JPS6037723A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6037723A JPS6037723A JP14592683A JP14592683A JPS6037723A JP S6037723 A JPS6037723 A JP S6037723A JP 14592683 A JP14592683 A JP 14592683A JP 14592683 A JP14592683 A JP 14592683A JP S6037723 A JPS6037723 A JP S6037723A
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- JP
- Japan
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- boat
- quartz boat
- diffusion
- semiconductor
- quartz
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/67313—Horizontal boat type carrier whereby the substrates are vertically supported, e.g. comprising rod-shaped elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の半導体基板への不純物拡散は、第１図に示す様に
石英ボートの溝に半導体基板を立てて、その石英ボート
を拡散炉内に入れ所定のガスを流すことによシ行なって
いる。この時、半導体基板を石英ボートの溝に立てやす
くするために石英ボートの溝は石英ゲートの軸と垂直な
方向に切ってあり半導体基板の厚さより０２〜０．３ｍ
大きい幅になっている。しかし、第２図の拡大図に示す
様に溝の幅が半導体基板厚さより太きいため半導体基板
が前後に倒れて半導体基板間の間隔が必ずしも一定とな
らない。例えば基板間隔ｄ１は溝のピッチＤよりも広く
なり、又基板間隔ｄ２は溝のピッチＤよりも狭くなる。
石英ボートの溝に半導体基板を立てて、その石英ボート
を拡散炉内に入れ所定のガスを流すことによシ行なって
いる。この時、半導体基板を石英ボートの溝に立てやす
くするために石英ボートの溝は石英ゲートの軸と垂直な
方向に切ってあり半導体基板の厚さより０２〜０．３ｍ
大きい幅になっている。しかし、第２図の拡大図に示す
様に溝の幅が半導体基板厚さより太きいため半導体基板
が前後に倒れて半導体基板間の間隔が必ずしも一定とな
らない。例えば基板間隔ｄ１は溝のピッチＤよりも広く
なり、又基板間隔ｄ２は溝のピッチＤよりも狭くなる。
この状態で所用ガスを流して拡散すると基板間隔の広い
所ではガスの回りこみが良いため拡散接合の深さが深く
なり、又基板間隔の狭い所ではガスが十分口シこまず拡
散接合の深さが浅くなってしまう。この接合深さのバラ
ツキが半導体装置の素子の特性のバラツキをもたらし、
半導体装置の歩留を下けていた。この拡散接合の深さは
シート抵抗ρ８で表すことができ、従来の拡散方法にお
いては基板間、基板内の両方を考慮したρ３のバラツキ
は５〜１０％と大きがった。
所ではガスの回りこみが良いため拡散接合の深さが深く
なり、又基板間隔の狭い所ではガスが十分口シこまず拡
散接合の深さが浅くなってしまう。この接合深さのバラ
ツキが半導体装置の素子の特性のバラツキをもたらし、
半導体装置の歩留を下けていた。この拡散接合の深さは
シート抵抗ρ８で表すことができ、従来の拡散方法にお
いては基板間、基板内の両方を考慮したρ３のバラツキ
は５〜１０％と大きがった。
本発明は半導体基板間隔を一定に保って拡散することに
より、拡散接合深さのバラツキを少なくし、半導体素子
の特性不良率の少ない高歩留な半導体装置の製造方法を
提供することを目的としている。
より、拡散接合深さのバラツキを少なくし、半導体素子
の特性不良率の少ない高歩留な半導体装置の製造方法を
提供することを目的としている。
本発明の半導体装置の製造方法は、第１の石英ボート上
に第１の石英ボートと傾斜角５°〜１０’の角度を持た
せた第２の石英ボートを設定し、第２の石英ボートの第
２の石英ボートと垂直な溝に半導体基板を立てて拡散す
ることを特徴としているＯ 第２の石英ボートが第１の石英ボートに対して５°〜ｌ
Ｏ°傾斜しているため第２の石英ボートの溝に立てた半
導体基板は自重のために一定の方向に倒れ、ある一定の
傾きの所で石英ボート溝に保持される。よって各々の半
導体基板が全て一定の角度で保持されるため半導体基板
同志は平行となシ半導体基板の間隔は溝の間隔と同じに
なり、一定となる。よって拡散炉に入れ所用ガスにて拡
散しても、半導体基板間内のガスのまわりこみが常に一
定となるため不純物原子が半導体基板に均一に拡散され
、半導体基板間、基板内の拡散接合の深さのバラツキは
ほとんどなくなる。それゆえ、拡散接合の深さにより決
定される半導体素子の特性のバラツキが小さくなり、高
歩留の半導体装置の製造が可能となる。
に第１の石英ボートと傾斜角５°〜１０’の角度を持た
せた第２の石英ボートを設定し、第２の石英ボートの第
２の石英ボートと垂直な溝に半導体基板を立てて拡散す
ることを特徴としているＯ 第２の石英ボートが第１の石英ボートに対して５°〜ｌ
Ｏ°傾斜しているため第２の石英ボートの溝に立てた半
導体基板は自重のために一定の方向に倒れ、ある一定の
傾きの所で石英ボート溝に保持される。よって各々の半
導体基板が全て一定の角度で保持されるため半導体基板
同志は平行となシ半導体基板の間隔は溝の間隔と同じに
なり、一定となる。よって拡散炉に入れ所用ガスにて拡
散しても、半導体基板間内のガスのまわりこみが常に一
定となるため不純物原子が半導体基板に均一に拡散され
、半導体基板間、基板内の拡散接合の深さのバラツキは
ほとんどなくなる。それゆえ、拡散接合の深さにより決
定される半導体素子の特性のバラツキが小さくなり、高
歩留の半導体装置の製造が可能となる。
本発明を実施例により説明する。第３図は第１の石英ボ
ート上に５°の傾斜を持たせて第２の石英ボートを設定
し、第２の石英ボートの溝に半導体基板を立てて拡散し
ている状態を示している。第２の石英ボートには垂直な
方向に深さ５ ｍ＋ｎ 、幅０゜９門の溝が溝のピッチ
Ｄ ＝ ５ ｍ＋ｎでほってあり、その溝に厚さ６００
μｍ、直径４″φの半導体基板が立てである。この場合
４″φ半導体基板は鉛直方向に対し６°の傾斜を保ち、
各々の半導体基板がすべて平行となυ、半導体基板間隔
は一定の間隔Ｄ＝５Ｍとなる。これを例えば温度１００
０℃の拡散炉内でＮ２ガＸ ５． Ｏ６７ｍ ｉｎ 、
Ｂ Ｃ１３ガス１．０１′ｍ ｉ ｎ 。
ート上に５°の傾斜を持たせて第２の石英ボートを設定
し、第２の石英ボートの溝に半導体基板を立てて拡散し
ている状態を示している。第２の石英ボートには垂直な
方向に深さ５ ｍ＋ｎ 、幅０゜９門の溝が溝のピッチ
Ｄ ＝ ５ ｍ＋ｎでほってあり、その溝に厚さ６００
μｍ、直径４″φの半導体基板が立てである。この場合
４″φ半導体基板は鉛直方向に対し６°の傾斜を保ち、
各々の半導体基板がすべて平行となυ、半導体基板間隔
は一定の間隔Ｄ＝５Ｍとなる。これを例えば温度１００
０℃の拡散炉内でＮ２ガＸ ５． Ｏ６７ｍ ｉｎ 、
Ｂ Ｃ１３ガス１．０１′ｍ ｉ ｎ 。
０２ガス１００ ｃｃ／ｍ ｉｎで１０分間ボロン拡散
を行なうとシート抵抗ρ８のウェハー間つェハー内のバ
ラツキは２％以内でおった。本発明による拡散方法によ
ると、従来のものよりρ、バラツキをｌ／３〜ｌ／４程
度に抑えることができ、又集積回路の特性不良率は５％
から２％に低減できた。本発明の実施例によれば第２の
石英ボートは１′）であるが、これは複数ケであっても
よい。
を行なうとシート抵抗ρ８のウェハー間つェハー内のバ
ラツキは２％以内でおった。本発明による拡散方法によ
ると、従来のものよりρ、バラツキをｌ／３〜ｌ／４程
度に抑えることができ、又集積回路の特性不良率は５％
から２％に低減できた。本発明の実施例によれば第２の
石英ボートは１′）であるが、これは複数ケであっても
よい。
本発明に示す様に、第１の石英ボート上に５゜〜１０°
の傾斜を持たせて第２の石英ボートを設定し、第２石英
ボートの溝に半導体基板を立てて。
の傾斜を持たせて第２の石英ボートを設定し、第２石英
ボートの溝に半導体基板を立てて。
半導体基板間隔を一定に保って拡散することにより、拡
散接合深さのバラツキの少ない、それゆえ半導体素子の
特性不良率の少ない高歩留な半導体装置の製造が可能と
なる。
散接合深さのバラツキの少ない、それゆえ半導体素子の
特性不良率の少ない高歩留な半導体装置の製造が可能と
なる。
第１図は従来の半導体拡散方法を示す図、第２図は従来
の半導体拡散方法の部分拡大図、第３図は本発明による
半導体拡散方法の実施侶１を示す同−第４図は本発明に
よる半導体拡散方法の実施例の部分拡大図である。 なお図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・石英ボート、３・・・・・・第１の石英ボート、
４・・・・・・第２の傾斜させた石英ボート、である。
の半導体拡散方法の部分拡大図、第３図は本発明による
半導体拡散方法の実施侶１を示す同−第４図は本発明に
よる半導体拡散方法の実施例の部分拡大図である。 なお図において、１・・・・・・半導体基板、２・・・
・・・石英ボート、３・・・・・・第１の石英ボート、
４・・・・・・第２の傾斜させた石英ボート、である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）第１の石英ボート上に第２の石英ボートを傾斜さ
せて設定し、第２の石英ボートの溝に半導体基板を立て
て拡散することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （２１第１の石英ボートと第２の石英ボートとの傾斜角
が５°〜１０°であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の半導体装置の製造方法。 （３） 第２の石英ボートの溝は第２の石英ボートの軸
とは垂直であることを特徴とする特許請求の範囲ｍ（１
）項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14592683A JPS6037723A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14592683A JPS6037723A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6037723A true JPS6037723A (ja) | 1985-02-27 |
Family
ID=15396269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14592683A Pending JPS6037723A (ja) | 1983-08-10 | 1983-08-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6037723A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155888A (en) * | 1991-05-22 | 1992-10-20 | Mactronix | Semiconductor wafer lifter |
| EP0769986A1 (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-02 | Inc. Middlesex General Industries | Conveyor cassette for wafers |
| EP0806374A1 (en) * | 1996-04-30 | 1997-11-12 | International Business Machines Corporation | Container for storing and transporting fragile objects |
| US5782356A (en) * | 1996-04-30 | 1998-07-21 | International Business Machines Corporation | Container for storing and transporting fragile objects |
-
1983
- 1983-08-10 JP JP14592683A patent/JPS6037723A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155888A (en) * | 1991-05-22 | 1992-10-20 | Mactronix | Semiconductor wafer lifter |
| EP0769986A1 (en) * | 1994-07-13 | 1997-05-02 | Inc. Middlesex General Industries | Conveyor cassette for wafers |
| EP0769986A4 (en) * | 1994-07-13 | 2000-01-19 | Middlesex General Ind Inc | DISC CARTRIDGE |
| EP0806374A1 (en) * | 1996-04-30 | 1997-11-12 | International Business Machines Corporation | Container for storing and transporting fragile objects |
| US5782356A (en) * | 1996-04-30 | 1998-07-21 | International Business Machines Corporation | Container for storing and transporting fragile objects |
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