JPH0697014A - ウエハ及びその作成方法 - Google Patents
ウエハ及びその作成方法Info
- Publication number
- JPH0697014A JPH0697014A JP4244689A JP24468992A JPH0697014A JP H0697014 A JPH0697014 A JP H0697014A JP 4244689 A JP4244689 A JP 4244689A JP 24468992 A JP24468992 A JP 24468992A JP H0697014 A JPH0697014 A JP H0697014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- oxygen
- lithium
- concentration
- type impurity
- Prior art date
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体素子等の形成に用いられるシ
リコンウエハに関し、加熱処理を行っても、酸素が析出
しにくく、転位の発生を一層よく抑制することが可能な
ウエハの提供を目的とする。 【構成】一の濃度の酸素と該一の濃度以上のリチウム
（Ｌｉ）とｐ型不純物とを含有するIV族の半導体からな
るウエハ１１であって、前記ｐ型不純物及びリチウム
（Ｌｉ）は互いの濃度を補償し、比抵抗が１Ω・ｃｍ以
上となっていることを含み構成する。
リコンウエハに関し、加熱処理を行っても、酸素が析出
しにくく、転位の発生を一層よく抑制することが可能な
ウエハの提供を目的とする。 【構成】一の濃度の酸素と該一の濃度以上のリチウム
（Ｌｉ）とｐ型不純物とを含有するIV族の半導体からな
るウエハ１１であって、前記ｐ型不純物及びリチウム
（Ｌｉ）は互いの濃度を補償し、比抵抗が１Ω・ｃｍ以
上となっていることを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハ及びその作成方
法に関し、更に詳しく言えば、半導体素子等の形成に用
いられるシリコンウエハ及びその作成方法に関する。
法に関し、更に詳しく言えば、半導体素子等の形成に用
いられるシリコンウエハ及びその作成方法に関する。
【０００２】近年、量産化のためのウエハの大口径化や
素子の高密度化のためのパターンの微細化が行われてい
るが、ウエハに反り等があるとフォトリソグラフィによ
り形成されるパターン精度の低下を招く。このため、半
導体素子の形成過程で加熱処理により生じるウエハの反
りの低減が要望されている。
素子の高密度化のためのパターンの微細化が行われてい
るが、ウエハに反り等があるとフォトリソグラフィによ
り形成されるパターン精度の低下を招く。このため、半
導体素子の形成過程で加熱処理により生じるウエハの反
りの低減が要望されている。
【０００３】
【従来の技術】ウエハの反りはウエハ中に転位が発生す
ることにより生じるため、酸素によりこの転位を固着
し、反りを低減する方法が知られている。特に、チョク
ラルスキー法（以下、ＣＺ法と称する。）により作成さ
れたウエハは作成時に酸素を５〜１０×１０18ｃｍ-3と
多量に含み、これを利用して転位の固着が行われてい
る。
ることにより生じるため、酸素によりこの転位を固着
し、反りを低減する方法が知られている。特に、チョク
ラルスキー法（以下、ＣＺ法と称する。）により作成さ
れたウエハは作成時に酸素を５〜１０×１０18ｃｍ-3と
多量に含み、これを利用して転位の固着が行われてい
る。
【０００４】図３は、従来例の、ＣＺ法により作成され
たウエハの反りを低減するウエハの作成方法について説
明する断面図である。まず、ＣＺ法によりシリコン単結
晶を作成した後、板状に切りだしてウエハ１を作成する
（図３（ａ））。
たウエハの反りを低減するウエハの作成方法について説
明する断面図である。まず、ＣＺ法によりシリコン単結
晶を作成した後、板状に切りだしてウエハ１を作成する
（図３（ａ））。
【０００５】次いで、半導体装置の製造工程中の取扱い
によるウエハ１周辺部での欠け等を防止するため、作成
されたウエハの周囲を面取りする。このとき、面取りは
機械的な研磨法により行われるので、ウエハ１に転移が
発生する場合がある。
によるウエハ１周辺部での欠け等を防止するため、作成
されたウエハの周囲を面取りする。このとき、面取りは
機械的な研磨法により行われるので、ウエハ１に転移が
発生する場合がある。
【０００６】次に、ウエハ１を加熱して、酸素をウエハ
１の周囲に集合させるとともに、転位をこの領域に固着
する。更に、加熱処理を続けた後、急冷する。これによ
り、転位をウエハ１の周囲に固着することができ、ウエ
ハ１の反りを低減することができる（図３（ｂ））。
１の周囲に集合させるとともに、転位をこの領域に固着
する。更に、加熱処理を続けた後、急冷する。これによ
り、転位をウエハ１の周囲に固着することができ、ウエ
ハ１の反りを低減することができる（図３（ｂ））。
【０００７】また、フローティングゾーン法（以下、Ｆ
Ｚ法と称する。）により作成されたウエハ３は酸素を十
分に含まないため、酸素を利用できないので、窒素を導
入し、転位を固着している。
Ｚ法と称する。）により作成されたウエハ３は酸素を十
分に含まないため、酸素を利用できないので、窒素を導
入し、転位を固着している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のＣＺ法によ
り作成されたウエハの転位を固着する方法によると、加
熱処理の過程で酸素析出物２が生じる場合がある。従っ
て、この状態で冷却した場合、酸素析出物２がウエハ内
部に残存し、酸素析出物２の周辺部に新たな転位が発生
する等、好ましくない。このため、ウエハを温度約1000
℃以上に加熱して酸素析出物２を溶解し、転位を除去し
ているが、ウエハの口径が大きくなってくると、ウエハ
が均一に加熱／冷却されないため加熱／急冷という処理
を経ることにより熱応力を受けて新たな転位が発生し、
反りの原因になるという問題がある。
り作成されたウエハの転位を固着する方法によると、加
熱処理の過程で酸素析出物２が生じる場合がある。従っ
て、この状態で冷却した場合、酸素析出物２がウエハ内
部に残存し、酸素析出物２の周辺部に新たな転位が発生
する等、好ましくない。このため、ウエハを温度約1000
℃以上に加熱して酸素析出物２を溶解し、転位を除去し
ているが、ウエハの口径が大きくなってくると、ウエハ
が均一に加熱／冷却されないため加熱／急冷という処理
を経ることにより熱応力を受けて新たな転位が発生し、
反りの原因になるという問題がある。
【０００９】また、図４（ａ），（ｂ）に示すように、
ＦＺ法により作成されたウエハ３に窒素を導入して転位
を固着する方法では、高温の熱処理を行うと、窒素がウ
エハ３の外へ外方拡散して抜けてしまうため、転位の固
着が行われず反りの防止が不十分になるという問題があ
る。
ＦＺ法により作成されたウエハ３に窒素を導入して転位
を固着する方法では、高温の熱処理を行うと、窒素がウ
エハ３の外へ外方拡散して抜けてしまうため、転位の固
着が行われず反りの防止が不十分になるという問題があ
る。
【００１０】本発明はかかる従来例の問題点に鑑み創作
されたものであり、加熱処理を行っても、酸素が析出し
にくく、転位の発生を一層よく抑制することが可能なウ
エハ及びその作成方法の提供を目的とする。
されたものであり、加熱処理を行っても、酸素が析出し
にくく、転位の発生を一層よく抑制することが可能なウ
エハ及びその作成方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、一の濃度の
酸素と該一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）とｐ型不純物
とを含有するシリコンウエハであって、前記ｐ型不純物
及びリチウム（Ｌｉ）は互いの発生するキャリア濃度を
補償し、比抵抗が１Ω・ｃｍ以上となっていることを特
徴とするウエハによって達成され、第２に、前記ｐ型不
純物は、ボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウ
ム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔｌ）
のうち少なくともいずれか一つの元素であることを特徴
とする第１の発明に記載のウエハによって達成され、第
３に、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、一の濃度
の酸素及びｐ型不純物を含有するシリコンウエハを作成
した後、前記ウエハの周辺部を面取りし、その後、前記
ウエハを加熱された錫−リチウム溶液に浸漬して、前記
一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）を前記ウエハに導入
し、１Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有するウエハを作成する
ことを特徴とするウエハの作成方法によって達成され、
第４に、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、一の濃
度の酸素及びｐ型不純物を含有するシリコンウエハを作
成した後、前記ウエハの周辺部を面取りし、その後、前
記一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）をイオン注入により
前記ウエハに導入した後、加熱処理を行い、１Ω・ｃｍ
以上の比抵抗を有するウエハを作成することを特徴とす
るウエハの作成方法によって達成され、第５に、前記ｐ
型不純物は、ボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガ
リウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔ
ｌ）のうち少なくともいずれか一つの元素であることを
特徴とする第３又は第４の発明に記載のウエハの作成方
法によって達成される。
酸素と該一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）とｐ型不純物
とを含有するシリコンウエハであって、前記ｐ型不純物
及びリチウム（Ｌｉ）は互いの発生するキャリア濃度を
補償し、比抵抗が１Ω・ｃｍ以上となっていることを特
徴とするウエハによって達成され、第２に、前記ｐ型不
純物は、ボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウ
ム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔｌ）
のうち少なくともいずれか一つの元素であることを特徴
とする第１の発明に記載のウエハによって達成され、第
３に、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、一の濃度
の酸素及びｐ型不純物を含有するシリコンウエハを作成
した後、前記ウエハの周辺部を面取りし、その後、前記
ウエハを加熱された錫−リチウム溶液に浸漬して、前記
一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）を前記ウエハに導入
し、１Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有するウエハを作成する
ことを特徴とするウエハの作成方法によって達成され、
第４に、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、一の濃
度の酸素及びｐ型不純物を含有するシリコンウエハを作
成した後、前記ウエハの周辺部を面取りし、その後、前
記一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）をイオン注入により
前記ウエハに導入した後、加熱処理を行い、１Ω・ｃｍ
以上の比抵抗を有するウエハを作成することを特徴とす
るウエハの作成方法によって達成され、第５に、前記ｐ
型不純物は、ボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガ
リウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔ
ｌ）のうち少なくともいずれか一つの元素であることを
特徴とする第３又は第４の発明に記載のウエハの作成方
法によって達成される。
【００１２】
【作 用】本発明に係る半導体基板の作成方法によれ
ば、面取り後にウエハにリチウム（Ｌｉ）を導入してい
る。
ば、面取り後にウエハにリチウム（Ｌｉ）を導入してい
る。
【００１３】ところで、図２（ｂ）に示すように、シリ
コンウエハ中の酸素はＳｉ−Ｓｉの結合間に割り込ん
で、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの形で存在している。Ｓｉ−Ｏ−Ｓ
ｉのなす角は１６０度程度であり、酸素は両側のシリコ
ン原子を結ぶ軸の回りで回転運動を行う。酸素の拡散は
加熱等により運動エネルギが増大したときに生じ、これ
が酸素析出物の速さを決める要因の一つになると考えら
れる。また、図２（ａ）に示すように、リチウムは酸素
原子と結合し、酸素原子を固定する作用があることが知
られている。
コンウエハ中の酸素はＳｉ−Ｓｉの結合間に割り込ん
で、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの形で存在している。Ｓｉ−Ｏ−Ｓ
ｉのなす角は１６０度程度であり、酸素は両側のシリコ
ン原子を結ぶ軸の回りで回転運動を行う。酸素の拡散は
加熱等により運動エネルギが増大したときに生じ、これ
が酸素析出物の速さを決める要因の一つになると考えら
れる。また、図２（ａ）に示すように、リチウムは酸素
原子と結合し、酸素原子を固定する作用があることが知
られている。
【００１４】従って、リチウムをシリコン結晶中に添加
すると、酸素の熱的な運動が凍結されるので、酸素析出
物の発生を抑制することができる。また、上記のリチウ
ムの作用はウエハの比抵抗が大きい程その効果は大きく
なることが知られている。例えば１Ω・ｃｍ以上で酸素
原子がリチウムと結合する確率は８０〜９０％と高く、
形成されたＬｉ−Ｏ複合体は安定である（参考文献：Ph
ysical Review 138, A1775(1965)）。更に、リチウムは
シリコン結晶中でｎ型の導電型不純物となることが知ら
れている。
すると、酸素の熱的な運動が凍結されるので、酸素析出
物の発生を抑制することができる。また、上記のリチウ
ムの作用はウエハの比抵抗が大きい程その効果は大きく
なることが知られている。例えば１Ω・ｃｍ以上で酸素
原子がリチウムと結合する確率は８０〜９０％と高く、
形成されたＬｉ−Ｏ複合体は安定である（参考文献：Ph
ysical Review 138, A1775(1965)）。更に、リチウムは
シリコン結晶中でｎ型の導電型不純物となることが知ら
れている。
【００１５】従って、ウエハ中に予め相当のｐ型の導電
型不純物、例えばボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａ
ｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリ
ウム（Ｔｌ）のうち少なくともいずれか一つの元素を導
入することにより、リチウムから生じたｎ型のキャリア
を補償して、ウエハの比抵抗を高抵抗、例えば１Ω・ｃ
ｍ以上にすることができる。これにより、リチウムが酸
素原子を結合・固定する作用をより有効に行わしめ、酸
素析出物の発生を防止することが出来る。
型不純物、例えばボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａ
ｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリ
ウム（Ｔｌ）のうち少なくともいずれか一つの元素を導
入することにより、リチウムから生じたｎ型のキャリア
を補償して、ウエハの比抵抗を高抵抗、例えば１Ω・ｃ
ｍ以上にすることができる。これにより、リチウムが酸
素原子を結合・固定する作用をより有効に行わしめ、酸
素析出物の発生を防止することが出来る。
【００１６】しかも、酸素析出物の形成が抑制されるの
で、面取り後などに転位が生じにくくなる。
で、面取り後などに転位が生じにくくなる。
【００１７】
【実施例】以下に、本発明の実施例に係るウエハの作成
方法について図を参照しながら説明する。
方法について図を参照しながら説明する。
【００１８】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施例に
係る、反りの発生を抑制することが可能なウエハの作成
方法について説明する断面図である。まず、シリコンの
溶液に、ボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウ
ム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔｌ）
のうち少なくともいずれか一つの元素を添加し、ＣＺ法
により濃度約１×１０19ｃｍ-3のｐ型不純物を含むシリ
コン単結晶を作成した後、厚さ約５００μｍの板状にな
るようにスライスし、ウエハ１１を作成する。このと
き、ＣＺ法に特有の作用によりウエハ１１中には濃度約
１×１０18ｃｍ-3の酸素が自然にドープされているとす
る（図１（ａ））。
係る、反りの発生を抑制することが可能なウエハの作成
方法について説明する断面図である。まず、シリコンの
溶液に、ボロン（Ｂ），アルミニウム（Ａｌ），ガリウ
ム（Ｇａ），インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔｌ）
のうち少なくともいずれか一つの元素を添加し、ＣＺ法
により濃度約１×１０19ｃｍ-3のｐ型不純物を含むシリ
コン単結晶を作成した後、厚さ約５００μｍの板状にな
るようにスライスし、ウエハ１１を作成する。このと
き、ＣＺ法に特有の作用によりウエハ１１中には濃度約
１×１０18ｃｍ-3の酸素が自然にドープされているとす
る（図１（ａ））。
【００１９】次いで、ウエハ１１の周辺部を機械的研磨
により面取りする。このとき、ウエハ11ａには研磨中の
機械的歪みにより転移が発生するが、これらの転位は、
酸素により固着される。（図１（ｂ））。
により面取りする。このとき、ウエハ11ａには研磨中の
機械的歪みにより転移が発生するが、これらの転位は、
酸素により固着される。（図１（ｂ））。
【００２０】次に、リチウム（Ｌｉ）をウエハ11ａに導
入するため、温度９００℃に加熱したＳｎ−Ｌｉ溶液に
ウエハ11ａを浸漬する。このとき、ウエハ11ａの比抵抗
が可能な限り高くなるように適当な時間保持する。例え
ば、ウエハ11ａの厚さが５００μｍ，ｐ型不純物濃度１
×１０19ｃｍの場合で３０秒である（図１（ｃ））。こ
の処理により、リチウムがウエハ11ａ内に導入されると
ともに、リチウムは酸素と結合する。更に、ウエハ11ａ
内に導入されたリチウムから発生するキャリアはｐ型不
純物から発生するキャリアにより補償され、ウエハ11ａ
の比抵抗は約７００Ω・ｃｍになる。このため、リチウ
ム−酸素の結合はより強固になり、加熱／急冷という処
理を行っても、酸素が運動せず、従来のような酸素析出
物は生じない。なお、ｐ型不純物のドープ量とリチウム
導入の際の温度，時間条件を適当に調整しておくことよ
り、リチウム導入後のウエハ11ａの比抵抗をある程度制
御することができる。
入するため、温度９００℃に加熱したＳｎ−Ｌｉ溶液に
ウエハ11ａを浸漬する。このとき、ウエハ11ａの比抵抗
が可能な限り高くなるように適当な時間保持する。例え
ば、ウエハ11ａの厚さが５００μｍ，ｐ型不純物濃度１
×１０19ｃｍの場合で３０秒である（図１（ｃ））。こ
の処理により、リチウムがウエハ11ａ内に導入されると
ともに、リチウムは酸素と結合する。更に、ウエハ11ａ
内に導入されたリチウムから発生するキャリアはｐ型不
純物から発生するキャリアにより補償され、ウエハ11ａ
の比抵抗は約７００Ω・ｃｍになる。このため、リチウ
ム−酸素の結合はより強固になり、加熱／急冷という処
理を行っても、酸素が運動せず、従来のような酸素析出
物は生じない。なお、ｐ型不純物のドープ量とリチウム
導入の際の温度，時間条件を適当に調整しておくことよ
り、リチウム導入後のウエハ11ａの比抵抗をある程度制
御することができる。
【００２１】以上のようにして、面取りによる転位が酸
素で固着された後は、酸素の拡散はＬｉとの結合によっ
て抑制されて、酸素析出物が形成されにくくなるので、
新たな転位の発生が抑制され、反りが抑制されたウエハ
11ａの作成が完了する。その後、このウエハ11ａを用い
て、素子形成を行うが、高密度化のためのパターンの微
細化が行われた場合でも、ウエハの反りが抑制されてい
るので、フォトリソグラフィにより形成されるパターン
精度の低下を防止することができる。
素で固着された後は、酸素の拡散はＬｉとの結合によっ
て抑制されて、酸素析出物が形成されにくくなるので、
新たな転位の発生が抑制され、反りが抑制されたウエハ
11ａの作成が完了する。その後、このウエハ11ａを用い
て、素子形成を行うが、高密度化のためのパターンの微
細化が行われた場合でも、ウエハの反りが抑制されてい
るので、フォトリソグラフィにより形成されるパターン
精度の低下を防止することができる。
【００２２】以上のように、本発明の実施例によれば、
転位固着のための酸素が導入されているウエハ11ａに通
常より高濃度のｐ型不純物をドープした上で面取り後の
ウエハ11ａにリチウムを導入している。従って、ｎ型の
導電型不純物であるリチウムより発生するキャリアがｐ
型不純物より発生するキャリアにより補償されて、リチ
ウム導入後のウエハ11ａの比抵抗は大きくなるため、リ
チウムが酸素原子を結合・固定する作用をより有効に行
わしめ、酸素析出物の発生を防止することが出来る。
転位固着のための酸素が導入されているウエハ11ａに通
常より高濃度のｐ型不純物をドープした上で面取り後の
ウエハ11ａにリチウムを導入している。従って、ｎ型の
導電型不純物であるリチウムより発生するキャリアがｐ
型不純物より発生するキャリアにより補償されて、リチ
ウム導入後のウエハ11ａの比抵抗は大きくなるため、リ
チウムが酸素原子を結合・固定する作用をより有効に行
わしめ、酸素析出物の発生を防止することが出来る。
【００２３】なお、実施例ではＣＺ法により作成され、
酸素を多量に含むウエハ１１について本発明を適用して
いるが、ＦＺ法により作成され、酸素がイオン注入によ
り導入されたウエハについても本発明の適用が可能であ
る。
酸素を多量に含むウエハ１１について本発明を適用して
いるが、ＦＺ法により作成され、酸素がイオン注入によ
り導入されたウエハについても本発明の適用が可能であ
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウエ
ハの作成方法によれば、転位固着のための酸素が導入さ
れているウエハに酸素濃度以上のｐ型不純物をドープし
た上で面取り後のウエハにリチウムを導入している。従
って、シリコン結晶中でｎ型の導電型不純物となるリチ
ウムより発生するキャリアはｐ型不純物より発生するキ
ャリアにより補償されて、リチウム導入後のウエハの比
抵抗は大きくなるため、リチウムが酸素原子を結合・固
定する作用をより有効に行わしめ、面取り後の酸素析出
物の発生を防止することが出来る。
ハの作成方法によれば、転位固着のための酸素が導入さ
れているウエハに酸素濃度以上のｐ型不純物をドープし
た上で面取り後のウエハにリチウムを導入している。従
って、シリコン結晶中でｎ型の導電型不純物となるリチ
ウムより発生するキャリアはｐ型不純物より発生するキ
ャリアにより補償されて、リチウム導入後のウエハの比
抵抗は大きくなるため、リチウムが酸素原子を結合・固
定する作用をより有効に行わしめ、面取り後の酸素析出
物の発生を防止することが出来る。
【００２５】これにより、高密度化のためのパターンの
微細化が行われた場合でも、酸素による転位の固着と酸
素析出物による新たな転位の発生の抑制とによりウエハ
の反りが抑制されるので、フォトリソグラフィにより形
成されるパターン精度の低下を防止すること等ができ
る。
微細化が行われた場合でも、酸素による転位の固着と酸
素析出物による新たな転位の発生の抑制とによりウエハ
の反りが抑制されるので、フォトリソグラフィにより形
成されるパターン精度の低下を防止すること等ができ
る。
【図１】本発明の実施例に係るウエハの作成方法につい
て説明する断面図である。
て説明する断面図である。
【図２】本発明の作用・効果について説明する図であ
る。
る。
【図３】従来例に係るウエハの作成方法について説明す
る断面図である。
る断面図である。
【図４】他の従来例に係るウエハの作成方法について説
明する断面図である。
明する断面図である。
１１，11ａ ウエハ基板（半導体基板）、
Claims (5)
- 【請求項１】 一の濃度の酸素と該一の濃度以上のリチ
ウム（Ｌｉ）とｐ型不純物とを含有するシリコンウエハ
であって、前記ｐ型不純物及びリチウム（Ｌｉ）は互い
の発生するキャリア濃度を補償し、比抵抗が１Ω・ｃｍ
以上となっていることを特徴とするウエハ。 - 【請求項２】 前記ｐ型不純物は、ボロン（Ｂ），アル
ミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉ
ｎ）及びタリウム（Ｔｌ）のうち少なくともいずれか一
つの元素であることを特徴とする請求項１記載のウエ
ハ。 - 【請求項３】 チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、
一の濃度の酸素及びｐ型不純物を含有するシリコンウエ
ハを作成した後、前記ウエハの周辺部を面取りし、その
後、前記ウエハを加熱された錫−リチウム溶液に浸漬し
て、前記一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）を前記ウエハ
に導入し、１Ω・ｃｍ以上の比抵抗を有するウエハを作
成することを特徴とするウエハの作成方法。 - 【請求項４】 チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、
一の濃度の酸素及びｐ型不純物を含有するシリコンウエ
ハを作成した後、前記ウエハの周辺部を面取りし、その
後、前記一の濃度以上のリチウム（Ｌｉ）をイオン注入
により前記ウエハに導入した後、加熱処理を行い、１Ω
・ｃｍ以上の比抵抗を有するウエハを作成することを特
徴とするウエハの作成方法。 - 【請求項５】 前記ｐ型不純物は、ボロン（Ｂ），アル
ミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ），インジウム（Ｉ
ｎ）及びタリウム（Ｔｌ）のうち少なくともいずれか一
つの元素であることを特徴とする請求項３又は請求項４
記載のウエハの作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4244689A JPH0697014A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | ウエハ及びその作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4244689A JPH0697014A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | ウエハ及びその作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697014A true JPH0697014A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17122480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4244689A Withdrawn JPH0697014A (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | ウエハ及びその作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244446A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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1992
- 1992-09-14 JP JP4244689A patent/JPH0697014A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244446A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-10-09 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
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