Q2的基极-发射极电压差ΔVBE就等于该电阻上的电压降，此时R1中有一电流IPTAT流过，ΔVBE通过电阻R1转化成电流IPTAT。电路中PM1和PM3的器件参数相等，则R1和R2中流过相同的电流，电阻R2上将得到正温度系数电压VPTAT,参考电压可以表示为：
Figure BDA0001921520900000011
通过改变R1、R2的阻值比可以改变VPTAT的电压值和温度系数，当两个电阻的阻值选取合理时，VBE3的负温度系数和VPTAT的正温度系数相加为零，此时得到参考电压即与温度无关。
但是，参考电压不仅受到温度的影响，还受生产工艺的影响。同样的电路参数在不同的工艺角下会得到不同大小的参考电压，这就导致电压参考电路在实际使用中，会有大量晶圆因为参考电压与指标要求之间存在较大偏差而被淘汰，所以在电路设计时还应该考虑工艺角对电路的影响，要使参考电压在不同的工艺角下，均能够满足指标要求。因此需要在电压参考电路中引入修调电路，此时参考电压Vref＝VPTAT+VBE+VTrim,VTrim为引入的修调电压。如果引入工艺角后参考电压偏小，就增大修调电压来使参考电压升高；如果引入工艺角后参考电压偏大，则减小修调电压使参考电压降低。
通常情况下，参考电压的修调通过在电路中添加修调电阻来实现；电路中加入修调电阻后，IPTAT流过修调电阻产生修调电压VTrim，改变修调电阻的阻值即可实现对参考电压的调节。
由于电流IPTAT具有正温度系数，它在修调电阻上产生的压降VTrim也具有正温度系数，单纯的增大或减小修调电阻会使得VTrim的温度系数也随之增大或减小，正负温度系数不再能相互抵消，造成参考电压的温度系数更加偏离零值。
发明内容
本发明提供了一种低温漂系数的电压参考电路，在电路内部设计了一个误差放大器，通过反馈回路将放大器的输出反馈至电路的参考电压端口，具有较强的环路控制能力。并且在任一工艺角下，其参考电压均可以满足高精度的指标要求。
本发明通过建立以下的电路来达到以上目的：
一种电压参考电路，包括带隙基准模块和差分放大器单元组成的带隙基准电压电路；
带隙基准模块包括电阻R1～电阻R4、三极管Q1～Q3，三极管Q1集电极连接供电端，三极管Q1基极作为参考电压输出端，电阻R2一端和电阻R3一端连接，电阻R1一端连接至电阻R2和电阻R3的连接点，电阻R2另一端连接三极管Q2集电极，电阻R3另一端连接三极管Q3集电极，三极管Q2集电极和基极连接三极管Q3基极，三极管Q2发射极连接参考地，三极管Q3发射极通过电阻R4连接参考地；
差分放大器单元包括第一电流镜、电阻R5、电阻R6、三极管Q4～三极管Q8、电容C1和电容C2，第一电流镜的供电端作为差分放大器单元的供电端，第一电流镜的输入端连接三极管Q4的集电极，三极管Q4基极连接三极管Q1发射极，三极管Q4发射极通过电阻R5连接至三极管Q5集电极，三极管Q5基极作为差分放大器单元的第一输入端连接三极管Q3集电极，电容C1并联在三极管Q5基极和集电极之间，第一电流镜的输出端连接三极管Q6集电极和三极管Q7基极，三极管Q6基极作为差分放大器的第二输入端连接三极管Q2集电极，三极管Q7集电极和三极管Q8集电极连接作为差分放大器单元的输出端，三极管Q7发射极和三极管Q8基极连接电阻R6一端，电容C2一端连接三极管Q7基极，电容C2另一端连接三极管Q8集电极，三极管Q5发射极、Q6发射极、Q8发射极和电阻R6另一端连接参考地；
还包括PMOS管PM3、电阻电压修调电路和负温度系数电流补偿电路；
电阻电压修调电路由电阻R7～电阻R10和NMOS管NM1～NMOS管NM4组成，电阻R7一端连接至三极管Q1发射极，电阻R7另一端依次通过电阻R8、电阻R9连接至电阻R10一端，电阻R10另一端连接电阻R1另一端，NMOS管NM1～NMOS管NM4的漏极、源极分别依次并联在电阻R7～电阻R10两端；
负温度系数电流补偿电路包括第二电流镜、三极管Q9、电阻R11、NMOS管NM5、NM6、NM7、NM8和NM19，第二电流镜的供电端为负温度系数电流补偿电路的供电端，第二电流镜的输入端连接NMOS管NM19漏极，NMOS管NM19栅极连接三极管Q9集电极，NMOS管NM19源极连接三极管Q9基极和电阻R11一端，第二电流镜输出端依次经过NMOS管NM5漏极、NM5源极、NM6漏极、NM6源极连接参考地，NM5栅极和NM8栅极连接NM5漏极，NM6栅极和NM7栅极连接NM6漏极，NM7漏极连接NM8源极，NM8漏极连接电阻R1另一端，三极管Q9发射极、电阻R11另一端、NMOS管NM7源极均连接参考地；
运算放大器单元和负温度系数电流补偿单元之间连接PMOS管PM3，PMOS管PM3源极连接供电端，PMOS管PM3栅极连接第一电流镜输入端，PMOS管PM3漏极连接三极管Q9的集电极。
优选的，第一电流镜包括PMOS管PM1和PM2，PMOS管PM1和PM2的源极连接供电端，PMOS管PM1和PM2的栅极连接PMOS管PM1的漏极作为第一电流镜输入端，PMOS管PM2的漏极作为第一电流镜输出端。
优选的，第二电流镜包括PMOS管PM4和PM5，PMOS管PM4和PM5的源极连接供电端，PMOS管PM4和PM5的栅极连接PMOS管PM4的漏极作为第二电流镜输入端，PMOS管PM5的漏极作为第二电流镜输出端。
优选的，负温度系数电流补偿电路还包括NMOS管NM9～NM18，负温度系数电流补偿电路通过NMOS管NM7～NM18与电阻电压修调电路连接，其中，NMOS管NM8漏极经过NMOS管NM9源漏极连接至电阻电压修调电路尾端，NMOS管NM10漏极经过NMOS管NM11源漏极、NMOS管NM12源漏极连接电阻R1另一端，NMOS管NM13漏极经过NMOS管NM14源漏极、NMOS管NM15源漏极连接电阻R1另一端，NMOS管NM16漏极经过NMOS管NM17源漏极、NMOS管NM18源漏极连接至电阻R1另一端，NMOS管NM11栅极、NM14栅极连接NMOS管NM5漏极，NMOS管NM10栅极、NM13栅极、NM16栅极、NM17栅极连接NMOS管NM6漏极，NMOS管NM10源极、NM13源极、NM16源极连接参考地。
本发明所带来的优势如下：
(1)在不同的工艺角下，均能通过修调使得参考基准电压达到设定的参数指标要求。
(2)在引入电压修调的同时，有效改善参考电压的温度特性，减小参考电压温漂系数。
附图说明
图1为典型的带隙基准电压参考电路；
图2为本发明所采用的参考电压产生电路；
图3为本发明电阻电压修调电路的NMOS管-电阻对；
图4为本发明实施例一的负温度系数电流补偿电路；
图5为本发明实施例一的电路原理图；
图6为本发明实施例二的负温度系数电流补偿电路；
图7为本发明实施例二的电路原理图。
具体实施方式
如图2为现有的带隙基准电压电路，包括带隙基准模块和差分放大器单元；
带隙基准模块包括电阻R1～电阻R4、三极管Q1～Q3，Q1集电极连接供电端VDD，Q1基极作为参考电压输出端，R2一端和R3一端连接，R1一端连接至R2和R3的连接点，R2另一端连接Q2集电极，R3另一端连接Q3集电极，Q2集电极和基极连接Q3基极，Q2发射极连接参考地，Q3发射极通过R4连接参考地；
差分放大器单元包括由PMOS管PM1和PM2组成的第一电流镜、电阻R5、电阻R6、三极管Q4～三极管Q8、电容C1和电容C2，PM1和PM2的源极连接供电端VDD作为差分放大器单元的供电端，PM1和PM2的栅极连接PM1的漏极作为第一电流镜输入端，PM2的漏极作为第一电流镜输出端，第一电流镜的输入端连接Q4集电极，Q4基极连接Q1发射极，Q4发射极通过R5连接至Q5集电极，Q5基极作为差分放大器单元的第一输入端连接Q3集电极，C1并联在Q5基极和集电极之间，第一电流镜的输出端连接Q6集电极和Q7基极，Q6基极作为差分放大器的第二输入端连接Q2集电极，Q7集电极和Q8集电极连接作为差分放大器单元的输出端，Q7发射极和Q8基极连接R6一端，C2一端连接Q7基极，C2另一端连接Q8集电极，Q5发射极、Q6发射极、Q8发射极和R6另一端连接参考地；
本发明的主要构思为：在现有的带隙基准电压电路上增加电阻电压修调电路和负温度系数电流补偿电路，以解决不同工艺角对参考电压的影响，同时保证参考电压的温度系数零偏移。
为了更好的理解本发明的发明构思，以下将通过具体实施例对本发明的电压参考电路进行进一步详细说明。
实施例一
基于图2的电路连接关系，本实施例的电压参考电路还包括电阻电压修调电路、负温度系数电流补偿电路。
图3为本实施例电阻电压修调电路的NMOS管-电阻对，电阻电压修调电路由电阻R7～电阻R10和NMOS管NM1～NMOS管NM4组成，R7一端连接至三极管Q1的发射极，R7另一端依次连接R8、R9和R10一端，R10另一端连接电阻R1另一端，NM1～NMOS管NM4的漏极、源极依次并联在电阻R7～电阻R10两端；
图4为本实施例的负温度系数电流补偿电路，包括由PMOS管PM4和PM5组成的第二电流镜、三极管Q9、电阻R11、NMOS管NM5、NM6、NM7、NM8和NM19，PM4和PM5的源极连接供电端VDD作为负温度系数电流补偿电路的供电端，PM4和PM5的栅极连接PM4漏极作为第二电流镜输入端，PM5漏极作为第二电流镜输出端，第二电流镜的输入端连接NM19的漏极，NM19栅极连接Q9集电极，NM19源极连接Q9基极和R11一端，第二电流镜输出端依次经过NM5漏极、NM5源极、NM6漏极、NM6源极连接参考地，NM5栅极和NM8栅极连接NM5漏极，NM6栅极和NM7栅极连接NM6漏极，NM7漏极连接NM8源极，NM8漏极连接电阻R1另一端，Q9发射极、R11另一端、NM7源极均连接参考地；
运算放大器单元和负温度系数电流补偿单元之间连接PMOS管PM3，PM3源极连接供电端，PM3栅极连接第一电流镜输入端，PM3漏极连接三极管Q9的集电极。
图5所示为实施例一的原理图，运算放大器单元和负温度系数电流补偿单元之间连接一PMOS管PM3，PM3源极连接供电端，PM3栅极连接第一电流镜输入端，PM3漏极连接三极管Q9的集电极；
本实施的工作原理具体如下：
遵循上述连接关系，带隙基准模块中的R2和R3的阻值具有如下关系：R2：R3＝1：n；当电路正常工作时，R2和R3中流过的电流I2:I3＝n:1，两个电流分别给Q2和Q3提供偏置电流，使Q2和Q3各自产生一个基极-发射极电压VBE2、VBE3，同时电流I3在流经R4时将产生一个电压降，由于运算放大器的钳位作用，两个三极管的Q2和Q3的集电极端电压相等，可得VBE2＝VBE3+I3R4，两个三极管的基极-发射极电压差ΔVBE转化为电阻R4的压降，ΔVBE可以由以下公式求得：
Figure BDA0001921520900000051
由此推导出电流
Figure BDA0001921520900000061
VT具有正温度系数。
R1上将流过具有正温度系数的电流IPTAT，它等于电流I2和I3之和，R1上的电压为
Figure BDA0001921520900000062
同时正温度系数电流IPTAT流过Q1产生基极-发射极电压VBE1。
参考电压Vref可以表示为Vref＝VBE1+VR1+VBE3+VR3。其中的VBE1、VBE3具有负温度系数，VR1和VR2具有正温度系数，两者耦合，只要选取合适的R1和R4，即可得到一个与温度近似于无关的Vref。
电阻电压修调电路通过控制NMOS管NM1～NM4的导通与截止，以此控制接入带隙基准的修调电阻的阻值。修调电阻串联在带隙基准电压电路的Q1和R1之间。当NM1～NM4导通时，正温度系数电流IPTAT从NM1～NM4中流过，电阻R1～R4被短路，此时电阻上没有电压产生；当NM1～NM4中某一NMOS管截止时，电流IPTAT从与该NMOS管并联的电阻中流过并产生电压。
优选的，本实施例中设置R7、R8、R9、R10的阻值比为1:2:4:8，引入修调电压之后的参考电压可以表示为Vref＝VBE1+VR1+VBE3+VR3+VTrim，式中VTrim＝IPTAT·RTrim，RTrim是IPTAT流过的修调电阻的总阻值。
但在实际情况中，参考电压在某些工艺角下会出现偏大的情况，此时就需要接入的修调电压VTrim的值为负。为了得到负值的修调电压VTrim，需要在典型工艺角下，将R10接入回路，然后将参考电压值调节至所要求的电压值，令此时的VTrim＝0。当需要值为负的VTrim时，则将R10短路，再根据实际需求将R7、R8、R9中的一个或几个电阻接入回路之中，当接入的修调电阻总阻值小于R10的阻值时，VTrim＜0，即将参考电压进行负向修调；如果需要将参考电压进行正向修调，只需要在保持R10接入时再接入R7、R8、R9中的一个或几个电阻，此时修调电阻总阻值大于R10的阻值，即VTrim＞0。
因为IPTAT具有正温度系数，所以它在修调电阻上产生的修调电压也具有正温度系数，在叠加了修调电压之后，参考电压Vref的温漂系数将会变大，不能再满足低温漂的要求。为了减小修调电压VTrim对温漂系数的影响，需要让修调电压的温漂系数尽量小，故需要引入具有负温度系数的补偿电流。通过引入负温度系数补偿电流ICTAT，让它的温度系数和IPTAT的正温度系数抵消，最终使作用在修调电阻上的总电流近似于零温漂，此时的修调电压近似与温度无关。
负温度系数补偿电流ICTAT由Q9和R11产生。运算放大器单元的偏置电流通过PM3被复制传递至Q9集电极端，从而使Q9的基极-发射极之间存在电压VBE，VBE等于R11两端的电压，R11上的电流
Figure BDA0001921520900000071
该电流具有负温度系数，该电流经由PM4和PM5组成的第二电流镜被复制到NM5、NM6所在的支路，NM5、NM6、NM7和NM8构成第三电流镜，将负温度系数补偿电流ICTAT复制后并传递至修调电阻所在的电路，与正温度系数电流IPTAT进行耦合。
对于修调参数可以由以下推导过程确定：若已设计指标的精度要求为x％，参考电压为Vref，可以确定出修调一位需要改变的电压值为Vref·x％。通过软件仿真出电路的参考电压在正向偏差工艺角和负向偏差工艺角下的的极限值，即最大正向偏差电压和最大负向偏差电压，比较它们和参考电压之间的偏差从而确定最大正向修调和最大负向修调的位数分别为
Figure BDA0001921520900000072
和
Figure BDA0001921520900000073
Vrefn,corner_min是最大正向偏差电压，Vrefp,corner_max是最大负向偏差电压。
通过以上的分析确定本发明最多需要7位正向修调，8位负向修调，故选择4bits修调。由于修调电阻中流过的电流是确定的，即正温度系数电流IPTAT和负温度系数补偿电流ICTAT之和，由此可以确定修调一位所需改变的修调电阻阻值为
Figure BDA0001921520900000074
该电阻值即为R7的电阻值，根据R7、R8、R9、R10的阻值比可以确定R8、R9、R10的电阻值。对于不同的工艺角，可以仿真该工艺角下的偏差电压和参考电压的偏差值，利用偏差值除以修调一位可改变的电压值，即可得到需要修调的位数。
表1为本实施例工艺角仿真结果，表中，t表示typical(驱动电流平均值)，s表示slow(驱动电流最小值)，f表示fast(驱动电流最大值)，由表格可知，本实施的电压参考电路的参考电压在任一工艺角下经过修调后均满足精度要求，并且温漂系数也能得到有效改善。
表1实施例一工艺角仿真表
Figure BDA0001921520900000075
Figure BDA0001921520900000081
Figure BDA0001921520900000091
实施例二
图6为本实施例的负温度系数电流补偿电路，与实施例一不同之处在于负温度系数电流补偿电路还包括NMOS管NM9～NM18，负温度系数电流补偿电路通过NMOS管NM7～NM18与电阻电压修调电路连接，NM8漏极经过NM9源漏极连接至电阻电压修调电路尾端，NM10漏极经过NM11源漏极、NM12源漏极连接电阻R1另一端，NM13漏极经过NM14源漏极、NM15源漏极连接电阻R1另一端，NM16漏极经过NM17源漏极、NM18源漏极连接至电阻R1另一端，NM11栅极、NM14栅极连接NM5漏极，NM10栅极、NM13栅极、NM16栅极、NM17栅极连接NM6漏极，NM10源极、NM13源极、NM16源极连接参考地。
优选的，本实施例中设置流过NM9、NM12、NM15、NM18中的电流大小比为8:4:2:1，修调Trim不仅控制修调电阻的大小，也控制接入的负温度系数补偿电流的大小，当与NM7、NM8、NM8、NM10栅极相连的修调Trim信号为高电平时，对应的NMOS管导通，该支路的电流接入修调电阻；当与NM7、NM8、NM8、NM10栅极相连的修调Trim信号为低电平时，对应的NMOS管截止，对应的支路中电流为0。
表2为本实施例电路其参考电压的仿真结果，t表示typical，s表示slow，f表示fast，与实施例一相比，实施例二中的负温度系数补偿电流不再保持恒定，而是随着修调位数的改变而变化。
表2实施例二工艺角仿真结果
Figure BDA0001921520900000101
Figure BDA0001921520900000111
Figure BDA0001921520900000121
以上仅是本发明优选的实施方式，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。另外，专利中涉及到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。

Claims (4)

1.一种电压参考电路，包括带隙基准模块和差分放大器单元组成的带隙基准电压电路；
带隙基准模块包括电阻R1～电阻R4、三极管Q1～Q3，三极管Q1集电极连接供电端，三极管Q1基极作为参考电压输出端，电阻R2一端和电阻R3一端连接，电阻R1一端连接至电阻R2和电阻R3的连接点，电阻R2另一端连接三极管Q2集电极，电阻R3另一端连接三极管Q3集电极，三极管Q2集电极和基极连接三极管Q3基极，三极管Q2发射极连接参考地，三极管Q3发射极通过电阻R4连接参考地；
差分放大器单元包括第一电流镜、电阻R5、电阻R6、三极管Q4～三极管Q8、电容C1和电容C2，第一电流镜的供电端作为差分放大器单元的供电端，第一电流镜的输入端连接三极管Q4的集电极，三极管Q4基极连接三极管Q1发射极，三极管Q4发射极通过电阻R5连接至三极管Q5集电极，三极管Q5基极作为差分放大器单元的第一输入端连接三极管Q3集电极，电容C1并联在三极管Q5基极和集电极之间，第一电流镜的输出端连接三极管Q6集电极和三极管Q7基极，三极管Q6基极作为差分放大器单元的第二输入端连接三极管Q2集电极，三极管Q7集电极和三极管Q8集电极连接作为差分放大器单元的输出端，三极管Q7发射极和三极管Q8基极连接电阻R6一端，电容C2一端连接三极管Q7基极，电容C2另一端连接三极管Q8集电极，三极管Q5发射极、Q6发射极、Q8发射极和电阻R6另一端连接参考地；
其特征在于：还包括PMOS管PM3、电阻电压修调电路和负温度系数电流补偿电路；
电阻电压修调电路由电阻R7～电阻R10和NMOS管NM1～NMOS管NM4组成，电阻R7一端连接至三极管Q1发射极，电阻R7另一端依次通过电阻R8、电阻R9连接至电阻R10一端，电阻R10另一端连接电阻R1另一端，NMOS管NM1～NMOS管NM4的漏极、源极分别依次并联在电阻R7～电阻R10两端；
负温度系数电流补偿电路包括第二电流镜、三极管Q9、电阻R11、NMOS管NM5、NM6、NM7、NM8和NM19，第二电流镜的供电端为负温度系数电流补偿电路的供电端，第二电流镜的输入端连接NMOS管NM19漏极，NMOS管NM19栅极连接三极管Q9集电极，NMOS管NM19源极连接三极管Q9基极和电阻R11一端，第二电流镜输出端依次经过NMOS管NM5漏极、NM5源极、NM6漏极、NM6源极连接参考地，NM5栅极和NM8栅极连接NM5漏极，NM6栅极和NM7栅极连接NM6漏极，NM7漏极连接NM8源极，NM8漏极连接电阻R1另一端，三极管Q9发射极、电阻R11另一端、NMOS管NM7源极均连接参考地；
差分放大器单元和负温度系数电流补偿电路之间连接PMOS管PM3，PMOS管PM3源极连接供电端，PMOS管PM3栅极连接第一电流镜输入端，PMOS管PM3漏极连接三极管Q9的集电极。
2.根据权利要求1所述的电压参考电路，其特征在于：第一电流镜包括PMOS管PM1和PM2，PMOS管PM1和PM2的源极连接供电端，PMOS管PM1和PM2的栅极连接PMOS管PM1的漏极作为第一电流镜输入端，PMOS管PM2的漏极作为第一电流镜输出端。
3.根据权利要求1所述的电压参考电路，其特征在于：第二电流镜包括PMOS管PM4和PM5，PMOS管PM4和PM5的源极连接供电端，PMOS管PM4和PM5的栅极连接PMOS管PM4的漏极作为第二电流镜输入端，PMOS管PM5的漏极作为第二电流镜输出端。
4.根据权利要求1所述的电压参考电路，其特征在于：负温度系数电流补偿电路还包括NMOS管NM9～NM18，负温度系数电流补偿电路通过NMOS管NM7～NM18与电阻电压修调电路连接，其中，NMOS管NM8漏极经过NMOS管NM9源漏极连接至电阻R1另一端，NMOS管NM10漏极经过NMOS管NM11源漏极、NMOS管NM12源漏极连接电阻R1另一端，NMOS管NM13漏极经过NMOS管NM14源漏极、NMOS管NM15源漏极连接电阻R1另一端，NMOS管NM16漏极经过NMOS管NM17源漏极、NMOS管NM18源漏极连接至电阻R1另一端，NMOS管NM11栅极、NM14栅极连接NMOS管NM5漏极，NMOS管NM10栅极、NM13栅极、NM16栅极、NM17栅极连接NMOS管NM6漏极，NMOS管NM10源极、NM13源极、NM16源极连接参考地。
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