JPS6046182B2 - 真空内被膜形成方法ならびに装置 - Google Patents
真空内被膜形成方法ならびに装置Info
- Publication number
- JPS6046182B2 JPS6046182B2 JP55129748A JP12974880A JPS6046182B2 JP S6046182 B2 JPS6046182 B2 JP S6046182B2 JP 55129748 A JP55129748 A JP 55129748A JP 12974880 A JP12974880 A JP 12974880A JP S6046182 B2 JPS6046182 B2 JP S6046182B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- evaporation
- vapor deposition
- vacuum
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、真空内で高分子成形物基材上に、多層構成
の被膜を得るに適した方法および装置の提供を目的とす
るもので、近年開発の盛んな磁気テ。
の被膜を得るに適した方法および装置の提供を目的とす
るもので、近年開発の盛んな磁気テ。
−プや薄膜太陽電池等の製造に効果を発揮するものであ
る。 特に高分子成形物基材の厚みも体積記録密度を高
めるために、年々薄くなる傾向にあり、多層構成の被膜
を形成することは熱とのたたかいといつても過言ではな
い。
る。 特に高分子成形物基材の厚みも体積記録密度を高
めるために、年々薄くなる傾向にあり、多層構成の被膜
を形成することは熱とのたたかいといつても過言ではな
い。
これらは、特にシワとなつて問題となり、時には、完
全に溶断するに至り、テープとなり得ないことにもなり
かねないので、実用化にとつては見逃すことができない
点である。 本発明は、第１図に示すような多層被膜を
有する構造体を前述したシワなしに製造するに好適な方
法および装置を提供するものである。
全に溶断するに至り、テープとなり得ないことにもなり
かねないので、実用化にとつては見逃すことができない
点である。 本発明は、第１図に示すような多層被膜を
有する構造体を前述したシワなしに製造するに好適な方
法および装置を提供するものである。
なお、第１図は、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリイミドフィルム等の高分子成形物基材１上に、
非磁性層２、３と強磁性層４、５を交互に積層して得た
磁気テープの断面構造を示すものである。
ム、ポリイミドフィルム等の高分子成形物基材１上に、
非磁性層２、３と強磁性層４、５を交互に積層して得た
磁気テープの断面構造を示すものである。
本発明において確認した範囲は、ポリエチレンテレフ
タレートフィルム（厚さ４μ〜２０μ）、ポリアミドフ
ィルム（厚さ３．５μ〜１１μ）、ポリカーボネイトフ
ィルム（厚さ３μ〜１２μ）、非磁性層は、Ａｌ、Ｃｕ
、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ等で、厚み範囲は１００Λ〜
１０００Λ、強磁性層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびそれ
らの合金について厚み範囲が１００八〜２０００Λのも
のである。
タレートフィルム（厚さ４μ〜２０μ）、ポリアミドフ
ィルム（厚さ３．５μ〜１１μ）、ポリカーボネイトフ
ィルム（厚さ３μ〜１２μ）、非磁性層は、Ａｌ、Ｃｕ
、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ等で、厚み範囲は１００Λ〜
１０００Λ、強磁性層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉおよびそれ
らの合金について厚み範囲が１００八〜２０００Λのも
のである。
熱的影響については極端な場合について、すなわち前
述の２倍〜３倍の膜厚領域、特に、Ｓｉ、αについては
、１０倍の範囲まで本発明の効果を確認した。
述の２倍〜３倍の膜厚領域、特に、Ｓｉ、αについては
、１０倍の範囲まで本発明の効果を確認した。
以下本発明による装置の一実施例について第２図の図
面とともに説明する。
面とともに説明する。
図において、６は真空槽、７、８、９はその真空槽６の
上室と右下室と左下室、１０は蒸着ドラム、１１はその
蒸着ドラム１０の周面に沿つて移動する高分子成形物基
材、１２，１３は基材１１の捲取り軸、１４は金属ロー
ラー、１５，１６はグロー放電発生機構であり、この機
構１５，１６が存在する故に上室７と下室８，９に分け
られている。１７は上室７と下室８，９を区切る隔壁、
１８は右下室８と左下室９を仕切る仕切り板、１９は右
下室８内の蒸発源て、水冷銅ハース２０と蒸発物質（例
えば非磁性材料）２１と電子銃２２とよりなり、２３は
左下室９内の蒸発源で、同じく水冷銅ハース２４と蒸発
物質（例えは強磁性材料）２５と電子銃２６とよりなる
。
上室と右下室と左下室、１０は蒸着ドラム、１１はその
蒸着ドラム１０の周面に沿つて移動する高分子成形物基
材、１２，１３は基材１１の捲取り軸、１４は金属ロー
ラー、１５，１６はグロー放電発生機構であり、この機
構１５，１６が存在する故に上室７と下室８，９に分け
られている。１７は上室７と下室８，９を区切る隔壁、
１８は右下室８と左下室９を仕切る仕切り板、１９は右
下室８内の蒸発源て、水冷銅ハース２０と蒸発物質（例
えば非磁性材料）２１と電子銃２２とよりなり、２３は
左下室９内の蒸発源で、同じく水冷銅ハース２４と蒸発
物質（例えは強磁性材料）２５と電子銃２６とよりなる
。
蒸発源１９と２３を仕切り板１８により分離しているの
は、蒸着の際に不純物が侵入するのを出来るだけ避ける
ためである。２７，２８，２９は上室７、右下室８、左
下室９の排気系である。
は、蒸着の際に不純物が侵入するのを出来るだけ避ける
ためである。２７，２８，２９は上室７、右下室８、左
下室９の排気系である。
なお、必要によりガス導入系を設けること、また蒸発源
１９および／または２３にイオンブレーティング法を付
加することもできる。そして本発明の要点のひとつは、
１個の蒸着ドラム１０に沿つて移動する高分子成形物基
材１１に、２種の異なる蒸発物質２１，２５を加熱気化
させて得た蒸気流にて、２層被膜を形成する点にある。
しかし、例えは偶数層でない構成を必要とする場合はこ
の限りではなく、どちらか一方を蒸着したのち、前述し
た２層蒸着を行い、必要に応じて、この操作をくり返え
せばよい。本発明で次の要点は、蒸発源に関するもので
、第２図に模式的に示したように、電子ビーム加熱式（
すなわち、水冷銅ハース２０，２４と電子銃２２，２６
を用いる方式）を用いる点で、２組のうちひとつは必ず
電子ビーム加熱式であること、逆にひとつを電子ビーム
加熱式て構成すれば、他は蒸発材料にもよるが、抵抗加
熱式が誘導加熱式のいずれであつてもよいのである。
１９および／または２３にイオンブレーティング法を付
加することもできる。そして本発明の要点のひとつは、
１個の蒸着ドラム１０に沿つて移動する高分子成形物基
材１１に、２種の異なる蒸発物質２１，２５を加熱気化
させて得た蒸気流にて、２層被膜を形成する点にある。
しかし、例えは偶数層でない構成を必要とする場合はこ
の限りではなく、どちらか一方を蒸着したのち、前述し
た２層蒸着を行い、必要に応じて、この操作をくり返え
せばよい。本発明で次の要点は、蒸発源に関するもので
、第２図に模式的に示したように、電子ビーム加熱式（
すなわち、水冷銅ハース２０，２４と電子銃２２，２６
を用いる方式）を用いる点で、２組のうちひとつは必ず
電子ビーム加熱式であること、逆にひとつを電子ビーム
加熱式て構成すれば、他は蒸発材料にもよるが、抵抗加
熱式が誘導加熱式のいずれであつてもよいのである。
さらに用いられるべき電子ビームの加速電圧は、１５Ｋ
■以上、好ましくは２０ＫＶ〜３５ＫＶの範囲であるこ
とが、蒸着ドラム１０への高分子成形物基材の密着力を
増す点からも重要となつてくる。
■以上、好ましくは２０ＫＶ〜３５ＫＶの範囲であるこ
とが、蒸着ドラム１０への高分子成形物基材の密着力を
増す点からも重要となつてくる。
また蒸着ドラム１０を離れた高分子成形物基材１１は、
蒸着後すなわちＡ方向に蒸着を進める時はグロー放電発
生機構１６により、またＢ方向に蒸着を進める時はグロ
ー放電発生機構１５により、基材１１の蒸着されない側
（第１図で矢印Ｃ方向からみた側）をグロー放電雰囲気
にさらすことがシワの発生を押える点で重要である。２
組の蒸発源１９，２３をひとつのドラム１０に対向して
配設する本発明の重要性は、現在のところ明確ではない
が、基材１１にかかる熱負荷の勾配がひとつのドラムと
ひとつの蒸発源の組合せに比べて（例えば２層を得るに
は、２つのドラムとそれぞれに対向した蒸発源を必要と
することになるのである。
蒸着後すなわちＡ方向に蒸着を進める時はグロー放電発
生機構１６により、またＢ方向に蒸着を進める時はグロ
ー放電発生機構１５により、基材１１の蒸着されない側
（第１図で矢印Ｃ方向からみた側）をグロー放電雰囲気
にさらすことがシワの発生を押える点で重要である。２
組の蒸発源１９，２３をひとつのドラム１０に対向して
配設する本発明の重要性は、現在のところ明確ではない
が、基材１１にかかる熱負荷の勾配がひとつのドラムと
ひとつの蒸発源の組合せに比べて（例えば２層を得るに
は、２つのドラムとそれぞれに対向した蒸発源を必要と
することになるのである。
）ゆるやかである点と、両ドラム間でフィルムに無理な
りが加わらない点が相乗的に作用してシワのない多層被
膜を極めて薄い高分子成形物基材上に形成できるからと
考えられる。そして蒸着ドラムφ１０００、基材の幅５
００ＴＷＬで、前記した範囲について、最低１０００Ｔ
ｒ１．、最も長い場合で６５００Ｔｒ１．についてシワ
の無視できる磁気テープ用の原反の製造を成し遂げ得た
。このことは、本発明の高い工業的有価値性を示すもの
である。蒸着速度は、多くの非磁性層が５００〜１５０
０Ａ／Ｓｅｃ、強磁性層の場合が３００〜３０００Ａ／
Ｓｅｃと極め”て高い領域でシワを無視し得る点も見逃
せない効果であり、強磁性層のみ、または非磁性層のみ
を独立に酸化性雰囲気で蒸着し得る点も、優れた磁気記
録媒体を得る上で有利な点である。本発明の最も好まし
い適用は、第２図てＡ方向で蒸着する場合は、蒸発源１
９のみか、蒸発源１９から２３の蒸着、Ｂ方向での蒸着
の場合は、蒸発源２３のみか、蒸発源２３から１９であ
る。
りが加わらない点が相乗的に作用してシワのない多層被
膜を極めて薄い高分子成形物基材上に形成できるからと
考えられる。そして蒸着ドラムφ１０００、基材の幅５
００ＴＷＬで、前記した範囲について、最低１０００Ｔ
ｒ１．、最も長い場合で６５００Ｔｒ１．についてシワ
の無視できる磁気テープ用の原反の製造を成し遂げ得た
。このことは、本発明の高い工業的有価値性を示すもの
である。蒸着速度は、多くの非磁性層が５００〜１５０
０Ａ／Ｓｅｃ、強磁性層の場合が３００〜３０００Ａ／
Ｓｅｃと極め”て高い領域でシワを無視し得る点も見逃
せない効果であり、強磁性層のみ、または非磁性層のみ
を独立に酸化性雰囲気で蒸着し得る点も、優れた磁気記
録媒体を得る上で有利な点である。本発明の最も好まし
い適用は、第２図てＡ方向で蒸着する場合は、蒸発源１
９のみか、蒸発源１９から２３の蒸着、Ｂ方向での蒸着
の場合は、蒸発源２３のみか、蒸発源２３から１９であ
る。
これは、蒸発源の加熱方式に電子ビームのみを用いる時
は余り強い相関はないが、他の加熱方式゛の場合は、前
述した熱負荷と、密着の点に関連して最大の効果を発揮
するには蒸着方式を選択する方が好ましい。しかし、基
材の選択や張力等にも関係するので現在検討中である。
いずれにしても前述した基本要素を満足すれば、極めて
薄い基材上にでも６層〜８層の多層構造体を得ることが
できるものである。以上の実施例からも明らかなように
本発明によれば、シワのない、多層被膜を得ることがで
きるものであり、磁気記録媒体等の製造に寄与すると”
ころは大なるものである。
は余り強い相関はないが、他の加熱方式゛の場合は、前
述した熱負荷と、密着の点に関連して最大の効果を発揮
するには蒸着方式を選択する方が好ましい。しかし、基
材の選択や張力等にも関係するので現在検討中である。
いずれにしても前述した基本要素を満足すれば、極めて
薄い基材上にでも６層〜８層の多層構造体を得ることが
できるものである。以上の実施例からも明らかなように
本発明によれば、シワのない、多層被膜を得ることがで
きるものであり、磁気記録媒体等の製造に寄与すると”
ころは大なるものである。
第１図は本発明による真空内被膜形成方法ならびに装置
によつて得られる磁気記録媒体の一例の斜視図、第２図
は本発明による真空内被膜形成装置の一実施例の概略断
面正面図である。 １・・・・・・高分子成形物基材、２，３・・・・・・
非磁性層、４，５・・・・・・強磁性層、６・・・・・
・真空槽、７・・・・・上室、８・・・・・・右下室、
９・・・・・・左下室、１０・・・・・・蒸着ドラム、
１１・・・・・・高分子成形物基材、１２，１３・・・
・・・捲取り軸、１５，１６・・・・・・グロー放電発
生機構、１７・・・・・・隔壁、１８・・・・・・仕切
り板、１９，２３・・・・・・蒸発源、２７，２８，２
９・・・・・・Ｐ［気系。
によつて得られる磁気記録媒体の一例の斜視図、第２図
は本発明による真空内被膜形成装置の一実施例の概略断
面正面図である。 １・・・・・・高分子成形物基材、２，３・・・・・・
非磁性層、４，５・・・・・・強磁性層、６・・・・・
・真空槽、７・・・・・上室、８・・・・・・右下室、
９・・・・・・左下室、１０・・・・・・蒸着ドラム、
１１・・・・・・高分子成形物基材、１２，１３・・・
・・・捲取り軸、１５，１６・・・・・・グロー放電発
生機構、１７・・・・・・隔壁、１８・・・・・・仕切
り板、１９，２３・・・・・・蒸発源、２７，２８，２
９・・・・・・Ｐ［気系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ １個の蒸着ドラムに沿つて移動する高分子成形物基
材上に異なる２種の蒸発物質を配した蒸発源により個別
にまたは同時に連続して被膜を形成した後、前記高分子
成形物基材の被膜面と反対側の面をグロー放電雰囲気に
露呈することを特徴とする真空内被膜形成方法。 ２ 真空槽内のほぼ中央に１個の蒸着ドラムを配設し、
その蒸着ドラムと隔壁により前記真空槽を上室と下室に
分離し、前記上室には２組の高分子成形物基材の捲取り
軸と２組以上のグロー放電発生機構を設け、かつ前記下
室を仕切り板により右下室と左下室に２分し、その右下
室と左下室に前記蒸着ドラムと対向する蒸発源をそれぞ
れ設け、さらに前記上室、右下室、左下室に独立した排
気系を連結したことを特徴とする真空内被膜形成装置。 ３ ２組の蒸発源のうち一方が電子ビーム加熱式の蒸発
源であり、他方が抵抗加熱式または誘導加熱式の蒸発源
であることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の真
空内被膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55129748A JPS6046182B2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 | 真空内被膜形成方法ならびに装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55129748A JPS6046182B2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 | 真空内被膜形成方法ならびに装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5753539A JPS5753539A (en) | 1982-03-30 |
| JPS6046182B2 true JPS6046182B2 (ja) | 1985-10-15 |
Family
ID=15017221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55129748A Expired JPS6046182B2 (ja) | 1980-09-17 | 1980-09-17 | 真空内被膜形成方法ならびに装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046182B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131373A (ja) * | 1990-09-10 | 1991-06-04 | Iseki & Co Ltd | 籾摺装置の壺穴式回転選穀装置の伝導装置 |
| CN106222624A (zh) * | 2016-09-30 | 2016-12-14 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种设有纠偏送膜机构的真空镀膜机 |
| CN106350772A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-25 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种设有在线分切收卷机构的真空镀膜机 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5894133A (ja) * | 1981-11-28 | 1983-06-04 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JPS60113330A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3614644B2 (ja) * | 1998-02-27 | 2005-01-26 | 松下電器産業株式会社 | 積層体の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2925062A (en) * | 1953-05-15 | 1960-02-16 | Heraeus Gmbh W C | Coating apparatus |
| DE2758772A1 (de) * | 1976-12-29 | 1978-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren und einrichtung zur herstellung magnetischer aufzeichnungsmedien |
| US4204942A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-27 | Heat Mirror Associates | Apparatus for multilayer thin film deposition |
-
1980
- 1980-09-17 JP JP55129748A patent/JPS6046182B2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2925062A (en) * | 1953-05-15 | 1960-02-16 | Heraeus Gmbh W C | Coating apparatus |
| DE2758772A1 (de) * | 1976-12-29 | 1978-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Verfahren und einrichtung zur herstellung magnetischer aufzeichnungsmedien |
| US4204942A (en) * | 1978-10-11 | 1980-05-27 | Heat Mirror Associates | Apparatus for multilayer thin film deposition |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131373A (ja) * | 1990-09-10 | 1991-06-04 | Iseki & Co Ltd | 籾摺装置の壺穴式回転選穀装置の伝導装置 |
| CN106222624A (zh) * | 2016-09-30 | 2016-12-14 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种设有纠偏送膜机构的真空镀膜机 |
| CN106350772A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-01-25 | 铜陵市超越电子有限公司 | 一种设有在线分切收卷机构的真空镀膜机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5753539A (en) | 1982-03-30 |
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