JPH01205458A - モノリシックマイクロ波集積回路 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路Info
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- JPH01205458A JPH01205458A JP2924788A JP2924788A JPH01205458A JP H01205458 A JPH01205458 A JP H01205458A JP 2924788 A JP2924788 A JP 2924788A JP 2924788 A JP2924788 A JP 2924788A JP H01205458 A JPH01205458 A JP H01205458A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- input
- stage
- transmission line
- integrated circuit
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の増幅に用いることのできるモノ
リシックマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと略す。
リシックマイクロ波集積回路（以下、ＭＭＩＣと略す。
）に関するものである。
従来の技術
近年、ＭＭＩＣは、低消費電力、小型軽量等の２ ＼−
点から、従来の電子管やマイクロ波ＩＣ（ＭＩＣ）のか
わりに用いられるようになってきた。（イ列えば、今井
哲二他「化合物半導体デバイスＩｌｌ。
わりに用いられるようになってきた。（イ列えば、今井
哲二他「化合物半導体デバイスＩｌｌ。
（昭６０．１．５）、工業調査会、Ｐ３８）以下、図面
を参照しながら、上述したような従来のＭＭＩＣについ
て説明する。
を参照しながら、上述したような従来のＭＭＩＣについ
て説明する。
第２図は従来のＭＭＩＣの回路図を示すものである。
本回路ばｎチャネルＦＥＴを用いた２段負帰還増幅器で
あり、基本的には、電圧並列帰還増幅回路である。ＦＥ
Ｔ後段の電圧が、フィードパ、り抵抗Ｒｆによって、並
列にＦＥＴの前段に帰還される。フィードバックキャパ
シタンスＣｆは、ＤＣカットの役目をはたしてし）る。
あり、基本的には、電圧並列帰還増幅回路である。ＦＥ
Ｔ後段の電圧が、フィードパ、り抵抗Ｒｆによって、並
列にＦＥＴの前段に帰還される。フィードバックキャパ
シタンスＣｆは、ＤＣカットの役目をはたしてし）る。
このように、増幅器に帰還をかけることによって、利得
の安定化１周波数特性の改善、非直線ひずみの改善、雑
音の抑制等の効果が得られる。捷だ入出力インピーダン
スは、フィードバック量を変えて調節することができる
。
の安定化１周波数特性の改善、非直線ひずみの改善、雑
音の抑制等の効果が得られる。捷だ入出力インピーダン
スは、フィードバック量を変えて調節することができる
。
発明が解決しようとする課題
し７かしながら上記のような構成では、帰還増幅器を用
いることによって出力インピーダンスは数百Ωのものが
、５０島近くに低下し、一方入力インピーダンスについ
ては入力側のＣｇｓは出力のＣｇｄにくらべて１０倍以
上大きく、抵抗成分以外のりアクタンス成分が大きいの
で６０Ωにすることは困難であった。
いることによって出力インピーダンスは数百Ωのものが
、５０島近くに低下し、一方入力インピーダンスについ
ては入力側のＣｇｓは出力のＣｇｄにくらべて１０倍以
上大きく、抵抗成分以外のりアクタンス成分が大きいの
で６０Ωにすることは困難であった。
本発明は上記欠点に鑑み、入力ＶＳＷＲを改善すること
のできるＭＭＩＣを提供するものである。
のできるＭＭＩＣを提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記課題を解決するだめに、本発明のＭＭＩＣは、第１
段目通行波型分布増幅器と第２段目帰還型増幅器とで構
成されている。
段目通行波型分布増幅器と第２段目帰還型増幅器とで構
成されている。
作用
第１段目に採用した進行波型分布増幅器は入力インピー
ダンスをほぼら０Ωにすることができるため良好な入力
ＶＳＷＲ特性が得られる。２段目の増幅器は負帰還増幅
器で、利得の安定化４周波数特性の改善等力４」られる
とともに、この出力インピーダンスは、フィードパ、り
抵抗Ｒｆによって５０Ωに近い値か得られる。
ダンスをほぼら０Ωにすることができるため良好な入力
ＶＳＷＲ特性が得られる。２段目の増幅器は負帰還増幅
器で、利得の安定化４周波数特性の改善等力４」られる
とともに、この出力インピーダンスは、フィードパ、り
抵抗Ｒｆによって５０Ωに近い値か得られる。
このように、本構成によって、入力、出力ＶＳＷＲを共
に良くすることができる。
に良くすることができる。
実施例
以下本発明の第１の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。。
ら説明する。。
第１図ａ、ｂは、本発明の第１の実施例におけるＭＭＩ
Ｃの概略図ａ及び回路図すを示すものである。１１ばＧ
２ＬＡＳ基板、１２はＦＥＴ進行波型分布増幅器、１３
は抵抗帰還型ＦＥＴ増幅器、１４は入力端子、１６は出
力端子である。具体的な例として１２ ＧＨｚ帯ＭＭＩ
Ｃの回路定数を示す。
Ｃの概略図ａ及び回路図すを示すものである。１１ばＧ
２ＬＡＳ基板、１２はＦＥＴ進行波型分布増幅器、１３
は抵抗帰還型ＦＥＴ増幅器、１４は入力端子、１６は出
力端子である。具体的な例として１２ ＧＨｚ帯ＭＭＩ
Ｃの回路定数を示す。
ＦＥＴ１はゲート長０，５１ｚｍ 、ゲート幅２００
μｍ、ＦＥＴ２はゲート長０，５７ｚｍ 、ゲート幅
６００７ｚｍである。Ｃ１は１０ＰＦ、Ｒ，は６ｏΩ、
Ｐ、〜Ｐ３は分布定数型の線路であり、１５０７ｚｍ厚
のＧａＡｓ基板１１上にＴｉ／Ａｕ蒸着で作る。線路幅
１０μｍで線路長は、Ｐｌは３６０μｍ、Ｒ２は４５０
１１ｍ。
μｍ、ＦＥＴ２はゲート長０，５７ｚｍ 、ゲート幅
６００７ｚｍである。Ｃ１は１０ＰＦ、Ｒ，は６ｏΩ、
Ｐ、〜Ｐ３は分布定数型の線路であり、１５０７ｚｍ厚
のＧａＡｓ基板１１上にＴｉ／Ａｕ蒸着で作る。線路幅
１０μｍで線路長は、Ｐｌは３６０μｍ、Ｒ２は４５０
１１ｍ。
Ｒ３は９００μｍである。入力部の各ゲー］・は伝送線
路によって結ばれており伝送線路の終端は５ ・、−７ ５ＱΩの抵抗Ｒ１とＤＣカット用のキャパ／りＣ１でア
ースに落ちている。入力端からみると、ＦＥＴの入力イ
ンピーダンスが並列に伝送線路に加わるが、終端の５０
Ω抵抗に比べてはるかに太きいためほぼ６ＱΩに近くな
る。
路によって結ばれており伝送線路の終端は５ ・、−７ ５ＱΩの抵抗Ｒ１とＤＣカット用のキャパ／りＣ１でア
ースに落ちている。入力端からみると、ＦＥＴの入力イ
ンピーダンスが並列に伝送線路に加わるが、終端の５０
Ω抵抗に比べてはるかに太きいためほぼ６ＱΩに近くな
る。
址だ進行波型分布増幅器の出力インピーダンスは、伝送
線路の終端の抵抗Ｒ２によってほぼ決まる。このため、
次段の入力インピーダンスと等しくなるように、Ｒ２を
選ぶことにより、マツチングをとることができる。
線路の終端の抵抗Ｒ２によってほぼ決まる。このため、
次段の入力インピーダンスと等しくなるように、Ｒ２を
選ぶことにより、マツチングをとることができる。
以−１−がＦＥＴ進行波型分布増幅器で段間キャパシタ
Ｃ９−５ＰＦのうしろに抵抗帰還型ＦＥＴ増幅器がある
。Ｒ，は３００Ω、ＬＦば０．３ｎＨ。
Ｃ９−５ＰＦのうしろに抵抗帰還型ＦＥＴ増幅器がある
。Ｒ，は３００Ω、ＬＦば０．３ｎＨ。
ＣＦは４．ｓ Ｐ Ｆである。
以上のように構成されたＭＭＩＣの特性は、周波数１１
ＧＨｚ 〜１６ ＧＨｚにおいて、”２＋＞１３ｄ１
３゜入力Ｖ’Ｓ Ｗ Ｒ、１，３以丁、出力ＶＳＷＲ，
１，６以下という良好なシミュレーション結果を得てい
る。
ＧＨｚ 〜１６ ＧＨｚにおいて、”２＋＞１３ｄ１
３゜入力Ｖ’Ｓ Ｗ Ｒ、１，３以丁、出力ＶＳＷＲ，
１，６以下という良好なシミュレーション結果を得てい
る。
以上のように本実施例によれば、入力段にＦＥＴ進行波
型分イＤ増幅器を用いることによシ、超小型で、入出力
ｖｓｗＲを良くすることができる。
型分イＤ増幅器を用いることによシ、超小型で、入出力
ｖｓｗＲを良くすることができる。
なお、第１の実施例では、２段目を帰還型増幅器とした
が、これに限定されるものではなく、マイクロ波増幅を
するものであれば何でもよい。例えば、分布定数型増幅
器を用いることができる。
が、これに限定されるものではなく、マイクロ波増幅を
するものであれば何でもよい。例えば、分布定数型増幅
器を用いることができる。
寸だ、ＦＥＴ進行波型分布増幅器の段数を３段としたが
、２段でも６段でも、何段でもよいことは言うまでもな
い。
、２段でも６段でも、何段でもよいことは言うまでもな
い。
発明の効果
以上のように本発明は、進行波型分布増幅器を用いるこ
とにより、入力ＶＳＷＲを良くし、帯域特性を広くする
ことができ、その実用的効果は犬なるものかある。
とにより、入力ＶＳＷＲを良くし、帯域特性を広くする
ことができ、その実用的効果は犬なるものかある。
第１図ａ、ｂはそれぞれ本発明の第１の実施例における
ＭＭＩＣの概略図１回路図、第２図は従来のＭＭＩＣの
回路図である。 １１ ・・・半導体基板、１２ 進行波型分布増幅器
、１３・・・・・帰還型増幅器。
ＭＭＩＣの概略図１回路図、第２図は従来のＭＭＩＣの
回路図である。 １１ ・・・半導体基板、１２ 進行波型分布増幅器
、１３・・・・・帰還型増幅器。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に、第１段目増幅器として進行波型
分布増幅器、第２段目増幅器として帰還型増幅器が形成
されていることを特徴とするモノリシックマイクロ波集
積回路。 - （２）進行波型分布増幅器が、分布定数線路を用いたＦ
ＥＴ進行波型分布増幅器で、帰還型増幅器が抵抗帰還型
ＦＥＴ増幅器で構成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のモノリシックマイクロ波集積回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2924788A JPH01205458A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2924788A JPH01205458A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205458A true JPH01205458A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12270926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2924788A Pending JPH01205458A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01205458A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5414387A (en) * | 1993-07-14 | 1995-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Distributed amplifier and bidirectional amplifier |
| US6549077B1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-04-15 | United Microelectronics Corp. | Integrated inductor for RF transistor |
| US7368997B2 (en) | 2002-04-08 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Signal amplifier and integrated circuit |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2924788A patent/JPH01205458A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5414387A (en) * | 1993-07-14 | 1995-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Distributed amplifier and bidirectional amplifier |
| US6549077B1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-04-15 | United Microelectronics Corp. | Integrated inductor for RF transistor |
| US7368997B2 (en) | 2002-04-08 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Signal amplifier and integrated circuit |
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