CN215679168U - 一种基准源电路及芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及模拟集成电路技术领域，公开一种基准源电路及芯片。基准源电路包括电流产生电路、电压产生电路、电流镜电路、模拟电压产生电路及线性稳压电路，电流产生电路可产生正温度系数电流和负温度系数电流，电压产生电路可根据正温度系数电路和负温度系数电路，产生零温度系数电压，电流镜电路、模拟电压产生电路及线性稳压电路可基于电流产生电路和电压产生电路，分别产生基准电流、模拟基准电压及零温度系数电压。本实用新型实施例能够提供电路工作所需的多种基准源，以满足电路需求。

Description

一种基准源电路及芯片

技术领域

本实用新型涉及模拟集成电路技术领域，特别是涉及一种基准源电路及芯片。

背景技术

基准电流源是指在模拟集成电路中用来作为其它电路的电流基准的高精度或各种温度系数的电流源。基准电流源是模拟电路所必不可少的基本部件，其广泛应用于运算放大器、A/D转换器及D/A转换器等模拟电路中，高性能模拟电路必须有高质量、高稳定性的电流和电压偏置电路来支撑，它的性能直接影响到电路的功耗、电源抑制比、开环增益等特性。

基准电压源一般应用于一些先进的电子产品，其可能是独立的、也可能集成在具有更多功能的器件中。例如，在数据转换器中，基准电压源提供了一个绝对电压，与输入电压进行比较以确定适当的数字输出。

传统的基准源一般只能提供特定的基准源，无法提供电路工作各种基准源的需求，因此，在有各种基准源需求的电路中，例如，在RTC电路中，由于RTC电路的功能十分复杂，所以需要给RTC电路提供各类基准源(如模拟电压源、数字电压源等)，显然，传统的基准源无法满足需求，存在一定的局限性。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种基准源电路及芯片，能够改善相关技术中的基准源无法满足电路需求的技术问题。

本实用新型实施例为改善上述技术问题提供了如下技术方案：

在第一方面，本实用新型实施例提供一种基准源电路，包括：

电流产生电路，用于产生正温度系数电流及负温度系数电流；

电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流及所述负温度系数电流，产生零温度系数电压；

电流镜电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流和/或所述负温度系数电流，产生基准电流；

模拟电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并基于所述正温度系数电流，产生模拟基准电压；

线性稳压电路，分别与所述电流产生电路及所述电压产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并根据所述正温度系数电流，钳位输出所述零温度系数电压。

可选地，所述电流产生电路包括：

第一电流镜单元，用于产生互为镜像关系的第一镜像电流与第二镜像电流；

电流产生单元，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流与第二镜像电流，产生正温度系数电流及负温度系数电流。

可选地，所述电流产生单元包括：

第一正温度系数电路，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流，产生第一正温度系数电流；

第二正温度系数电路，分别与第一正温度系数电路及所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第二镜像电流，产生第二正温度系数电流；

负温度系数电路，分别与所述电流镜电路、所述第一电流镜单元及所述第一温度系数电路连接，用于产生负温度系数电流。

可选地，所述第一电流镜单元包括第一PMOS管及第二PMOS管；

所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极及所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二正温度系数电路连接。

可选地，所述第一正温度系数电路包括第一NPN型三极管；

所述第一NPN型三级管的集电极分别与所述第一PMOS管的漏极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的基极分别与所述第二正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极分别与第二正温度系数电路、所述负温度系数电路及所述电压产生电路连接。

可选地，所述第二正温度系数电路包括第二NPN型三极管及第一电阻；

所述第二NPN型三极管的集电极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述NPN型三极管的基极分别与所述第一NPN型三极管的基极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。

可选地，所述负温度系数电路包括第一NMOS管及第二电阻；

所述第一NMOS管的栅极与所述第一NPN型三极管的集电极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述电流镜电路连接，所述第一NMOS管的源极分别与所述第二电阻的一端及所述第一NPN型三极管的基极连接，所述第二电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。

可选地，所述电压产生电路包括第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接，所述第三电阻的另一端接地。

可选地，所述基准电流包括正温度系数基准电流，所述电流镜电路包括第三PMOS管；

所述第三PMOS管的源极用于与给定电源连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极用于输出所述正温度系数基准电流。

可选地，所述基准电流包括负温度系数基准电流，所述电流镜电路包括第四PMOS管及第五PMOS管；

所述第四PMOS管的源极及所述第五PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第四PMOS管的栅极分别与所述第四PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极及所述负温度系数电路连接，所述第五PMOS管的漏极用于输出所述负温度系数电流。

可选地，所述基准电流还包括零温度系数基准电流，所述电流镜电路还包括第六PMOS管及第七PMOS管；

所述第六PMOS管的源极及所述第七PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第六PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接，所述第六PMOS管的漏极用于输出与流经所述第四PMOS管的电流成比例的电流，所述第七PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第七 PMOS管的漏极用于输出与流经所述第一PMOS管的电流成比例的电流，所述与流经所述第四PMOS管的电流成比例的电流和所述与流经所述第一PMOS管的电流成比例的电流合并后得到所述零温度系数电流。

可选地，所述模拟电压产生电路包括第八PMOS管、第二NMOS管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、第四电阻及第一电容；

所述第八PMOS管的源极及所述第二NMOS管的漏极均用于与给定电源连接，所述第八PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的栅极及所述第三NPN型三极管的集电极连接，所述第八PMOS管的栅极与所述第一 PMOS管的栅极连接，所述第三NPN型三极管的基极分别与所述第二NMOS 管的源极及所述第一电容的一端连接，所述第三NPN型三极管的基极、所述第二NMOS管的源极及所述第一电容的连接节点用于输出所述模拟基准电压，所述第三NPN型三极管的发射极分别与所述第四NPN型三极管的集电极及所述第四NPN型三极管的基极连接，所述第四NPN型三极管的发射极与所述第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端及所述第一电容的另一端接地。

可选地，所述线性稳压电路包括第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管及第二电容；

所述第九PMOS管的源极及所述第三NMOS管的漏极均用于与给定电源连接，所述第九PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极连接，第九 PMOS管的漏极分别与所述第十PMOS管的源极及所述第十一PMOS管的源极连接，所述第十PMOS管的栅极用于输入所述电压产生电路输出的零温度系数电压，所述第十PMOS管的漏极分别与所述第四NMOS管的源极、所述第四NMOS管的栅极及所述第五NMOS管的栅极连接，所述第四NMOS 管的漏极、所述第五NMOS管的源极及所述第二电容的一端接地，所述第五NMOS管的漏极分别与所述第十一PMOS管的漏极、所述第三NMOS 管的栅极及所述第二电容的另一端连接，所述第三NMOS管的源极与所述第十一PMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的源极与所述第十一 PMOS管的栅极的连接节点用于输出所述零温度系数电压。

在第二方面，本实用新型实施例提供一种芯片，包括如上所述的基准源电路。

本实用新型实施例的有益效果包括：提供一种基准源电路及芯片。基准源电路包括电流产生电路、电压产生电路、电流镜电路、模拟电压产生电路及线性稳压电路，电流产生电路可产生正温度系数电流和负温度系数电流，电压产生电路可根据正温度系数电路和负温度系数电路，产生零温度系数电压，电流镜电路、模拟电压产生电路及线性稳压电路可基于电流产生电路和电压产生电路，分别产生基准电流、模拟基准电压及零温度系数电压。本实用新型实施例能够提供电路工作所需的多种基准源，以满足电路需求。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片仅作为示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1是本实用新型实施例提供一种基准源电路的结构示意图；

图2是图1中提供一种电流产生电路的结构示意图；

图3是本实用新型另一实施例提供一种基准源电路的结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供一种基准源电路的电路结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面结合附图和具体实施方式，对本申请进行更详细的说明。需要说明的是，当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是用于限制本实用新型。本说明书所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1，图1是本实用新型实施例提供一种基准源电路的结构示意图。如图1所示，基准源电路100包括电流产生电路10、电压产生电路20、电流镜电路30、模拟电压产生电路40和线性稳压电路50。

电流产生电路10可产生正温度系数电流及负温度系数电流。正温度系数电流和负温度系数电流均与温度相关，其中，正温度系数电流是与温度成正比的电流，负温度系数是与温度成反比的电流。

具体地，请参阅图2，电流产生电路10包括第一电流镜单元11和电流产生单元12。

第一电流镜单元11利用镜像电流源的原理，产生互为镜像关系的第一镜像电流I1和第二镜像电流I2。此处，第一电流镜电路11可产生互为镜像关系的多个电流，包括但不限于第一镜像电流I1和第二镜像电流I2。在本实施例中，第一镜像电流I1和第二镜像电流I2的电流大小相等。

电流产生单元12与第一电流镜单元11连接，电流产生单元12可根据第一镜像电流I1和第二镜像电流I2，产生正温度系数电流和负温度系数电流。

请参阅图3，电流产生单元12包括第一正温度系数电路121、第二正温度系数电路122及负温度系数电路123。

第一正温度系数电路121与第一电流镜单元11连接，第一正温度系数电路121可根据第一镜像电流I1，产生第一正温度系数电流Ip1。

第二正温度系数电路122分别与第一正温度系数电路121及第一电流镜单元11连接，第二正温度系数电路122可根据第二镜像电流I2，产生第二正温度系数电流Ip2。

负温度系数电路123分别与电流镜电路30、第一电流镜单元11及第一正温度系数电路121连接，负温度系数电路123可产生负温度系数电流In1。

请参阅图4，第一电流镜单元11包括第一PMOS管PM1及第二PMOS 管PM2，第一正温度系数电路121包括第一NPN型三极管Q1，第二正温度系数电路122包括第二NPN型三极管Q2及第一电阻R1，负温度系数电路123包括第一NMOS管NM1及第二电阻R2。

第一PMOS管PM1的源极及第二PMOS管PM2的源极均与给定电源VDD 连接，第一PMOS管PM1的栅极分别与第二PMOS管PM2的栅极及第二PMOS 管PM2的漏极连接，第一PMOS管PM1的漏极分别与第一NMOS管NM1的栅极及第一NPN三极管Q1的集电极连接，第二PMOS管PM2的漏极与第二第NPN三极管Q2的集电极连接，第一NMOS管NM1的源极、第一NPN 三极管Q1的基极、第二NPN型三极管Q2的基极及第二电阻R2的一端连接，第一NMOS管NM1的漏极与电流镜电路30连接，第二NPN三极管 Q2的发射极与第一电阻R1的一端连接，第一电阻R1的另一端、第一 NPN型三极管Q1的发射极及第二电阻R2的另一端均于电压产生电路20 连接。

此处，第一NPN三极管Q1与第二NPN型三极管Q2的尺寸不同，于是，两者的差值电压ΔVbe(Vbe2-Vbe1)在第一电阻R1上产生正温度系数电流Ip2，正温度系数电流Ip2被电流镜复制，使得第一PMOS管PM1 流经的电流I1与正温度系数电流Ip2相同，因此第一PMOS管PM1流经的电流I1也为正温度系数电流。第一PMOS管PM1流经的电流I1送给第一NPN型三极管Q1作为偏置电流。由于第一PMOS管PM1和第二PMOS 管PM2构成电流镜，使得流经第一NPN型三极管Q1的电流Ip1与流经第二NPN型三极管Q2的电流Ip2相等。于是，电流I1、电流I2、电流Ip1和电流Ip2均是相等的，并且各个电流均为正温度系数电流。第一 NPN型三极管Q1的基极与发射极之间的电压Vbe1在第二电阻R2上产生负温度系数电流In1。第一NMOS管NM1用于为第一NPN型三极管Q1的基极提供偏置。

从图3可以看出，

负温度系数电流(In1)和正温度系数电流(Ip1、Ip2)以适当的权重α1、α2相加，使得

即可得到零温度系数电流Iref，则电流 Iref＝α1In1+2α2Ip2。ΔVbe可表示成ΔVbe＝V_TlnK，其中，K为三极管Q2 与三极管Q1的尺寸之比，于是，可以得到以下等式：

假设

则得到

令

则得到

R2＝5.4LR1

因此，通过合理设置第一电阻R1和第二电阻R2阻值，即可得到零温度系数电流Iref。

请继续参阅图3，电压产生电路10包括第三电阻R3。

第三电阻R3的一端与第一NPN型三极管Q1的发射极连接，第三电阻R3的另一端接地。

由于流经第三电阻R3的Iref是零温度系数电流，因此，在第三电阻R3与第一NPN型三极管Q1的发射极的连接节点处输出零温度系数电压V_CT。值得说明的是，在传统技术中，通常是将正温度系数电流和负温度系数电流镜像出来，镜像出来的两路电流汇总后得到一个与温度无关的电流，该与温度无关的电流再流经一个电阻以得到电压，因此，其势必增加额外的电流支路。在本实施例中，流经第三电阻R3的电流复用了第一正温度系数电流Ip1、第二正温度系数电流Ip2和负温度系数电流In1,无需另外引出电流支路，因此，本实施例能够减少工作电流，从而能够降低功耗。

在一些实施例中，第三电阻R3为可变阻值电阻。由于产生的零温度系数电压V_CT＝R3Iref，因此，通过调整第三电阻R3的阻值，可得到与温度无关且可变的零温度系数电压V_CT。

请继续参阅图2，电流镜电路30与电流产生电路10连接，电流镜电路30可根据正温度系数电流(I1、I2、Ip1、Ip2)和/或负温度系数电流(In1)，产生基准电流。具体地，如图3所示，电流镜电路30包括第二电流镜单元31、第三电流镜单元32及第四电流镜单元33。

第二电流镜单元31与第一镜像单元11构成镜像关系，镜像出与第一镜像单元11中流经第一PMOS管PM1的电流I1或第二PMOS管PM2的电流I2成比例的电流，该电流作为正温度系数基准电流I_PTAT。

如图4所示，第二电流镜单元31包括第三PMOS管PM3。

第三PMOS管PM3的源极与给定电源VDD连接，第三PMOS管PM3的栅极与第一PMOS管PM1的栅极连接，第三PMOS管PM3的漏极可输出正温度系数基准电流I_PTAT。

由于第三PMOS管PM3与第一PMOS管PM1构成电流镜像关系，因此正温度系数基准电流

其中，S3为第三PMOS管PM3的宽长比，S1为第一PMOS管PM1的宽长比。于是，通过设置第三PMOS管PM3 的宽长比，可获得与电流I1成预设比例的电流。

第三电流镜单元32包括第四PMOS管PM4及第五PMOS管PM5。

第四PMOS管PM4的源极及第五PMOS管PM5的源极均与给定电源VDD 连接，第四PMOS管PM4的栅极分别与第四PMOS管PM4的漏极、第五PMOS 管PM5的栅极及第一NMOS管NM1的漏极连接，第五PMOS管PM5的漏极输出负温度系数电流I_CTAT。

此处，由于第一NPN型三极管Q1与第二NPN型三极管Q2的基极电流极小，于是，流经第四PMOS管PM4的电流可认为与流经第二电阻R2 的电流In1相等，由于第四PMOS管PM4与第五PMOS管PM5构成电流镜像关系，因此，负温度系数电流

其中，S4为第四PMOS管 PM4的宽长比，S5为第五PMOS管PM5的宽长比。因此，通过设置第四 PMOS管PM4和第五PMOS管PM5的宽长比，可获得与电流In1成预设比例的电流。

第四电流镜单元33包括第六PMOS管PM6及第七PMOS管PM7。

第六PMOS管PM6的源极及第七PMOS管PM7的源极均与给定电源VDD 连接，第六PMOS管PM6的栅极与第四PMOS管PM4的栅极连接，第六PMOS 管PM6的漏极输出与流经第四PMOS管PM4的电流成比例的电流，第七 PMOS管PM7的栅极与第一PMOS管PM1的栅极连接，第七PMOS管PM7的漏极输出与流经第一PMOS管PM1的电流成比例的电流，与流经第四PMOS 管PM4的电流成比例的电流和与流经第一PMOS管PM1的电流成比例的电流合并后得到零温度系数电流I_CT。

此处，第六PMOS管PM6与第四PMOS管PM4构成电流镜像关系，于是，流经第六PMOS管PM6的电流

其中，S6为第六PMOS管 PM6的宽长比，S4为第四PMOS管PM4的宽长比。第七PMOS管PM7与第一PMOS管PM1构成电流镜像关系，于是，流经第七PMOS管PM7的电流

其中，S7为第七PMOS管PM7的宽长比，S7为第一PMOS管 PM1的宽长比。则电流

由于In1为负温度系数电流，I1为正温度系数电流，因此，在第四PMOS管PM4和第一PMOS管的宽长比确定的情况下，通过合理设置第六PMOS管PM6和第七PMOS管 PM7的宽长比，即可获得与温度无关的电流I_CT。

值得说明的是，在传统技术中，通常是通过电压电流转换电路将一个与温度无关的电压转换成一个与温度无关的电流，可以理解的是，电压电流转换电路自身是存在静态功耗的，因此，传统技术的静态功耗是比较高的，然而，在本实施例中，通过第六PMOS管PM6镜像出流经第四PMOS管PM4的电流(负温度系数电流)以及通过第七PMOS管PM7竟想出流经第一PMOS管PM1的电流(正温度系数电流)，然后通过合理设置第六PMOS管PM6和第七PMOS管PM7的宽长比来得到一个与温度无关的电流，省去了传统技术中的电压电流转换电路，因此，本实施例通过巧妙的电路设计，可降低系统的静态功耗。

如图2所示，模拟电压产生电路40与电流产生电路10连接，模拟电压产生电路40可镜像正温度系数电流，并基于正温度系数电流，产生模拟基准电压。

如图4所示，模拟电压产生电路40包括第八PMOS管PM8、第二NMOS 管PM2、第三NPN型三极管Q3、第四NPN型三极管Q4、第四电阻R4及第一电容C1。

第八PMOS管PM8的源极及第二NMOS管NM2的漏极均与给定电源VDD 连接，第八PMOS管PM8的漏极分别与第二NMOS管NM2的栅极及第三NPN 型三极管Q3的集电极连接，第八PMOS管PM8的栅极与第二PMOS管PM2 的栅极连接，第三NPN型三极管Q3的基极分别与第二NMOS管NM2的源极及第一电容C1的一端连接，第三NPN型三极管Q3的基极、第二NMOS 管NM2的源极及第一电容C1的连接节点输出模拟基准电压V_A，第三NPN 型三极管Q3的发射极分别与第四NPN型三极管Q4的集电极及第四NPN 型三极管Q4的基极连接，第四NPN型三极管Q4的发射极与第四电阻R4 的一端连接，第四电阻R4的另一端及第一电容C1的另一端接地。

此处，第八PMOS管PM8与第一PMOS管PM1构成电流镜像关系，于是，流经第八PMOS管PM8的电流

其中，S8为第八PMOS管PM8 的宽长比，S1为第一PMOS管PM1的宽长比。电流I8流经第三NPN型三极管Q3、第四NPN型三极管Q4及第四电阻R4，因此，模拟基准电压

由于

于是模拟基准电压

在该式子中，

为正温度系数电压，第三NPN型三极管Q3的基极与发射极之间的电压Vbe3和第四NPN型三极管Q4的基极与发射极之间的电压Vbe4为负温度系数电压，因此，在第八PMOS管PM8和第一PMOS管PM1的宽长比、电压Vbe3和电压Vbe4确定的情况下，可以通过合理设置第四电阻R4与第二电阻 R2比值，即可获得与温度无关的模拟基准电压V_A。

值得说明的是，在传统技术中，通常是通过线性稳压电路将一个与温度无关的电压转换成模拟基准电压，可以理解的是，线性稳压电路自身是存在功耗的，因此，传统技术的静态功耗是比较高的，而在本实施例中，通过第二NMOS管NM2为第三NPN型三极管Q3，实现了只需要一条电流支路(电流流经第四电阻R4的电流支路)即可得到与温度无关的模拟基准电压，因此，相对于传统技术，静态功耗更低。

如图2所示，线性稳压电路50分别与电流产生电路10及电压产生电路20连接，线性稳压电路50可镜像正温度系数电流，并根据正温度系数电流，钳位输出零温度系数电压。

如图4所示，线性稳压电路50包括第九PMOS管PM9、第十PMOS管 PM10、第十一PMOS管PM11、第三NMOS管NM3、第四NMOS管PM4、第五 NMOS管PM5及第二电容C2。

第九PMOS管PM9的源极及第三NMOS管NM3的漏极均与给定电源VDD 连接，第九PMOS管PM9的栅极与第一PMOS管PM1的栅极连接，第九PMOS 管PM9的漏极分别与第十PMOS管PM10的源极及第十一PMOS管PM11的源极连接，第十PMOS管PM10的栅极输入电压产生单元12输出的零温度系数电压V_CT，第十PMOS管PM10的漏极分别与第四NMOS管NM4的源极、第四NMOS管NM4的栅极及第五NMOS管NM5的栅极连接，所述第四 NMOS管NM4的漏极、第五NMOS管NM5的源极及第二电容C2的一端接地，第五NMOS管NM5的漏极分别与第十一PMOS管PM11的漏极、第三NMOS 管NM3的栅极及第二电容C2的另一端连接，第三NMOS管NM3的源极与第十一PMOS管PM11的栅极连接，第三NMOS管NM3的源极与第十一PMOS 管PM11的栅极的连接节点输出零温度系数电压V_D。

此处，电压V_CT作为基准电压输入到第十PMOS管PM10的栅极，第四 NMOS管NM4与第五NMOS管NM5构成电流镜，并且，通过第三NMOS管 NM3形成负反馈回路，以将输出电压稳定在电压V_CT(即V_D＝V_CT)，该输出电压V_D可作为数字基准电压源。于是，在输入电压或者负载电流发生变化的情况下仍然可以保持稳定的输出电压。

值得说明的是，在传统技术的线性稳压电路中，通常是将通过电阻分压后的输出电压作为反馈电压，从而得到稳定的输出电压，而在本实施例中，对传统的线性稳压电路的电路结构进行改进，改进后的电路结构省去了电阻分压的电流支路，减少了工作电流，因此，本实施例的静态功耗更低。

从图4中可以看出，本实用新型实施例提供的基准源电路可为其他电路工作提供正温度系数电流源、负温度系数电流源、零温度系数电流源、零温度系数电压源(可作为带隙基准电压源)、模拟基准电压源和数字基准电压源，能够满足电路所需的各种基准源的需求。并且在一个电路中，各个基准源之间可实现复用，有利于在该电路中将各个基准源高度集成在一起，电路结构紧凑且尽可能减少了电流支路，因此，通过此种方式，可减小电路模块体积，同时实现低功耗，特别适合应用在对静态功耗有较高要求的芯片中。

作为本实用新型实施例的另一方面，本实用新型实施例还提供一种芯片，该芯片包括如上所述的基准源电路。

最后要说明的是，本实用新型可以通过许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例，这些实施例不作为对本实用新型内容的额外限制，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。并且在本实用新型的思路下，上述各技术特征继续相互组合，并存在如上所述的本实用新型不同方面的许多其它变化，均视为本实用新型说明书记载的范围；进一步地，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims (11)

1.一种基准源电路，其特征在于，包括：

电流产生电路，用于产生正温度系数电流及负温度系数电流；

电压产生电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流及所述负温度系数电流，产生零温度系数电压；

电流镜电路，与所述电流产生电路连接，用于根据所述正温度系数电流和/或所述负温度系数电流，产生基准电流；

线性稳压电路，分别与所述电流产生电路及所述电压产生电路连接，用于镜像所述正温度系数电流，并根据所述正温度系数电流，钳位输出所述零温度系数电压。

2.根据权利要求1所述的基准源电路，其特征在于，所述电流产生电路包括：

第一电流镜单元，用于产生互为镜像关系的第一镜像电流与第二镜像电流；

电流产生单元，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流与第二镜像电流，产生正温度系数电流及负温度系数电流。

3.根据权利要求2所述的基准源电路，其特征在于，所述电流产生单元包括：

第一正温度系数电路，与所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第一镜像电流，产生第一正温度系数电流；

第二正温度系数电路，分别与第一正温度系数电路及所述第一电流镜单元连接，用于根据所述第二镜像电流，产生第二正温度系数电流；

负温度系数电路，分别与所述电流镜电路、所述第一电流镜单元及所述第一正温度系数电路连接，用于产生负温度系数电流。

4.根据权利要求3所述的基准源电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括第一PMOS管及第二PMOS管；

所述第一PMOS管的源极及所述第二PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第一PMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极及所述第二PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述第一正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第二PMOS管的漏极与所述第二正温度系数电路连接。

5.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述第一正温度系数电路包括第一NPN型三极管；

所述第一NPN型三级管的集电极分别与所述第一PMOS管的漏极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的基极分别与所述第二正温度系数电路及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极分别与第二正温度系数电路、所述负温度系数电路及所述电压产生电路连接。

6.根据权利要求5所述的基准源电路，其特征在于，所述第二正温度系数电路包括第二NPN型三极管及第一电阻；

所述第二NPN型三极管的集电极与所述第二PMOS管的漏极连接，所述NPN型三极管的基极分别与所述第一NPN型三极管的基极及所述负温度系数电路连接，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的一端连接，所述第一电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。

7.根据权利要求5所述的基准源电路，其特征在于，所述负温度系数电路包括第一NMOS管及第二电阻；

所述第一NMOS管的栅极与所述第一NPN型三极管的集电极连接，所述第一NMOS管的漏极与所述电流镜电路连接，所述第一NMOS管的源极分别与所述第二电阻的一端及所述第一NPN型三极管的基极连接，所述第二电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接。

8.根据权利要求5所述的基准源电路，其特征在于，所述电压产生电路包括第三电阻；

所述第三电阻的一端与所述第一NPN型三极管的发射极连接，所述第三电阻的另一端接地。

9.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述基准电流包括正温度系数基准电流，所述电流镜电路包括第三PMOS管；

所述第三PMOS管的源极用于与给定电源连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三PMOS管的漏极用于输出所述正温度系数基准电流。

10.根据权利要求4所述的基准源电路，其特征在于，所述基准电流包括负温度系数基准电流，所述电流镜电路包括第四PMOS管及第五PMOS管；

所述第四PMOS管的源极及所述第五PMOS管的源极均用于与给定电源连接，所述第四PMOS管的栅极分别与所述第四PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极及所述负温度系数电路连接，所述第五PMOS管的漏极用于输出所述负温度系数电流。

11.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的基准源电路。

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