JPS59152286A - 人工トルマリン単結晶の合成方法 - Google Patents

人工トルマリン単結晶の合成方法

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JPS59152286A
JPS59152286A JP58025209A JP2520983A JPS59152286A JP S59152286 A JPS59152286 A JP S59152286A JP 58025209 A JP58025209 A JP 58025209A JP 2520983 A JP2520983 A JP 2520983A JP S59152286 A JPS59152286 A JP S59152286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zone
molten salt
tourmaline
raw material
quartz
Prior art date
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Pending
Application number
JP58025209A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Miyasaka
均 宮坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS59152286A publication Critical patent/JPS59152286A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/34Silicates

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は溶剤(フラツクス)を用いた人工トルマリン亜
結晶の合成方法に関し、詳しくは溶融塩より良質々トル
マリンm緒晶を効率よく且つ経済的に合成する方法に関
する本のである。
トルマリンは、いろいろ美しい色を本っており宝石部材
としてその需要が増大の傾向にある。これまでの人工ト
ルマリンの合成方法としては、水熱法、溶剤を用いた溶
融塩法が考えられるが、本発明の指向される所は、この
溶融塩法の改良に属する。
溶融塩法け、水熱法に較べ使用エネルギー(熱、圧力)
及び育成時間が短かく、装置、使用部材が大巾に簡略化
でき経済的であるという利便をもたらせた。すなわち溶
融塩法け、はぼトルマリンの組成比を示す酸化ホウ索、
酸化アルミニウム及び二酸化ケイ素、必要に応じて酸化
クロム及び酸化鉄、酸化マグネシウムその他補助着色剤
もしくけドープ剤から表る原料物’jlK、溶剤として
の五酸化バナジウム、三酸化モリブデン、モリブデン酸
リチウム、水酸化リチウム等の溶剤から選ばれた1種も
しくけ2s以上を加え、これを上記溶剤の溶融温度以上
に加熱1−て溶融塩を形成して、この溶融塩に温摩差を
つけて長時間保持するか或は一定時間後、ゆるやかな温
度勾配をもって徐冷するかいずれかの操作で溶融塩中′
にトルマリン種子結晶を配置することによりこの種子結
晶の囲りに人工トルマリンを生成又は育成する方法であ
る。
この様に溶融塩法は融点以上、通常700℃〜1100
℃の温度範囲において生成又は育成することができるが
、結晶中にインクルージヨンを含まない良質のトルマリ
ン拒結晶育成と々ると、ルツボ炉の温度プロファイル、
成長連関、溶剤の種類等いくつもの管理−tべきポイン
トがある。′aF念インクルージ四ンには大きく分けて
溶融塩をとり込んだものすなわちフェザ−インクルージ
ヨンと、同一ルツボ内でトルマリンと同様に生成する結
晶性物質等をとh込んだものとがあ幻、宝石として最本
重要なポイントである透明守低下の主原因になっている
。これらのインクルージヨンは溶融塩法による人工トル
マリン凰結晶合成VCおいてけ殉段階まではさげられ々
いことであわ、とれらが人工トルマリン単結晶の品質上
最・大の問題と々っている。
なぜ溶融塩等を結晶中に取り込むかその原因の第1H,
結晶成長スピードをコントロールで六ない為に生ずる結
晶中の内部応力によって割れが発生17、その割れに侵
入した溶融塩がとじこめられて、フェザ−インクルージ
ヨンが発生するものである。■、第2は結晶成長スピー
ドをコントロールできない為に生ずる種子結晶表面のパ
ンチングである。いずれの原因についても結晶成長スピ
ードを長期間一定にしかも低成長に管理すれば発生を防
止することが可能である。
以上のどと〈良質な人工トルマリン搬結晶を合成するに
け、温度コントロールと結晶成長スピードの管理が主な
ポイントになる。本発明け%vc結晶成長スピードをコ
ントロールする為に、ガラス化′5!け焼紗化させた原
料物質(酸化ホウ素、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素
、着色剤としての酸化クロム等)と、石英を用いるとと
もに、さらにルツボ内をバグフルで3つに分け、それヂ
れ、原料物質溶解ゾーン、種子結晶育成ゾーン、石英溶
解ゾーンとし、そのいずれのゾーンも温間管理を行りこ
とによって溶解量をコントロールするとともに1種子結
晶ゾーンへの原料物質の遊送量もコントロールすること
を特徴とした本のであり、本発明の効果をより一層明確
にする為に実施例を中じ、えて詳細に説明する。
実施例1 (1)原料 酸化ホ内素    102g 酸化アルミニリム  ZOσ 酸化クロム     0.3g 上記原料物質を混合焼結した。
二酸化ケイ素は、当初6gを切断して用い、以後2σ、
りて追加した。
溶剤はモリブデン酸リチウム・と三酸化モリプ 5− デンを1=1の割合で400q用電ハた。
(2)装置及び方法 上Fの物質を投入する容器には白金ルツボを使用した。
加熱は図1の装置を用いた。
αゾーンに焼結体(p化ホウ素、酸化アルミニウム、酸
化クロム)ヲ投入し*、bゾーンには、種子結晶を投入
しt。Cゾーンには石英を投入した。
加熱温度け、αゾーン980℃、bゾーン850℃、C
ゾーン870℃に設定した。
(3)績果 種子結晶成長スピードを長時間一定に保持でき育成した
ベリル単結晶にお、いてインクルージヨンの発生は入と
められがい。
実施例2 (1)原料 原料物質は実施例1と同じ 溶剤は、モリブデン酸リチウム、三酸化モリブデン、五
酸化バナジウムを1:1’:1の割合で400g用いた
 6− (2)装置及γY方法 装置λ・γド溶器内のレイアウトは実施例1と同じ。
加熱温度け、σ、ゾーン925℃、 bジ−2900℃
、Cゾーン920℃に設定したー(3)結果 種子結晶成長スピードを長時間一定に保持でき育成した
トルマリン単結晶においてインクルージヨンの発生けみ
とめられない。
実施例3 (1)原料 原料物質は実施例1と同じ。
溶剤は、五酸化バナジウム、水酸化リチウムを10:1
の割合で400g用いた。
(2)装置及び方法 装置及び容器内のレイアウトは実施例1と同じ。
加熱温度はαゾーン1070℃、bジ−21040℃、
Cゾーン1060℃に設定した。
(3)結果 種子結晶成長スピードを長時間一定に保持でき育成した
トルマリン凰結晶においてインクルージヨンの発生は入
とめられない。
以上実施例にて説明;7た如くに、本願発明は従来の溶
融塩法の有する本質的利益を確保した上で品質向上なら
びに歩留向上が可卵とな幻、大巾なコストダウンを図れ
るので本発明は人工トルマリン量結晶の合成方法として
極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は1本発明に係る加熱装置の概要を示す図であり
、第1図(ロ))は本装置の上面図、t41図(b)は
本装置の正面図を示干。 ■・・・・・・加熱装置 ■・・・・・・加熱装置のフタ ■・・・・・・ヒーター ■・・・・・・熱電対温度計の測定端子■・・・・・・
原料物質 ■・・・・・・種子結晶 の・・・・・・石英 ■・・・・・・原料物質溶解ゾーン ■・・・・・・種子結晶育成ゾーン [相]・・・・・・石英溶解ゾーン 0・・・・・・白金ルツボ 以  上 出願人 株式会社 諏訪精工舎  9 − 第、1 図 手続補正書(自発) 特許庁長官殿 1、事件の表示 昭和58年特許願第 25209号 2、発明の名称 人工トルマリン単結晶の合成方法 3、補正をする者 ″!″′1m″””]0XllSIFi宿区西新宿2丁
目4番1号(2,56)lliE塘社諏訪精工舎 〒104  東京都中央区京橋2丁目6番21号5、 
補正により増加する発明の数 6、補正の対象 手続補正書(自発) 1、 明細書 9頁2行目〜4行目 [■・・・・・・種子結晶育成ゾーン 0・・・・・・石英溶解ゾーン ■・・・・・・白金ルツボ」とあるを、[■・・・・・
・種子結晶育成ゾーン ■・・・・・・石英溶解ゾーン ■・・・・・・白金ルツボ」に補正する。 Z 図面、第1図(b)を別紙の如く補正し添付する。 以   上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. は理トルマリンの組成比を示す酸化ホウ素、酸化アルミ
    ニウム、二酸化ケイ素及び必要に応じて酸化クロムその
    他の着色剤を加えて々る原料物質に溶剤としてのモリブ
    デン酸リチウム、三酸化モリブデン、水酸化リチウム、
    五酸化バナジウム等の中から選ばれた、1種又は2種以
    上を細見て、これを上F溶剤の溶融温変以上に加熱して
    溶融塩を形成して人工トルマリン単結晶を合成又は育成
    する方法において、上記原料物質の内1種ヌけ2種以上
    を焼結化又はガラス化せしめて、上記溶融基又けあらか
    じめ少量の上記原料物質の1種又は2種以上を粉末で混
    合した溶融塩にそれぞれ分離して投入17、それぞれ温
    廖差をつ叶ることによhトルマリン単結晶を合成5tけ
    育成せしめることを性徴とする溶融塩法による人工トル
    マリン遂結晶の合成方法。
JP58025209A 1983-02-17 1983-02-17 人工トルマリン単結晶の合成方法 Pending JPS59152286A (ja)

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