JPS5817443A - フオトレジスト現像方法および装置 - Google Patents

フオトレジスト現像方法および装置

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JPS5817443A
JPS5817443A JP11503081A JP11503081A JPS5817443A JP S5817443 A JPS5817443 A JP S5817443A JP 11503081 A JP11503081 A JP 11503081A JP 11503081 A JP11503081 A JP 11503081A JP S5817443 A JPS5817443 A JP S5817443A
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JP
Japan
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vapor
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wafer
developer
carrier
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JP11503081A
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English (en)
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JPH0225501B2 (ja
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Tomio Nakazawa
中沢　富夫
Kazuya Kadota
和也 門田
Yoshimichi Hirobe
広部　嘉道
Maki Nagao
長尾　眞樹
Hideaki Azuma
東　英明
Yoichi Tagi
洋一 多木
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
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Publication of JPS5817443A publication Critical patent/JPS5817443A/ja
Publication of JPH0225501B2 publication Critical patent/JPH0225501B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は７＃シレジス）現像方法および装置に関する。
従来、半導体製品の製造過程における７オトレジス）現
像方式としては、第１１１１１１１に示すように現像ｉ
ｌｌを収容した現像槽２の中にウェハ３を浸漬するディ
ップ現像方式、第１図（ｂＪに示すようにウェハ３を回
転させながらスプレーノズル４により現像液ｉｔウェハ
３上に供給するスプレー現像方式等が提案されている。
しかしながら、特にぎジ蓋レジストの現像においては、
前者は現像中のウェハに異物が付着するという間層があ
る一方、後者はレジストのはがれが生じるという間−が
ある。
本発明の目的は、フォトレジストの現像において、現像
物質を気相でウェハｍに供給することによりウェハ全面
での均一な現像を行なうことにある。
この目的を達成するために、本発明は水蒸気またはキャ
リア蒸気と現像剤の蒸気とを別々に供給するノズルを持
ち、チャンバー内でこれらを混会し、現像を行なうフォ
トレジスジ現像方法および装置よりなる。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたか９てさらに
詳細に説明する。
第２ｇは本発明の一実施例によるフォトレジスト現像装
置を示す概略断面図である。
本実施例の装置は水蒸気またはキャリア蒸気５を現像チ
ャンバ６の中に供給する水蒸気またはキャリア蒸気供給
ノズル７と、現像剤の蒸気８を現像チャンバ６の中に供
給するｍｕｍ蒸気供給ノズル９とを有している。また、
両ノズル７と９とには、蒸気の供給流量を調整するため
の流量調整弁１０と１１がそれぞれ設けられている。両
ノズル７と９との間には、現像を停止させるためにリン
ス液１３を供給するリンス液供給ノズル１２が設けられ
ている。
次に、本実施例の作用について説明する。
現像を行う場合、水蒸気またはキャリア蒸気供給ノズル
７から水蒸気またはキャリア蒸気、また現、像側供給ノ
ズル９から現像剤の蒸気をそれぞれ現像チャンバ６の中
に供給する。これらの蒸気は現像チャンバ６内で互いに
混合され、ウェハチャック１４上に保持されたウェハ３
上のレジスト表向に均一に付着し、レジスジの現像を行
う、水蒸気またはキャリア蒸気と現像剤の蒸気との混合
比は流量調整弁１０と１１の調整により最適な現像を得
るよう調整可能である、 現像を停止させたい場合、リンス液供給ノズル１２から
リンス液１３を供給すればよい。
なお、必要であれば、ウニハチ、ヤック１４の回転によ
り、ウェハ３を現像中に回転させてもよい。
また、現像の均一性をより良好にするためにノズル７．
９を複数本ずつ配置してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、現像物質を気相
で供給するので、現像時にリンスＦに異物が付着したり
、レジストのはがれを起こすことがなく、歩留りの向上
が可能になり、また均一な現像が得られ、寸法精度も向
上する。
【図面の簡単な説明】
第１図１ａｌは従来のディップ現像方式を示す断面図、
第１図（ｂ）は従来のスプレー現像方式の斜視図、第２
図は本発明によるレジスト現像装置の一実施例を示す概
略断面図である。 ３・・・ウェハ、５・・・水蒸気またはキャリア蒸気、
６・・・舅像榴、７・・・水蒸気またはキャリア蒸気供
給ノズル、８・・・現像剤蒸気、９・・・現像剤蒸気供
給ノズル％１０．１１・・・流量調整弁％１２・・・リ
ンス液供給ノズル、１３・・・リンスＬ１４・・・ウェ
ハチャック。 第　　１　　図 （ｔｚ−）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　ｔｏｙノ第　　２　　図 ／４ 第１頁の続き ■出　願　人　日立マイクロコンピュータエンジニアリ
ング株式会社 小平市上水本町１４７９番地

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、現像剤の蒸気と水蒸気またはキャリア蒸気を現像チ
    ャンバ内に供給して現像を行う７＃シレジスシ現像方法
    。 １　現像剤の蒸気な供給する現像剤蒸気供給ノズルと、
    水蒸気また番；キャリア蒸気を供給する水蒸気またはキ
    ャリア蒸気供給ノズルとを現像チャンバ内に別々に設け
    、現像物質を気相でウェハチャック上のウェハ面に供給
    するように構成したフォトレジスト現像装置。
JP11503081A 1981-07-24 1981-07-24 フオトレジスト現像方法および装置 Granted JPS5817443A (ja)

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JP11503081A JPS5817443A (ja) 1981-07-24 1981-07-24 フオトレジスト現像方法および装置

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JPS5817443A true JPS5817443A (ja) 1983-02-01
JPH0225501B2 JPH0225501B2 (ja) 1990-06-04

Family

ID=14652474

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5067577A (ja) * 1973-10-15 1975-06-06

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JPH0225501B2 (ja) 1990-06-04

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