JPS6058934A - エポキシドの異性化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ンチン合成において重要な化合物である３−ヒドロキシ
−２，６．６−）リフチル−２−シクロヘキセン−ｌ−
オンの新規な製造方法に関する。

ルイス（Ｌｅｗｉｓ）酸の存在下においてエポキシドの
カルボニル化合物への異性化は長期にわたって知られて
いた。これらの反応は収率及び／または反応条件に関し
て技術的に度々満足できないために、また貴金属触媒の
使用が在る時期に研究された。

パラジウム（０）触媒の存在下においてα，βーエボキ
シケトンのβ−ジケトンへの異性化は小賢（Ｋｏｋａｉ
）、特許出願第８１７１５２１６号及びＪ．Ａｍｅｒ．
Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．ｌＯヱ．２０９６　（１９８０）に
記載されている．しかしながら、α−アルキル置換基を
有するエポキシケトンはに記の文献に記載の方法によっ
ては不活発にのみ反応し、そして比較的長い反応時間後
、低収率でのみβ−ジケトンが得られる。

本発明によって提供される方法に従い、かなり短い反応
時間で且つ明らかに改善された蚊率において１，３．３
−）リメチル−７−オギサビシクロ［４　、　ｌ　、　
Ｏ］へブタン−２−オンを異性化しイ！することを見出
した。

本発明によって提供される式 ％式％ ーシクロヘキセンーｌ一オンの製造方法は式の１，３．
３１リメチル−７−オキサビシクロ［４，１，０］ヘプ
タン−２−オンを ａ）一般式 式中、Ｒ１及びＲ２はアリールを表わ し、モしてＲ３及びＲ４は水素または随時カルボニル官
能基をもっていてもよい１価の炭化水素基を表わす、 の７セトン誘噂体のパラジウム（０）錯体。

ｂ）−一般式 ％式％ 式中、Ｒ５はフェニルまたはトリルを表わし、そしてＲ
６は随時１個またはそれ以上の不活性有機基で置換され
ていてもよいＣ２〜Ｃ４−アルキレン基を表わ す、 のビス−（ジフェニルホスフィノ）　誘導体、　及ヒＣ
）一般式 ％式％ 式中、Ｒ７は随時アルキル−置換されていてもよいフェ
ニル基を表わす、 のトリアリールホスフィン の存在下において異性化することからなる。

弐■の化合物は主として上記の型で一般に存在する。ま
たこの化合物に対して互変異性体２゜４．４−）リフチ
ル−１，３−シクロヘキサンジオンが度々文献に示され
ている。

上記式■における記号Ｒ３及びＲ４は水素または１価の
炭化水素基、例えばアルキル、アルケニル、アリール、
アリールアルキル、アリールアルケニル等を表わし、該
層は随時カルボニル官能基をもっていてもよい、カルボ
ニル官能基が存在する場合、該層は好ましくは基の１−
位に位置する。かかるフルの中で特に好ましい基はアリ
ールアクリリル基である。好ましくは、記号Ｒ３及びＲ
４の少なくとも−・つは水素を表わす。従って式■の特
に＆ｆましい配位子はＲ４が水素を表わし、モしてＲ３
が水素またはアリールアクリリル、特に水素を表わすも
のである。

［アリールｊなる用語は本発明の範囲において（及び特
に式■における基Ｈ１〜Ｒ４に関して）、芳香族炭素環
式基、例えばフェニル、ナフチル等を表わし、該層は未
置換であるか、または不活性有機基、例えばアルキル、
アルケニル、ヒドロキシ、塩素等で置換されていてもよ
い。

式■の好ましい配位子の例はジベンジリデンアセトン及
びトリベンジリデンアセチルアセトンである。従って好
ましいパラジウム（０）錯体の例はビス−（ジベンジリ
デンアセトン）パラジウム（０）及びトリス−（トリベ
ンジリデンアセチルアセトン）シバラジウム（０）−ク
ロロホルムである。

式■における記号Ｒ６はＣ２〜Ｃ４−アルキレン基を表
わし、該層は随時１個またはそれ以上の不活性有機基、
例えばアルキル、アルケニル、ヒドロキシ、Ｊ１１素等
、好ましくはメチルで置換されていてもよい。好ましい
アルキレン基は炭素原子２個または３個を含む基、特に
エチレンである。好ましい基Ｒ５はフェニルである。従
って１．２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−エタン
が特に好ましいビス＝（ジフェニルホスフィ・′）誘導
体である。

式Ｖにおける記号Ｒ？は好ましくは炭素原ｆ６〜ｌＯ個
を含む基、例えばフェニル、トリル、キシリル等を表わ
す。トリフェニルホスフィンが特に好ましいトリアリー
ルホスフィンである。

本発明における式Ｈの化合物の異性化は不活性有機溶媒
、例えばトルエン、キシレン、デカリン等の如き炭化水
素中で行うことができる。しかしながら、ｗ性化を好ま
しくは溶媒なしに行う。この反応において温度及び圧力
は臨界的ではない。

しかしながら、この反応は一般に約８０〜２００℃の温
度で行われる。好ましい温度範囲は１２０〜１６０℃、
特に１４０〜１５０℃である。

本発明によって提供される方法は触媒量のパラジウム（
０）錯体、ビス−（ジフェニルホスフィノ）誘導体及び
トリアリールホスフィンの存在下において行うことがで
きる。しかしながら、パラジウム（０）錯体の量は式■
の出発物質を基準にして、有利には約１〜ｌＯモル％、
特に約３〜８モル％である。式■のビス−（ジフェニル
ホスフィノ）誘導体の量は用いるパラジウムを基準にし
て一般に約０．５〜５モル当量、好ましくは約１〜３モ
ル当膠である６式Ｖのトリフェニルホスフィンの睦は用
いるパラジウムを基準にして通常的０．５〜５モル当着
、好ましくは約１〜３モル当量である。しかしながら、
指示した濃度範囲は臨界的ではなく、殊にまたパラジウ
ム（０）錯体並びに式■及びＶの化合物の多量を用いる
こともできる。

反応混合物の処理はそれ自体公知の方法において行うこ
とができる。好ましくは、式１の化合物の対応するエル
レートをアルカリ（例えば水酸化ナトリウム溶液）を用
いて混合物から抽出する。

この方法において、更に精製する必要のない高純度にお
いて生成物が直接得られる。

式■〜Ｖの化合物及び式■の化合物のパラジウｌ、（０
）錯体は公知のものであるか、または公知の化合物の同
族体であり、それ自体公知の方法に従って製造すること
ができる。

更に式■の化合物のカンタキサンチンへの転化はそれ自
体公知の方法において、例えばドイツ国特許出願公開明
細書ｊ３２６２５２５９号に従って行うことができる。

本発明によって提供される方法を次の実施例によって更
に詳細に説明する。

実施例１ 温度計及び還流冷却器を備えた丸底フラスコ中にアルゴ
ン通気下にて１．３．３−）リメチルー７−オキサビシ
クロ［４、１、０］ヘプタン−２−オン１５．４ｇ、ｌ
・ジフェニルホスフィノ１゜８ｇ及び１．２−ビス−（
ジフェニルホスフィノ／）−エタン２．７６ｇを入れ、
この混合物をビス−（ジベンジリデンアセトン）ノくラ
ジウム（０）２．０ｇで処理した０次に反応容器を１５
０°Ｃに予熱した油浴中に浸漬し、反応混合物をこの温
度で連続的にアルゴン通気しながら磁気攪拌−ｒ−で１
時間攪拌した。得られた混合物の内部基準なしのカスク
ロマトグラフ分析は３−ヒドロキシ−２，６，６−ドリ
メチルー２−ジクロヘキセン−１−オン（８１，９面積
％）及び２，６．６−ドリメチルー２−シクロヘキセン
−１−オン（ｉ８面植え）に対するピークを示した。処
理するために、室温に冷却した反応混合物を酢酸エチＪ
しに採り入れ、シンター・ガラス吸引フィルター中にて
シリカゲルを通して濾過した。吸引フィルターの内容物
を酢酸エチル各１５０ｍ１で３回すすｌ、％だ６ｍ掖を
水流ポンプによる真空下にて浴温４０°Ｃで一定ｒＰ、
敬になるまで、回転蒸発機中にて蒸発させた。残渣（帯
黄色油ｚｔ、５ｇ）をジエチルエーテル１００ｍ１に溶
解し、この溶液を分液ロートＳＩに加えた。更に２個の
分液ロー）３２及びＳ３にそれぞれジエチルエーテルｌ
ｏｏｍｌを入れた。次に３Ｎ水酸化ナトリウム溶液３Ｘ
１５０　ｍ　ｌを順次、上方に内部混合しながら抽出容
器Ｓ、−Ｓａに通した。エーテル相はすてた。合液した
アルカリ性抽出液を氷で冷却しながら濃塩酸３００ｍ１
で注意して酸性にしＣｐＨ値約１）１次に攪拌しながら
塩化ナトリウム５００ｇで飽和させた。、３個の分液ロ
ー）５４〜Ｓ、に各々酢酸エチル２００ｍ１を入れた。

その後、生成物の水溶液及び続いて飽和塩化ナトリウム
溶液３Ｘ１５０ｍｌを順次、十分に内部混合しながら抽
出容器８４〜Ｓ６に通した。合液した有機相を硫酸ナト
リウム上で乾燥した。乾燥剤を吸引濾別し、吸引フィル
ターを酢酸エチル各１００　ｍ　ｌで２回すすいだ。濾
液を水流ポンプによる真空下にて浴温４０℃で回転蒸発
機中にて蒸発させ、残液を高真空下で乾燥した。純度９
９．６％の無色の結晶状において３−ヒドロキシ−２，
６，６−）ジメチル−２−シクロヘキセン−１−オンｌ
Ｏ１１１０１ｌ、６％）が得られた；ジイソプロピルエ
ーテルから再結晶後の融点１１２〜１１４℃特ｉｉＶ　
出［人　エフ・ホフ叡ハラ拳ロシュ―ウント・コンパニ
ー争アクチェンゲゼル

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １１式 ％式％ ［４、１、０］へブタン−２−オンを ａ）　・般式 式中、ＲＩ及びＲ２はアリールを表わ し、モしてＲ３及びＲ′は水素または随時カルボニル官
   能基をもっていてもよい１価の炭化水素基を表わす。 のアセトン誘導体のパラジウム（０）錯体、ｂ）一般式 ％式％ 式中、Ｒ５はフェニルまたはトリルを表わし、モしてＲ
   ６は随時１個またはそれ以上の不活性有機基で置換され
   ていてもよい０２〜Ｃ４−アルキレン基を表わ す、 のビス−（ジフェニルホスフィノ）誘導体、及びＣ）一
   般式 ％式％ 式中、Ｒ７は随時アルキル−置換されていてもよいフェ
   ニル基を表わす、 のトリアリールホスフィン の存在下において異性化することを特徴とする式の３−
   ヒドロキシ−２、６、６−１−リフチル−２−シクロヘ
   キセン−１−オンの製造方法。 ２、異性化を８０〜２００℃、好ましくは１２０〜１６
   ０°Ｃの温度で行う特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、異性化をＲ３及びＲ４が水素を表わす弐■のアセト
   ン誘導体のパラジウム（０）錯体の存在下において行う
   特許請求の範囲第１項または２項記戦の方法。 ４、異性化をＲ１及びＲ２がフェニルまたはトリル、好
   ましくはフェニルを表わす弐■のアセトン誘導体のパラ
   ジウム（０）錯体の存在下において行う特許請求の範囲
   第１〜３項のいずれかに記載の方法。 ５、異性化をビス−（ジベンジリデンアセトン）パラジ
   ウム（０）の存在下において行う特許請求の範囲第１〜
   ４ｘｊ４のいずれかに記載の方法。 ６、異性化をＲ６がエチレンを表わす式■のビス−（ジ
   フェニルホスフィノ）誘導体の存在下において行う特許
   請求の範囲第１〜５項のいずれかに記載の方法。 ７、異性化をＲ′がフェニルを表わす式■のビス−（ジ
   フェニルホスフィノ）誘導体の存在下において行う特許
   請求の範囲第１〜６項のいずれかに記載の方法。 ８、異性化をＲ７がフェニルまたはトリル、好ましくは
   フェニルを表わす式Ｖのトリアリールホンフィンの存在
   下において行う特許請求の範囲第１〜７慎のいずれかに
   記載の方法。 ９、反応を式ＴＩの出発物質を基準にしてパラジウム（
   ０）錯体１−１０モル％、好ましくは３〜８モル％の存
   在下において行う特許請求の範囲第１〜８項のいずれか
   に記載の方法。 １０、反応を使用するパラジウムを基準にして弐ｒＶ　
   （７）ビス−（ジフェニルホスフィン）誘導体及び式ｖ
   のトリフェニルホスフィンの各々０．５〜５モル当量、
   好ましくは各々１〜３モル当量の存在下において行う特
   許請求の範囲第１〜９項のいずれかに記載の方法。