JPH02177533A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JPH02177533A JPH02177533A JP33253188A JP33253188A JPH02177533A JP H02177533 A JPH02177533 A JP H02177533A JP 33253188 A JP33253188 A JP 33253188A JP 33253188 A JP33253188 A JP 33253188A JP H02177533 A JPH02177533 A JP H02177533A
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 33
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの製造工程において。
フォトレジスト等の塗布液を塗布し１選択露光されたウ
ェーハのフォトレジストパターンの現像処理を行うスピ
ン現像装置に関するものである。
ェーハのフォトレジストパターンの現像処理を行うスピ
ン現像装置に関するものである。
従来、この種の現像装置においては、ウェーハ面内の現
像パターン線巾のバラツキを低減する目的で第３図に示
すように、薬液ノズル１からウェーハ３上に現像液ｌＯ
を液盛りした状態で該ウェーハ３をモータ５でカップ４
内にて低速回転（２０〜５０ｒｐｍ） Ｌｌで現像処理
を行うというパドル現像方式が用いられている。このパ
ドル現像方式では、現像液をウェーハ上に盛り付ける際
に、ウェーハ３の半径方向でパターン線巾のバラツキを
最小限に抑えるため、現像液ｌＯをすみゃかにウェーハ
３の全面に拡散させることが必要であり、薬液の吐出量
、吐出速度、チャックの回転数などを最適化することに
より現像処理を行っている。
像パターン線巾のバラツキを低減する目的で第３図に示
すように、薬液ノズル１からウェーハ３上に現像液ｌＯ
を液盛りした状態で該ウェーハ３をモータ５でカップ４
内にて低速回転（２０〜５０ｒｐｍ） Ｌｌで現像処理
を行うというパドル現像方式が用いられている。このパ
ドル現像方式では、現像液をウェーハ上に盛り付ける際
に、ウェーハ３の半径方向でパターン線巾のバラツキを
最小限に抑えるため、現像液ｌＯをすみゃかにウェーハ
３の全面に拡散させることが必要であり、薬液の吐出量
、吐出速度、チャックの回転数などを最適化することに
より現像処理を行っている。
上述した従来の装置では１．５〜１．２ｎ程度のパター
ン線巾を加工する際において、直径５インチのウェーハ
面内での線巾バラツキを約０．３〜０．２１１ｍ程度に
抑えることが可能となっている。
ン線巾を加工する際において、直径５インチのウェーハ
面内での線巾バラツキを約０．３〜０．２１１ｍ程度に
抑えることが可能となっている。
上述した従来の現像装置ではウェーハへの薬液の供給形
式はウェーハ３の中心にセンタリングされているパイプ
状の薬液ノズル１により行われるため、液盛り時におい
ても、ウェーハの中心付近に最初に現像液が供給されて
しまい、ウェーハ中心付近の現像反応が最も速く進行し
、ウェーハ面内での線巾バラツキを完全に抑えることが
できないという欠点がある。
式はウェーハ３の中心にセンタリングされているパイプ
状の薬液ノズル１により行われるため、液盛り時におい
ても、ウェーハの中心付近に最初に現像液が供給されて
しまい、ウェーハ中心付近の現像反応が最も速く進行し
、ウェーハ面内での線巾バラツキを完全に抑えることが
できないという欠点がある。
さらに、最近の微細化に伴いパターンの加工線巾の最小
値がサブミクロンレベルへと移行するに至っては、上述
した従来の現像装置のように、ウェーハ全面に均一に現
像液を盛り付けることができない技術レベルでは、もは
や満足できないものとなっており、パターン線巾バラツ
キに起因する製品不良を多発するという欠点が顕在化し
てきた。
値がサブミクロンレベルへと移行するに至っては、上述
した従来の現像装置のように、ウェーハ全面に均一に現
像液を盛り付けることができない技術レベルでは、もは
や満足できないものとなっており、パターン線巾バラツ
キに起因する製品不良を多発するという欠点が顕在化し
てきた。
本発明の目的は前記課題を解決した基板処理装置を提供
することにある。
することにある。
上述した従来の現像装置においては、パイプ状（内径３
〜５−程度）の薬液ノズルからウェーハ（直径１２５〜
１５０鵬程度）上の１点に向かって薬液を供給すること
によりウェーハ上への薬液の盛り付けを行っていたため
に、ウェーハ全面に渡って同時に、均一に現像液をウェ
ーハに接触させることができなかった。
〜５−程度）の薬液ノズルからウェーハ（直径１２５〜
１５０鵬程度）上の１点に向かって薬液を供給すること
によりウェーハ上への薬液の盛り付けを行っていたため
に、ウェーハ全面に渡って同時に、均一に現像液をウェ
ーハに接触させることができなかった。
これに対して、本発明による装置はウェーハの表面積分
より多量の薬液を薬液処理ステージ部に供給し、その後
にパターンニング面が下向きに保持され九ウェーハを薬
液処理ステージ部の薬液に接触させることにより、ウェ
ーハ全面に渡って同時に均一に現像処理を行うことがで
きるという相違点を有する。
より多量の薬液を薬液処理ステージ部に供給し、その後
にパターンニング面が下向きに保持され九ウェーハを薬
液処理ステージ部の薬液に接触させることにより、ウェ
ーハ全面に渡って同時に均一に現像処理を行うことがで
きるという相違点を有する。
前記目的を達成するため５本発明は基板を保持する吸着
面を下方に向けて昇降可能に設置したチャック部と、薬
液ノズル部からの薬液を貯溜し前記チャック部に保持さ
れた基板の面を浸漬させる液留め部とを有するものであ
る。
面を下方に向けて昇降可能に設置したチャック部と、薬
液ノズル部からの薬液を貯溜し前記チャック部に保持さ
れた基板の面を浸漬させる液留め部とを有するものであ
る。
（実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図である。
カップ４内に設けられたチャック２はウェーハ３を真空
吸着にて固定し、ウェーハ３の表面、すなわちパターン
ニング面を鉛直下方に保持するように設けられており、
チャック回転用モータ５によりウェーハ３を低速から高
速回転（例えば２０〜６０００ｒｐ ｍ ）までシーケ
ンシャルに回転制御される。
吸着にて固定し、ウェーハ３の表面、すなわちパターン
ニング面を鉛直下方に保持するように設けられており、
チャック回転用モータ５によりウェーハ３を低速から高
速回転（例えば２０〜６０００ｒｐ ｍ ）までシーケ
ンシャルに回転制御される。
またチャック２はエアーシリンダ７により鉛直方向に上
下動が可能である。
下動が可能である。
カップ４内に設けられた薬液処理ステージ６はその上面
にウェーハ３の外径より大きな面積の開口１１ａをもつ
液留め部１１を有し、薬液ノズル１から供給される現像
液を貯える。また９は液留め部１１に設けた排液孔、８
は排液バルブである。
にウェーハ３の外径より大きな面積の開口１１ａをもつ
液留め部１１を有し、薬液ノズル１から供給される現像
液を貯える。また９は液留め部１１に設けた排液孔、８
は排液バルブである。
本発明の装置の現像処理フローを以下に述べる。
まず、ウェーハ３がチャック２上に真空吸着されると、
薬液ノズル１から薬液処理ステージ６に現像液が供給さ
れ、液留め部１１に現像液ｌＯとして貯えられる。ｌ！
像液液１０液留め部１１に供給された後に、エアーシリ
ンダ７を駆動しチャック２を鉛直下刃に移動させ、液留
め部１１に貯えられた現像液１０の表面にウェーハ３の
パターンニング面が接触した時点でチャック２の下降を
停止させる。
薬液ノズル１から薬液処理ステージ６に現像液が供給さ
れ、液留め部１１に現像液ｌＯとして貯えられる。ｌ！
像液液１０液留め部１１に供給された後に、エアーシリ
ンダ７を駆動しチャック２を鉛直下刃に移動させ、液留
め部１１に貯えられた現像液１０の表面にウェーハ３の
パターンニング面が接触した時点でチャック２の下降を
停止させる。
ウェーハ３の表面が液面と接触した時点から現像反応が
進行し、所要の現像時間が経過するまで処理が続行され
る。
進行し、所要の現像時間が経過するまで処理が続行され
る。
現像処理条件としては予めプログラムにより、薬液の供
給板、供給タイミング、チャック２の回転数等のシーケ
ンスプログラムを入力しておけば。
給板、供給タイミング、チャック２の回転数等のシーケ
ンスプログラムを入力しておけば。
液面と、ウェーハ表面が接触した状態にてチャック２を
チャック回転用モータ５により指定の回転数にて回転さ
せること、及び薬液ノズル１から薬液の追加供給を行う
ことが可能である。
チャック回転用モータ５により指定の回転数にて回転さ
せること、及び薬液ノズル１から薬液の追加供給を行う
ことが可能である。
現像シーケンスがすべて終了すると、排液バルブ８が開
いて、薬液処理ステージ６の排液孔９から液留め部１１
の薬液を排出する。
いて、薬液処理ステージ６の排液孔９から液留め部１１
の薬液を排出する。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す縦断面図である。
本実施例２では実施例１の構成に加えて、薬液処理ステ
ージ６に薬液を供給する給液孔１４と、その薬液供給を
制御する給液バルブ１２を付加し、さらに、薬液処理ス
テージ６は新たに設けられた薬液処理ステージ回転用モ
ータ１３により、プログラム入力によりシーケンシャル
に回転可能な構成にしたものである。
ージ６に薬液を供給する給液孔１４と、その薬液供給を
制御する給液バルブ１２を付加し、さらに、薬液処理ス
テージ６は新たに設けられた薬液処理ステージ回転用モ
ータ１３により、プログラム入力によりシーケンシャル
に回転可能な構成にしたものである。
薬液処理ステージ６の給液孔１４からウェーハ３の表面
に向かって上方向に薬液を供給することが可能なため、
現像液１０を噴流状態で常時ウェーハ３の表面に均一に
供給することができるという利点がある。
に向かって上方向に薬液を供給することが可能なため、
現像液１０を噴流状態で常時ウェーハ３の表面に均一に
供給することができるという利点がある。
さらに、薬液処理ステージ回転用モータ１３の回転制御
をチャック２の回転とは単独に制御することができるた
め、チャック２の回転方向とは逆向きの回転をさせて、
ウェーハ３の表面での現像液の流動性をさらに向上させ
ることが可能となり。
をチャック２の回転とは単独に制御することができるた
め、チャック２の回転方向とは逆向きの回転をさせて、
ウェーハ３の表面での現像液の流動性をさらに向上させ
ることが可能となり。
実施例１に比べてフレキシブルな現像制御ができるとい
う利点がある。
う利点がある。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明は被処理ウェーハの外径より
も大きな液留め部を有する薬液処理ステージ部と、被処
理ウェーハを高速回転させるチャック部をウェーハの表
面、すなわちパターンニング面を下向きに保持し、鉛直
方向上下動可能に載置した構造を有するものであり、予
めウェーハの表面に盛り付けるべき量の現像液を薬液処
理ステージ部に供給し、その後にパターン面が下向きに
保持されたウェーハを薬液処理ステージ部に貯えられた
薬液に接触させることにより、ウェーハ全面に渡って均
一にしかも同時点で現像処理反応を開始させることがで
きる効果を有する。
も大きな液留め部を有する薬液処理ステージ部と、被処
理ウェーハを高速回転させるチャック部をウェーハの表
面、すなわちパターンニング面を下向きに保持し、鉛直
方向上下動可能に載置した構造を有するものであり、予
めウェーハの表面に盛り付けるべき量の現像液を薬液処
理ステージ部に供給し、その後にパターン面が下向きに
保持されたウェーハを薬液処理ステージ部に貯えられた
薬液に接触させることにより、ウェーハ全面に渡って均
一にしかも同時点で現像処理反応を開始させることがで
きる効果を有する。
上述したように本装置を用いることにより、ウェーハ面
内のパターン線巾のバラツキを従来の０゜３−レベルか
ら０．２ｎレベル以下へと大巾に低減することができ、
製品歩留りを大巾に向上させることが可能となる。さら
には今後のサブミクロンレベルへのパターン線巾の微細
化及びウェーハの大型化にも充分に対応することが可能
となる効果を有する。
内のパターン線巾のバラツキを従来の０゜３−レベルか
ら０．２ｎレベル以下へと大巾に低減することができ、
製品歩留りを大巾に向上させることが可能となる。さら
には今後のサブミクロンレベルへのパターン線巾の微細
化及びウェーハの大型化にも充分に対応することが可能
となる効果を有する。
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図、第２図は本
発明の実施例２を示す縦断面図、第３図は従来の現像装
置を示す縦断面図である。
発明の実施例２を示す縦断面図、第３図は従来の現像装
置を示す縦断面図である。
Claims (1)
- （１）基板を保持する吸着面を下方に向けて昇降可能に
設置したチャック部と、薬液ノズル部からの薬液を貯溜
し前記チャック部に保持された基板の面を浸漬させる液
留め部とを有することを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33253188A JPH02177533A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33253188A JPH02177533A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02177533A true JPH02177533A (ja) | 1990-07-10 |
Family
ID=18255961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33253188A Pending JPH02177533A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02177533A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655048A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS6059352A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Seiko Epson Corp | ポジデベロツパ− |
| JPS634619A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | シリンダ装置 |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33253188A patent/JPH02177533A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655048A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS6059352A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Seiko Epson Corp | ポジデベロツパ− |
| JPS634619A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Hitachi Tokyo Electron Co Ltd | シリンダ装置 |
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