JPH0645849A - マイクロ波増幅器 - Google Patents
マイクロ波増幅器Info
- Publication number
- JPH0645849A JPH0645849A JP4215799A JP21579992A JPH0645849A JP H0645849 A JPH0645849 A JP H0645849A JP 4215799 A JP4215799 A JP 4215799A JP 21579992 A JP21579992 A JP 21579992A JP H0645849 A JPH0645849 A JP H0645849A
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- JP
- Japan
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- microwave
- circuit board
- capacitor
- capacitors
- bias circuit
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波用コンデンサと抵抗との接続箇所
および使用部品点数を、削減可能にする。 【構成】 周波数帯域に応じたインピーダンス特性を有
するマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂおよび抵抗５
を、金ワイヤを使わずに一体化して、同一のセラミック
基板８上に設ける。
および使用部品点数を、削減可能にする。 【構成】 周波数帯域に応じたインピーダンス特性を有
するマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂおよび抵抗５
を、金ワイヤを使わずに一体化して、同一のセラミック
基板８上に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、マイクロ波の周波数
帯域に応じたバイアス特性を設定するマイクロ波増幅器
に関するものである。
帯域に応じたバイアス特性を設定するマイクロ波増幅器
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば実開昭６２−１４３３２０
号公報に示された従来のマイクロ波増幅器を示す正面図
であり、図において、１は接地用キャリア、２はマイク
ロ波電界効果トランジスタ、３は抵抗５を設けた入力側
バイアス回路基板、４は出力側バイアス回路基板、６
ａ，６ｂは入力側バイアス基板３上の抵抗５やスタブ１
４と金ワイヤ７で接続されたマイクロ波用コンデンサ、
６ｃは出力側バイアス回路基板４上のスタブ１５と金ワ
イヤ７で接続されたマイクロ波用コンデンサである。
号公報に示された従来のマイクロ波増幅器を示す正面図
であり、図において、１は接地用キャリア、２はマイク
ロ波電界効果トランジスタ、３は抵抗５を設けた入力側
バイアス回路基板、４は出力側バイアス回路基板、６
ａ，６ｂは入力側バイアス基板３上の抵抗５やスタブ１
４と金ワイヤ７で接続されたマイクロ波用コンデンサ、
６ｃは出力側バイアス回路基板４上のスタブ１５と金ワ
イヤ７で接続されたマイクロ波用コンデンサである。
【０００３】図４は上記マイクロ波増幅器の回路図であ
り、１０はマイクロ波信号の入力端子、１１は出力端
子、１２，１３は直流カット用のカップリングコンデン
サである。また、このほかの図３と同一の回路部分に
は、同一符号を付して、その重複する説明を省略する。
り、１０はマイクロ波信号の入力端子、１１は出力端
子、１２，１３は直流カット用のカップリングコンデン
サである。また、このほかの図３と同一の回路部分に
は、同一符号を付して、その重複する説明を省略する。
【０００４】次に動作について説明する。まず、マイク
ロ波電界効果トランジスタ２の入力側には、金ワイヤ７
で接続されたマイクロ波用コンデンサ６ｂ，入力側バイ
アス回路基板３上に形成された抵抗５，マイクロ波用コ
ンデンサ６ａおよび入力側バイアス回路基板３上に形成
されλｇ／４長のスタブ１４を通じて、バイアス電圧が
供給される。
ロ波電界効果トランジスタ２の入力側には、金ワイヤ７
で接続されたマイクロ波用コンデンサ６ｂ，入力側バイ
アス回路基板３上に形成された抵抗５，マイクロ波用コ
ンデンサ６ａおよび入力側バイアス回路基板３上に形成
されλｇ／４長のスタブ１４を通じて、バイアス電圧が
供給される。
【０００５】一方、マイクロ波信号の入力時において
は、所望の周波数帯域において、入力側バイアス回路基
板３上に形成されたλｇ／４長のスタブ１４とマイクロ
波用コンデンサ６ａによってショートスタブ状態とな
り、一方、マイクロ波主線路１６に対しオープンにな
る。
は、所望の周波数帯域において、入力側バイアス回路基
板３上に形成されたλｇ／４長のスタブ１４とマイクロ
波用コンデンサ６ａによってショートスタブ状態とな
り、一方、マイクロ波主線路１６に対しオープンにな
る。
【０００６】また、入力側バイアス回路基板３上に形成
された抵抗５とマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂは、
発振に起因する信号を減衰させ、あるいは接地する。そ
して、入力端子に入力されたマイクロ波信号は、上記シ
ョートスタブ状態およびオープン状態に応じた周波数帯
域ごとに、マイクロ波電界効果トランジスタにより電圧
増幅されて、出力端子１１より出力される。
された抵抗５とマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂは、
発振に起因する信号を減衰させ、あるいは接地する。そ
して、入力端子に入力されたマイクロ波信号は、上記シ
ョートスタブ状態およびオープン状態に応じた周波数帯
域ごとに、マイクロ波電界効果トランジスタにより電圧
増幅されて、出力端子１１より出力される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波増幅
器は以上のように構成されているので、所定のバイアス
特性を得るのに各マイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂと
抵抗５とを金ワイヤで接続しなければならず、部品点数
が多くなるほか、作業工数が増加し、結果的にコスト高
になるなどの問題点があった。
器は以上のように構成されているので、所定のバイアス
特性を得るのに各マイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂと
抵抗５とを金ワイヤで接続しなければならず、部品点数
が多くなるほか、作業工数が増加し、結果的にコスト高
になるなどの問題点があった。
【０００８】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、金ワイヤによる接続箇所を削減
することにより、部品点数を削減し、作業工数を低減で
きる安価なマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。
ためになされたもので、金ワイヤによる接続箇所を削減
することにより、部品点数を削減し、作業工数を低減で
きる安価なマイクロ波増幅器を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波増幅器は、周波数帯域に応じたインピーダンス特性を
有するマイクロ波用コンデンサおよび抵抗と設定長のス
タブとを有し、これらを通じてバイアス電圧が供給され
る入力側バイアス回路基板と、設定周波数帯域における
マイクロ波信号を上記入力側バイアス回路基板上のマイ
クロ波主線路を通じて受け、これを増幅して出力する接
地用キャリア上のマイクロ波電界効果トランジスタとを
備えて、上記マイクロ波用コンデンサおよび抵抗を一体
化して、同一のセラミック基板上に設けたものである。
波増幅器は、周波数帯域に応じたインピーダンス特性を
有するマイクロ波用コンデンサおよび抵抗と設定長のス
タブとを有し、これらを通じてバイアス電圧が供給され
る入力側バイアス回路基板と、設定周波数帯域における
マイクロ波信号を上記入力側バイアス回路基板上のマイ
クロ波主線路を通じて受け、これを増幅して出力する接
地用キャリア上のマイクロ波電界効果トランジスタとを
備えて、上記マイクロ波用コンデンサおよび抵抗を一体
化して、同一のセラミック基板上に設けたものである。
【００１０】
【作用】この発明におけるバイアス電圧を決定するマイ
クロ波用コンデンサおよび抵抗は、同一のセラミック上
にて一体接続されるため、従来のようにこれらを結ぶラ
インに金ワイヤを用いる必要がなくなり、かかる金ワイ
ヤによる結線作業を省くことができ、作業工数の低減と
ローコスト化を図れるようにする。
クロ波用コンデンサおよび抵抗は、同一のセラミック上
にて一体接続されるため、従来のようにこれらを結ぶラ
インに金ワイヤを用いる必要がなくなり、かかる金ワイ
ヤによる結線作業を省くことができ、作業工数の低減と
ローコスト化を図れるようにする。
【００１１】
【実施例】実施例１．以下、この発明の一実施例を図に
ついて説明する。図１において、１は接地用キャリア、
２はマイクロ波電界効果トランジスタ、３は入力側バイ
アス回路基板、４は出力側バイアス回路基板、８は互い
に一体接続されたマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂと
抵抗５を設置したセラミック基板であり、マイクロ波用
コンデンサ６ａのみが入力側バイアス回路基板３上のス
タブ１４に一本の金ワイヤ７で接続されている。６ｃは
出力側バイアス回路基板４上のスタブ１５に接続された
マイクロ波用コンデンサである。
ついて説明する。図１において、１は接地用キャリア、
２はマイクロ波電界効果トランジスタ、３は入力側バイ
アス回路基板、４は出力側バイアス回路基板、８は互い
に一体接続されたマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂと
抵抗５を設置したセラミック基板であり、マイクロ波用
コンデンサ６ａのみが入力側バイアス回路基板３上のス
タブ１４に一本の金ワイヤ７で接続されている。６ｃは
出力側バイアス回路基板４上のスタブ１５に接続された
マイクロ波用コンデンサである。
【００１２】次に動作について説明する。まず、電界効
果トランジスタ２の入力側には、マイクロ波用コンデン
サ６ａと６ｂとの間に抵抗５を接続，形成したセラミッ
ク基板８と、入力側バイアス回路基板３上に形成された
λｇ／４長のスタブ１４を通じて、バイアス電圧が供給
される。
果トランジスタ２の入力側には、マイクロ波用コンデン
サ６ａと６ｂとの間に抵抗５を接続，形成したセラミッ
ク基板８と、入力側バイアス回路基板３上に形成された
λｇ／４長のスタブ１４を通じて、バイアス電圧が供給
される。
【００１３】一方、マイクロ波信号の入力時において
は、所望の周波数帯域において、入力側バイアス回路基
板３上に形成されたλｇ／４長のスタブ１４と、マイク
ロ波用コンデンサ６ａとによってショートスタブ状態が
形成され、一方、マイクロ波主線路に対しオープンにな
る。
は、所望の周波数帯域において、入力側バイアス回路基
板３上に形成されたλｇ／４長のスタブ１４と、マイク
ロ波用コンデンサ６ａとによってショートスタブ状態が
形成され、一方、マイクロ波主線路に対しオープンにな
る。
【００１４】また、セラミック基板８上に形成，接続さ
れた抵抗５とマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂとによ
って、発振に起因する信号を減衰させ、あるいは接地す
る。また、このような動作は、金ワイヤを使わずに、抵
抗５とマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂとが一体接続
される場合にも、従来と同様にして得られる。
れた抵抗５とマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂとによ
って、発振に起因する信号を減衰させ、あるいは接地す
る。また、このような動作は、金ワイヤを使わずに、抵
抗５とマイクロ波用コンデンサ６ａ，６ｂとが一体接続
される場合にも、従来と同様にして得られる。
【００１５】実施例２．なお、上記実施例ではマイクロ
波電界効果トランジスタ２を用いたものを説明したが、
図２に示すようにモノリシックマイクロ波集積回路９を
用いたものであってもよい。ここで、１は接地用キャリ
ア、６ａ〜６ｄはマイクロ波用コンデンサで、９はこれ
らを金ワイヤ７を介して接続するモノリシックマイクロ
波集積回路であり、マイクロ波コンデンサ６ａ〜６ｄは
同一の高誘電率のセラミック基板８上に形成されてい
る。モノリシックマイクロ波集積回路９では周波数帯域
に応じた所定の信号処理を実行する。そして、これによ
れば、電界効果トランジスタ，マイクロ波主線路，スタ
ブ，マイクロ波用コンデンサおよび抵抗がＧA ＡS 基板
上に一体形成されるため、部品点数の削減と小形化を実
現できる。
波電界効果トランジスタ２を用いたものを説明したが、
図２に示すようにモノリシックマイクロ波集積回路９を
用いたものであってもよい。ここで、１は接地用キャリ
ア、６ａ〜６ｄはマイクロ波用コンデンサで、９はこれ
らを金ワイヤ７を介して接続するモノリシックマイクロ
波集積回路であり、マイクロ波コンデンサ６ａ〜６ｄは
同一の高誘電率のセラミック基板８上に形成されてい
る。モノリシックマイクロ波集積回路９では周波数帯域
に応じた所定の信号処理を実行する。そして、これによ
れば、電界効果トランジスタ，マイクロ波主線路，スタ
ブ，マイクロ波用コンデンサおよび抵抗がＧA ＡS 基板
上に一体形成されるため、部品点数の削減と小形化を実
現できる。
【００１６】また、上記実施例では、２個のマイクロ波
コンデンサ６ａ，６ｂと１個の抵抗５を同一セラミック
基板８上に形成したもの、あるいは４個のマイクロ波コ
ンデンサ６ａ〜６ｄを同一セラミック基板８上に形成し
たものを示したが、上記以外の複数個でもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
コンデンサ６ａ，６ｂと１個の抵抗５を同一セラミック
基板８上に形成したもの、あるいは４個のマイクロ波コ
ンデンサ６ａ〜６ｄを同一セラミック基板８上に形成し
たものを示したが、上記以外の複数個でもよく、上記実
施例と同様の効果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば周波数
帯域に応じたインピーダンス特性を有するマイクロ波用
コンデンサおよび抵抗と設定長のスタブとを有し、これ
らを通じてバイアス電圧が供給される入力側バイアス回
路基板と、設定周波数帯域におけるマイクロ波信号を上
記入力側バイアス回路基板上のマイクロ波主線路を通じ
て受け、これを増幅して出力する接地用キャリア上のマ
イクロ波電界効果トランジスタとを備えて、上記マイク
ロ波用コンデンサおよび抵抗を一体化して、同一のセラ
ミック基板上に設けるように構成したので、マイクロ波
増幅器を構成する部品の点数および組立工数を削減で
き、しかも、増幅器を安価に提供できるものが得られる
効果がある。
帯域に応じたインピーダンス特性を有するマイクロ波用
コンデンサおよび抵抗と設定長のスタブとを有し、これ
らを通じてバイアス電圧が供給される入力側バイアス回
路基板と、設定周波数帯域におけるマイクロ波信号を上
記入力側バイアス回路基板上のマイクロ波主線路を通じ
て受け、これを増幅して出力する接地用キャリア上のマ
イクロ波電界効果トランジスタとを備えて、上記マイク
ロ波用コンデンサおよび抵抗を一体化して、同一のセラ
ミック基板上に設けるように構成したので、マイクロ波
増幅器を構成する部品の点数および組立工数を削減で
き、しかも、増幅器を安価に提供できるものが得られる
効果がある。
【図１】この発明の一実施例によるマイクロ波増幅器を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図２】この発明の他の実施例によるマイクロ波増幅器
を示す正面図である。
を示す正面図である。
【図３】従来のマイクロ波増幅器を示す正面図である。
【図４】従来のマイクロ波増幅器を示す回路図である。
１ 接地用キャリア ２ マイクロ波電界効果トランジスタ ３ 入力側バイアス回路基板 ５ 抵抗 ６ａ，６ｂ マイクロ波用コンデンサ ８ セラミック基板
Claims (1)
- 【請求項１】 周波数帯域に応じたインピーダンス特性
を有するマイクロ波用コンデンサおよび抵抗と設定長の
スタブとを有し、これらを通じてバイアス電圧が供給さ
れる入力側バイアス回路基板と、設定周波数帯域におけ
るマイクロ波信号を上記入力側バイアス回路基板上のマ
イクロ波主線路を通じて受け、これを増幅して出力する
接地用キャリア上のマイクロ波電界効果トランジスタと
を備えたマイクロ波増幅器において、上記マイクロ波用
コンデンサおよび抵抗を一体化して、同一のセラミック
基板上に設けたことを特徴とするマイクロ波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215799A JPH0645849A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215799A JPH0645849A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645849A true JPH0645849A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16678444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215799A Pending JPH0645849A (ja) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | マイクロ波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8085110B2 (en) | 2007-01-31 | 2011-12-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Microwave device, high-frequency device, and high-frequency equipment |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP4215799A patent/JPH0645849A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8085110B2 (en) | 2007-01-31 | 2011-12-27 | Mitsubishi Electric Corporation | Microwave device, high-frequency device, and high-frequency equipment |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20031215 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050413 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |