JPS6077425A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6077425A JPS6077425A JP18557183A JP18557183A JPS6077425A JP S6077425 A JPS6077425 A JP S6077425A JP 18557183 A JP18557183 A JP 18557183A JP 18557183 A JP18557183 A JP 18557183A JP S6077425 A JPS6077425 A JP S6077425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- developer
- chuck
- reducing
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明１ゴ、ポジレジスト現像において、その寸法精度
の向上、及び、現像液消費量の低減を目的としたポジデ
ベロッパーのウェハーチャックに関するものである。以
下、図面により説明する。
の向上、及び、現像液消費量の低減を目的としたポジデ
ベロッパーのウェハーチャックに関するものである。以
下、図面により説明する。
従来のポジデベロッパーのスピンヘッド部を第１図に示
す。第１図におけるウェハー１０１は、ウェハーチャッ
ク１０２に水平に吸着され、現像液＋０４Ｈノズル１０
３からウェハー上に断続的ため、その遠心力によって現
像液がウェハー上から流れ出てし棟うっ従って、現像液
の現像効果が少なく、現像液の消費神が多くなってしま
うという欠点があった。更に、この遠心力に起因する他
の影響を第２図に示す１回転時にウェハー上にある現像
液の分布が不均一になってし捷うということである。こ
れに、現像液２０２が遠心力によって、ウェハー２０１
の中心から外周に向って流れるために、現像″Ｒｊ、ｒ
：Ｌウェハーの中心Ｓにおいては薄く、外周部でに多く
片寄って厚いという分布になる。この不均一分布により
、現像の不均一が生じる。ウェハーの中心部は、現像液
が少ないために現像効果が小さく、逆に外周部は多いた
めに効果が太きい。このことより、ウェハー内における
現像効果の不均一が生じたことになり、レジストパター
ン寸法で表わすと、中心部は寸法が太く、外周部は細い
という寸法の不均一を生じる。これは、微細なパターン
寸法を用いて半導体装１Ｍ全製造するにおいては許用し
がたい歩留りの低下、及なる。
す。第１図におけるウェハー１０１は、ウェハーチャッ
ク１０２に水平に吸着され、現像液＋０４Ｈノズル１０
３からウェハー上に断続的ため、その遠心力によって現
像液がウェハー上から流れ出てし棟うっ従って、現像液
の現像効果が少なく、現像液の消費神が多くなってしま
うという欠点があった。更に、この遠心力に起因する他
の影響を第２図に示す１回転時にウェハー上にある現像
液の分布が不均一になってし捷うということである。こ
れに、現像液２０２が遠心力によって、ウェハー２０１
の中心から外周に向って流れるために、現像″Ｒｊ、ｒ
：Ｌウェハーの中心Ｓにおいては薄く、外周部でに多く
片寄って厚いという分布になる。この不均一分布により
、現像の不均一が生じる。ウェハーの中心部は、現像液
が少ないために現像効果が小さく、逆に外周部は多いた
めに効果が太きい。このことより、ウェハー内における
現像効果の不均一が生じたことになり、レジストパター
ン寸法で表わすと、中心部は寸法が太く、外周部は細い
という寸法の不均一を生じる。これは、微細なパターン
寸法を用いて半導体装１Ｍ全製造するにおいては許用し
がたい歩留りの低下、及なる。
本発明は、かがる欠点を除去したもので、回転時におい
て、ウェハー上から流れ出す現像液を少なくシ、現像液
の供給回数全低減させること、及び、回転時におけるウ
ニノ・−上の現像液分布を均一にし、現像によゐウニノ
・−内寸法精度全向上させることを目的としている。以
下、実施例により本発明を説明する。
て、ウェハー上から流れ出す現像液を少なくシ、現像液
の供給回数全低減させること、及び、回転時におけるウ
ニノ・−上の現像液分布を均一にし、現像によゐウニノ
・−内寸法精度全向上させることを目的としている。以
下、実施例により本発明を説明する。
第３図に、本発明によるスピンヘッド部を示す。
３０２Ｕ、本発明によるところの上面が凹形に湾曲して
いるウニ／・−チャックである。該ウニノ・−チャック
により、ウェハー５０１はウニノ１−チャックの上面の
凹形に沿った状四で吸着される。この形状においては、
ウニノー−の外周がその中心よりも凹形にそった分だけ
位置的に高くなり、ウェハー上の現像液は、直方の作用
によリウニノ・−の外周から中心に向って力を受ける。
いるウニ／・−チャックである。該ウニノ・−チャック
により、ウェハー５０１はウニノ１−チャックの上面の
凹形に沿った状四で吸着される。この形状においては、
ウニノー−の外周がその中心よりも凹形にそった分だけ
位置的に高くなり、ウェハー上の現像液は、直方の作用
によリウニノ・−の外周から中心に向って力を受ける。
回転時においては、この力と遠心力とが相殺するために
、ウェハー上から流れ出す現像液が少なくなる。これに
よって、現１象液の供給回数を大幅に低減できた。
、ウェハー上から流れ出す現像液が少なくなる。これに
よって、現１象液の供給回数を大幅に低減できた。
更に、該力同士が相殺することにより、従来のようにウ
ェハー中心部の現像液が遠心力によって外周に向って流
れることがなくなった。従って第４図に示す如く、回転
時におけるウェハー４０１上の現像液４０２分布は均一
となり、従来のような現像効果の不均一によるレジスト
パターン寸法のウェハー内不均−が解消された。
ェハー中心部の現像液が遠心力によって外周に向って流
れることがなくなった。従って第４図に示す如く、回転
時におけるウェハー４０１上の現像液４０２分布は均一
となり、従来のような現像効果の不均一によるレジスト
パターン寸法のウェハー内不均−が解消された。
以上、本発明に、現像液の供給回数を大幅に低減でき、
四に、ウェハー内における現像効果の不均一を解消し、
歩留ジ向上、及び、品質のバラツキの低減に大きく寄与
するという非常に優れた効果を有するものである。また
、本発明は、ポジデベロッパーに限らず、不ガデベロッ
ハー、及ヒ、レジストコーターなどにも応用できるもの
と確信している。
四に、ウェハー内における現像効果の不均一を解消し、
歩留ジ向上、及び、品質のバラツキの低減に大きく寄与
するという非常に優れた効果を有するものである。また
、本発明は、ポジデベロッパーに限らず、不ガデベロッ
ハー、及ヒ、レジストコーターなどにも応用できるもの
と確信している。
第１図は、従来のポジデベロッパーのスピンヘッド部の
概略図である。 １０１ ・・・ ウ エフ１− １０２・・・ウニ・・−チャック １０３・・・ノズル １０４・・・現像液 第２図は、従来のポジデベロッパーによる、ウェハー回
転時における現像液ｊ偶の状態を示す。 ２０１・・・ウェハー ２０２・・・現像液 第３図は、本発明によるスピンヘッド部の概略図である
。 ６０１・・・ウェハー ３０２・・・ウェハーチャック ３０３・・・ノズル ３０４・・・現像液 第４図に、本発明による、ウニノ・−回転時における現
像液層の状爬全示す。 ４０１・・・ウェハー ４０２・・・現像液 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 第２図
概略図である。 １０１ ・・・ ウ エフ１− １０２・・・ウニ・・−チャック １０３・・・ノズル １０４・・・現像液 第２図は、従来のポジデベロッパーによる、ウェハー回
転時における現像液ｊ偶の状態を示す。 ２０１・・・ウェハー ２０２・・・現像液 第３図は、本発明によるスピンヘッド部の概略図である
。 ６０１・・・ウェハー ３０２・・・ウェハーチャック ３０３・・・ノズル ３０４・・・現像液 第４図に、本発明による、ウニノ・−回転時における現
像液層の状爬全示す。 ４０１・・・ウェハー ４０２・・・現像液 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最上 務 第２図
Claims (1)
- ホシレジスト現像装置（以下ポジデベロッパーと略記す
る）において、ウェハーチャックの上面が凹形に湾曲し
ているところを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18557183A JPS6077425A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18557183A JPS6077425A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077425A true JPS6077425A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16173131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18557183A Pending JPS6077425A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077425A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128635U (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-14 | ||
| JP2004327927A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薬液処理装置と薬液処理方法 |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18557183A patent/JPS6077425A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62128635U (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-14 | ||
| JP2004327927A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薬液処理装置と薬液処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6077425A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS60140350A (ja) | 現像装置 | |
| JPS6059352A (ja) | ポジデベロツパ− | |
| JPH1034535A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
| JPH02225693A (ja) | 噴流式ウエハメッキ装置 | |
| JPS60116133A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS59132620A (ja) | 半導体ウエハ現像装置 | |
| JP2712392B2 (ja) | レジスト現像方法 | |
| JPH09138508A (ja) | 基板回転式処理装置 | |
| JPH01164034A (ja) | ウェハース周辺部膜厚均一化機構 | |
| JP2001307986A (ja) | 半導体基板固定保持装置 | |
| JPH09115808A (ja) | 塗布装置 | |
| JPH04162513A (ja) | フォトレジスト膜現像ノズル | |
| JPS60124821A (ja) | 半導体基体に被着されたポジレジスト現像方法 | |
| JP3654320B2 (ja) | 円筒基体の浸漬塗布方法 | |
| JPH0312918A (ja) | スプレー現像方法 | |
| KR20010054294A (ko) | 수직 에칭 시스템의 롤링 바 | |
| JPH05285831A (ja) | 研削盤の電解液供給装置 | |
| JPH0298931A (ja) | 半導体基板浸漬処理槽 | |
| JPH039512A (ja) | レジストの現像方法 | |
| JPH0474413A (ja) | 現像処理装置 | |
| JPS5550625A (en) | Surface treatment of thin plate | |
| JPH05315237A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58177181A (ja) | 回転式塗布装置 | |
| JPH03209814A (ja) | スピン現像装置 |