JPH01205458A - モノリシックマイクロ波集積回路 - Google Patents
モノリシックマイクロ波集積回路Info
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- JPH01205458A JPH01205458A JP2924788A JP2924788A JPH01205458A JP H01205458 A JPH01205458 A JP H01205458A JP 2924788 A JP2924788 A JP 2924788A JP 2924788 A JP2924788 A JP 2924788A JP H01205458 A JPH01205458 A JP H01205458A
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- JP
- Japan
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- amplifier
- input
- stage
- transmission line
- integrated circuit
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100484930 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VPS41 gene Proteins 0.000 description 1
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロ波の増幅に用いることのできるモノ
リシックマイクロ波集積回路(以下、MMICと略す。
リシックマイクロ波集積回路(以下、MMICと略す。
)に関するものである。
従来の技術
近年、MMICは、低消費電力、小型軽量等の2 \−
点から、従来の電子管やマイクロ波IC(MIC)のか
わりに用いられるようになってきた。(イ列えば、今井
哲二他「化合物半導体デバイスIll。
わりに用いられるようになってきた。(イ列えば、今井
哲二他「化合物半導体デバイスIll。
(昭60.1.5)、工業調査会、P38)以下、図面
を参照しながら、上述したような従来のMMICについ
て説明する。
を参照しながら、上述したような従来のMMICについ
て説明する。
第2図は従来のMMICの回路図を示すものである。
本回路ばnチャネルFETを用いた2段負帰還増幅器で
あり、基本的には、電圧並列帰還増幅回路である。FE
T後段の電圧が、フィードパ、り抵抗Rfによって、並
列にFETの前段に帰還される。フィードバックキャパ
シタンスCfは、DCカットの役目をはたしてし)る。
あり、基本的には、電圧並列帰還増幅回路である。FE
T後段の電圧が、フィードパ、り抵抗Rfによって、並
列にFETの前段に帰還される。フィードバックキャパ
シタンスCfは、DCカットの役目をはたしてし)る。
このように、増幅器に帰還をかけることによって、利得
の安定化1周波数特性の改善、非直線ひずみの改善、雑
音の抑制等の効果が得られる。捷だ入出力インピーダン
スは、フィードバック量を変えて調節することができる
。
の安定化1周波数特性の改善、非直線ひずみの改善、雑
音の抑制等の効果が得られる。捷だ入出力インピーダン
スは、フィードバック量を変えて調節することができる
。
発明が解決しようとする課題
し7かしながら上記のような構成では、帰還増幅器を用
いることによって出力インピーダンスは数百Ωのものが
、50島近くに低下し、一方入力インピーダンスについ
ては入力側のCgsは出力のCgdにくらべて10倍以
上大きく、抵抗成分以外のりアクタンス成分が大きいの
で60Ωにすることは困難であった。
いることによって出力インピーダンスは数百Ωのものが
、50島近くに低下し、一方入力インピーダンスについ
ては入力側のCgsは出力のCgdにくらべて10倍以
上大きく、抵抗成分以外のりアクタンス成分が大きいの
で60Ωにすることは困難であった。
本発明は上記欠点に鑑み、入力VSWRを改善すること
のできるMMICを提供するものである。
のできるMMICを提供するものである。
課題を解決するだめの手段
上記課題を解決するだめに、本発明のMMICは、第1
段目通行波型分布増幅器と第2段目帰還型増幅器とで構
成されている。
段目通行波型分布増幅器と第2段目帰還型増幅器とで構
成されている。
作用
第1段目に採用した進行波型分布増幅器は入力インピー
ダンスをほぼら0Ωにすることができるため良好な入力
VSWR特性が得られる。2段目の増幅器は負帰還増幅
器で、利得の安定化4周波数特性の改善等力4」られる
とともに、この出力インピーダンスは、フィードパ、り
抵抗Rfによって50Ωに近い値か得られる。
ダンスをほぼら0Ωにすることができるため良好な入力
VSWR特性が得られる。2段目の増幅器は負帰還増幅
器で、利得の安定化4周波数特性の改善等力4」られる
とともに、この出力インピーダンスは、フィードパ、り
抵抗Rfによって50Ωに近い値か得られる。
このように、本構成によって、入力、出力VSWRを共
に良くすることができる。
に良くすることができる。
実施例
以下本発明の第1の実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。。
ら説明する。。
第1図a、bは、本発明の第1の実施例におけるMMI
Cの概略図a及び回路図すを示すものである。11ばG
2LAS基板、12はFET進行波型分布増幅器、13
は抵抗帰還型FET増幅器、14は入力端子、16は出
力端子である。具体的な例として12 GHz帯MMI
Cの回路定数を示す。
Cの概略図a及び回路図すを示すものである。11ばG
2LAS基板、12はFET進行波型分布増幅器、13
は抵抗帰還型FET増幅器、14は入力端子、16は出
力端子である。具体的な例として12 GHz帯MMI
Cの回路定数を示す。
FET1はゲート長0,51zm 、ゲート幅200
μm、FET2はゲート長0,57zm 、ゲート幅
6007zmである。C1は10PF、R,は6oΩ、
P、〜P3は分布定数型の線路であり、1507zm厚
のGaAs基板11上にTi/Au蒸着で作る。線路幅
10μmで線路長は、Plは360μm、R2は450
11m。
μm、FET2はゲート長0,57zm 、ゲート幅
6007zmである。C1は10PF、R,は6oΩ、
P、〜P3は分布定数型の線路であり、1507zm厚
のGaAs基板11上にTi/Au蒸着で作る。線路幅
10μmで線路長は、Plは360μm、R2は450
11m。
R3は900μmである。入力部の各ゲー]・は伝送線
路によって結ばれており伝送線路の終端は5 ・、−7 5QΩの抵抗R1とDCカット用のキャパ/りC1でア
ースに落ちている。入力端からみると、FETの入力イ
ンピーダンスが並列に伝送線路に加わるが、終端の50
Ω抵抗に比べてはるかに太きいためほぼ6QΩに近くな
る。
路によって結ばれており伝送線路の終端は5 ・、−7 5QΩの抵抗R1とDCカット用のキャパ/りC1でア
ースに落ちている。入力端からみると、FETの入力イ
ンピーダンスが並列に伝送線路に加わるが、終端の50
Ω抵抗に比べてはるかに太きいためほぼ6QΩに近くな
る。
址だ進行波型分布増幅器の出力インピーダンスは、伝送
線路の終端の抵抗R2によってほぼ決まる。このため、
次段の入力インピーダンスと等しくなるように、R2を
選ぶことにより、マツチングをとることができる。
線路の終端の抵抗R2によってほぼ決まる。このため、
次段の入力インピーダンスと等しくなるように、R2を
選ぶことにより、マツチングをとることができる。
以−1−がFET進行波型分布増幅器で段間キャパシタ
C9−5PFのうしろに抵抗帰還型FET増幅器がある
。R,は300Ω、LFば0.3nH。
C9−5PFのうしろに抵抗帰還型FET増幅器がある
。R,は300Ω、LFば0.3nH。
CFは4.s P Fである。
以上のように構成されたMMICの特性は、周波数11
GHz 〜16 GHzにおいて、”2+>13d1
3゜入力V’S W R、1,3以丁、出力VSWR,
1,6以下という良好なシミュレーション結果を得てい
る。
GHz 〜16 GHzにおいて、”2+>13d1
3゜入力V’S W R、1,3以丁、出力VSWR,
1,6以下という良好なシミュレーション結果を得てい
る。
以上のように本実施例によれば、入力段にFET進行波
型分イD増幅器を用いることによシ、超小型で、入出力
vswRを良くすることができる。
型分イD増幅器を用いることによシ、超小型で、入出力
vswRを良くすることができる。
なお、第1の実施例では、2段目を帰還型増幅器とした
が、これに限定されるものではなく、マイクロ波増幅を
するものであれば何でもよい。例えば、分布定数型増幅
器を用いることができる。
が、これに限定されるものではなく、マイクロ波増幅を
するものであれば何でもよい。例えば、分布定数型増幅
器を用いることができる。
寸だ、FET進行波型分布増幅器の段数を3段としたが
、2段でも6段でも、何段でもよいことは言うまでもな
い。
、2段でも6段でも、何段でもよいことは言うまでもな
い。
発明の効果
以上のように本発明は、進行波型分布増幅器を用いるこ
とにより、入力VSWRを良くし、帯域特性を広くする
ことができ、その実用的効果は犬なるものかある。
とにより、入力VSWRを良くし、帯域特性を広くする
ことができ、その実用的効果は犬なるものかある。
第1図a、bはそれぞれ本発明の第1の実施例における
MMICの概略図1回路図、第2図は従来のMMICの
回路図である。 11 ・・・半導体基板、12 進行波型分布増幅器
、13・・・・・帰還型増幅器。
MMICの概略図1回路図、第2図は従来のMMICの
回路図である。 11 ・・・半導体基板、12 進行波型分布増幅器
、13・・・・・帰還型増幅器。
Claims (2)
- (1)半導体基板上に、第1段目増幅器として進行波型
分布増幅器、第2段目増幅器として帰還型増幅器が形成
されていることを特徴とするモノリシックマイクロ波集
積回路。 - (2)進行波型分布増幅器が、分布定数線路を用いたF
ET進行波型分布増幅器で、帰還型増幅器が抵抗帰還型
FET増幅器で構成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のモノリシックマイクロ波集積回路
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2924788A JPH01205458A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2924788A JPH01205458A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01205458A true JPH01205458A (ja) | 1989-08-17 |
Family
ID=12270926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2924788A Pending JPH01205458A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | モノリシックマイクロ波集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01205458A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5414387A (en) * | 1993-07-14 | 1995-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Distributed amplifier and bidirectional amplifier |
US6549077B1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-04-15 | United Microelectronics Corp. | Integrated inductor for RF transistor |
US7368997B2 (en) | 2002-04-08 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Signal amplifier and integrated circuit |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2924788A patent/JPH01205458A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5414387A (en) * | 1993-07-14 | 1995-05-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Distributed amplifier and bidirectional amplifier |
US6549077B1 (en) * | 2002-02-20 | 2003-04-15 | United Microelectronics Corp. | Integrated inductor for RF transistor |
US7368997B2 (en) | 2002-04-08 | 2008-05-06 | Nec Corporation | Signal amplifier and integrated circuit |
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