JPS6052606B2 - マイクロ波電界効果トランジスタ回路 - Google Patents
マイクロ波電界効果トランジスタ回路Info
- Publication number
- JPS6052606B2 JPS6052606B2 JP16903279A JP16903279A JPS6052606B2 JP S6052606 B2 JPS6052606 B2 JP S6052606B2 JP 16903279 A JP16903279 A JP 16903279A JP 16903279 A JP16903279 A JP 16903279A JP S6052606 B2 JPS6052606 B2 JP S6052606B2
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- Japan
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- effect transistor
- gate
- field effect
- comb
- circuit
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一直流電源方式マイクロ波電界効果トランジ
スタ(FET)回路の並列接続に関する。
スタ(FET)回路の並列接続に関する。
マイクロ波用FETを多段に接続して所定の増巾率を
有するマイクロ波増巾器を構成するに当り前後段のイン
ピーダンスを整合し、帯域特性を満足させるため櫛型3
dB分配合成器(カプラ)を用いて2つのマイクロ波F
ET回路を並列接続することが多い。その回路を第1図
に示す。 同図において、1及び2は並列に接続された
第1及び第2の一直流電源方式マイクロ波FET回路、
3及び4は入力側及び出力側の櫛型 カプラ、5及び6
は第1及び第2のマイクロ波用FET)7及び8は第1
及び第2のバイアスカット用コンデンサ、9及び10は
第1及び第2のバイアス供給用チョークコイル、11は
入力端、12はアイソレーシヨンポート、13は無反射
終端用抵抗である。
有するマイクロ波増巾器を構成するに当り前後段のイン
ピーダンスを整合し、帯域特性を満足させるため櫛型3
dB分配合成器(カプラ)を用いて2つのマイクロ波F
ET回路を並列接続することが多い。その回路を第1図
に示す。 同図において、1及び2は並列に接続された
第1及び第2の一直流電源方式マイクロ波FET回路、
3及び4は入力側及び出力側の櫛型 カプラ、5及び6
は第1及び第2のマイクロ波用FET)7及び8は第1
及び第2のバイアスカット用コンデンサ、9及び10は
第1及び第2のバイアス供給用チョークコイル、11は
入力端、12はアイソレーシヨンポート、13は無反射
終端用抵抗である。
同図に示すように並列に接続された2つの一直流電源
方式マイクロ波FET回路の主構成要素のFET5、6
のゲートは、櫛型よPカプラとの間にバイアスカット用
コンデンサ7、9がそれぞれ挿入されて直流電流が遮断
され、且つバイア又供給用チョークコイル9、10を介
して直流的に接地されている。
方式マイクロ波FET回路の主構成要素のFET5、6
のゲートは、櫛型よPカプラとの間にバイアスカット用
コンデンサ7、9がそれぞれ挿入されて直流電流が遮断
され、且つバイア又供給用チョークコイル9、10を介
して直流的に接地されている。
従来は上述のようにFETのゲート回路にすべてコン
デンサとチョークコイルを使用していたため、これを多
段に接続して構成されるマイクロ波増巾器の部品数が多
くなり、従つて部品費用が高くなりまた部品取付け工数
も大きなものとなる。
デンサとチョークコイルを使用していたため、これを多
段に接続して構成されるマイクロ波増巾器の部品数が多
くなり、従つて部品費用が高くなりまた部品取付け工数
も大きなものとなる。
本発明の目的は櫛型よ旧カプラを用いて並列接続された
一直流電源方式マイクロ波FET回路を構成する部品数
を減少させることにある。 本発明のマイクロ波FET
回路の特徴は、櫛型よPカプラを用いてマイクロ波FE
T回路を並列接続するに際して、3dBカプラの無反射
終端用抵抗に接続するFETのゲートをアイソレーシヨ
ンポートに直流的に直結したことにある。
一直流電源方式マイクロ波FET回路を構成する部品数
を減少させることにある。 本発明のマイクロ波FET
回路の特徴は、櫛型よPカプラを用いてマイクロ波FE
T回路を並列接続するに際して、3dBカプラの無反射
終端用抵抗に接続するFETのゲートをアイソレーシヨ
ンポートに直流的に直結したことにある。
以下本発明の実施例を図面により説明する。
第2図は本発明のマイクロ波FET回路の実施例を示
す回路図で、前記第1図と同一部分は同一記号で示して
ある。同図に見られるように、第1の一直流電源方式マ
イクロ波FET回路1の構成は前記第1図に示した従来
の回路と何ら変る所はない。
す回路図で、前記第1図と同一部分は同一記号で示して
ある。同図に見られるように、第1の一直流電源方式マ
イクロ波FET回路1の構成は前記第1図に示した従来
の回路と何ら変る所はない。
つまり櫛型ぐBカプラ3の入力端11に接続する第1の
FET5のゲートはバイアスカット用コンデンサ7を介
して前記入力端11に接続されて直流電流は遮断され、
且つバイアス供給用チョークコイル9を介して接地端に
接続されて直流的に接地電位とされている。一方、櫛型
3c1Bカプラ3のアイソレーシヨンポート12に接続
する一直流電源方式マイクロ波FET回路2のFET6
のゲートはバイアスカット用コンデンサ及びバイアス供
給用チョークコイルを用いることなくアイソレーシヨン
ポート12に接続されてアイソレーシヨンポート12と
直流的に直結され、更にアイソレーシヨンポート12は
無反射終端用抵抗13を介して接地端に接続される。
FET5のゲートはバイアスカット用コンデンサ7を介
して前記入力端11に接続されて直流電流は遮断され、
且つバイアス供給用チョークコイル9を介して接地端に
接続されて直流的に接地電位とされている。一方、櫛型
3c1Bカプラ3のアイソレーシヨンポート12に接続
する一直流電源方式マイクロ波FET回路2のFET6
のゲートはバイアスカット用コンデンサ及びバイアス供
給用チョークコイルを用いることなくアイソレーシヨン
ポート12に接続されてアイソレーシヨンポート12と
直流的に直結され、更にアイソレーシヨンポート12は
無反射終端用抵抗13を介して接地端に接続される。
FETのゲートには殆んど直流電流が流れないので、無
反射終端用抵抗13の抵抗値がFET6のゲートより見
た入力インピーダンスに較べて十分小さい値即ち実用上
2〔KΩ〕以下であれば、上述の回路構成でアイソレー
シヨンポートの電位即ちFET6のゲートのバイアス電
位は実効的に接地電位と見做せる。
反射終端用抵抗13の抵抗値がFET6のゲートより見
た入力インピーダンスに較べて十分小さい値即ち実用上
2〔KΩ〕以下であれば、上述の回路構成でアイソレー
シヨンポートの電位即ちFET6のゲートのバイアス電
位は実効的に接地電位と見做せる。
以上説明したことく本発明の回路構成により櫛型よりカ
プラを用いて2つの一直流電源方式マイクロ波FET回
路を並列接続すれば、使用する部品数を減少することが
可能となるので部品費用及び部品取付け工数を節減する
ことができ、しかもマイクロ波FET回路の回路特性を
何ら損うことはない。
プラを用いて2つの一直流電源方式マイクロ波FET回
路を並列接続すれば、使用する部品数を減少することが
可能となるので部品費用及び部品取付け工数を節減する
ことができ、しかもマイクロ波FET回路の回路特性を
何ら損うことはない。
第1図は櫛型3dBカプラを用いた従来のマイクロ波F
ET回路を示す回路図、第2図は本発明の櫛型玄Bカプ
ラを用いたマイクロ波FET回路の回路図である。 1,2・・・・・・一直流電源方式マイクロ波FET回
路、3,4・・・・・・櫛型3dBカプラ、5・・・・
・・第1のFETl6・・・・・・第2のFETl7・
・・・・・バイアスカット用コンデンサ、9・・・・・
・バイアス供給用チョークコイル、11・・・・・・入
力端、12・・・・アイソレーシヨンポート、13・・
・・・・無反射終端用抵抗。
ET回路を示す回路図、第2図は本発明の櫛型玄Bカプ
ラを用いたマイクロ波FET回路の回路図である。 1,2・・・・・・一直流電源方式マイクロ波FET回
路、3,4・・・・・・櫛型3dBカプラ、5・・・・
・・第1のFETl6・・・・・・第2のFETl7・
・・・・・バイアスカット用コンデンサ、9・・・・・
・バイアス供給用チョークコイル、11・・・・・・入
力端、12・・・・アイソレーシヨンポート、13・・
・・・・無反射終端用抵抗。
Claims (1)
- 1 櫛型より分配合成器を用いて一直流電源方式のマイ
クロ波電界効果トランジスタ回路を並列接続するに際し
て、前記3dB分配合成器の入力端に接続する第1の電
界効果トランジスタのゲートは、バイアスカット用コン
デンサを介して前記入力端に且つバイアス供給用チョー
クコイルを介して接地端に接続され、前記櫛型3dB分
配合成器の無反射終端用抵抗に接続する第2の電界効果
トランジスタのゲートはアイソレーシヨンポートに直流
的に直結され、該無反射終端用抵抗の値が該第2の電界
効果トランジスタのゲートから見た入力インピーダンス
より十分小さい値であることを特徴とするマイクロ波電
界効果トランジスタ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16903279A JPS6052606B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | マイクロ波電界効果トランジスタ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16903279A JPS6052606B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | マイクロ波電界効果トランジスタ回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5698009A JPS5698009A (en) | 1981-08-07 |
JPS6052606B2 true JPS6052606B2 (ja) | 1985-11-20 |
Family
ID=15879048
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16903279A Expired JPS6052606B2 (ja) | 1979-12-25 | 1979-12-25 | マイクロ波電界効果トランジスタ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6052606B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63502234A (ja) * | 1985-12-13 | 1988-08-25 | オレガ エレクトロニツク エ メカニツク | 高電圧リードアウトケーブルを備えていない高圧変圧器に対する高電圧リードアウトケーブルの接続装置 |
JPH0677056A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Hitachi Mizusawa Electron Co Ltd | フライバツクトランス |
-
1979
- 1979-12-25 JP JP16903279A patent/JPS6052606B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63502234A (ja) * | 1985-12-13 | 1988-08-25 | オレガ エレクトロニツク エ メカニツク | 高電圧リードアウトケーブルを備えていない高圧変圧器に対する高電圧リードアウトケーブルの接続装置 |
JPH0677056A (ja) * | 1992-08-27 | 1994-03-18 | Hitachi Mizusawa Electron Co Ltd | フライバツクトランス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5698009A (en) | 1981-08-07 |
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