JPH09246877A - 低ノイズ・高直線性のｈｅｍｔ−ｈｂｔ複合装置 - Google Patents

低ノイズ・高直線性のｈｅｍｔ−ｈｂｔ複合装置

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JPH09246877A
JPH09246877A JP9040388A JP4038897A JPH09246877A JP H09246877 A JPH09246877 A JP H09246877A JP 9040388 A JP9040388 A JP 9040388A JP 4038897 A JP4038897 A JP 4038897A JP H09246877 A JPH09246877 A JP H09246877A
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hemt
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Kevin Wesley Kobayashi
ウェズリー コバヤシ ケヴィン
Dwight Christopher Streit
クリストファー ストレイト ドワイト
Aaron Kenji Oki
ケンジ オキ アーロン
Donald Katsu Umemoto
カツ ウメモト ドナルド
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 広範囲な用途に有用な種々のトポロジーで構
成されたＨＥＭＴ−ＨＢＴ集積装置をもつマイクロ波モ
ノリシック集積回路を提供する。 【解決手段】 モノリシック集積のＨＥＭＴ−ＨＢＴ技
術に基づきそして種々のトポロジーで構成された４端子
のＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置は、現在個別のＭＭＩＣを
使用している広範囲な用途に有用である。特に、４端子
トポロジーは、低ノイズ・高直線性の増幅器及びミクサ
のような種々の２ポート及び３ポートＭＭＩＣ回路用途
に有用な３端子複合装置として容易に構成され、サイズ
及びコストを減少するという効果を発揮する一方、ＨＥ
ＭＴ又はＨＢＴを個々に使用する場合よりも優れた性能
を発揮する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、モノリシックマイ
クロ波集積回路（ＭＭＩＣ）に係り、より詳細には、広
範囲な用途に有用な種々のトポロジーで構成されたモノ
リシック集積の高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）
及びヘテロ接合のバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）で
形成された低ノイズ・高直線性ＭＭＩＣであって、この
ような用途におけるサイズ、コスト及び消費電力を減少
する一方、ＨＥＭＴ又はＨＢＴデバイスを個々に使用す
る場合よりも比較的優れた全性能能力を発揮するような
ＭＭＩＣに係る。
【０００２】
【従来の技術】低ノイズ・高直線性の性能を要求する種
々の用途が知られている。このような用途は、例えば、
ワイヤレス製品、セルラー電話、光ファイバデータリン
ク、ポータブル電子装置等を含む種々の製品に使用され
る低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）、可変利得増幅器（ＶＧ
Ａ）、送信／受信（Ｔ／Ｒ）モジュール、電力増幅器、
トランスインピーダンス増幅器及び光学受信器を含む。
このような用途の多くにおいては、低ノイズ指数性能に
対して高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を、そし
て高直線性性能に対してヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ（ＨＢＴ）を用いることが知られている。既知のモ
ノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）に使用でき
るトポロジーには制約があるので、しばしば個別のＭＭ
ＩＣが使用される。ある用途、例えば、スペースに制約
のある用途では、ＭＭＩＣを多数使用することは望まし
くない。更に、ＭＭＩＣを多数使用すると、このような
デバイスが使用されたシステムのコスト、複雑さ及び消
費電力が増加する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】例えば、参考としてこ
こに取り上げる１９９４年１１月２日に出願された米国
特許出願第０８／３３３，５３８号に開示されたよう
に、ＨＥＭＴ及びＨＢＴの技術が単一のＭＭＩＣにモノ
リシック式に集積化されたＭＭＩＣが開発されている。
しかしながら、このようなＨＥＭＴ−ＨＢＴ集積化ＭＭ
ＩＣのトポロジーには制約がある。このようなＭＭＩＣ
は、ある用途では有用であるが、上記した多くの用途で
は、異なる回路構成が必要とされ、従って、このような
用途では、個別のＨＥＭＴとＨＢＴのＭＭＩＣが使用さ
れている。上記したように、多数のＭＭＩＣを使用する
と、回路のコスト及び複雑さが増大し、サイズに制約の
ある用途において比較的制限される。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の目的
は、公知技術の種々の問題を解消することである。本発
明の更に別の目的は、広範囲な用途に有用な種々のトポ
ロジーで構成されたＨＥＭＴ−ＨＢＴ一体化装置をもつ
マイクロ波モノリシック集積回路（ＭＭＩＣ）を提供す
ることである。
【０００５】簡単に述べると、本発明は、多数の個別の
ＭＭＩＣを現在使用している広範囲な用途に有用な種々
のトポロジーにおいてモノリシック集積のＨＥＭＴ−Ｈ
ＢＴ技術により形成された４端子ＭＭＩＣに係る。特
に、４端子トポロジーは、これら端子の１つを接地する
ことにより３端子デバイスとして容易に構成される。３
端子デバイスは、多数のＭＭＩＣを使用することが知ら
れた種々の用途、例えば低ノイズ・高直線性増幅器及び
ミクサに有用な種々の２ポート及び３ポート構成で容易
に形成することができ、サイズやコストを減少しそして
消費電力を低下するという利点を与える一方、ＨＥＭＴ
又はＨＢＴを個別に使用する場合よりも優れた性能を発
揮する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のこれら及び他の効果は、
添付図面を参照した以下の詳細な説明より明らかとなろ
う。上記のように、低ノイズ・高直線性の性能が比較的
広範囲な用途で必要とされている。このような性能目的
を達成するために、このような用途では、高電子移動度
トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びヘテロ接合バイポーラト
ランジスタ（ＨＢＴ）装置を使用することが知られてい
る。多くの既知の低ノイズ・高直線性性能の用途では、
ＨＥＭＴ及びＨＢＴ技術が一体化されたモノリシックマ
イクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）として形成された比較的
少数のトポロジーではなく、個別のＨＥＭＴ及びＨＢＴ
のＭＭＩＣを使用することが知られている。本発明は、
サイズ、性能及び回路機能の効果を与えるように重要な
性能及び装置特性を結合するＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置
トポロジーを提供する。
【０００７】ＨＥＭＴ装置技術、ＨＢＴ装置技術、及び
本発明による複合ＨＥＭＴ−ＨＢＴ装置の性能能力を表
１に示す。
【表１】 表１に示すように、本発明によるＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合
装置の全能力は、ＨＥＭＴ又はＨＢＴ単独では得ること
のできない低ノイズ及び高直線性特性の組合せを与え
る。更に、ＨＥＭＴ−ＨＢＴモノリシック複合装置は、
同じ複合装置トポロジーの等価な個別ハイブリッド（Ｍ
ＩＣ）実施により得られるものよりも優れた性能を発揮
することができる。
【０００８】本発明によるＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置の
トポロジーが図１及び２に示されている。図示されたよ
うに、２つのトポロジーの各々は、４端子装置として構
成され、低ノイズのＨＥＭＴ装置が高直線性のＨＢＴ装
置に直結されたものを含む。各端子は、開いた丸で定め
られる。ＨＥＭＴとＨＢＴを直結することにより、複合
装置は、ＨＥＭＴの低ノイズ指数特性及びＨＢＴの高直
線性特性を維持する。比較的広範囲な用途を与えるため
に、各々のトポロジーは、以下に述べるように種々の増
幅器及びミクサを含む比較的広範囲な回路用途に適用で
きるように４つの端子で構成される。
【０００９】２つの４端子トポロジーは、外部回路に接
続するための端子に電気的に接続されるように示されて
いる。これらの端子は、開いた丸で定められる。以下に
述べるように、３端子装置並びに２ポート及び３ポート
回路網を形成するように１つの端子を接地し及び排除す
ることができる。
【００１０】第１のトポロジーは、参照番号３４で一般
的に示されている。この複合装置３４は、ＨＥＭＴ３６
及びＨＢＴ３８を備えている。複合装置３４において、
ＨＥＭＴのドレイン電極は、ＨＢＴ３８のベース電極に
直結される。ＨＥＭＴ３６のゲート及びソース電極は、
外部端子４０及び４２に接続され、一方、ＨＢＴ３８の
コレクタ及びエミッタ電極は、外部端子４４及び４６に
各々接続される。
【００１１】複合ＨＥＭＴ−ＨＢＴ装置の第２の４端子
トポロジーが図２に参照番号４８で示されている。この
複合装置４８は、ＨＥＭＴ５０及びＨＢＴ５２を含む。
このトポロジーにおいて、ＨＥＭＴ５０のドレイン電極
は、ＨＢＴ５２のエミッタ電極に直結される。ＨＥＭＴ
５０のゲート及びソース電極は、外部端子５４及び５６
に各々接続され、一方、ＨＢＴ５２のベース及びコレク
タ電極は、外部端子５８及び６０に各々接続されて、４
端子のＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置４８を形成する。
【００１２】図３ないし８に示されたように、図１及び
２の４端子トポロジーは、種々の有用な２及び３ポート
回路構成の基礎として使用できる３端子装置として構成
することができる。例えば、図１の複合ＨＥＭＴ−ＨＢ
Ｔ装置３４は、低ノイズ・高直線性の増幅用に２ポート
回路６２として構成された有用な３端子装置へと変換す
ることができる。この場合に、同じ参照番号を用いて同
じ部品が識別されると共に、開いた丸を用いて複合装置
の端子が定められる。図３に示されたように、ＨＥＭＴ
３６のソース電極に接続された外部端子４０は、入力端
子として使用され、一方、ＨＢＴ３８のコレクタ電極に
接続された外部端子４４は、出力端子として使用され
る。ＨＢＴ３８のエミッタ電極は、開いた丸で定められ
た第２端子である。図３に示す複合ＨＥＭＴ−ＨＢＴ装
置６２においては、ＨＥＭＴ３６のゲート電極から図１
に定められた４端子装置の外部端子４２が接地、ひいて
は、排除され、３端子の複合装置が構成される。低ノイ
ズ・高直線性の増幅用途に用いるための有用な２ポート
回路構成を与えるために、ＨＢＴ３８のエミッタ電極
は、外部エミッタ抵抗６４によって接地される。外部負
荷抵抗ＲL ６６は、接地と外部端子６８との間に接続さ
れ、２ポート出力のための負荷インピーダンスを定め
る。従って、低ノイズ・高直線性のＨＥＭＴ共通ゲート
・ＨＢＴ共通エミッタの３端子複合装置は、２ポートの
低ノイズ・高直線性増幅器６２を構成するのに使用され
る。
【００１３】又、図１に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴトポ
ロジーは、図４に示す２ポートの低ノイズ・高直線性回
路７０に使用される有用な３端子装置として構成するこ
ともできる。２ポート回路７０では、ＨＥＭＴ３６のゲ
ート電極が接地される。ＨＢＴ３８のコレクタ電極は、
３端子複合装置の端子４４とし定められ、開いた丸で指
示される。低ノイズ・高直線性増幅器用の有用な構成を
与えるために、外部負荷抵抗ＲL ７２が接地と出力端子
７４との間に接続され、増幅器の出力の負荷抵抗を定め
る。端子４６に接続されたＨＢＴ３８のエミッタ電極
は、低ノイズ・高直線性のＨＥＭＴ共通ゲート・ＨＢＴ
共通コレクタの３端子複合装置を形成するための装置の
出力を定め、従って、ＨＢＴ３８のコレクタは第３の端
子であり、接地されて、有用な２ポート増幅器を形成す
る。
【００１４】図３及び４に示された２ポート増幅回路構
成の重要な特徴は、比較的大きな面積を消費するマイク
ロストリップや一括した素子部品を使用せずに、比較的
低ノイズの共通ゲートＨＥＭＴを用いて増幅器の入力を
能動的に整合できることである。従って、複合装置６２
及び７０を外部回路に直結することができる。ＨＢＴ２
４を共通エミッタ構成で実施することにより、図３に示
す複合装置６２は、フィードバックトポロジーを用いた
電圧利得の高い用途に有用な比較的大きなトランスコン
ダクタンス及び高い出力インピーダンスを有する。
【００１５】図４に示す複合装置７０は、ＨＥＭＴ共通
ゲート・ＨＢＴ共通コレクタ装置として構成される。Ｈ
ＢＴを共通コレクタ構成で使用することにより、形成さ
れるＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置は、比較的低い出力イン
ピーダンスを有することになり、従って、低インピーダ
ンスシステムを駆動するのに適したものとなる。図３及
び４に示す両増幅器構成では、共通ゲートのＨＥＭＴ入
力装置は、ノイズ指数又は入力返送ロスを電子的に同調
できるようにし、これは、例えば、参考としてここに取
り上げるＩＥＥＥマイクロウェーブ＆ガイデッドウェー
ブレターズ、第６巻、第１号、１９９６年１月、第５５
−５７ページに掲載されたＫ．Ｗ．コバヤシ、Ｄ．Ｃ．
ストレイト、Ｄ．Ｋ．ウメモト、Ｔ．Ｒ．ブロック及び
Ａ．Ｋ．オキ著の「能動的入力整合式のモノリシックＨ
ＥＭＴ−ＨＢＴ直結増幅器(A Monolithic HEMT-HBT Dir
ect Coupled Amplifier with Active Input Match)」に
開示されている。
【００１６】図３に示された共通エミッタＨＢＴ複合装
置の有効トランスコンダクタンスは次の数１で表され
る。
【数１】 但し、ＧｍHEMTはＤＣトランスコンダクタンスであり、
ｒs は寄生的ソース抵抗であり、ｒdsはＤＣ出力抵抗で
あり、Ｒe は外部エミッタ抵抗であり、ｒe は動的なエ
ミッタ抵抗であり、ｒb はベース抵抗であり、∝0 はエ
ミッタからコレクタへの電流利得であり、β0 は低周波
数順方向電流利得であり、そしてＧｍHBTはＨＢＴのＤ
Ｃトランスコンダクタンスである。
【００１７】装置６２の入力インピーダンスＺinは次の
数２で表される。
【数２】
【００１８】装置６２の出力インピーダンスＺout は次
の数３で表される。
【数３】 但し、ＧｍHBT ＝（ＩC ＊ｑ）／（ｎ＊ＫＴ）及びα0
＝β0 ／（１＋β0 ）である。ここで、ｒ0 は出力抵抗
であり、ＩC はコレクタ電流であり、ｑは電荷であり、
ｎは理想的係数であり、Ｋはボルツマン定数であり、そ
してＴは温度（°Ｋ）である。
【００１９】図４に示されたＨＥＭＴ共通ゲート・ＨＢ
Ｔ共通コレクタ装置７０の有効トランスコンダクタンス
は、次の数４で表される。
【数４】
【００２０】ＨＥＭＴ共通ゲート・ＨＢＴ共通コレクタ
の３端子複合装置７０の入力インピーダンスは、次の数
５で表される。
【数５】
【００２１】装置７０の出力インピーダンスは、次の数
６で表される。
【数６】
【００２２】４端子のＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置３４と
して図１に示されたトポロジーは、例えば、図５及び６
に示すように、低ノイズ・高直線性増幅に使用すること
のできる２つの異なる３端子装置へと構成することがで
きる。図５及び６に示す２ポート増幅器構成とされた３
端子装置の重要な特徴は、例えば、分散型増幅器トポロ
ジーにおいて入力トランジスタをノイズ及び帯域巾に対
して同調するための低ロスの整合ネットワークの構造を
考慮して、比較的低ノイズの共通ソースＨＥＭＴが高い
入力インピーダンスを与えることである。図５及び６を
参照すれば、同じ参照番号を使用し、図１に示された複
合装置３４に対して同様の機能を有する要素について説
明する。
【００２３】図５を参照すれば、開いた丸で端子が定め
られた低ノイズのＨＥＭＴ共通ソース・ＨＢＴ共通エミ
ッタの複合装置は、２ポート増幅器７６として使用され
る。この場合に、ＨＥＭＴ３６のソース電極は、接地さ
れる。複合装置トポロジーの３つの端子の１つとして定
められたエミッタ電極は、低ノイズ・高直線性増幅器と
して有用な２ポート回路構成を与えるために外部エミッ
タ抵抗ｒc ７８により接地される。ソース電極が接地さ
れたＨＥＭＴ共通ソース構成は、図２に示した出力端子
４２を排除できるようにする。外部負荷抵抗ＲL ８０
は、接地と出力端子８２との間に接続され、増幅器の出
力の負荷インピーダンスを定める。図５に示されたＨＥ
ＭＴ−ＨＢＴ２ポート増幅器の構成は、高直線性ＨＢＴ
共通エミッタ出力に関連した最適なノイズ指数性能を与
える。
【００２４】又、図１に示されたトポロジーは、図６に
示すＨＥＭＴ共通ソース・ＨＢＴ共通コレクタの低ノイ
ズ・高直線性複合装置８４を形成するのにも使用され
る。この場合には、ＨＥＭＴ３６のソース電極が接地さ
れ、従って、図１に示す端子４２が排除される。複合装
置８４においては、その端子４４に接続されたＨＢＴ３
８のコレクタ電極も外部で接地される。有用な構成を与
えるために、外部端子８６と接地との間に負荷抵抗ＲL
８８が接続され、ＨＥＭＴ−ＨＢＴの２ポートネットワ
ーク８４の出力負荷インピーダンスを定める。
【００２５】図５及び６に示された３端子複合装置構成
の重要な特徴は、分散型増幅器トポロジーの場合のよう
に、入力トランジスタをノイズ及び帯域巾に対して同調
するために低ノイズ共通ソースＨＥＭＴが低ロス整合ネ
ットワークに有用な高い入力インピーダンスを与えるこ
とである。特に、共通ソースＨＥＭＴ入力は、最良のノ
イズ指数性能を与える。又、高い入力インピーダンス
は、ゲート入力への並列フィードバックを最適に使用で
きるようにし、そして比較的高い入力インピーダンスを
必要とするトランスインピーダンス増幅器の用途を考慮
している。ＨＴＢ３８を共通エミッタ構成で実施するこ
とにより、図５に示す複合装置７６は、フィードバック
トポロジーを用いた高い電圧利得の用途に有用な比較的
大きなトランスコンダクタンス及び比較的大きな出力イ
ンピーダンスを有する。
【００２６】図６に示すＨＢＴ３８及び３ポートのＨＥ
ＭＴ−ＨＢＴ複合装置８４の共通コレクタ構成は、比較
的低い出力インピーダンスを与え、従って、比較的低イ
ンピーダンスのシステムを効率的に駆動するように使用
できる。
【００２７】図５に示すように１つの端子が接地された
２ポートネットワーク７６として定められたＨＥＭＴ共
通ソース・ＨＢＴ共通エミッタの３端子複合装置の有効
トランスコンダクタンスは、次の数７で表される。
【数７】
【００２８】図５に示された複合装置７６の入力及び出
力インピーダンスは、次の数８及び９で表される。
【数８】
【数９】 但し、ＧｍHBT ＝（ＩC ＊ｑ）／（ｎ＊ＫＴ）及びα0
＝β0 ／（１＋β0 ）である。
【００２９】図６に示すように１つの端子が接地された
２ポートネットワークとして定められたＨＥＭＴ共通ソ
ース・ＨＢＴ共通コレクタの３端子複合装置のトランス
コンダクタンスは、次の数１０で表される。
【数１０】
【００３０】図６に示された複合装置８４の入力及び出
力インピーダンスは、次の数１１及び１２で表される。
【数１１】
【数１２】
【００３１】図２に示した４端子のＨＥＭＴ−ＨＢＴト
ポロジー４８は、図７及び８に各々示すように２ポート
の低ノイズ・高直線性の増幅器又は３ポートミクサ用と
して使用できる３端子複合装置へと構成することもでき
る。同様の機能をもつ要素に対し同じ参照番号を使用す
ると、図７に参照番号９０で一般的に示されたＨＥＭＴ
−ＨＢＴ複合装置は、共通ソースＨＥＭＴ５０及び共通
ベースＨＢＴ５２として構成される。特に、ＨＥＭＴ５
０のソース電極は、ＨＢＴ５２のベース電極と同様に接
地され、従って、図２に示す外部端子５６及び５８が排
除される。図７に示すように、外部負荷抵抗ＲL ９２が
接地と外部端子９４との間に接続され、ＨＥＭＴ共通ソ
ース・ＨＢＴ共通ベースの２ポート増幅器９０の出力の
出力負荷インピーダンスを定める。
【００３２】図７に示す複合装置９０は、共通ソースの
ＨＥＭＴを共通ベースのＨＢＴと組み合わせてハイブリ
ッドカスコードを形成するものである。この構成の重要
な特徴は、装置が高い入力インピーダンスと高い出力イ
ンピーダンスを同時に付与できることである。共通ソー
ス構成のＨＥＭＴ５０は、最適な低ノイズ指数性能を与
え、一方、共通ベース構成のＨＢＴ５２は、広帯域の高
い直線性を与える。カスコード構成の共通の効果は、入
力装置のミラーキャパシタンス増倍作用が減少されるこ
とである。更に、図７に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴカス
コードの低ロスＨＥＭＴ入力及びＨＢＴ出力特性は、入
力ＨＥＭＴ５０をノイズに対して同調しそして出力ＨＢ
Ｔ５２を直線性及び電力に対して同調するための低ロス
整合ネットワークの構造を考慮する。高い入力及び出力
インピーダンスは、ＨＢＴ５２のコレクタ出力からＨＥ
ＭＴ５０のゲート入力への並列フィードバックを最適に
使用できるようにする。ＨＢＴ５２を共通ベース構成で
実施することにより、複合装置９０は、既知の種々の高
電圧利得用途にとって魅力的な比較的低ノイズ・高直線
性及び高周波数能力をもつことになる。
【００３３】複合装置９０の有効トランスコンダクタン
スは、数１３により与えられ、そして入力及び出力イン
ピーダンスは、数１４及び１５において与えられる。
【数１３】
【数１４】
【数１５】Ｚout （ｓ）≒（β（ｓ）＋１）＊ｒ0 但し、β（ｓ）≒β0 ／（１＋ｓ／ωT ）である。
【００３４】図２に示すトポロジーの別の構成が図８に
参照番号９６で示されている。この構成では、ＨＥＭＴ
５０が共通ソースとして構成され、外部端子５６が排除
される。ＨＢＴ５２のベース入力を第３ポートとして使
用することにより、能動的なミクサセルとして構成され
た３ポートのＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置９６が、２ゲー
トＦＥＴの能動的なミクサと同様に設けられる。低ノイ
ズＨＥＭＴゲート入力５４は、受信器のＲＦポートとし
て使用され、一方、ＨＢＴベース入力は、ＬＯ（局部発
振器）の入力ポートとして使用される。ＨＢＴコレクタ
端子６０は、例えば、ＩＦ周波数を抽出するのに使用さ
れる。
【００３５】図１及び２に示すトポロジーから、有用な
回路構成をもつ種々の他のＭＭＩＣを導出することがで
きる。例えば、図９に示す共通ゲートＨＥＭＴ・能動的
整合ＨＢＴのダーリントンフィードバック増幅器は、図
１に示す複合トポロジーから構成することができる。更
に、図１３に示したＨＥＭＴ−ＨＢＴ低ノイズ増幅器
は、図２に示す装置トポロジーから形成することができ
る。
【００３６】図９を参照すれば、図１と同様の機能を有
する要素は、同じ参照番号を用いて示されている。図９
に示された構成は、共通ゲートＨＥＭＴ・能動的整合Ｈ
ＢＴのダーリントンフィードバック増幅器として有用で
ある。参照番号９８で一般的に示されたこの増幅器は、
図１に示すトポロジーで構成されたＨＥＭＴ２２及びＨ
ＢＴ２４を備えている。又、増幅器９８は、ダーリント
ン対を形成するように第１のＨＢＴ Ｑ1 ２４に接続さ
れた第２のＨＢＴ Ｑ2 １００を備えている。ダーリン
トン対のコレクタと、ＨＥＭＴ Ｍ1 ２２のドレインと
の間にはフィードバック抵抗Ｒｆb １０２が接続され
る。ＨＢＴ Ｑ2 １００のベースと接地との間にはバイ
アス抵抗Ｒbias１０４が接続され、一方、ＨＢＴ Ｑ2
１００のエミッタ端子と接地との間にはエミッタ抵抗Ｒ
ee１０６が接続される。増幅器９８の出力は、出力抵抗
Ｒout １１０によりダーリントン対ＨＢＴ Ｑ1 、Ｑ2
２４及び１００のコレクタ電極に接続された出力端子１
０８に得られる。外部電源ＶＣＣを負荷抵抗Ｒload１１
４により回路に接続するために第３の外部端子１１２が
使用される。ＨＥＭＴ Ｍ1 ２２は、共通ゲートとして
構成される。そのソース端子は、増幅器９８の入力を形
成する外部端子２６に接続される。共通ゲートＨＥＭＴ
Ｍ1 ２２は、能動的な入力整合を与え、これは、最適
な返送ロス及びノイズ指数性能に対して電気的に同調で
きる一方、大きな厄介なマイクロストリップ整合部品を
使用せずに比較的良好なＲＦインピーダンス整合を与え
る。能動的な入力整合を使用することにより、ＨＢＴダ
ーリントンフィードバックネットワークは、入力整合を
妥協せずに、ＩＰ３及び利得性能に対して独立して調整
することができる。図１０、１１及び１２に示すよう
に、増幅器９８は、ｄｃないし５ＧＨｚの周波数範囲に
わたり１０ｄＢより大きな利得を有し、４ｄＢより小さ
い最小ノイズ指数を有し、そして優れた入力返送ロスで
２９ｄＢｍ程度のＩＰ３を有する。ＨＥＭＴバイアス値
の関数として利得を示す図１０を参照すれば、Ｖgs＝−
０．８ｖ及びＩds＝２．６ｍＡの特定のバイアスにおい
て、増幅器９８のトランスコンダクタンスＧｍは、約２
０ｍＳであり、これは、上記数２の式から計算された約
５０Ωの入力インピーダンスに対応する。
【００３７】図１１は、種々の能動的ＨＥＭＴバイアス
値に対し周波数の関数としてノイズ指数性能を示すグラ
フである。図示されたように、ノイズ指数性能は、能動
的なＨＥＭＴバイアスに大幅に左右される。例えば、図
示されたように、高いバイアス値は、小さなノイズ指数
を生じる。しかしながら、バイアス値が高くなると、入
力返送ロスが悪化する。小さなＨＥＭＴ装置を選択する
ことにより、低いノイズ指数性能及び良好な入力返送ロ
ス性能の両方を同時に得ることができる。
【００３８】図１２は、種々のＨＥＭＴ能動的バイアス
状態に対し周波数の関数として増幅器９８の直線性即ち
ＩＰ３性能を示したグラフである。図示されたように、
増幅器９８は、１ＧＨｚにおいて２９ｄＢｍの最大ＩＰ
３を有し、これは、ＨＥＭＴ装置のみを用いた同じ全電
流消費（ＤＣ電力）では得られないものである。
【００３９】図１３は、図１及び２に示されたトポロジ
ーに基づく別の有用な回路構成を示している。特に、図
１３は、図１に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴトポロジーに
基づく共通ソースＨＥＭＴ−ＨＢＴダーリントン低ノイ
ズ増幅器を参照番号１１６で一般的に示している。図１
３において、図１と同様の機能を有する要素は、同じ参
照番号を用いて示されている。ＨＥＭＴ Ｍ1 ３６のゲ
ート端子は、ＲＦ入力ＲＦinを形成する外部端子４０に
接続される。ＨＥＭＴ Ｍ1 ３６は、共通ソースのＨＥ
ＭＴとして構成される。このように、ＨＥＭＴ Ｍ1 ３
６のソース端子は、並列接続されたソース抵抗ＲSS１１
８及びソースキャパシタンスＣSS１２０により接地され
る。第１のフィードバック抵抗Ｒｆ1 １２２がＨＢＴ
Ｑ1 ３８のコレクタと、ＨＥＭＴ Ｍ1 ３６のドレイン
との間に接続される。第２のフィードバック抵抗Ｒｆ2
がＨＢＴ Ｑ1 ３８のエミッタとＨＥＭＴ Ｍ1 ３６の
ゲートとの間に接続されて、ＨＥＭＴ低ノイズ入力段を
形成する。
【００４０】第２のＨＢＴ Ｑ2 １２２は、ＨＢＴ Ｑ
1 ３８に接続されて、ダーリントン対を形成する。バイ
アス抵抗Ｒbias１２４がＨＢＴ Ｑ2 １２２のベースと
接地との間に接続され、一方、エミッタ抵抗Ｒee１２６
がＨＢＴ Ｑ2 １２２のエミッタ端子と接地との間に接
続される。出力抵抗Ｒout １３０によりＨＢＴ Ｑ1３
８及びＱ2 １２２のコレクタに接続された外部端子１２
８においてＲＦout が得られる。電源電圧ＶCCは、負荷
抵抗Ｒload１３２によりダーリントン対のコレクタに接
続される。
【００４１】増幅器１１６の性能は、公称１４ｍＡにバ
イアスされる０．２ｘ２００μｍ2の偽形ＩｎＧａＡｓ
−ＧａＡｓのＨＥＭＴ装置に基づく。図１４及び１５に
示されたように、ＨＥＭＴ Ｍ1 ３６は、比較的低いノ
イズ指数性能及び約１０ｄＢの利得を与え、ＨＢＴダー
リントン段の高いノイズ指数を減少する。共通ソースＨ
ＥＭＴ Ｍ1 ３６は、ＨＢＴダーリントン段に直結さ
れ、ＨＥＭＴ Ｍ1 ３６の自己バイアスを受け入れる。
フィードバック抵抗Ｒｆ1 及びＲｆ2 、負荷抵抗Ｒload
並びにＤＣバイアス抵抗ＲSSは、ＨＥＭＴ Ｍ1 ３６の
自己バイアスを設定するのに使用される。ダーリントン
段は、ＨＢＴ Ｑ1 ３８及びＱ2 １２２、ＲＦフィード
バック抵抗Ｒｆ1 、直列フィードバック抵抗ＲCC及びバ
イアス抵抗Ｒbiasから形成される。ＨＢＴ Ｑ1 ３８及
びＱ2 １２２は、両方とも１３ｍＡのコレクタ電流でバ
イアスされる２ｘ１０μｍ2 の４フィンガＡｌＧａＡｓ
−ＧａＡｓのＨＢＴ装置として形成される。抵抗Ｒout
は、良好な出力返送ロス整合を与える。増幅器１１６
は、１２ボルトの外部電源ＶＣＣを経て自己バイアスさ
れ、約４０ｍＡの電流を引き出す。
【００４２】増幅器１１６の利得及び返送ロスが図１４
に示されている。増幅器１１６は、図示されたように、
１ないし８ＧＨｚの帯域巾で２１ｄＢの公称利得を得る
ことができる。入力返送ロスは、１２ｄＢより良好であ
り、一方、出力返送ロスは、ほとんどの帯域にわたり２
０ｄＢより良好である。図１５は、増幅器１１６のノイ
ズ指数及びＩＰ３性能を示す。図示されたように、ノイ
ズ指数性能は、２ないし５．５ＧＨｚの範囲において
２．６ｄＢより小さく、６ないし９．５ＧＨｚの範囲に
おいて２．６ないし２．８ｄＢであり、そして１０ＧＨ
ｚにおいて３ｄＢである。ＩＰ３即ち直線性は、１ない
し６ＧＨｚにおいて１４ないし１６ｄＢｍであり、そし
て１０ＧＨｚにおいて約１８ｄＢｍまで増加する。
【００４３】図１６は、中間帯域において増幅器１１６
の入力電力の関数として利得及び出力電力を示すグラフ
である。図示されたように、測定された飽和出力電力
は、中間線において１２ｄＢｍより小さい。ＨＢＴ単一
技術のダーリントン増幅器と比較すると、ＨＥＭＴ−Ｈ
ＢＴダーリントン増幅器は、１１ｄＢ公称利得、１０Ｇ
Ｈｚ帯域巾及び５ないし６．５ｄＢノイズ指数を達成す
るＨＢＴ単一技術のダーリントン増幅器よりも優れた性
能能力を有し、即ち低ノイズＨＥＭＴ−ＨＢＴの直結増
幅器１１６は、帯域巾又は出力電力能力を著しく妥協す
ることなく２ｄＢ以上のノイズ指数の改善及び１０ｄＢ
の利得増加を達成する。
【００４４】上記した各々の装置は、モノリシックマイ
クロ波集積回路（ＭＭＩＣ）として形成される。上記の
ように、各回路は、図１及び２に示すトポロジーの１つ
から導出することができ、モノリシック集積されたＨＥ
ＭＴ及びＨＢＴを含む。ここに開示した装置は、参考と
してここに取り上げるＩＥＥＥトランザクションズ・オ
ン・エレクロトンデバイシズ、第４２巻、第４号、１９
９５年４月、第６１８−６２３ページに掲載されたＤ．
Ｃ．ストレイト、Ｄ．Ｋ．ウメモト、Ｋ．Ｗ．コバヤ
シ、及びＡ．Ｋ．オキ著の「選択的ＭＢＥによるモノリ
シックＨＥＭＴ−ＨＢＴ集積(Monolithic HEMT-HBT Int
egration by Selective MBE)」；マイクロウェーブ・ア
ンド・ガイデッドウェーブ・レターズ、第５巻、第４
号、１９９５年４月、第１２４−１２６ページに掲載さ
れたＤ．Ｃ．ストレイト、Ｋ．Ｗ．コバヤシ、Ａ．Ｋ．
オキ及びＤ．Ｋ．ウメモト著の「選択的ＭＢＥによるモ
ノリシックＨＢＴ−調整ＨＥＭＴ ＬＮＡ(A Monolithi
c HBT-Regurated HEMT LNA bySelective MBE)」；及び
１９９４年１１月２日に出願された米国特許出願第０８
／３３３，５３８号に開示された公知方法によって製造
することができる。ＨＥＭＴ−ＨＢＴに加えて、添付図
面に示された装置は、この技術で良く知られた薄膜抵抗
（ＴＦＲ）及び金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）キャパシ
タを含む。図１３に示す増幅器１１６は、０．９ｘ０．
７ｍｍ2 のＭＭＩＣパッケージで製造することができ
る。
【００４５】上記の教示に鑑み、本発明の多数の変更や
修正がなされ得ることが明らかである。従って、特許請
求の範囲内で、本発明は、上記とは異なる仕方で実施で
きることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるトポロジーを説明する４端子のＨ
ＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置を示す図である。
【図２】本発明による別のトポロジーを説明する別の４
端子ＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置を示す図である。
【図３】本発明による低ノイズ高直線性のＨＥＭＴ共通
ゲート・ＨＢＴ共通エミッタの３端子複合装置を示す図
である。
【図４】本発明による低ノイズ高直線性のＨＥＭＴ共通
ゲート・ＨＢＴ共通コレクタの３端子複合装置を示す図
である。
【図５】本発明による低ノイズ高直線性のＨＥＭＴ共通
ソース・ＨＢＴ共通エミッタの３端子複合装置を示す図
である。
【図６】本発明による低ノイズ高直線性のＨＥＭＴ共通
ソース・ＨＢＴ共通コレクタの３端子複合装置を示す図
である。
【図７】本発明による低ノイズ高直線性のＨＥＭＴ共通
ソース・ＨＢＴ共通ベースの３端子複合装置を示す図で
ある。
【図８】本発明による低ノイズ高直線性のＨＥＭＴ共通
ソース・ＨＢＴの３端子ミクサ装置を示す図である。
【図９】本発明によるＨＥＭＴアクティブ整合ＨＢＴダ
ーリントン増幅器の回路図である。
【図１０】図９に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴ増幅器の利
得及び入力返送ロスを種々のＨＥＭＴバイアスレベルに
対し周波数の関数として示すグラフである。
【図１１】図９に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴ増幅器のノ
イズ指数性能をＨＥＭＴのＤＣバイアスの関数として示
すグラフである。
【図１２】図９に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴ増幅器のＩ
Ｐ３性能を３つの異なるＨＥＭＴＤＣバイアス電圧に対
して示すグラフである。
【図１３】本発明による共通ソースのＨＥＭＴ−ＨＢＴ
ダーリントン増幅器の回路図である。
【図１４】図１３に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴ増幅器の
利得及び返送ロス性能を周波数の関数として示すグラフ
である。
【図１５】図１３に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴダーリン
トン増幅器のノイズ指数及びＩＰ３性能を周波数の関数
として示すグラフである。
【図１６】図１３に示されたＨＥＭＴ−ＨＢＴダーリン
トン増幅器の入力電力の関数として利得及び出力電力を
示すグラフである。
【符号の説明】
３４ 第１のトポロジー（ＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置） ３６ ＨＥＭＴ ３８ ＨＢＴ ４０、４２、４４、４６ 外部端子 ４８ 第２のトポロジー（ＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置） ５０ ＨＥＭＴ ５２ ＨＢＴ ５４、５６、５８、６０ 外部端子 ６２ ２ポート回路（ＨＥＭＴ−ＨＢＴ複合装置） ６４ 外部エミッタ抵抗 ６６ 外部負荷抵抗 ６８ 外部端子 ７０ ２ポート低ノイズ・高直線性回路 ７６ ２ポート増幅器 ８４ ＨＥＭＴ共通ソース・ＨＢＴ共通コレクタの複合
装置 ９０ ２ポート増幅器 ９６ ３ポート複合装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年３月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ドワイト クリストファー ストレイト アメリカ合衆国 カリフォルニア州 90740 シール ビーチ カレッジ パー ク ドライブ 312 (72)発明者 アーロン ケンジ オキ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 90502 トーランス ケンウッド アベニ ュー 22114 (72)発明者 ドナルド カツ ウメモト アメリカ合衆国 カリフォルニア州 90266 マンハッタン ビーチ ノース ペック アベニュー 615

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ゲート、ソース及びドレイン端子を有す
    る高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、ベース端子
    が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に接続されたヘテロ接合
    バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）と、 を備えたことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積
    複合装置トポロジー。
  2. 【請求項２】 上記ＨＥＭＴの上記ゲート端子は、外部
    回路に接続するための端子に電気的に接続される請求項
    １に記載のＭＭＩＣトポロジー。
  3. 【請求項３】 上記ＨＥＭＴの上記ソース端子は、外部
    回路に接続するための端子に電気的に接続される請求項
    １に記載のＭＭＩＣトポロジー。
  4. 【請求項４】 上記ＨＢＴの上記コレクタ端子は、外部
    回路に接続するための端子に電気的に接続される請求項
    １に記載のＭＭＩＣトポロジー。
  5. 【請求項５】 上記ＨＢＴの上記エミッタ端子は、外部
    回路に接続するための端子に電気的に接続される請求項
    １に記載のＭＭＩＣトポロジー。
  6. 【請求項６】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有す
    る高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、該エミッタ
    端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に接続されたヘテロ
    接合バイポーラ接合トランジスタ（ＨＢＴ）とを備えた
    ことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路（Ｍ
    ＭＩＣ）トポロジー。
  7. 【請求項７】 上記ＨＥＭＴの上記ゲート端子は、外部
    電気回路に接続するための端子に電気的に接続される請
    求項６に記載のＭＭＩＣトポロジー。
  8. 【請求項８】 上記ＨＥＭＴの上記ソース端子は、外部
    回路に接続するための端子に電気的に接続される請求項
    ６に記載のＭＭＩＣトポロジー。
  9. 【請求項９】 上記ＨＢＴの上記ベース端子は、外部電
    気回路に接続するための端子に電気的に接続される請求
    項６に記載のＭＭＩＣトポロジー。
  10. 【請求項１０】 上記コレクタ端子は、外部電気回路に
    接続するための端子に電気的に接続される請求項６に記
    載のＭＭＩＣ。
  11. 【請求項１１】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのゲート端子が電気的に接地された高電子移動度
    トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、そのベース
    端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続さ
    れ、そのエミッタ端子が電気的に接地されたヘテロ接合
    バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とを備え、上記ＨＥ
    ＭＴの上記ソース端子及び上記ＨＢＴの上記コレクタ端
    子は、各々、外部電気回路に接続するための端子に電気
    的に接続されることを特徴とするモノリシックマイクロ
    波集積回路（ＭＭＩＣ）増幅器。
  12. 【請求項１２】 上記ＨＢＴの上記エミッタ端子と接地
    との間に電気的に接続された第１抵抗器を更に備えた請
    求項１１に記載のＭＭＩＣ。
  13. 【請求項１３】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのゲート端子が電気的に接地された高電子移動度
    トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、そのベース
    端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続さ
    れ、そのコレクタ端子が電気的に接地されたヘテロ接合
    バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とを備え、上記ＨＥ
    ＭＴの上記ソース端子及び上記ＨＢＴの上記エミッタ端
    子は、各々、外部電気回路に接続するための端子に電気
    的に接続されることを特徴とするモノリシックマイクロ
    波集積回路（ＭＭＩＣ）増幅器。
  14. 【請求項１４】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのソース端子が電気的に接地された高電子移動度
    トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、そのベース
    端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続さ
    れ、そのエミッタ端子が電気的に接地されたヘテロ接合
    バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とを備え、上記ＨＥ
    ＭＴの上記ゲート端子及び上記ＨＢＴの上記コレクタ端
    子は、各々、外部電気回路に接続するための端子に電気
    的に接続されることを特徴とするモノリシックマイクロ
    波集積回路（ＭＭＩＣ）増幅器。
  15. 【請求項１５】 上記ＨＢＴの上記エミッタ端子と接地
    との間に電気的に接続された第１抵抗器を更に備えた請
    求項１４に記載のＭＭＩＣ。
  16. 【請求項１６】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのソース端子が電気的に接地された高電子移動度
    トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、そのベース
    端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続さ
    れ、そのコレクタ端子が電気的に接地されたヘテロ接合
    バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とを備え、上記ＨＥ
    ＭＴの上記ゲート端子及び上記ＨＢＴの上記エミッタ端
    子は、各々、外部電気回路に接続するための端子に電気
    的に接続されることを特徴とするモノリシックマイクロ
    波集積回路（ＭＭＩＣ）増幅器。
  17. 【請求項１７】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのソース端子が電気的に接地された高電子移動度
    トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、そのエミッ
    タ端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続さ
    れ、そのベース端子が電気的に接地されたヘテロ接合バ
    イポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とを備え、上記ＨＥＭ
    Ｔの上記ゲート端子及び上記ＨＢＴの上記コレクタ端子
    は、各々、外部電気回路に接続するための端子に電気的
    に接続されることを特徴とするモノリシックマイクロ波
    集積回路（ＭＭＩＣ）増幅器。
  18. 【請求項１８】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのソース端子が電気的に接地された高電子移動度
    トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有し、そのエミッ
    タ端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子に電気的に接続さ
    れたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）とを
    備え、上記ＨＥＭＴの上記ゲート端子及び上記ＨＢＴの
    上記コレクタ端子は、各々、外部電気回路に接続するた
    めの端子に電気的に接続されることを特徴とするモノリ
    シックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）ミクサ。
  19. 【請求項１９】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのゲート端子が電気的に接地された高電子移動度
    トランジスタ（ＨＥＭＴ）と、 第１ベース、第１コレクタ及び第１エミッタ端子を有
    し、その第１ベース端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子
    に電気的に接続され、そのソース端子が、外部回路に接
    続するための増幅器入力を形成する端子に電気的に接続
    された第１ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢ
    Ｔ）と、 ベース、コレクタ及びエミッタ端子を有する第２ＨＢＴ
    であって、この第２ＨＢＴは、第２ベース、第２コレク
    タ及び第２エミッタ端子を有し、上記第１ＨＢＴに電気
    的に接続されてダーリントン対を形成するような第２Ｈ
    ＢＴと、 外部電気回路に接続するために上記第１及び第２のコレ
    クタ端子に電気的に接続された出力端子と、 外部供給電圧に接続するために上記第１及び第２のコレ
    クタ端子に電気的に接続された供給端子とを備えたこと
    を特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩ
    Ｃ）増幅器。
  20. 【請求項２０】 上記第１及び第２のコレクタ端子と、
    上記ＨＥＭＴの上記ドレイン端子との間に電気的に接続
    された第１抵抗器を更に備えた請求項１９に記載のＭＭ
    ＩＣ。
  21. 【請求項２１】 上記第２のベース端子と接地との間に
    電気的に接続された第２抵抗器を更に備えた請求項２０
    に記載のＭＭＩＣ。
  22. 【請求項２２】 上記第２エミッタと接地との間に電気
    的に接続された第３抵抗器を更に備えた請求項２１に記
    載のＭＭＩＣ。
  23. 【請求項２３】 上記出力端子と上記第１及び第２コレ
    クタとの間に電気的に接続された第４抵抗器を更に備え
    た請求項２２に記載のＭＭＩＣ。
  24. 【請求項２４】 上記第１及び第２コレクタ端子と上記
    供給端子との間に電気的に接続された第５抵抗器を更に
    備えた請求項２３に記載のＭＭＩＣ。
  25. 【請求項２５】 ゲート、ドレイン及びソース端子を有
    し、そのソース端子が電気的に接地され、そのゲート端
    子が、外部回路に接続するための入力端子に電気的に接
    続されて、増幅器入力を形成する高電子移動度トランジ
    スタ（ＨＥＭＴ）と、 第１ベース、第１コレクタ及び第１エミッタ端子を有
    し、その第１ベース端子が上記ＨＥＭＴのドレイン端子
    に電気的に接続された第１ヘテロ接合バイポーラトラン
    ジスタ（ＨＢＴ）と、 第２ベース、第２コレクタ及び第２エミッタ端子を有
    し、上記第１のＨＢＴに電気的に接続されてダーリント
    ン対を形成するような第２ＨＢＴと、 外部回路に接続するために上記第１及び第２のコレクタ
    端子に電気的に接続された出力端子と、 外部電源に接続するために供給端子に電気的に接続され
    た供給端子とを備えたことを特徴とするモノリシックマ
    イクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）。
  26. 【請求項２６】 上記第１及び第２のコレクタ端子と、
    上記ＨＥＭＴの上記ドレイン端子との間に電気的に接続
    された第１抵抗器を更に備えた請求項２５に記載のＭＭ
    ＩＣ。
  27. 【請求項２７】 上記第２ベース端子と接地との間に電
    気的に接続された第２抵抗器を更に備えた請求項２６に
    記載のＭＭＩＣ。
  28. 【請求項２８】 上記第２エミッタ端子と接地との間に
    電気的に接続された第３抵抗器を更に備えた請求項２７
    に記載のＭＭＩＣ。
  29. 【請求項２９】 上記出力端子と上記第１及び第２のコ
    レクタ端子との間に電気的に接続された第４抵抗器を更
    に備えた請求項２８に記載のＭＭＩＣ。
  30. 【請求項３０】 上記供給端子と上記第１及び第２のコ
    レクタ端子との間に電気的に接続された第５抵抗器を更
    に備えた請求項２９に記載のＭＭＩＣ。
  31. 【請求項３１】 上記ソース端子と接地との間に電気的
    に接続された第６抵抗器を更に備えた請求項３０に記載
    のＭＭＩＣ。
  32. 【請求項３２】 上記ソース端子と接地との間に電気的
    に接続されたキャパシタを更に備えた請求項３１に記載
    のＭＭＩＣ。
  33. 【請求項３３】 上記第１エミッタ端子と上記ソース端
    子との間に電気的に接続された第７抵抗器を更に備えた
    請求項３２に記載のＭＭＩＣ。
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