JP2996906B2 - モノリシックマイクロ波集積回路 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路Info
- Publication number
- JP2996906B2 JP2996906B2 JP7310764A JP31076495A JP2996906B2 JP 2996906 B2 JP2996906 B2 JP 2996906B2 JP 7310764 A JP7310764 A JP 7310764A JP 31076495 A JP31076495 A JP 31076495A JP 2996906 B2 JP2996906 B2 JP 2996906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bias supply
- integrated circuit
- intersection
- microwave integrated
- monolithic microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチ回路や増
幅回路などを構成するモノリシックマイクロ波集積回路
に関する。
幅回路などを構成するモノリシックマイクロ波集積回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のモノリシックマイクロ波集積回路
について図３を参照して説明する。１８は誘電体基板
で、その裏面に接地導体が形成されている。そして、誘
電体基板１８上に電界効果トランジスタ（以後ＦＥＴと
いう）１６が設けられ、入力線路１４や出力線路１５が
ＦＥＴ１６に接続されている。また、誘電体基板１８上
に、直流バイアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給
パッド１７が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッ
ド１７間はバイアス供給線路２１で接続されている。ま
た、バイアス供給線路２１には抵抗２３が接続されてい
る。
について図３を参照して説明する。１８は誘電体基板
で、その裏面に接地導体が形成されている。そして、誘
電体基板１８上に電界効果トランジスタ（以後ＦＥＴと
いう）１６が設けられ、入力線路１４や出力線路１５が
ＦＥＴ１６に接続されている。また、誘電体基板１８上
に、直流バイアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給
パッド１７が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッ
ド１７間はバイアス供給線路２１で接続されている。ま
た、バイアス供給線路２１には抵抗２３が接続されてい
る。
【０００３】そして、高周波信号を伝搬する伝送線路２
０例えば入力線路１４と、直流バイアスを供給するバイ
アス供給線路２１との交差部２２では、入力線路１４と
その下方を通るバイアス供給線路２１とが誘電体３１を
介して交差し、電気的に短絡しないようになっている。
０例えば入力線路１４と、直流バイアスを供給するバイ
アス供給線路２１との交差部２２では、入力線路１４と
その下方を通るバイアス供給線路２１とが誘電体３１を
介して交差し、電気的に短絡しないようになっている。
【０００４】ここで、入力線路１４とバイアス供給線路
２１の交差部の構造について図４で説明する。なお、図
４では、図３と同一部分には同一の符号を付し、重複す
る説明は省略する。この図で、３２が、入力線路１４と
バイアス供給線路２１間に形成されるキャパシタであ
る。そして、入力線路１４上を伝搬する高周波信号の周
波数が高くなると、入力線路１４上を伝搬する高周波信
号が、誘電体３１などで形成されるキャパシタ３２を介
してバイアス供給線路２１に漏洩する。また、このよう
な高周波信号の漏洩があると、これが原因で、入力線路
１４やＦＥＴなどが形成するマイクロ波回路の高周波特
性が劣化する。
２１の交差部の構造について図４で説明する。なお、図
４では、図３と同一部分には同一の符号を付し、重複す
る説明は省略する。この図で、３２が、入力線路１４と
バイアス供給線路２１間に形成されるキャパシタであ
る。そして、入力線路１４上を伝搬する高周波信号の周
波数が高くなると、入力線路１４上を伝搬する高周波信
号が、誘電体３１などで形成されるキャパシタ３２を介
してバイアス供給線路２１に漏洩する。また、このよう
な高周波信号の漏洩があると、これが原因で、入力線路
１４やＦＥＴなどが形成するマイクロ波回路の高周波特
性が劣化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のモノリシックマ
イクロ波集積回路では、高周波信号を伝搬する伝送線路
と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路との近接
部において、伝送線路とバイアス供給線路間に形成され
るキャパシタの影響で、高周波信号がバイアス供給線路
上に漏洩する。したがって、スイッチング素子としてＦ
ＥＴを用い、モノリシックマイクロ波集積回路で例えば
スイッチ回路を構成した場合、ＯＦＦ状態で信号が伝搬
しない伝送線路へバイアス供給線路を通して信号が漏洩
するなど、アイソレーション特性が劣化する。また、モ
ノリシックマイクロ波集積回路で増幅器を構成した場合
は、ゲートバイアス供給線路を介して帰還が起り、発振
を発生する原因になる。
イクロ波集積回路では、高周波信号を伝搬する伝送線路
と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路との近接
部において、伝送線路とバイアス供給線路間に形成され
るキャパシタの影響で、高周波信号がバイアス供給線路
上に漏洩する。したがって、スイッチング素子としてＦ
ＥＴを用い、モノリシックマイクロ波集積回路で例えば
スイッチ回路を構成した場合、ＯＦＦ状態で信号が伝搬
しない伝送線路へバイアス供給線路を通して信号が漏洩
するなど、アイソレーション特性が劣化する。また、モ
ノリシックマイクロ波集積回路で増幅器を構成した場合
は、ゲートバイアス供給線路を介して帰還が起り、発振
を発生する原因になる。
【０００６】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたもので、良好な高周波特性を有するモノリシックマ
イクロ波集積回路を提供することを目的とする。
れたもので、良好な高周波特性を有するモノリシックマ
イクロ波集積回路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波信号を
伝搬する伝送線路と、この伝送線路に接続された能動素
子と、前記伝送線路と誘電体を介して交差し前記能動素
子に直流バイアスを供給するバイアス供給線路とを具備
したモノリシックマイクロ波集積回路において、前記バ
イアス供給線路が、前記伝送線路との交差部を含む交差
延長部分およびこの交差延長部分から前記能動素子方向
に曲がった屈曲部分を有し、かつ、前記交差延長部分の
前記交差部を挟んだ前後に抵抗を接続している。
伝搬する伝送線路と、この伝送線路に接続された能動素
子と、前記伝送線路と誘電体を介して交差し前記能動素
子に直流バイアスを供給するバイアス供給線路とを具備
したモノリシックマイクロ波集積回路において、前記バ
イアス供給線路が、前記伝送線路との交差部を含む交差
延長部分およびこの交差延長部分から前記能動素子方向
に曲がった屈曲部分を有し、かつ、前記交差延長部分の
前記交差部を挟んだ前後に抵抗を接続している。
【０００８】また、能動素子が、スイッチ回路あるいは
増幅回路を構成する電界効果トランジスタである。
増幅回路を構成する電界効果トランジスタである。
【０００９】上記した構成によれば、バイアス供給線路
の伝送線路との近接部分を挟んだ前後に抵抗を接続して
いる。この場合、バイアス供給線路と伝送線路が結合
し、バイアス供給線路に高周波信号が漏洩しても、バイ
アス供給線路を伝搬する高周波信号が阻止され、又は減
衰する。したがって、バイアス供給線路を通して高周波
信号が他の伝送線路などに漏洩するようなことがなくな
り、ＦＥＴなどを組み込んだモノリシックマイクロ波集
積回路の高周波特性の劣化を防止できる。
の伝送線路との近接部分を挟んだ前後に抵抗を接続して
いる。この場合、バイアス供給線路と伝送線路が結合
し、バイアス供給線路に高周波信号が漏洩しても、バイ
アス供給線路を伝搬する高周波信号が阻止され、又は減
衰する。したがって、バイアス供給線路を通して高周波
信号が他の伝送線路などに漏洩するようなことがなくな
り、ＦＥＴなどを組み込んだモノリシックマイクロ波集
積回路の高周波特性の劣化を防止できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明の実施形態について、Ｆ
ＥＴを用いたスイッチ回路を例にとり図１を参照して説
明する。１８は誘電体基板で、その裏面に接地導体が形
成されている。そして、誘電体基板１８上にＦＥＴ１６
が設けられ、入力線路１４や出力線路１５がＦＥＴ１６
に接続されている。また、誘電体基板１８上に、直流バ
イアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給パッド１７
が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッド１７間は
バイアス供給線路１１で接続されている。また、バイア
ス供給線路１１には抵抗１２、１３が接続されている。
なお、高周波信号を伝搬する伝送線路１０例えば入力線
路１４と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路１
１との交差部は、入力線路１４とその下方を通るバイア
ス供給線路１１が誘電体を介して交差し、電気的に短絡
しないようになっている。なお、バイアス供給線路１１
は、入力線路１４との交差部Ｐを含む交差延長部分１１
ａおよびこの交差延長部分１１ａからＦＥＴ１６方向に
曲がった屈曲部分１１ｂを有している。そして、交差延
長部分１１ａの交差部Ｐを挟んだ前後に抵抗１２、１３
が接続されている。
ＥＴを用いたスイッチ回路を例にとり図１を参照して説
明する。１８は誘電体基板で、その裏面に接地導体が形
成されている。そして、誘電体基板１８上にＦＥＴ１６
が設けられ、入力線路１４や出力線路１５がＦＥＴ１６
に接続されている。また、誘電体基板１８上に、直流バ
イアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給パッド１７
が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッド１７間は
バイアス供給線路１１で接続されている。また、バイア
ス供給線路１１には抵抗１２、１３が接続されている。
なお、高周波信号を伝搬する伝送線路１０例えば入力線
路１４と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路１
１との交差部は、入力線路１４とその下方を通るバイア
ス供給線路１１が誘電体を介して交差し、電気的に短絡
しないようになっている。なお、バイアス供給線路１１
は、入力線路１４との交差部Ｐを含む交差延長部分１１
ａおよびこの交差延長部分１１ａからＦＥＴ１６方向に
曲がった屈曲部分１１ｂを有している。そして、交差延
長部分１１ａの交差部Ｐを挟んだ前後に抵抗１２、１３
が接続されている。
【００１１】上記した構成において、抵抗１２、１３
は、バイアス供給線路１１の交差延長部分１１ａにおけ
る交差部Ｐを挟んだ前後の位置に接続されている。ま
た、抵抗１２、１３の抵抗値は、入力線路１４とバイア
ス供給線路１１の交差部のインピーダンスに比して十分
大きな値に設定し、入力線路１４とバイアス供給線路１
１の交差部に形成されたキャパシタを介してバイアス供
給線路１１上に漏洩した高周波信号の伝搬を防止できる
ようにしている。
は、バイアス供給線路１１の交差延長部分１１ａにおけ
る交差部Ｐを挟んだ前後の位置に接続されている。ま
た、抵抗１２、１３の抵抗値は、入力線路１４とバイア
ス供給線路１１の交差部のインピーダンスに比して十分
大きな値に設定し、入力線路１４とバイアス供給線路１
１の交差部に形成されたキャパシタを介してバイアス供
給線路１１上に漏洩した高周波信号の伝搬を防止できる
ようにしている。
【００１２】なお、上記した構成では、入力線路１４と
バイアス供給線路１１の交差部を挟んだ前後の位置に抵
抗１２、１３を接続している。このとき、抵抗１２のみ
を接続し、抵抗１３を接続しない場合は、抵抗１２とＦ
ＥＴ１６部を接続するバイアス供給線路１１の長さが、
１／２波長になる周波数で共振を生じ挿入損にリップル
が発生するなどの不都合がある。また、抵抗１３のみを
接続し、抵抗１２を接続しない場合も同様である。
バイアス供給線路１１の交差部を挟んだ前後の位置に抵
抗１２、１３を接続している。このとき、抵抗１２のみ
を接続し、抵抗１３を接続しない場合は、抵抗１２とＦ
ＥＴ１６部を接続するバイアス供給線路１１の長さが、
１／２波長になる周波数で共振を生じ挿入損にリップル
が発生するなどの不都合がある。また、抵抗１３のみを
接続し、抵抗１２を接続しない場合も同様である。
【００１３】この実施の形態ではＦＥＴを用いたスイッ
チ回路について説明している。しかし、ＦＥＴを用いて
例えば増幅回路を構成した場合でも同様の効果がある。
チ回路について説明している。しかし、ＦＥＴを用いて
例えば増幅回路を構成した場合でも同様の効果がある。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、高周波信号を伝搬する
伝送線路と、直流バイアスを供給する伝送線路との交差
部の前後において、直流バイアスを供給するバイアス供
給線路に抵抗を直列に接続することにより、伝送線路か
らバイアス供給線路への信号の漏洩を防止でき、高周波
特性の良好なモノリシックマイクロ波集積回路を実現で
きる。
伝送線路と、直流バイアスを供給する伝送線路との交差
部の前後において、直流バイアスを供給するバイアス供
給線路に抵抗を直列に接続することにより、伝送線路か
らバイアス供給線路への信号の漏洩を防止でき、高周波
特性の良好なモノリシックマイクロ波集積回路を実現で
きる。
【図１】本発明の実施形態を示す斜視図である。
【図２】従来のモノリシックマイクロ波集積回路を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図３】従来のモノリシックマイクロ波集積回路におい
て、高周波信号を伝搬する伝送線路と直流バイアスを供
給するバイアス供給線路が交差した部分を示す斜視図で
ある。
て、高周波信号を伝搬する伝送線路と直流バイアスを供
給するバイアス供給線路が交差した部分を示す斜視図で
ある。
１０…伝送線路 １１…バイアス供給線路 １２、１３…抵抗 １４…入力線路 １５…出力線路 １６…ＦＥＴ １７…バイアス供給パッド １８…誘電体基板
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波信号を伝搬する伝送線路と、この
伝送線路に接続された能動素子と、前記伝送線路と誘電
体を介して交差し前記能動素子に直流バイアスを供給す
るバイアス供給線路とを具備したモノリシックマイクロ
波集積回路において、前記バイアス供給線路が、前記伝
送線路との交差部を含む交差延長部分およびこの交差延
長部分から前記能動素子方向に曲がった屈曲部分を有
し、かつ、前記交差延長部分の前記交差部を挟んだ前後
に抵抗を接続したことを特徴とするモノリシックマイク
ロ波集積回路。 - 【請求項２】 能動素子が、スイッチ回路を構成する電
界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１記
載のモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項３】 能動素子が、増幅回路を構成する電界効
果トランジスタであることを特徴とする請求項１記載の
モノリシックマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310764A JP2996906B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310764A JP2996906B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153701A JPH09153701A (ja) | 1997-06-10 |
| JP2996906B2 true JP2996906B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=18009199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310764A Expired - Fee Related JP2996906B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996906B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116918248B (zh) | 2021-02-18 | 2024-03-19 | 新唐科技日本株式会社 | 高频功率放大器件 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595347A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-19 | Nec Corp | Bias power supply circuit for ultrahigh frequency semiconductor device |
| JPH04287503A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | Fujitsu Ltd | 高周波カップリング防止構造 |
| JPH04135002U (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-16 | 株式会社東芝 | マイクロストリツプ線路形横断回路 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7310764A patent/JP2996906B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09153701A (ja) | 1997-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5361038A (en) | Active load applications for distributed circuits | |
| EP0444147B1 (en) | Gallium arsenide antenna switch | |
| EP0609746A1 (en) | Microwave switch circuit and an antenna apparatus | |
| GB2239364A (en) | Distributed fet amplifier with two parallel channels | |
| US6320476B1 (en) | Millimeter-band semiconductor switching circuit | |
| EP0101941B1 (en) | High speed high power step attenuator method and apparatus | |
| JP2996906B2 (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
| JP3630797B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0370201A (ja) | ローデットライン形移相器 | |
| JPH0923101A (ja) | 高周波スイッチ装置 | |
| JPH0281503A (ja) | マイクロ波増幅回路 | |
| JP3647712B2 (ja) | 移相器 | |
| US4727351A (en) | High power RF resistor | |
| JPH0119761B2 (ja) | ||
| JPH03218102A (ja) | インターデジタルフィルタ | |
| JP3357715B2 (ja) | マイクロ波移相器 | |
| JPH0738534B2 (ja) | マイクロ波モノリシツク集積回路 | |
| JPH08335865A (ja) | 高周波スイッチ回路 | |
| JPH0828605B2 (ja) | 高周波回路 | |
| JPS636882Y2 (ja) | ||
| JPS61113318A (ja) | 混成集積回路化スイツチ | |
| JP2715404B2 (ja) | 高周波スイツチ | |
| JPH09275303A (ja) | マイクロ波スイッチ | |
| JPS63246003A (ja) | 高周波電力分配器 | |
| JP2633368B2 (ja) | マイクロ波集積回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081029 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091029 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |