JPH09153701A - モノリシックマイクロ波集積回路 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路Info
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- JPH09153701A JPH09153701A JP31076495A JP31076495A JPH09153701A JP H09153701 A JPH09153701 A JP H09153701A JP 31076495 A JP31076495 A JP 31076495A JP 31076495 A JP31076495 A JP 31076495A JP H09153701 A JPH09153701 A JP H09153701A
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- line
- integrated circuit
- microwave integrated
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波信号が伝送線路からバイアス供給線路
へのリークを防止したモノリシックマイクロ波集積回路
を提供すること。 【解決手段】 高周波信号を伝搬する伝送線路１０と、
直流バイアスを供給するためのバイアス供給線路１１と
の交差部において、交差部前後にバイアス供給線路１１
に直列に抵抗１２、１３を接続する。
へのリークを防止したモノリシックマイクロ波集積回路
を提供すること。 【解決手段】 高周波信号を伝搬する伝送線路１０と、
直流バイアスを供給するためのバイアス供給線路１１と
の交差部において、交差部前後にバイアス供給線路１１
に直列に抵抗１２、１３を接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スイッチ回路や増
幅回路などを構成するモノリシックマイクロ波集積回路
に関する。
幅回路などを構成するモノリシックマイクロ波集積回路
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のモノリシックマイクロ波集積回路
について図３を参照して説明する。１８は誘電体基板
で、その裏面に接地導体が形成されている。そして、誘
電体基板１８上に電界効果トランジスタ（以後ＦＥＴと
いう）１６が設けられ、入力線路１４や出力線路１５が
ＦＥＴ１６に接続されている。また、誘電体基板１８上
に、直流バイアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給
パッド１７が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッ
ド１７間はバイアス供給線路２１で接続されている。ま
た、バイアス供給線路２１には抵抗２３が接続されてい
る。
について図３を参照して説明する。１８は誘電体基板
で、その裏面に接地導体が形成されている。そして、誘
電体基板１８上に電界効果トランジスタ（以後ＦＥＴと
いう）１６が設けられ、入力線路１４や出力線路１５が
ＦＥＴ１６に接続されている。また、誘電体基板１８上
に、直流バイアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給
パッド１７が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッ
ド１７間はバイアス供給線路２１で接続されている。ま
た、バイアス供給線路２１には抵抗２３が接続されてい
る。
【０００３】そして、高周波信号を伝搬する伝送線路２
０例えば入力線路１４と、直流バイアスを供給するバイ
アス供給線路２１との交差部２２では、入力線路１４と
その下方を通るバイアス供給線路２１とが誘電体３１を
介して交差し、電気的に短絡しないようになっている。
０例えば入力線路１４と、直流バイアスを供給するバイ
アス供給線路２１との交差部２２では、入力線路１４と
その下方を通るバイアス供給線路２１とが誘電体３１を
介して交差し、電気的に短絡しないようになっている。
【０００４】ここで、入力線路１４とバイアス供給線路
２１の交差部の構造について図４で説明する。なお、図
４では、図３と同一部分には同一の符号を付し、重複す
る説明は省略する。この図で、３２が、入力線路１４と
バイアス供給線路２１間に形成されるキャパシタであ
る。そして、入力線路１４上を伝搬する高周波信号の周
波数が高くなると、入力線路１４上を伝搬する高周波信
号が、誘電体３１などで形成されるキャパシタ３２を介
してバイアス供給線路２１に漏洩する。また、このよう
な高周波信号の漏洩があると、これが原因で、入力線路
１４やＦＥＴなどが形成するマイクロ波回路の高周波特
性が劣化する。
２１の交差部の構造について図４で説明する。なお、図
４では、図３と同一部分には同一の符号を付し、重複す
る説明は省略する。この図で、３２が、入力線路１４と
バイアス供給線路２１間に形成されるキャパシタであ
る。そして、入力線路１４上を伝搬する高周波信号の周
波数が高くなると、入力線路１４上を伝搬する高周波信
号が、誘電体３１などで形成されるキャパシタ３２を介
してバイアス供給線路２１に漏洩する。また、このよう
な高周波信号の漏洩があると、これが原因で、入力線路
１４やＦＥＴなどが形成するマイクロ波回路の高周波特
性が劣化する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のモノリシックマ
イクロ波集積回路では、高周波信号を伝搬する伝送線路
と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路との近接
部において、伝送線路とバイアス供給線路間に形成され
るキャパシタの影響で、高周波信号がバイアス供給線路
上に漏洩する。したがって、スイッチング素子としてＦ
ＥＴを用い、モノリシックマイクロ波集積回路で例えば
スイッチ回路を構成した場合、ＯＦＦ状態で信号が伝搬
しない伝送線路へバイアス供給線路を通して信号が漏洩
するなど、アイソレーション特性が劣化する。また、モ
ノリシックマイクロ波集積回路で増幅器を構成した場合
は、ゲートバイアス供給線路を介して帰還が起り、発振
を発生する原因になる。
イクロ波集積回路では、高周波信号を伝搬する伝送線路
と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路との近接
部において、伝送線路とバイアス供給線路間に形成され
るキャパシタの影響で、高周波信号がバイアス供給線路
上に漏洩する。したがって、スイッチング素子としてＦ
ＥＴを用い、モノリシックマイクロ波集積回路で例えば
スイッチ回路を構成した場合、ＯＦＦ状態で信号が伝搬
しない伝送線路へバイアス供給線路を通して信号が漏洩
するなど、アイソレーション特性が劣化する。また、モ
ノリシックマイクロ波集積回路で増幅器を構成した場合
は、ゲートバイアス供給線路を介して帰還が起り、発振
を発生する原因になる。
【０００６】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたもので、良好な高周波特性を有するモノリシックマ
イクロ波集積回路を提供することを目的とする。
れたもので、良好な高周波特性を有するモノリシックマ
イクロ波集積回路を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波信号を
伝搬する伝送線路と、能動素子に直流バイアスを供給す
るバイアス供給線路とが形成されたモノリシックマイク
ロ波集積回路において、前記バイアス供給線路の前記伝
送線路との近接部分を挟んだ前後に高周波を阻止又は減
衰させる回路素子を接続している。
伝搬する伝送線路と、能動素子に直流バイアスを供給す
るバイアス供給線路とが形成されたモノリシックマイク
ロ波集積回路において、前記バイアス供給線路の前記伝
送線路との近接部分を挟んだ前後に高周波を阻止又は減
衰させる回路素子を接続している。
【０００８】また、回路素子として、抵抗あるいはイン
ダクタを使用している。また、回路素子の一方に抵抗
を、他方にインダクタを使用している。
ダクタを使用している。また、回路素子の一方に抵抗
を、他方にインダクタを使用している。
【０００９】また、能動素子が、スイッチ回路あるいは
増幅回路を構成する電界効果トランジスタである。
増幅回路を構成する電界効果トランジスタである。
【００１０】上記した構成によれば、バイアス供給線路
の伝送線路との近接部分を挟んだ前後に高周波を阻止又
は減衰させる回路素子を接続している。この場合、バイ
アス供給線路と伝送線路が結合し、バイアス供給線路に
高周波信号が漏洩しても、バイアス供給線路を伝搬する
高周波信号が阻止され、又は減衰する。したがって、バ
イアス供給線路を通して高周波信号が他の伝送線路など
に漏洩するようなことがなくなり、ＦＥＴなどを組み込
んだモノリシックマイクロ波集積回路の高周波特性の劣
化を防止できる。
の伝送線路との近接部分を挟んだ前後に高周波を阻止又
は減衰させる回路素子を接続している。この場合、バイ
アス供給線路と伝送線路が結合し、バイアス供給線路に
高周波信号が漏洩しても、バイアス供給線路を伝搬する
高周波信号が阻止され、又は減衰する。したがって、バ
イアス供給線路を通して高周波信号が他の伝送線路など
に漏洩するようなことがなくなり、ＦＥＴなどを組み込
んだモノリシックマイクロ波集積回路の高周波特性の劣
化を防止できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明の実施形態について、Ｆ
ＥＴを用いたスイッチ回路を例にとり図１を参照して説
明する。１８は誘電体基板で、その裏面に接地導体が形
成されている。そして、誘電体基板１８上にＦＥＴ１６
が設けられ、入力線路１４や出力線路１５がＦＥＴ１６
に接続されている。また、誘電体基板１８上に、直流バ
イアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給パッド１７
が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッド１７間は
バイアス供給線路１１で接続されている。また、バイア
ス供給線路１１には抵抗１２、１３が接続されている。
なお、高周波信号を伝搬する伝送線路１０例えば入力線
路１４と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路１
１との交差部は、入力線路１４とその下方を通るバイア
ス供給線路１１が誘電体を介して交差し、電気的に短絡
しないようになっている。
ＥＴを用いたスイッチ回路を例にとり図１を参照して説
明する。１８は誘電体基板で、その裏面に接地導体が形
成されている。そして、誘電体基板１８上にＦＥＴ１６
が設けられ、入力線路１４や出力線路１５がＦＥＴ１６
に接続されている。また、誘電体基板１８上に、直流バ
イアスをＦＥＴ１６に供給するバイアス供給パッド１７
が形成され、ＦＥＴ１６とバイアス供給パッド１７間は
バイアス供給線路１１で接続されている。また、バイア
ス供給線路１１には抵抗１２、１３が接続されている。
なお、高周波信号を伝搬する伝送線路１０例えば入力線
路１４と、直流バイアスを供給するバイアス供給線路１
１との交差部は、入力線路１４とその下方を通るバイア
ス供給線路１１が誘電体を介して交差し、電気的に短絡
しないようになっている。
【００１２】上記した構成において、抵抗１２、１３
は、入力線路１４とバイアス供給線路１１の交差部を挟
んだ前後の位置に接続されている。また、抵抗１２、１
３の抵抗値は、入力線路１４とバイアス供給線路１１の
交差部のインピーダンスに比して十分大きな値に設定
し、入力線路１４とバイアス供給線路１１の交差部に形
成されたキャパシタを介してバイアス供給線路１１上に
漏洩した高周波信号の伝搬を防止できるようにしてい
る。
は、入力線路１４とバイアス供給線路１１の交差部を挟
んだ前後の位置に接続されている。また、抵抗１２、１
３の抵抗値は、入力線路１４とバイアス供給線路１１の
交差部のインピーダンスに比して十分大きな値に設定
し、入力線路１４とバイアス供給線路１１の交差部に形
成されたキャパシタを介してバイアス供給線路１１上に
漏洩した高周波信号の伝搬を防止できるようにしてい
る。
【００１３】なお、上記した構成では、入力線路１４と
バイアス供給線路１１の交差部を挟んだ前後の位置に抵
抗１２、１３を接続している。このとき、例えば交差部
とＦＥＴ１６間の抵抗１２のみを接続し、交差部とバイ
アス供給パッド１７間の抵抗１３を接続しない場合は、
抵抗１２とＦＥＴ１６部を接続するバイアス供給線路１
１の長さが、１／２波長になる周波数で共振を生じ挿入
損にリップルが発生するなどの不都合がある。また、抵
抗１３のみを接続し、抵抗１２を接続しない場合も同様
である。
バイアス供給線路１１の交差部を挟んだ前後の位置に抵
抗１２、１３を接続している。このとき、例えば交差部
とＦＥＴ１６間の抵抗１２のみを接続し、交差部とバイ
アス供給パッド１７間の抵抗１３を接続しない場合は、
抵抗１２とＦＥＴ１６部を接続するバイアス供給線路１
１の長さが、１／２波長になる周波数で共振を生じ挿入
損にリップルが発生するなどの不都合がある。また、抵
抗１３のみを接続し、抵抗１２を接続しない場合も同様
である。
【００１４】この実施の形態ではＦＥＴを用いたスイッ
チ回路について説明している。しかし、ＦＥＴを用いて
例えば増幅回路を構成した場合でも同様の効果がある。
チ回路について説明している。しかし、ＦＥＴを用いて
例えば増幅回路を構成した場合でも同様の効果がある。
【００１５】また、上記した実施形態では、入力線路１
４とバイアス供給線路１１が交差する場合で説明した
が、入力線路１４とバイアス供給線路１１が接近した構
造となっており、この接近した部分で入力線路１４から
バイアス供給線路１１へ高周波信号が漏洩する場合に
も、本発明は同様に有効である。
４とバイアス供給線路１１が交差する場合で説明した
が、入力線路１４とバイアス供給線路１１が接近した構
造となっており、この接近した部分で入力線路１４から
バイアス供給線路１１へ高周波信号が漏洩する場合に
も、本発明は同様に有効である。
【００１６】次に、この発明の他の実施態様について図
２を参照して説明する。なお、図２では図１に対応する
部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図１の場合は、入力線路１４とバイアス供給線路１１の
交差部の前後で、バイアス供給線路１１に抵抗１２、１
３を接続している。しかし、図２では、抵抗１２、１３
に代えてインダクタ４１、４２を接続している。この場
合も、バイアス供給線路１１を伝搬する高周波信号を阻
止し、あるいは減衰させることができ、同様の効果が得
られる。
２を参照して説明する。なお、図２では図１に対応する
部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
図１の場合は、入力線路１４とバイアス供給線路１１の
交差部の前後で、バイアス供給線路１１に抵抗１２、１
３を接続している。しかし、図２では、抵抗１２、１３
に代えてインダクタ４１、４２を接続している。この場
合も、バイアス供給線路１１を伝搬する高周波信号を阻
止し、あるいは減衰させることができ、同様の効果が得
られる。
【００１７】また、上記した実施形態では、入力線路１
４とバイアス供給線路１１の結合部の前後で、バイアス
供給線路１１に抵抗１２、１３あるいはインダクタ４
１、４２を接続している。しかし、一方に抵抗を接続
し、他方にインダクタを接続する構成にすることもでき
る。
４とバイアス供給線路１１の結合部の前後で、バイアス
供給線路１１に抵抗１２、１３あるいはインダクタ４
１、４２を接続している。しかし、一方に抵抗を接続
し、他方にインダクタを接続する構成にすることもでき
る。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、高周波信号を伝搬する
伝送線路と、直流バイアスを供給する伝送線路との交差
部又は近接部において、交差部又は近接部前後に直流バ
イアスを供給するバイアス供給線路に抵抗又はインダク
タを直列に接続することにより、伝送線路からバイアス
供給線路への信号の漏洩を防止でき、高周波特性の良好
なモノリシックマイクロ波集積回路を実現できる。
伝送線路と、直流バイアスを供給する伝送線路との交差
部又は近接部において、交差部又は近接部前後に直流バ
イアスを供給するバイアス供給線路に抵抗又はインダク
タを直列に接続することにより、伝送線路からバイアス
供給線路への信号の漏洩を防止でき、高周波特性の良好
なモノリシックマイクロ波集積回路を実現できる。
【図１】本発明の実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の他の実施形態を示す斜視図である。
【図３】従来のモノリシックマイクロ波集積回路を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】従来のモノリシックマイクロ波集積回路におい
て、高周波信号を伝搬する伝送線路と直流バイアスを供
給するバイアス供給線路が交差した部分を示す斜視図で
ある。
て、高周波信号を伝搬する伝送線路と直流バイアスを供
給するバイアス供給線路が交差した部分を示す斜視図で
ある。
１０…伝送線路 １１…バイアス供給線路 １２、１３…抵抗 １４…入力線路 １５…出力線路 １６…ＦＥＴ １７…バイアス供給パッド １８…誘電体基板 ２０…伝送線路 ２１…バイアス供給線路 ２２…伝送線路２０とバイアス供給線路２１との交差部 ２３…抵抗 ３１…誘電体 ３２…キャパシタ ４１、４２…インダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｆ 3/60
Claims (6)
- 【請求項１】 高周波信号を伝搬する伝送線路と、能動
素子に直流バイアスを供給するバイアス供給線路とが形
成されたモノリシックマイクロ波集積回路において、前
記バイアス供給線路の前記伝送線路との近接部分を挟ん
だ前後に高周波を阻止又は減衰させる回路素子を接続し
たことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項２】 回路素子が抵抗である請求項１記載のモ
ノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項３】 回路素子がインダクタである請求項１記
載のモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項４】 回路素子が抵抗とインダクタである請求
項１記載のモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項５】 能動素子が、スイッチ回路を構成する電
界効果トランジスタであることを特徴とする請求項１記
載のモノリシックマイクロ波集積回路。 - 【請求項６】 能動素子が、増幅回路を構成する電界効
果トランジスタであることを特徴とする請求項１記載の
モノリシックマイクロ波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310764A JP2996906B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7310764A JP2996906B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153701A true JPH09153701A (ja) | 1997-06-10 |
| JP2996906B2 JP2996906B2 (ja) | 2000-01-11 |
Family
ID=18009199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7310764A Expired - Fee Related JP2996906B2 (ja) | 1995-11-29 | 1995-11-29 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2996906B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022176947A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595347A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-19 | Nec Corp | Bias power supply circuit for ultrahigh frequency semiconductor device |
| JPH04287503A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | Fujitsu Ltd | 高周波カップリング防止構造 |
| JPH04135002U (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-16 | 株式会社東芝 | マイクロストリツプ線路形横断回路 |
-
1995
- 1995-11-29 JP JP7310764A patent/JP2996906B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595347A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-19 | Nec Corp | Bias power supply circuit for ultrahigh frequency semiconductor device |
| JPH04287503A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-13 | Fujitsu Ltd | 高周波カップリング防止構造 |
| JPH04135002U (ja) * | 1991-06-03 | 1992-12-16 | 株式会社東芝 | マイクロストリツプ線路形横断回路 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022176947A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | ||
| WO2022176947A1 (ja) * | 2021-02-18 | 2022-08-25 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 高周波電力増幅装置 |
| US11942911B2 (en) | 2021-02-18 | 2024-03-26 | Nuvoton Technology Corporation Japan | Radio-frequency power amplifier device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2996906B2 (ja) | 2000-01-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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