JPS6077403A - 膜抵抗器の抵抗値調整方法 - Google Patents
膜抵抗器の抵抗値調整方法Info
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- JPS6077403A JPS6077403A JP58186414A JP18641483A JPS6077403A JP S6077403 A JPS6077403 A JP S6077403A JP 58186414 A JP58186414 A JP 58186414A JP 18641483 A JP18641483 A JP 18641483A JP S6077403 A JPS6077403 A JP S6077403A
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- JP
- Japan
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- resistance value
- resistance
- layer
- electrode
- film resistor
- Prior art date
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は膜抵抗器の抵抗値ＷＡ整方法に係り、更に詳
しく言えば、ガラス又はセラミックなどの絶縁基板上に
金属蒸着膜等によって形成された微小抵抗ネットワーク
素子の抵抗値調整方法に関するものである。
しく言えば、ガラス又はセラミックなどの絶縁基板上に
金属蒸着膜等によって形成された微小抵抗ネットワーク
素子の抵抗値調整方法に関するものである。
金属系の膜抵抗器は周囲温度の変化等に対して抵抗値の
安定度が良く、経年変化も小さいので、電子機器などの
重要な回路の抵抗素子として従来から使用されている。
安定度が良く、経年変化も小さいので、電子機器などの
重要な回路の抵抗素子として従来から使用されている。
これらの膜抵抗器のうち抵抗値合わせを必要とするもの
に対してはレーザ加工機などによってトリミングが施さ
れる。
に対してはレーザ加工機などによってトリミングが施さ
れる。
第１図にはレーザ加工機によって１−リミングさ照する
と、上記膜抵抗器１は、絶縁基板２上に形成された金属
蒸着膜からなる抵抗素子３と、その両端部に同様に金属
蒸着膜で形成された抵抗値の小さい１対の電極４．４と
を有している。上記抵抗素子３には図示しないレーザ加
工機によってトリミングさＪした例えば３個の切り込み
５，６．７等が形成されている。上記電極４，４には図
示しないリード線がボンディングされており、上記抵抗
素子３の抵抗値は、上記リード線に接続される図示しな
い外部機器等によって読み取られるようになっている。
と、上記膜抵抗器１は、絶縁基板２上に形成された金属
蒸着膜からなる抵抗素子３と、その両端部に同様に金属
蒸着膜で形成された抵抗値の小さい１対の電極４．４と
を有している。上記抵抗素子３には図示しないレーザ加
工機によってトリミングさＪした例えば３個の切り込み
５，６．７等が形成されている。上記電極４，４には図
示しないリード線がボンディングされており、上記抵抗
素子３の抵抗値は、上記リード線に接続される図示しな
い外部機器等によって読み取られるようになっている。
上記各切り込み５ないし７は抵抗素子３の抵抗値を高め
るためのものであり、一般には、同図に示されているよ
うに両電極４，４を結ぶ電流路に対して直角方向となる
ように施される。この場合、その位置と幅、長さ等はレ
ーザ加工機で正確に制御され、抵抗素子３の抵抗値を所
定の値に対して精密に合わせることができるようになっ
ている。
るためのものであり、一般には、同図に示されているよ
うに両電極４，４を結ぶ電流路に対して直角方向となる
ように施される。この場合、その位置と幅、長さ等はレ
ーザ加工機で正確に制御され、抵抗素子３の抵抗値を所
定の値に対して精密に合わせることができるようになっ
ている。
このような膜抵抗器工をフォトリド技術等によって形成
する際には、例えば抵抗素子３の幅Ｗを一定にしておき
、その長さ寸法りは、切り込みを入れる前の抵抗値すな
わち初期抵抗値の大小に応じて設定することが従来から
一般的に行なわれている。この場合、初期抵抗値が比較
的高い抵抗素子については特に問題はないが、初期抵抗
値が低くなると長さ寸法ｒ、も小さくなるので切り込み
を入れるにしてもその数が限定される。このため、抵抗
値の調整範囲や調整精度に制限を受け、調整可能な低抵
抗の膜抵抗器を製作することが困難であった。また、レ
ーザビーム等によってトリミングすると、切り込み５な
いし７の周りには、いわゆるヒートアフエクテトゾーン
と称される熱変質層５′ないし７′が、同時に形成され
るが、これらの熱変質層５′ないし７′は電気的に必ず
しも安定状態を保持するものとは限らないので、例えば
図示の点線のような電流路に対して熱変質層の近接部分
がより少ない膜抵抗器が望まれていた。
する際には、例えば抵抗素子３の幅Ｗを一定にしておき
、その長さ寸法りは、切り込みを入れる前の抵抗値すな
わち初期抵抗値の大小に応じて設定することが従来から
一般的に行なわれている。この場合、初期抵抗値が比較
的高い抵抗素子については特に問題はないが、初期抵抗
値が低くなると長さ寸法ｒ、も小さくなるので切り込み
を入れるにしてもその数が限定される。このため、抵抗
値の調整範囲や調整精度に制限を受け、調整可能な低抵
抗の膜抵抗器を製作することが困難であった。また、レ
ーザビーム等によってトリミングすると、切り込み５な
いし７の周りには、いわゆるヒートアフエクテトゾーン
と称される熱変質層５′ないし７′が、同時に形成され
るが、これらの熱変質層５′ないし７′は電気的に必ず
しも安定状態を保持するものとは限らないので、例えば
図示の点線のような電流路に対して熱変質層の近接部分
がより少ない膜抵抗器が望まれていた。
この発明は上記の点に鑑みなさ汎だもので、その目的は
、膜抵抗器の有する抵抗値をステップ状に変化させる粗
調整とわずかずつ変化させる微調整とを簡単に行なうこ
とができるとともに、熱変質層の影響が少なくなるよう
にトリミングし得る膜抵抗器の抵抗値調整方法を提供す
ることにある以下、この発明を添付図面に示された実施
例により詳細に説明する。
、膜抵抗器の有する抵抗値をステップ状に変化させる粗
調整とわずかずつ変化させる微調整とを簡単に行なうこ
とができるとともに、熱変質層の影響が少なくなるよう
にトリミングし得る膜抵抗器の抵抗値調整方法を提供す
ることにある以下、この発明を添付図面に示された実施
例により詳細に説明する。
まず、第２図を参照しながら、この発明による抵抗値調
整方法が適用される膜抵抗器の構成に−）いて説明する
。同図（イ）および（ロ）に示されているように、この
膜抵抗器１０は例えばセラミック基板１１上にそれぞれ
フォトリド技術醇によって膜状に形成された抵抗層Ｉ２
と、その上に同様な方法で重ねるようシこ形成された膜
状の電極層ｊ３とを有している。この実施例においては
、セラミック基板１１上に形成される上記抵抗層１２の
構成材料としては例えば窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）が用
いられており、そのパターンは同図（ハ）に示されてい
るように例えば２つのψＪり欠き部１４゜Ｉ５と２０１
１ｉ１の窓孔１６ないし３５とを備えている。このうち
の１０個の窓孔１６ないし２５は切設され、他の１０個
の窓孔２６ないし３５は、同様に切り欠き部１５を通る
仮想の直線Ｂ上に等間隔で配設されている。
整方法が適用される膜抵抗器の構成に−）いて説明する
。同図（イ）および（ロ）に示されているように、この
膜抵抗器１０は例えばセラミック基板１１上にそれぞれ
フォトリド技術醇によって膜状に形成された抵抗層Ｉ２
と、その上に同様な方法で重ねるようシこ形成された膜
状の電極層ｊ３とを有している。この実施例においては
、セラミック基板１１上に形成される上記抵抗層１２の
構成材料としては例えば窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ）が用
いられており、そのパターンは同図（ハ）に示されてい
るように例えば２つのψＪり欠き部１４゜Ｉ５と２０１
１ｉ１の窓孔１６ないし３５とを備えている。このうち
の１０個の窓孔１６ないし２５は切設され、他の１０個
の窓孔２６ないし３５は、同様に切り欠き部１５を通る
仮想の直線Ｂ上に等間隔で配設されている。
この抵抗層１２に重ね合わせるように形成される上記電
極層１３の構成材料には例えばニクロム（ＮｉＣｒ）−
金（ΔＵ）などが用いられており、そのパターンは、同
図（ニ）に示されているように、上記抵抗層１２の切り
欠き部１４．１５と各窓孔１６ないし３５の位置にそれ
ぞれ対応して設けら九た例えば２つの切り欠き部３６．
３７と２０個のスリン１−３８ないし５７とを備えてい
る。」二記抵抗層１２と、この電極ＷＪ１３とがフォト
リド技術等によってセラミック基板１１上に一体的に形
成されると上記図面（イ）および（ロ）に示されるよう
な膜抵抗器１０が得られる。この場合、例えば同図（ホ
）に示されるようにセラミック基板１１に電極層１３を
形成し、この電極ＭＩ３の各スリン１〜内に抵抗層１２
を形成することもできる。
極層１３の構成材料には例えばニクロム（ＮｉＣｒ）−
金（ΔＵ）などが用いられており、そのパターンは、同
図（ニ）に示されているように、上記抵抗層１２の切り
欠き部１４．１５と各窓孔１６ないし３５の位置にそれ
ぞれ対応して設けら九た例えば２つの切り欠き部３６．
３７と２０個のスリン１−３８ないし５７とを備えてい
る。」二記抵抗層１２と、この電極ＷＪ１３とがフォト
リド技術等によってセラミック基板１１上に一体的に形
成されると上記図面（イ）および（ロ）に示されるよう
な膜抵抗器１０が得られる。この場合、例えば同図（ホ
）に示されるようにセラミック基板１１に電極層１３を
形成し、この電極ＭＩ３の各スリン１〜内に抵抗層１２
を形成することもできる。
次に、第３図および第４回を参照しながら、レーザビー
ムＬｒよ７、−ｎ ［Ｍ Ｊ＊ Ｍ Ｉ ｎ ＋７］
Ｊ斤ｇｍｔｍｔａ方法を説明する。
ムＬｒよ７、−ｎ ［Ｍ Ｊ＊ Ｍ Ｉ ｎ ＋７］
Ｊ斤ｇｍｔｍｔａ方法を説明する。
まず、図示しないレーザ加工機に膜抵抗器ＩＯを取付け
、レーザビーム５８のスタート位置を切り欠き部１４．
３６内にセットする。この場合、レーザビームの強度や
焦点調整ばあらかしめ済ませておく。上記第３図および
第４図に示された実施例は、例えばスタート位［Ｃから
実線矢印で示す方向へ向は位置りまでレーザビーム５８
を移動させて窓孔１６に切り込みを入れた後、窓孔１７
詮経由して点線矢印で示す方向に移動させてスリット３
９に切り込みを施す場合のものである。抵抗層１２と電
極層１３とは上下に一体的に形成されているから、抵抗
層１２にはスリン１−３９とともに切り込みが施される
。この実施例においては、レーザビーム５８が細いため
、スリンｌ−３９Ｊ二の１〜リミングパターンはオーバ
ーラツプ部分を有する円状にされているが、例えば第５
図に示されるように、レーザビーム５８のスポット径を
太くすることができればスリン１−３９に沿って移動さ
せるだけで抵抗値の微細調整が可能となり工程上好まし
い、これらの各スリット内における抵抗層１２の抵抗値
をそれぞれｒとし、スリン１〜とスリン１〜の間を抵抗
値がきわめて小さい１つの電極部と見なして第６図（イ
）に示すように参照符号６１ないし８２を与えると、そ
の等価回路は同図（ロ）に示されるようになる。−上記
第３図におけるレーザビーム５８の点Ｃおよび点りを第
６図に示すと図示のようになる。この場合、電極部６１
と７１間の抵抗Ｒ１は、トリミングによってステップ状
に加わるスリット３８内の抵抗Ｉと、同じく微調トリミ
ングによりスリット３９内の抵抗ｒが変化して形成され
た抵抗ｒ′との直列合成抵抗で、Ｒ］ ＝ ｒ ＋ ｒ
’ なる式で表わされる。また、上記第６図において例えば
仮想直線Ａに沿って電極部６１から電極部６８の点Ｅま
で７つの電極部に切り込みを施し５次にこの点Ｅからス
リット４５に沿って上記同様に微調用の切り込みを施し
、その抵抗がｒ″であるとすれば、全体の直列合成抵抗
Ｒ＋’は、Ｒ＋、 ’ ＝＝ ７ Ｘ ｒ ＋ ｒ ’
となる。更に、上記第１のトリミングの例、すなわち、
Ｒ１＝ｒ＋ｒ’の次に、引き続いて上記点Ｅまで仮想直
線Ａに沿って切り込みを施し、上記第２のトリミングの
例と同様にスリン１−４５に沿って微調用の切り込みを
施し、その抵抗がｒ“であるとすれば、全体の直列合成
抵抗Ｒ１″は、Ｒ１’ ＝ ｒ ＋ ｒ ’ ＋ ５
Ｘ ｒ ＋ ｒ ”となることは容易に理解できる。な
お、例えば電極部６１と７１との間に電位差を４えると
、第４図および第５図に点線で示すような仮想の電流路
に沿って電流が流れるが、この場合、上記電流路に面し
ている熱変質層は参照符号１２ａがイ４された１箇所の
みでほかは全く関係がない。したがって、この発明によ
れば、熱変質層の影響を少なくすることができる。
、レーザビーム５８のスタート位置を切り欠き部１４．
３６内にセットする。この場合、レーザビームの強度や
焦点調整ばあらかしめ済ませておく。上記第３図および
第４図に示された実施例は、例えばスタート位［Ｃから
実線矢印で示す方向へ向は位置りまでレーザビーム５８
を移動させて窓孔１６に切り込みを入れた後、窓孔１７
詮経由して点線矢印で示す方向に移動させてスリット３
９に切り込みを施す場合のものである。抵抗層１２と電
極層１３とは上下に一体的に形成されているから、抵抗
層１２にはスリン１−３９とともに切り込みが施される
。この実施例においては、レーザビーム５８が細いため
、スリンｌ−３９Ｊ二の１〜リミングパターンはオーバ
ーラツプ部分を有する円状にされているが、例えば第５
図に示されるように、レーザビーム５８のスポット径を
太くすることができればスリン１−３９に沿って移動さ
せるだけで抵抗値の微細調整が可能となり工程上好まし
い、これらの各スリット内における抵抗層１２の抵抗値
をそれぞれｒとし、スリン１〜とスリン１〜の間を抵抗
値がきわめて小さい１つの電極部と見なして第６図（イ
）に示すように参照符号６１ないし８２を与えると、そ
の等価回路は同図（ロ）に示されるようになる。−上記
第３図におけるレーザビーム５８の点Ｃおよび点りを第
６図に示すと図示のようになる。この場合、電極部６１
と７１間の抵抗Ｒ１は、トリミングによってステップ状
に加わるスリット３８内の抵抗Ｉと、同じく微調トリミ
ングによりスリット３９内の抵抗ｒが変化して形成され
た抵抗ｒ′との直列合成抵抗で、Ｒ］ ＝ ｒ ＋ ｒ
’ なる式で表わされる。また、上記第６図において例えば
仮想直線Ａに沿って電極部６１から電極部６８の点Ｅま
で７つの電極部に切り込みを施し５次にこの点Ｅからス
リット４５に沿って上記同様に微調用の切り込みを施し
、その抵抗がｒ″であるとすれば、全体の直列合成抵抗
Ｒ＋’は、Ｒ＋、 ’ ＝＝ ７ Ｘ ｒ ＋ ｒ ’
となる。更に、上記第１のトリミングの例、すなわち、
Ｒ１＝ｒ＋ｒ’の次に、引き続いて上記点Ｅまで仮想直
線Ａに沿って切り込みを施し、上記第２のトリミングの
例と同様にスリン１−４５に沿って微調用の切り込みを
施し、その抵抗がｒ“であるとすれば、全体の直列合成
抵抗Ｒ１″は、Ｒ１’ ＝ ｒ ＋ ｒ ’ ＋ ５
Ｘ ｒ ＋ ｒ ”となることは容易に理解できる。な
お、例えば電極部６１と７１との間に電位差を４えると
、第４図および第５図に点線で示すような仮想の電流路
に沿って電流が流れるが、この場合、上記電流路に面し
ている熱変質層は参照符号１２ａがイ４された１箇所の
みでほかは全く関係がない。したがって、この発明によ
れば、熱変質層の影響を少なくすることができる。
上記抵抗値の調整例はこの膜抵抗器１０の右側半分、す
なわち１０個のスリット３８ないし４７内における１０
個の各抵抗ｒと、１１個の電極部６１ないし７１とを組
み合わせた場合であるが、５７内における各抵抗ｒと１
１個の電極部７２ないし８２とを組み合わせた場合も同
様に調整ができることは明らかである。
なわち１０個のスリット３８ないし４７内における１０
個の各抵抗ｒと、１１個の電極部６１ないし７１とを組
み合わせた場合であるが、５７内における各抵抗ｒと１
１個の電極部７２ないし８２とを組み合わせた場合も同
様に調整ができることは明らかである。
更に、上記第６図（イ）において、この膜抵抗器１０の
中央橋絡部８３に点線で示すような切り込み８４を施し
て左右を電気的に分離し、右側半分の直列合成抵抗をＲ
１、左側半分の直列合成抵抗をＲ２とすると、第７図の
等価回路に示されるような２種類の組合せ回路を構成す
ることができる。
中央橋絡部８３に点線で示すような切り込み８４を施し
て左右を電気的に分離し、右側半分の直列合成抵抗をＲ
１、左側半分の直列合成抵抗をＲ２とすると、第７図の
等価回路に示されるような２種類の組合せ回路を構成す
ることができる。
同図（イ）に示された回路は、電極部７１と７２とを共
通接続とし電極部６１と８２の両端から見た左右の合成
抵抗Ｒ１とＲ２を直列接続にしたものであり、同図（ロ
）は電極部６１と８２．電極部７Ｉと７２をそれぞれ共
通接続にし、左右の合成抵抗Ｒ１とＲ２とを並列接続し
たものである。
通接続とし電極部６１と８２の両端から見た左右の合成
抵抗Ｒ１とＲ２を直列接続にしたものであり、同図（ロ
）は電極部６１と８２．電極部７Ｉと７２をそれぞれ共
通接続にし、左右の合成抵抗Ｒ１とＲ２とを並列接続し
たものである。
以上詳細に説明したように、この膜抵抗器ＩＯはセラミ
ック等の絶縁基板１１上の右側半分と左側半分とにそれ
ぞれ抵抗Ｍ］２とスリットを有する電極層１３とが上下
に層をなして、又は上記スＩ＋、ソト内Ｌｒ粁＃震１２
が介在するようにフォトリト技術等によって形成され、
これら左右の電極層はそれぞれ互いに中央部へ延在して
橋絡されている。そして、これら左側の抵抗層と電極層
とによって得られる各合成抵抗Ｒ１およびＲ２は、中央
部と各電極部との橋絡を断つように切り込みを施すこと
によりステップ状にその抵抗値を変化させることができ
、また、スリットに沿って切り込みを施すことにより抵
抗値を微細に変化させることができる、これら左右の合
成抵抗Ｒ１およびＩ？、２はそれぞれ単独に利用するこ
とができるが、電極部を適宜共通接続することにより上
記抵抗Ｉり１゜Ｒ２を直列接続又は並列接続の回路に構
成することも可能である。これにより、同一の膜抵抗器
を用いて比較的高抵抗から低抵抗まで広い範囲に亘る抵
抗値調整が簡単にできる。
ック等の絶縁基板１１上の右側半分と左側半分とにそれ
ぞれ抵抗Ｍ］２とスリットを有する電極層１３とが上下
に層をなして、又は上記スＩ＋、ソト内Ｌｒ粁＃震１２
が介在するようにフォトリト技術等によって形成され、
これら左右の電極層はそれぞれ互いに中央部へ延在して
橋絡されている。そして、これら左側の抵抗層と電極層
とによって得られる各合成抵抗Ｒ１およびＲ２は、中央
部と各電極部との橋絡を断つように切り込みを施すこと
によりステップ状にその抵抗値を変化させることができ
、また、スリットに沿って切り込みを施すことにより抵
抗値を微細に変化させることができる、これら左右の合
成抵抗Ｒ１およびＩ？、２はそれぞれ単独に利用するこ
とができるが、電極部を適宜共通接続することにより上
記抵抗Ｉり１゜Ｒ２を直列接続又は並列接続の回路に構
成することも可能である。これにより、同一の膜抵抗器
を用いて比較的高抵抗から低抵抗まで広い範囲に亘る抵
抗値調整が簡単にできる。
上記実施例においては抵抗層１２に窓孔１６ないし３５
等が形成された場合が示されているが。
等が形成された場合が示されているが。
これらの窓孔は必ずしも設けなくてもよい。なＪ３、因
みにこの膜抵抗器１０の大きさは縦横寸法が１．５ｍ程
度であって、数印の基板にマトリックス状に形成された
ものからカッター等によって切り取られる。上記膜抵抗
器１０の寸法は抵抗値や経済性などによって任意に設定
できることは当然である。
みにこの膜抵抗器１０の大きさは縦横寸法が１．５ｍ程
度であって、数印の基板にマトリックス状に形成された
ものからカッター等によって切り取られる。上記膜抵抗
器１０の寸法は抵抗値や経済性などによって任意に設定
できることは当然である。
第１図は従来の膜抵抗器の例を示す平面図、第２図ない
し第７図はいずれもこの発明に関する実施例に係り、第
２図（イ）は膜抵抗器の平面図、（ロ）は」１記（イ）
のＸ−Ｘ断面図、（ハ）は抵抗層のパターンの平面図、
（ニ）は電極層のパターンの平面図、（ホ）は上記（イ
）において抵抗層を電極層のスリット内に形成した変形
実施例を示すＸ−Ｘ断面図、第３図はレーザビームを用
いてこの膜抵抗器に切り込みを施す場合の一部斜視図、
第４図および第５図は同じくその一部平面図、第６図お
よび第７図はこの膜抵抗器に切り込みを入れる場合の組
合せ例を示し、第６図（イ）はその平面図、同図（ロ）
および第７図（イ）、（ロ）はそれらの等価回路である
。 図中、１０は膜抵抗器、１１は絶縁基板、１２は抵抗層
、１３は電極層、３８ないし５７はスリット、５８はレ
ーザビーム、８３は橋絡部である。 特許出願人 株式会社ゼネラル 代理人弁理士 大 原 拓 也 第１図 （イ） 第２図 （口、 （′ｓ） １ 第２図 （ニ） （木） 第 ６ （イ） １０．１／ １：３’） ｄＯ１’＋、５ｔ）図 （ロ） Ａ １ 第７ （イ） ８２ ６Ｉ 図 （ロ）
し第７図はいずれもこの発明に関する実施例に係り、第
２図（イ）は膜抵抗器の平面図、（ロ）は」１記（イ）
のＸ−Ｘ断面図、（ハ）は抵抗層のパターンの平面図、
（ニ）は電極層のパターンの平面図、（ホ）は上記（イ
）において抵抗層を電極層のスリット内に形成した変形
実施例を示すＸ−Ｘ断面図、第３図はレーザビームを用
いてこの膜抵抗器に切り込みを施す場合の一部斜視図、
第４図および第５図は同じくその一部平面図、第６図お
よび第７図はこの膜抵抗器に切り込みを入れる場合の組
合せ例を示し、第６図（イ）はその平面図、同図（ロ）
および第７図（イ）、（ロ）はそれらの等価回路である
。 図中、１０は膜抵抗器、１１は絶縁基板、１２は抵抗層
、１３は電極層、３８ないし５７はスリット、５８はレ
ーザビーム、８３は橋絡部である。 特許出願人 株式会社ゼネラル 代理人弁理士 大 原 拓 也 第１図 （イ） 第２図 （口、 （′ｓ） １ 第２図 （ニ） （木） 第 ６ （イ） １０．１／ １：３’） ｄＯ１’＋、５ｔ）図 （ロ） Ａ １ 第７ （イ） ８２ ６Ｉ 図 （ロ）
Claims (1)
- （１）セラミック等からなる電気絶縁基板上に、抵抗層
を形成するとともに、該抵抗層を所定の分割抵抗値を有
する小片に分離し得る複数の電極部およびこれらの各電
極部間に形成された橋絡部を有する電極層を設けてなる
膜抵抗器の抵抗値をレーザトリミングにより調整する方
法であって、前記任意の電極部間の橋絡部にレーザビー
ｌ、による切込みを入れて前記抵抗層を所定の分割抵抗
値を有する小片に分ｍするとともに、前記電極部を介し
て前記小片間に直列的な電流路を形成して全体としての
抵抗値をステップ状に変化させる粗ｗＲ整工程と。 前記電極部間に露出している前記抵抗層にレーザビーム
を照射してその抵抗層を削除することにより全体として
の抵抗値を微調整する微調整工程（２、特許請求の範囲
（１）において、前記微調整工程時、前記レーザビーム
を前記抵抗層の両側に位置する電極部の一方からこの抵
抗層を介して他方の電極部にかけて照射し、前記抵抗層
を前記ｆｆｉ極部とともに削除してなることを特徴とす
る膜抵抗器の抵抗値調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186414A JPS6077403A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 膜抵抗器の抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186414A JPS6077403A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 膜抵抗器の抵抗値調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077403A true JPS6077403A (ja) | 1985-05-02 |
| JPH0126521B2 JPH0126521B2 (ja) | 1989-05-24 |
Family
ID=16187999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186414A Granted JPS6077403A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 膜抵抗器の抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017204653A (ja) * | 2012-01-27 | 2017-11-16 | ローム株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2018037693A (ja) * | 2012-02-03 | 2018-03-08 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49103152A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-09-30 | ||
| JPS5375463A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-04 | Yokogawa Electric Works Ltd | Method of manufacturing plate resistor |
| JPS55120108A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-16 | Nippon Electric Co | Semiifixed resistor |
| JPS55169808U (ja) * | 1979-05-24 | 1980-12-05 |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58186414A patent/JPS6077403A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49103152A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-09-30 | ||
| JPS5375463A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-04 | Yokogawa Electric Works Ltd | Method of manufacturing plate resistor |
| JPS55120108A (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-16 | Nippon Electric Co | Semiifixed resistor |
| JPS55169808U (ja) * | 1979-05-24 | 1980-12-05 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017204653A (ja) * | 2012-01-27 | 2017-11-16 | ローム株式会社 | チップ抵抗器の製造方法 |
| JP2018037693A (ja) * | 2012-02-03 | 2018-03-08 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
| JP2019149571A (ja) * | 2012-02-03 | 2019-09-05 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0126521B2 (ja) | 1989-05-24 |
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