JPS6081099A - 人工ベリル単結晶の合成方法 - Google Patents

人工ベリル単結晶の合成方法

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JPS6081099A
JPS6081099A JP58190234A JP19023483A JPS6081099A JP S6081099 A JPS6081099 A JP S6081099A JP 58190234 A JP58190234 A JP 58190234A JP 19023483 A JP19023483 A JP 19023483A JP S6081099 A JPS6081099 A JP S6081099A
Authority
JP
Japan
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beryl
molten salt
single crystal
vanadium pentoxide
artificial
Prior art date
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Pending
Application number
JP58190234A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiharu Kasuga
春日 好春
Tadaaki Atomachi
後町 忠昭
Eiji Togawa
戸川 栄司
Yoshio Morita
喜夫 森田
Masaaki Takeuchi
正明 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Publication date
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Priority to JP58190234A priority Critical patent/JPS6081099A/ja
Publication of JPS6081099A publication Critical patent/JPS6081099A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/34Silicates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕 本発明は溶剤(フラックス)を用いた人工ベリル単結晶
(六方晶系)の合成方法(溶ル1]塩法)に関する。 〔従来技術〕 溶融塩法は水熱法に較べ使用エネルギー(熱。 圧力)及び育成期間が短かく、装置、使用部相が大巾に
簡略化でき経済的であるという利便金もたらせた。すな
わち溶融塩法は、は爵ベリル組成比を示す。酸化ベリリ
ウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、必要に応じて
hβ化クロム、にれはエメラルドを得る場合のエメラル
ドグリーンの基調色となる不可欠の着色剤もしくはドー
プ剤)及び酸化ニッケル、酸化鉄、酸化コバルト、酸化
マンガンその他の補助着色剤もしくはドープ剤からなる
原料物質に、溶剤としての五酸化バナジウム、三酸化モ
リブデン、モリブテン= IJチウム、水酸化リチウム
等の溶剤の中から選ばれた】秤もしくは2秤以上を加え
、これを上記溶剤の溶融温度以上に加熱して溶融塩を形
成して、この溶融塩に温度差をつけて長則間保持するか
或は一定時間保持後、ゆるやかな温度勾配をもって徐冷
するかいづ力かの操作で溶融塩中にベリル種子結晶を配
信することによりこの種子結晶の囲pに人工ベリルを生
成又は育成する方法である。 〔発明の目的〕 木兄り]の目的とする所に結晶成長スピードをコントロ
ールすることによシ良質なベリルnli 爬i晶を効率
良く且つ経済的に合成することである。 従来の方法により合成したベリル蛍結晶は、その育成講
和において、フェザ−インクルージヨン、ツェナサイト
等の微結晶が入りやすく、その為に、外観品質や収率等
を低下させていた。 フェザ−インクルージヨンやツェナサイト等の微結晶の
発生を防止するには、現状の育成方法(原料物質の用い
方、温度管理の仕方等をよりオメ、密に行い、結晶成長
スピードをコントロールし7なければならない。しかし
ながら現在までの方法では不充分であった。 〔発T3J:lの要約〕 本発明は特に結晶成長スピードをコントロールする為に
、あらかじめガラス化又は焼結化させた原料物質(酸化
ベリリウム fi?’化アルミニウム。 二酸化ケイ素2着色剤としての感化クロム等)と石英を
用するとともに、さらにルツボ内をパンフルで3つに仕
切シ、種子結晶育成ゾーン(2ケ所)、原料物質1石英
溶解ゾーン(1ケ所)に分けそのいず九のゾーンも温度
管理を行うことによって溶解h;をコントロールすると
ともに、種子結晶ゾーンへの原#1物質の輸送量もコン
トロールすることを特徴としたものである。 〈実施例1〉
【1】原料 酸化ベリリウム4.Jy、酸化アルミニウム5.5り、
し化クロム帆32を秤ガtし混合粉末を作製する。次に
この混合粉末をボールミルにより混合粉砕を5時間以上
行う。この際ボット及びボールの材質は高純度アルミナ
の焼結材である。次に、この混合粉末を球状に圧粉成形
し、焼結する二酸化ケイ素は石英を当初5り切断して用
いた。その後1週間に2yの割合で追加する。 12+溶剤 次にフラックスとして、水酸化リチウム、五酸化バナジ
ウムの粉末’fzl:toの割合で4002秤ぶし混合
する。 131装猶 上記の物質を投入する容器には白金ルツボを使用した。 加熱は第1図の装置を使用した。■は加熱装置であシ、
■は加熱ヒータ、■はヒーターをコントロールする熱電
対温度言1の測定Vjijj子でありそれぞれヒーター
について温度コントロールを行う。■はルツボ内を仕切
るバッフルである。 ■方法 溶剤粉末を白金ルツボに入れ、加熱装置の温度を103
0℃に設定し、溶解する。次に■ゾーンの底部に焼結体
(酸化ベリリウム、酸′化アルミニウム、酸化クロム)
を投入し、上部には石英片を投入した。次に、加熱装置
の設定温度を、種子結晶育成ゾーン(■、■の2ケ所)
1000℃、原料物質1石英ゾーン(■)3030℃に
変更する。 育成状態になったら、[F])、■ゾーンに種子結晶を
投入する。用いる種子結晶の表面はポリを仕上面とする
。 151結果 種子結晶、成長スピードを長時間一定に保持でききわめ
てインクルージヨンの少ないベリル止結晶を育成するこ
とができる。 〈実施例2〉 【」)原料 実施例Jと同じ f21溶剤 フラックスとして水酸化リチウム、五酸化バナジウムの
粉末をに12の割合で4002オ1t4−し混冶する。 (31装置 実施例1と同じ (4)方法 実益1倒工と同じ C51結果 種子結晶成長スピードを長時間一定に保持でききわめて
インクルージヨンの少ないベリルa= 結AをY4成す
ることができた。 〈実施例3〉 (1)原料 ;’!施例1と同じ (21溶剤 フラックスとして、水酸化リチウム、五酸化バナジウム
の粉末を1:8の割合で4.00 Sl’秤遅し混合す
る。 【31装叡 実施例」と同じ (41方法 突力布例1と同じ 151結果 種子結晶成長スピードを長時間一定に保持でききわめて
インクルージヨンの少ないベリル単fFA &を有放す
ることができた。 〔発明の効果〕 本発明の効果は、以上の実が1L例にて説明した如くに
、従来の溶融塩法の治する木質的利、r、s:を確イ呆
した上で、品質向上ならびに歩留向上が可能となQ大巾
なコストダウンがし1れるので本発明は人工ベリル凰結
晶の合成方法として極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1Mは、本発明に係る加熱装置の概要を示す図であp
1紀1図1(Llは本装置の上面ンj1第j図Ib+は
本装置の正面図4示す。■は加熱装置、C)は加熱装置
のフタ、■はヒーター、■は熱↑&対温度剖の測定端子
、■は種子結晶、■は原料物質、Q)は石英、■は種子
結晶育成ゾーン、■は原料物質、石英ゾーン、■は種子
結晶育成ゾーン、0は白金ルツボ、■は溶融塩測定用熱
電対端子、■はパンフル。 以」二 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁珈士最 上 務 「 祉 を市 II: +’F (自 兄)l’1’i
和58 イr、12 月1Ω、1」’l!I’ i’]
庁長官 力投 J ・11イ′1の表示 昭和58イI 11鴇1′11・1ζij :A′シ 
190234シじ2尾明のどi (g+、 人工ベリル単結晶の合成方法 3 袖)1をする名 明細書・図面 81山II ’) 内’I’j 別紙の通シ 手続補上宿(自発) 1 明細書 3頁10行目 「本発明の目的とする所に結晶成長スピードを」とるる
な、 「不発明の目的とする所は結晶成長スピードをJKht
i圧する。 2、 明、別置 5貢2行目〜6行目 「焼結する二酪fヒケイ素(・よ」とφ/Sを、「焼結
する、二1峻化ケイ素は」に補正する。 5 明、1l−B’1 50下から5行目「■方、去」
とりるを、 「(4)方法」に補正する。 4 明細書 6頁4行目 「■、■ゾーンに種子結晶」とめるを、「■、■ゾーン
に種子結晶」に補正する。 5 明細書 6頁10行目 「育成することができる。」とめるを、「育成すること
ができlこ。Jにイ11]正する。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. はぼベリル組成比を示す酸化ベリリウム、酸化アルミニ
    ウム、二酸化ケイ素及び必要に応じて酸化クロムその他
    の着色剤を加えてなる原料物質に、溶剤としてのモリブ
    デン酸リチウム、三酸化モリブデン、氷雨]化すチウム
    、五酸化バナジウム等の中から選ばれた1種又は2種以
    上4加えて、これを上記溶剤の溶融温度以上に加熱しに
    7融塩を形成して人工ベリル単結晶を合成又は育成する
    方法において、土泥溶剤の内、水酸化リチウム、五酸化
    バナジウムの2種類を粉末で混合した溶融塩に、上記原
    料物質の内1種又は2種以上をあらかじめ焼結化又は、
    ガラス化せしめて、バッフルで3つに仕切った容器内に
    投入し、温度差をつけることによ多、ベリル単結晶を合
    成又は育成せしめることを特徴とする□溶融塩法による
    人工ベリル単結晶の合成方法。
JP58190234A 1983-10-12 1983-10-12 人工ベリル単結晶の合成方法 Pending JPS6081099A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59111992A (ja) * 1982-12-16 1984-06-28 Seiko Epson Corp 人工ベリル単結晶の合成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59111992A (ja) * 1982-12-16 1984-06-28 Seiko Epson Corp 人工ベリル単結晶の合成方法

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