JPH0685511A - 広帯域結合回路の実装構造 - Google Patents
広帯域結合回路の実装構造Info
- Publication number
- JPH0685511A JPH0685511A JP4238026A JP23802692A JPH0685511A JP H0685511 A JPH0685511 A JP H0685511A JP 4238026 A JP4238026 A JP 4238026A JP 23802692 A JP23802692 A JP 23802692A JP H0685511 A JPH0685511 A JP H0685511A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- coupling circuit
- circuit
- coupling
- soldering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/36—Nc in input of data, input key till input tape
- G05B2219/36214—Pocket machining, area clearance, contained cutting, axis milling
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/49—Nc machine tool, till multiple
- G05B2219/49392—Multipasses, segmentation of cut, paraxial cutting
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、電圧定在波比等の伝達特性を
損なうことのない広帯域結合回路の実装構造を提供する
ことにある。 【構成】所要の伝達特性を満足するように低周波伝達用
結合コンデンサ１、高周波伝達用結合コンデンサ２の容
量値を設定する。高周波基板６の上に所要の伝送路イン
ピーダンスに整合するマイクロストリップライン３の中
間に結合コンデンサ１，２のサイズに応じたハンダ付け
用パタン４を設定する。ハンダ付け用パタン４のサイズ
により遮蔽金属の削除する部分のサイズと高周波基板に
設けるギャップ８のサイズを設定して、これらをハンダ
付けして高周波電子回路を構成する。
損なうことのない広帯域結合回路の実装構造を提供する
ことにある。 【構成】所要の伝達特性を満足するように低周波伝達用
結合コンデンサ１、高周波伝達用結合コンデンサ２の容
量値を設定する。高周波基板６の上に所要の伝送路イン
ピーダンスに整合するマイクロストリップライン３の中
間に結合コンデンサ１，２のサイズに応じたハンダ付け
用パタン４を設定する。ハンダ付け用パタン４のサイズ
により遮蔽金属の削除する部分のサイズと高周波基板に
設けるギャップ８のサイズを設定して、これらをハンダ
付けして高周波電子回路を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波電子回路の結合回
路に係り、特にマイクロ波電子回路の高速信号接続に用
いられるマイクロストリップラインやコプレナーウェイ
ブガイドの信号線間に設けられるインタフェースの広帯
域結合回路に関する。
路に係り、特にマイクロ波電子回路の高速信号接続に用
いられるマイクロストリップラインやコプレナーウェイ
ブガイドの信号線間に設けられるインタフェースの広帯
域結合回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の結合回路は結合コンデン
サを用いてアクティブデバイス同士の間に位置するよう
に接続され、高周波電子回路の一部分を構成している。
この種の結合回路は例えば、特願昭５６−１９５４０６
『テレビジョン受像機の信号処理回路』に記載のよう
に、映像中間周波増幅器の一部分を成す出力トランジス
タと映像検波回路の一部分を成す入力トランジスタの間
で構成されている。一方、数１０ｋＨｚから１０ＧＨｚ
以上までの広範囲で電圧定在波比等の伝達特性を劣化さ
せないようと結合回路を作製するには、複数の異なった
容量値のコンデンサを並列に回路間に接続させる必要が
ある。このことに対応して高周波電子回路に用いられる
コンデンサは高周波用信号線（マイクロストリップライ
ンやコプレナーウェイブガイド）の線幅に適合するよう
に近年１．０ｍｍ×０．５ｍｍという小型のものが作製
されるようになった。しかし、小型のコンデンサで動作
温度範囲内で温度特性が補償されたものはその容量値が
およそ１００００ｐＦ以下と小さい、あるいは０．１μ
Ｆ以上の必要な容量値で温度補償されたコンデンサは、
２．０ｍｍ×１．２５ｍｍあるいは１．６ｍｍ×０．８
ｍｍで大型になってしまう。このため１個の低容量値の
コンデンサで結合回路を作り低周波領域で信号振幅が小
さくなる欠点がある。あるいは図５と図６の従来の実装
方法、構造に示すように複数コンデンサで結合回路を作
り低周波領域で信号振幅が小さくはならないが電圧定在
波比が全般的に劣化するという欠点がある。図５は断面
図、図６は平面図である。図６から判るように複数のコ
ンデンサ１，２を搭載するためマイクロストリップライ
ンより広いパタン４を作製する必要がある。このため伝
送路インピーダンスがこの部分でミスマッチを起すこと
になる。
サを用いてアクティブデバイス同士の間に位置するよう
に接続され、高周波電子回路の一部分を構成している。
この種の結合回路は例えば、特願昭５６−１９５４０６
『テレビジョン受像機の信号処理回路』に記載のよう
に、映像中間周波増幅器の一部分を成す出力トランジス
タと映像検波回路の一部分を成す入力トランジスタの間
で構成されている。一方、数１０ｋＨｚから１０ＧＨｚ
以上までの広範囲で電圧定在波比等の伝達特性を劣化さ
せないようと結合回路を作製するには、複数の異なった
容量値のコンデンサを並列に回路間に接続させる必要が
ある。このことに対応して高周波電子回路に用いられる
コンデンサは高周波用信号線（マイクロストリップライ
ンやコプレナーウェイブガイド）の線幅に適合するよう
に近年１．０ｍｍ×０．５ｍｍという小型のものが作製
されるようになった。しかし、小型のコンデンサで動作
温度範囲内で温度特性が補償されたものはその容量値が
およそ１００００ｐＦ以下と小さい、あるいは０．１μ
Ｆ以上の必要な容量値で温度補償されたコンデンサは、
２．０ｍｍ×１．２５ｍｍあるいは１．６ｍｍ×０．８
ｍｍで大型になってしまう。このため１個の低容量値の
コンデンサで結合回路を作り低周波領域で信号振幅が小
さくなる欠点がある。あるいは図５と図６の従来の実装
方法、構造に示すように複数コンデンサで結合回路を作
り低周波領域で信号振幅が小さくはならないが電圧定在
波比が全般的に劣化するという欠点がある。図５は断面
図、図６は平面図である。図６から判るように複数のコ
ンデンサ１，２を搭載するためマイクロストリップライ
ンより広いパタン４を作製する必要がある。このため伝
送路インピーダンスがこの部分でミスマッチを起すこと
になる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高周
波用信号線を用いた高周波回路の結合回路において、必
要な帯域内で電圧定在波比等の伝達特性を損なうことの
ない実装構造を提供することにある。
波用信号線を用いた高周波回路の結合回路において、必
要な帯域内で電圧定在波比等の伝達特性を損なうことの
ない実装構造を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的は、高周波用信
号線の複数の結合コンデンが搭載される近傍で高周波基
板の裏面の高周波アースを一部分削除し、インピーダン
スミスマッチが生じないようにすること、あるいは複数
の結合コンデンが搭載される範囲で高周波基板を一部分
削除することにより実現される。
号線の複数の結合コンデンが搭載される近傍で高周波基
板の裏面の高周波アースを一部分削除し、インピーダン
スミスマッチが生じないようにすること、あるいは複数
の結合コンデンが搭載される範囲で高周波基板を一部分
削除することにより実現される。
【０００５】
【作用】高周波電子回路は他回路（電源回路、制御回
路）や他の高周波電子回路から影響を受けやすいので、
電磁シールドするように外側をアース金属で遮蔽するの
が通例である。先ず遮蔽金属が高周波基板の高周波アー
スを兼ねる場合を考える。高周波信号線の複数コンデン
サをハンダ付け接続するよう作製したパタンは高周波信
号線の伝送路インピーダンス（通常は５０Ω）から逸脱
して線幅が広くなるため２０〜３０Ω程度になりインピ
ーダンスミスマッチが生じる。これは高周波基板の裏面
が高周波アースになっているため伝送路インピーダンス
が定義され、その線幅に対応して２０〜３０Ω程度とい
う値になってしまうためである。そこで、高周波アース
になっている遮蔽金属を上記パタンの下の部分だけ削除
すればもはや伝送路インピーダンスが定義されなくなり
インピーダンスミスマッチが防止できる。また、誘電率
の高い基板を用いる場合には基板表面パタンと高周波ア
ースとの間に生じる寄生の容量を防止するため、基板自
体も削除すればより一層効果的である。
路）や他の高周波電子回路から影響を受けやすいので、
電磁シールドするように外側をアース金属で遮蔽するの
が通例である。先ず遮蔽金属が高周波基板の高周波アー
スを兼ねる場合を考える。高周波信号線の複数コンデン
サをハンダ付け接続するよう作製したパタンは高周波信
号線の伝送路インピーダンス（通常は５０Ω）から逸脱
して線幅が広くなるため２０〜３０Ω程度になりインピ
ーダンスミスマッチが生じる。これは高周波基板の裏面
が高周波アースになっているため伝送路インピーダンス
が定義され、その線幅に対応して２０〜３０Ω程度とい
う値になってしまうためである。そこで、高周波アース
になっている遮蔽金属を上記パタンの下の部分だけ削除
すればもはや伝送路インピーダンスが定義されなくなり
インピーダンスミスマッチが防止できる。また、誘電率
の高い基板を用いる場合には基板表面パタンと高周波ア
ースとの間に生じる寄生の容量を防止するため、基板自
体も削除すればより一層効果的である。
【０００６】遮蔽金属と高周波アースが同一でない場合
においても、上記と同様に高周波アースを一部分削除す
ればインピーダンスミスマッチは生じない。この場合
は、高周波基板と遮蔽金属とは高周波基板の厚さの数倍
の距離離れているのが通常なので、寄生容量は無視可能
となり遮蔽金属の一部分を削除しなくてもよい。
においても、上記と同様に高周波アースを一部分削除す
ればインピーダンスミスマッチは生じない。この場合
は、高周波基板と遮蔽金属とは高周波基板の厚さの数倍
の距離離れているのが通常なので、寄生容量は無視可能
となり遮蔽金属の一部分を削除しなくてもよい。
【０００７】
【実施例】以下、図１と図２を使用して本発明の１実施
例について説明する。
例について説明する。
【０００８】図１は本発明による広帯域結合回路の実装
構造の断面図である。図２は図１の平面図である。図１
と図２とも遮蔽金属の蓋部は省略して図示してある。こ
の１実施例は遮蔽金属が高周波アースを兼ねる場合のも
のである。１は結合コンデンサで例えば０．１μＦの容
量で低周波信号を主に伝達させる役目を持つ。２は同じ
く結合コンデンサで例えば１０００ｐＦの容量で高周波
信号を主に伝達させる役目を持つ。３はマイクロストリ
ップラインで伝送路インピーダンスが所要の目的に応じ
て、例えば５０Ωに整合するよう作製される。４は１，
２をハンダ付け接続するためのパタンである。５はハン
ダである。６は高周波基板である。７は遮蔽金属で高周
波アースを兼ねている。８は寄生容量の発生を防止する
ために６の高周波基板に設けたギャップである。９はイ
ンピーダンスミスマッチを防止するために設けた遮蔽金
属７の削除部分である。以上のような構造を実現するこ
とにより広帯域結合回路の実装構造を構成できる。
構造の断面図である。図２は図１の平面図である。図１
と図２とも遮蔽金属の蓋部は省略して図示してある。こ
の１実施例は遮蔽金属が高周波アースを兼ねる場合のも
のである。１は結合コンデンサで例えば０．１μＦの容
量で低周波信号を主に伝達させる役目を持つ。２は同じ
く結合コンデンサで例えば１０００ｐＦの容量で高周波
信号を主に伝達させる役目を持つ。３はマイクロストリ
ップラインで伝送路インピーダンスが所要の目的に応じ
て、例えば５０Ωに整合するよう作製される。４は１，
２をハンダ付け接続するためのパタンである。５はハン
ダである。６は高周波基板である。７は遮蔽金属で高周
波アースを兼ねている。８は寄生容量の発生を防止する
ために６の高周波基板に設けたギャップである。９はイ
ンピーダンスミスマッチを防止するために設けた遮蔽金
属７の削除部分である。以上のような構造を実現するこ
とにより広帯域結合回路の実装構造を構成できる。
【０００９】図３、図４は遮蔽金属７と高周波アース１
０とが同一でない場合の本発明の実施例である。図４は
遮蔽金属７と高周波アース１０との距離が短い場合に有
効な実装構造で、高周波基板６にギャップ８を設けてあ
る。
０とが同一でない場合の本発明の実施例である。図４は
遮蔽金属７と高周波アース１０との距離が短い場合に有
効な実装構造で、高周波基板６にギャップ８を設けてあ
る。
【００１０】
【発明の効果】本発明により、数１０ｋＨｚから１０Ｇ
Ｈｚ以上までの広範囲で電圧定在波比等の伝達特性が損
なうことのない広帯域結合回路の実装構造を実現するこ
とができる。また本実装構造によれば従来の高周波電子
回路のサイズ、外観、消費電力等を変化させないで、伝
達特性を改善する効果がある。
Ｈｚ以上までの広範囲で電圧定在波比等の伝達特性が損
なうことのない広帯域結合回路の実装構造を実現するこ
とができる。また本実装構造によれば従来の高周波電子
回路のサイズ、外観、消費電力等を変化させないで、伝
達特性を改善する効果がある。
【図１】本発明の１実施例を示す断面構造図である。
【図２】図１の平面構造図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す断面構造図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３の実施例を示す断面構造図であ
る。
る。
【図５】従来技術による断面構造図である。
【図６】図５の平面構造図である。
１，２…結合コンデンサ、３…マイクロストリップライ
ン、４…ハンダ付けパタン、５…ハンダ、６…高周波基
板、７…遮蔽金属、８…高周波基板に設けたギャップ、
９…遮蔽金属の削除部分、１０…高周波基板の高周波ア
ース。
ン、４…ハンダ付けパタン、５…ハンダ、６…高周波基
板、７…遮蔽金属、８…高周波基板に設けたギャップ、
９…遮蔽金属の削除部分、１０…高周波基板の高周波ア
ース。
Claims (1)
- 【請求項１】インピーダンス整合された信号源と信号処
理回路と、両者間を接続する前記インピーダンスに整合
された信号線路と、前記両回路間を接続する結合回路と
から成る高周波電子回路において、前記結合回路を構成
する少なくとも１個のチップコンデンサを搭載する高周
波基板の高周波アースを削除する、あるいは高周波基板
の一部分を削除することにより、該結合回路の伝送路イ
ンピーダンスが定義されないようにして構成することを
特徴とする広帯域結合回路の実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4238026A JPH0685511A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 広帯域結合回路の実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4238026A JPH0685511A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 広帯域結合回路の実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685511A true JPH0685511A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17024066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4238026A Pending JPH0685511A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 広帯域結合回路の実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685511A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046100B2 (en) | 2004-04-08 | 2006-05-16 | Fujitsu Limited | Direct current cut structure |
| WO2007030201A1 (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Northrop Grumman Corporation | Broadband dc block impedance matching network |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP4238026A patent/JPH0685511A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7046100B2 (en) | 2004-04-08 | 2006-05-16 | Fujitsu Limited | Direct current cut structure |
| WO2007030201A1 (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-15 | Northrop Grumman Corporation | Broadband dc block impedance matching network |
| US7385459B2 (en) | 2005-09-08 | 2008-06-10 | Northrop Grumman Corporation | Broadband DC block impedance matching network |
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