JPS6059352A - ポジデベロツパ− - Google Patents

ポジデベロツパ−

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Publication number
JPS6059352A
JPS6059352A JP16775883A JP16775883A JPS6059352A JP S6059352 A JPS6059352 A JP S6059352A JP 16775883 A JP16775883 A JP 16775883A JP 16775883 A JP16775883 A JP 16775883A JP S6059352 A JPS6059352 A JP S6059352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
soln
developer
developing
remaining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16775883A
Other languages
English (en)
Inventor
Makio Goto
後藤　万亀雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP16775883A priority Critical patent/JPS6059352A/ja
Publication of JPS6059352A publication Critical patent/JPS6059352A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はポジデベロッパーの現像部の構造に関するもの
である。
従来のポジデベロッパーは、現像液をウニノー−上部か
ら供給していたが、現像液がウニノ・−上面で定着し、
溶解したポジレジストを完全に取り除くことが困難にな
り、そのためにレジスト残りが発生するという欠点があ
った。
本発明は、この欠点を取り除（ため、ウェハー表面を下
に向け、下からシャワ一方式で現像液を供給し、レジス
ト残りを防止するものである。
以下図面によって説明する。
第１図は従来のポジデベロッパーの現像部であり、ウェ
ハー１０１はウェハーチャック１０２に真空吸着され、
スピンモーターｉｎｓが回転し、ノズル１０４より現像
液１０５が供給されて、現像が行なわれていた。
しかし、現像液は上部から供給されるため、レジストと
反応した現像液がウェハー表面で定着し、新液との交換
効率が悪く、そのため溶解したレジストがウェハー表面
に残る可能性があった。
鮮２図は本発明によるボジデベロッパーノ現像部であり
、ウェハー２０１は表面を下向きにしウェハーチャック
２０２に固定され、スピンモーター２０３が回転し、下
部に設けられたノズＡ／２０４より上向きに現像液２０
５が供給されて、現像が進行する。
この場合、レジストと反応した現像液は落下するため、
ウェハー表面に定着せず、新液との交挨効率がよくなり
、溶解したレジストがウェハー表面に残らない。
このように、本発明は、レジスト残りの可能性を全く無
（ｆこするというすぐれた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のポジデベロッパーの現像部を示す断面図
、第２図は本発明によるポジデベロッパーの現像部を示
す断面図である。 第１図において、 １０１・・・・・・ウェハー １０２・・・・・・ウェハーチャック １０３・・・・・・スピンモーター １０４・・・・・・ノズル １０５・・・・・・現　像 第２図において、 ２０１・・・・・・ウェハー ２０２・・・・・・ウェハーチャック ２０３・・・・・・スピンモーター ２０’４・・・・・・ノズル ２０５・・・・・・現像液 である。 以　上 出願人　株式会社諏訪精工舎 代理人　弁理士　最上　務

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ポジレジスト現像機（以下ポジデベロッパーと略記）に
    おいて、半導体基板（以下ウニノ・−と略記）の表面を
    下にし、下からウェハー表面に現像液を供給することを
    特徴とするポジデベロッパー
JP16775883A 1983-09-12 1983-09-12 ポジデベロツパ− Pending JPS6059352A (ja)

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