JPS6035746A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6035746A JPS6035746A JP12135984A JP12135984A JPS6035746A JP S6035746 A JPS6035746 A JP S6035746A JP 12135984 A JP12135984 A JP 12135984A JP 12135984 A JP12135984 A JP 12135984A JP S6035746 A JPS6035746 A JP S6035746A
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- JP
- Japan
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- sih4
- film
- glow discharge
- depositing
- thick
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真感光体に関する。
従来例の構成とその問題点
従来電子写真感光体の光導電層は、ＣｄＳ、ＺｎＯ等の
巖粉末を有機物中に分散塗布したもの、 ＡｓやＴｅを
添加した非晶質Ｓｓ 、ポリビニルカルバゾールやトリ
ニ１−ロフルオレン等の有機半導体曽が用いられて来た
。しかし非晶質Ｓｅ系の飼料はＡ：）Ｊ釆１組成の制御
がφ１１かしく、更に高温環境十では結晶化による特性
変化の＆ｉｌＬ点、更に又それ自体が人体に対し有害物
質でないとは言い切れぬため使用済の感光板を回収して
集中処理しなければならぬ問題等が残っている。ＣｄＳ
やＺｎＯ等の樹脂分散系の月別はその特性の湿度依存性
の故に、湿気の多い雰Ｗ」気中では良質画像を得にくい
という欠点かある。イ」機動系の感光板はその毒性の問
題、耐刷性に劣る欠点を有している。
巖粉末を有機物中に分散塗布したもの、 ＡｓやＴｅを
添加した非晶質Ｓｓ 、ポリビニルカルバゾールやトリ
ニ１−ロフルオレン等の有機半導体曽が用いられて来た
。しかし非晶質Ｓｅ系の飼料はＡ：）Ｊ釆１組成の制御
がφ１１かしく、更に高温環境十では結晶化による特性
変化の＆ｉｌＬ点、更に又それ自体が人体に対し有害物
質でないとは言い切れぬため使用済の感光板を回収して
集中処理しなければならぬ問題等が残っている。ＣｄＳ
やＺｎＯ等の樹脂分散系の月別はその特性の湿度依存性
の故に、湿気の多い雰Ｗ」気中では良質画像を得にくい
という欠点かある。イ」機動系の感光板はその毒性の問
題、耐刷性に劣る欠点を有している。
とｔら従来技術の欠点を改良し得る期待のある４メ制と
して最近非晶質Ｓｉ （以下ａ 、Ｓｉと略称する）が
注口されており、例えば特開昭５４−７８１３５号公報
や同５４−８６３４１号公報、同６４−１４５５３９号
公報等にその期待されるイ１用性が開示されている。
して最近非晶質Ｓｉ （以下ａ 、Ｓｉと略称する）が
注口されており、例えば特開昭５４−７８１３５号公報
や同５４−８６３４１号公報、同６４−１４５５３９号
公報等にその期待されるイ１用性が開示されている。
しかし、前記公報ではカールソン方式の電子写真用ｊ・
δ光体として、耐光性、耐コロナ性、耐摩ＪＴ）性の点
から、合成樹脂又はセルロース誘導体を表面１皮Ｍ層と
して設けることが示されているか、これらに１、フィル
ム状のものを接着剤を介して貼合するか、又は表面波色
層形成ＡＡ粗を塗布して形成さＪする／゛シに、光導電
層を形成する装置とは別の装置を設置する必要があるた
め、設備投資の著しい増大があって、昨今の様な減速経
済成長期においては甚だ芳しくないことが指摘されてい
る（特開１１／ｆ ５４−８６３４１号公報）。
δ光体として、耐光性、耐コロナ性、耐摩ＪＴ）性の点
から、合成樹脂又はセルロース誘導体を表面１皮Ｍ層と
して設けることが示されているか、これらに１、フィル
ム状のものを接着剤を介して貼合するか、又は表面波色
層形成ＡＡ粗を塗布して形成さＪする／゛シに、光導電
層を形成する装置とは別の装置を設置する必要があるた
め、設備投資の著しい増大があって、昨今の様な減速経
済成長期においては甚だ芳しくないことが指摘されてい
る（特開１１／ｆ ５４−８６３４１号公報）。
発明の目的
本発明は、この利ネ」技術」二の主要な問題点すなわち
、製造時においては同系の真空装置内で順次形成用能な
、耐コロナイオン性、耐光疲労性に優れた、長期くり返
し使用にも電子写真特性を劣化させることのない優れた
電子写真感光体を提供することを目的とする。
、製造時においては同系の真空装置内で順次形成用能な
、耐コロナイオン性、耐光疲労性に優れた、長期くり返
し使用にも電子写真特性を劣化させることのない優れた
電子写真感光体を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体に形成された
優れた光導電性を有する非晶質シリコンと、その自由表
面上に、保護膜として、炭化珪素まプこは窒化珪素を設
けた構成よりなる。
優れた光導電性を有する非晶質シリコンと、その自由表
面上に、保護膜として、炭化珪素まプこは窒化珪素を設
けた構成よりなる。
実施例の説明
以下本発明を実施例と吉もに図面を参照しつつ説明する
。
。
第１図は本発明を実施するだめの装置の−・実施態様を
模式的に示す図である。１は堆積袋間の外壁で、内部に
は加熱基板ホルタ−２と接して基板３．３′・・・・・
が設置され、載板ホルタ−２と７１向して苅向電（“１
ν（４が配置され、基板ポルター２と文・ｊ向電伜４間
に高周波電圧又は直流電圧が印加される。
模式的に示す図である。１は堆積袋間の外壁で、内部に
は加熱基板ホルタ−２と接して基板３．３′・・・・・
が設置され、載板ホルタ−２と７１向して苅向電（“１
ν（４が配置され、基板ポルター２と文・ｊ向電伜４間
に高周波電圧又は直流電圧が印加される。
原オ；１カスはそれぞれの容器より堆積装置ｆｆ内部に
導入さＪｌ、ガスを均一に分配するため多数の小孔（図
ボ田ず）をもちかつその内部は大きなガスコンタククン
スを有する分配配管６，６′等から噴出し、］ジ１気管
６よシ排気される。原料ガスが導入された状態で１内は
１０’−２Ｔｏｒｒ ヘ１０７Ｔｏｒｒの範囲でグロー
放電が行われ、基板上に所望の非晶質膜を堆積する。７
〜１３は厚相ガスボンベであり、祁υ順にそれぞれ、５
ＩＨ４，Ｃ２Ｈ４，ＰＨ３゜Ｇａ（ＯＨ５） ３１ Ｂ
２Ｈ６１Ｎ２０１ ＮＨ３を含有しティる。なおＳｉＨ
４はＨｅ稀釈のもの、及びＡｒ稀釈のものを比較のため
に取り換えて用い、また容器１２には０２．Ｎ２０．Ｃ
０２を比較のため取換えてて用い、ＰＨ，、Ｂ２Ｈ６は
Ｈｅ稀釈のもの、Ｇａ（ＯＨ３）３の容１３は温度制御
しかつＨｅを／（プルさせることによりガス導入量を制
御できる。１４〜２ｏは流量計、２１〜２７は流量制御
用ニドル弁、２８〜３４は閉止弁である。
導入さＪｌ、ガスを均一に分配するため多数の小孔（図
ボ田ず）をもちかつその内部は大きなガスコンタククン
スを有する分配配管６，６′等から噴出し、］ジ１気管
６よシ排気される。原料ガスが導入された状態で１内は
１０’−２Ｔｏｒｒ ヘ１０７Ｔｏｒｒの範囲でグロー
放電が行われ、基板上に所望の非晶質膜を堆積する。７
〜１３は厚相ガスボンベであり、祁υ順にそれぞれ、５
ＩＨ４，Ｃ２Ｈ４，ＰＨ３゜Ｇａ（ＯＨ５） ３１ Ｂ
２Ｈ６１Ｎ２０１ ＮＨ３を含有しティる。なおＳｉＨ
４はＨｅ稀釈のもの、及びＡｒ稀釈のものを比較のため
に取り換えて用い、また容器１２には０２．Ｎ２０．Ｃ
０２を比較のため取換えてて用い、ＰＨ，、Ｂ２Ｈ６は
Ｈｅ稀釈のもの、Ｇａ（ＯＨ３）３の容１３は温度制御
しかつＨｅを／（プルさせることによりガス導入量を制
御できる。１４〜２ｏは流量計、２１〜２７は流量制御
用ニドル弁、２８〜３４は閉止弁である。
第１図の装置によシ、先ずＡｒ稀釈のＳｉＨ４とＨｅ稀
釈のＳｉＨ４を用いて、従来法によりノンドープａ 、
Ｓｉを堆積させた。膜の暗比抵抗は稀釈ガスによシ特
に差はなく１０８〜１０１０Ω・眞 の範を用いた場合
の膜のはがれの頻度はＨｅ稀釈のものの方が少なかった
。更に堆積膜を加熱し、放出ガスの質量分析を行ったと
ころ、Ａｒ稀釈ＳｉＨ４による堆積膜からは従来公知の
ようにＡｒの放出が認められたが、Ｈｅ 腑Ｈ釈ＳｉＨ
４を用いた膜からは分析装置のバックグラウンド以上の
Ｈｅは検出されなかった。以−１二により以下の実験は
Ｈｅ稀釈のＳｉＨ４を用いた。
釈のＳｉＨ４を用いて、従来法によりノンドープａ 、
Ｓｉを堆積させた。膜の暗比抵抗は稀釈ガスによシ特
に差はなく１０８〜１０１０Ω・眞 の範を用いた場合
の膜のはがれの頻度はＨｅ稀釈のものの方が少なかった
。更に堆積膜を加熱し、放出ガスの質量分析を行ったと
ころ、Ａｒ稀釈ＳｉＨ４による堆積膜からは従来公知の
ようにＡｒの放出が認められたが、Ｈｅ 腑Ｈ釈ＳｉＨ
４を用いた膜からは分析装置のバックグラウンド以上の
Ｈｅは検出されなかった。以−１二により以下の実験は
Ｈｅ稀釈のＳｉＨ４を用いた。
次に８１ Ｈ４ｉ（ｉに交１してＰＨ３，及びＢ２Ｈ６
濃度を：”）１０ ｐｐｍ〜３係捷で添加量を変化させ
て、ドーピ〕ノング濃度と室温暗比抵抗（ρｎ）の関係
を調べたところ、５ｐｅａｒ等５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｃｏｍｍ１ｎｕｃａｔｉｏｎ１７．１１９３（１９ア
ロ）による報告と大略一致した特性を有し、特に室温暗
比抵抗（ρＤ）の最大鎖は１０１２Ω・品のオーダーで
、その製作条件＆：１Ｂ、、ｕ６／５ｉＨ４−＝ （１
ｉｏ、５） Ｘ １０２ ｐｐｍの面く限らＪまた範４
与しか得られぬことが再確認された。
濃度を：”）１０ ｐｐｍ〜３係捷で添加量を変化させ
て、ドーピ〕ノング濃度と室温暗比抵抗（ρｎ）の関係
を調べたところ、５ｐｅａｒ等５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ
Ｃｏｍｍ１ｎｕｃａｔｉｏｎ１７．１１９３（１９ア
ロ）による報告と大略一致した特性を有し、特に室温暗
比抵抗（ρＤ）の最大鎖は１０１２Ω・品のオーダーで
、その製作条件＆：１Ｂ、、ｕ６／５ｉＨ４−＝ （１
ｉｏ、５） Ｘ １０２ ｐｐｍの面く限らＪまた範４
与しか得られぬことが再確認された。
次に、第１図の装置中に石英ガラス、Ａｌを蒸着した４
、１１美ガラス、高純度Ｓｉ単結晶板をそれぞれ基板と
して設置し、Ｂ、、Ｈ６／５ｉＨ４＝１００ｐｐｍ 。
、１１美ガラス、高純度Ｓｉ単結晶板をそれぞれ基板と
して設置し、Ｂ、、Ｈ６／５ｉＨ４＝１００ｐｐｍ 。
Ｎ２０／５ＩＨ４約６％、括板温度２５０’Ｃの条件十
で通常のクロー放電によりドープされたａ −Ｓｉを約
１０μ用堆積した。石英ガラス上の堆積膜にクロム蒸着
により平行電極を形成した試粗から室温暗化１Ｌ（抗１
０１５〜１ｏ１４Ω、・薗が得られた。高純度Ｓｉ ｉ
、ｌｊ結晶板」二に堆積した試料の赤外吸収４１号定か
ら、Ｓｉ −Ｈの吸収に加えてＳｉＯ同有の強い吸収ス
ペクトルが観察された。ここで本実施例及び前記した予
備実験より得られた非晶質シリコン（ａ−８ｉ）試料の
電導度（ρ）の照射光量依存性を第２図に示す。図中の
線ａ、ｂ、ｃは各々ＳｉＨ４のみから堆積したノンドー
プ試別、Ｂ２Ｈ６をＳｉＨ４に添加しＢをドープした試
料、Ｂ２Ｈ６とＮ２０をＳｉＨ４に添加しＢとＯをドー
プした試料の特性を示す。図の縦軸上の丸印は暗電導度
（ρＤ）を示している。図から明白なように、ρＤはＢ
を１・−プする事により１０−１２の程度まで、更にＢ
と０をドープすることによ！ｌ１１０”の程度捷で減少
している。しかしこれらの不純物の添加によっても各試
料は十分な光導電性を保持している。
で通常のクロー放電によりドープされたａ −Ｓｉを約
１０μ用堆積した。石英ガラス上の堆積膜にクロム蒸着
により平行電極を形成した試粗から室温暗化１Ｌ（抗１
０１５〜１ｏ１４Ω、・薗が得られた。高純度Ｓｉ ｉ
、ｌｊ結晶板」二に堆積した試料の赤外吸収４１号定か
ら、Ｓｉ −Ｈの吸収に加えてＳｉＯ同有の強い吸収ス
ペクトルが観察された。ここで本実施例及び前記した予
備実験より得られた非晶質シリコン（ａ−８ｉ）試料の
電導度（ρ）の照射光量依存性を第２図に示す。図中の
線ａ、ｂ、ｃは各々ＳｉＨ４のみから堆積したノンドー
プ試別、Ｂ２Ｈ６をＳｉＨ４に添加しＢをドープした試
料、Ｂ２Ｈ６とＮ２０をＳｉＨ４に添加しＢとＯをドー
プした試料の特性を示す。図の縦軸上の丸印は暗電導度
（ρＤ）を示している。図から明白なように、ρＤはＢ
を１・−プする事により１０−１２の程度まで、更にＢ
と０をドープすることによ！ｌ１１０”の程度捷で減少
している。しかしこれらの不純物の添加によっても各試
料は十分な光導電性を保持している。
以Ｊｌ ａ−８ｉ堆積のための従来技術の検証を行った
後、本発明の実施を行なった。
後、本発明の実施を行なった。
〔実施例１〕
第１図の堆積装置中に、Ａ１を蒸着した石英ガラスを設
置し、基板温度を２６０℃に加熱し、先ずＰＨ３／５ｉ
Ｈ４＝３％の混合ガスのクロー放電により、ｎ＋層を約
５００人堆積した。続いて、Ｂ２Ｈ６／ ５ｉＨ４＝
１ｏ０ ｐｐｍ １Ｎ２０ ／ ＳｉＨ４約６％の条件
下でａ −Ｓｉを約１０μｍ グロー放電により堆積し
た。この感光体の構成を、第３図に示す。
置し、基板温度を２６０℃に加熱し、先ずＰＨ３／５ｉ
Ｈ４＝３％の混合ガスのクロー放電により、ｎ＋層を約
５００人堆積した。続いて、Ｂ２Ｈ６／ ５ｉＨ４＝
１ｏ０ ｐｐｍ １Ｎ２０ ／ ＳｉＨ４約６％の条件
下でａ −Ｓｉを約１０μｍ グロー放電により堆積し
た。この感光体の構成を、第３図に示す。
４１は石英ガラス、−４はＡ１膜、４５ばｎ１層、４２
はａ −Ｓｉ層である。
はａ −Ｓｉ層である。
しかし、このような構造の電子写真感光体は、第４図の
ように優れた暗減辰特性をイｊするが、−７Ｏ００Ｖの
コロナ放電と光照射の繰り返し後、暗中コロナ放電によ
り、帯電表面電位を測定したところ、第６図の曲線ｆに
示すように、初期帯電電位が大幅に低下する。これに苅
し、本発明に従って、更にＳｉＨ４とＮＨ３ガスを堆積
装置中に導入してクロー放電分解を行ない、窒化珪素膜
を約１０００人堆積した第６図の構造では４９が窒化］
十に膜である。
ように優れた暗減辰特性をイｊするが、−７Ｏ００Ｖの
コロナ放電と光照射の繰り返し後、暗中コロナ放電によ
り、帯電表面電位を測定したところ、第６図の曲線ｆに
示すように、初期帯電電位が大幅に低下する。これに苅
し、本発明に従って、更にＳｉＨ４とＮＨ３ガスを堆積
装置中に導入してクロー放電分解を行ない、窒化珪素膜
を約１０００人堆積した第６図の構造では４９が窒化］
十に膜である。
第６１ズＩの曲線ｑに示すように、帯電、光放電の繰返
しに苅する初期帯電電位の安全性が人ｌ］に向」してい
ることがわかった。
しに苅する初期帯電電位の安全性が人ｌ］に向」してい
ることがわかった。
〔実施例２〕
実施例１と同様のプロセスで第３図に示す構造を形成し
、更にＳｉＨ４とＣ２Ｈ４ガスを第１図の堆積装置に導
入してグロー放電分解を行ない、炭化珪素膜（ａ −Ｓ
ｉ、ＸＣｘ、 ｘ 〜０．７ ）を約１０００人堆積し
た（本実施例の素子構造は第６図と同様で、層４９がａ
−Ｓｉ、ｘＣｘよりなるものである）。
、更にＳｉＨ４とＣ２Ｈ４ガスを第１図の堆積装置に導
入してグロー放電分解を行ない、炭化珪素膜（ａ −Ｓ
ｉ、ＸＣｘ、 ｘ 〜０．７ ）を約１０００人堆積し
た（本実施例の素子構造は第６図と同様で、層４９がａ
−Ｓｉ、ｘＣｘよりなるものである）。
本実施例の電子写真感光体についても、−コロナ帯電直
後の初期帯電電位の帯電・光放電繰返し数に列する依存
性を測定したところ、実施例１と同様に特性が安定化さ
れることがわかった。
後の初期帯電電位の帯電・光放電繰返し数に列する依存
性を測定したところ、実施例１と同様に特性が安定化さ
れることがわかった。
発明の効果
り則二述べたように本発明によれば、非晶質シリコンを
主成分とする電子写真感光体において、同一装置にて順
次形成可能な窒化珪素又は炭化珪素膜をその自由表面に
形成することにより、優れた繰り返し安定性を有する電
子写真感光体が得られた。
主成分とする電子写真感光体において、同一装置にて順
次形成可能な窒化珪素又は炭化珪素膜をその自由表面に
形成することにより、優れた繰り返し安定性を有する電
子写真感光体が得られた。
捷だ、製造前では非常に簡便であり有用であることは明
らかであるが、一方樹脂等に比して高硬度の表面保護膜
のため、取り扱いが容易であることもまた明らかである
。
らかであるが、一方樹脂等に比して高硬度の表面保護膜
のため、取り扱いが容易であることもまた明らかである
。
また、以上本発明の説明では、ＳｉＨ４のグロー放電分
解による水素を含むａ −Ｓｉについて説明した。しか
し水素にかえて、他の１価元素例えばハロゲン族元素を
含有するものであっても良い。
解による水素を含むａ −Ｓｉについて説明した。しか
し水素にかえて、他の１価元素例えばハロゲン族元素を
含有するものであっても良い。
−」だ、ａ−８ｌ中には、窒素または酸素等の■族元素
を全くの不純物レベルのご＜＠−１．．ｌから光学的禁
止帯がかわる化合物レベル寸で添加しても良い。
を全くの不純物レベルのご＜＠−１．．ｌから光学的禁
止帯がかわる化合物レベル寸で添加しても良い。
さらに、有用な効果としては、第６図の曲線ｆ。
９との比較からも明らかなように、初期帯電電位が、本
発明による表面保護層を有することによって、約１．３
倍向」ニしていることは図より明らかである。
発明による表面保護層を有することによって、約１．３
倍向」ニしていることは図より明らかである。
第１図は本発明を実施するだめの装置の１実施態様を示
す図、第２図はノンドープ及びドープし／こ試別の電導
度の照射光量依存性を示す図、第３図ｔ」、従来例の構
成を示す図、第６図は本発明の実施例の構成を示す図、
迦′５４図（ｄ従来の構成の電子写（°１感光体の暗減
衰特性を示す図、第６図は従来及び本発明の繰返し帯電
による初期帯電電位の開化を示す図である。 １・・・・・・堆積装置外壁、２・・・・温度制御され
た基板ポルクー、３ ・基板、４・・・・・・電ｆｉｊ
ｓ １５・・・・・・ガス分配配管、６ °・υ［東口
、７〜１３・・・・原料ガスホンへ １４へ２０・・・
・・・ｋｆＡ計、２１へ２７・・・ニー１・゛ルバルク
、２８Ｐ−３４・・・・・閉止弁、４１・・・基板、４
０ ・・・導電膜、４５・・・・高濃度＋：ニ一層、４
２・・・・・光導電膜、４９ ・・・窒化膜又は非晶質
５ｉＣ８ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ｙ化 贋 （ルックＸ） 第３図 第 ４ 図 →■季ト アシ （オ）−ン
す図、第２図はノンドープ及びドープし／こ試別の電導
度の照射光量依存性を示す図、第３図ｔ」、従来例の構
成を示す図、第６図は本発明の実施例の構成を示す図、
迦′５４図（ｄ従来の構成の電子写（°１感光体の暗減
衰特性を示す図、第６図は従来及び本発明の繰返し帯電
による初期帯電電位の開化を示す図である。 １・・・・・・堆積装置外壁、２・・・・温度制御され
た基板ポルクー、３ ・基板、４・・・・・・電ｆｉｊ
ｓ １５・・・・・・ガス分配配管、６ °・υ［東口
、７〜１３・・・・原料ガスホンへ １４へ２０・・・
・・・ｋｆＡ計、２１へ２７・・・ニー１・゛ルバルク
、２８Ｐ−３４・・・・・閉止弁、４１・・・基板、４
０ ・・・導電膜、４５・・・・高濃度＋：ニ一層、４
２・・・・・光導電膜、４９ ・・・窒化膜又は非晶質
５ｉＣ８ 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 ｙ化 贋 （ルックＸ） 第３図 第 ４ 図 →■季ト アシ （オ）−ン
Claims (1)
- 光導電層が導電性支持体上に形成されており、上記光導
電層が非晶質シリコンを主成分とし、更に、その自山表
面側に窒化珪素まだは炭化珪素のいずれかを主成分とす
る表面保護層を形成したことを特徴とする電子写真感光
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12135984A JPS6035746A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12135984A JPS6035746A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 電子写真感光体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1811480A Division JPS56115573A (en) | 1980-02-15 | 1980-02-15 | Photoconductive element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6035746A true JPS6035746A (ja) | 1985-02-23 |
Family
ID=14809303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12135984A Pending JPS6035746A (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6035746A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783257A (en) * | 1994-06-17 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Method for forming doped polysilicon films |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54144553A (en) * | 1978-05-02 | 1979-11-10 | Toshiba Corp | Stop location controller of winder |
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP12135984A patent/JPS6035746A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54144553A (en) * | 1978-05-02 | 1979-11-10 | Toshiba Corp | Stop location controller of winder |
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
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| US5783257A (en) * | 1994-06-17 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Method for forming doped polysilicon films |
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