DE3424992A1

DE3424992A1 - Elektrophotographisches aufzeichnungsmaterial

Info

Publication number: DE3424992A1
Application number: DE19843424992
Authority: DE
Inventors: Toshio Iijima; Kazuhiro Kawajiri; Keishiro Kido; Nobuharu Kanagawa Nozaki; Hiroshi Sunagawa
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1983-07-06
Filing date: 1984-07-06
Publication date: 1985-01-17
Also published as: JPS6014248A; US4555464A

Description

PATENTANWÄLTE d 4 L· 4 <J CJ

dr. V. SCHMIED-KOWARZIK · dr. P. WEINHOLD · dr. P. BARZ · München DiPL-iNC. G. DANNENBERG- dr. D. GUDEL- dipl.-inc. S. SCHUBERT · Frankfurt

ZUGELASSENE VERTRETER BEIM EUROPÄISCHEN PATENTAMT

SIECFRIEDSTRASSE β βΟΟΟ MÜNCHEN 4O

TELEFONi (Οβ9) 335024 + 335025 TELECRAMMEi WIRPATENTE TELEX! 5215679

F2A-35528

Fuji Photo Film Co., Ltd.
No. 210, Nakanuma
Minami Ashigara-shi
Kanagawa
Japan

ELEKTROPHOTOGRAPHISCHES AUFZEICHNUNGSMATERIAL

Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial

Die Erfindung betrifft ein verbessertes elektrophotographisches lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial, in dem amorphes Silicium als photoleitfähiges Material verwendet wird.

Herkömmliche photoleitfähige Materialien für photoleitfähige Schichten von elektrophotographischen lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterialien sind anorganische Substanzen, wie amorphes Selen, Selenlegierungen, Metallverbindungs-Halbleiter (z.B. Oxide, Sulfide oder Selenide von Cadmium und Zink), organische Polymere, wie Polyvinylcarbazol und organische Verbindungen, z.B. Farbstoffe und Pigmente. In jüngerer Zeit ist vorgeschlagen worden, photoleitfähiges amorphes Silicium für photoleitfähige Schichten von elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien zu verwenden.

Bekannte Methoden zur Herstellung photoleitfähiger Schichten aus amorphem Silicium für elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien bestehen z.B. darin, eine Dispersion von pulverförmigem amorphem Silicium in einem Bindemittel aufzutragen oder ein siliciumhaltiges Gas, etwa ein Silan oder Silanderivat, durch Glimmentladung zu zersetzen und das entstehende Silicium auf einem leitenden Schichtträger abzuscheiden. Die Grundstruktur der auf diese Weise erhaltenen Aufzeichnungsmaterialien besteht aus einer photoleitfähigen Schicht aus amorphem Silicium, die Siliciumatome und Wasserstoff- und/oder Halogenatome enthält, auf einem leitenden Schichtträger.

Amorphes Silicium zeigt einen sehr schnellen Dunkelabfall, wodurch die Bilddichte beeinträchtigt wird. In extremen Fällen ist es überhaupt schwierig, Bilder zu erhalten. Um diese Nachteile von amorphem Silicium zu beheben, ist vorgeschlagen worden, auf die photoleitfähige Schicht aus ' ■ amorphem Silicium eine Sperrschicht, die hauptsächlich aus Kohlenstoff und Silicium besteht (JP-A-115 556/82), oder die hauptsächlich aus Stickstoff und Silicium besteht, (JP-A-58 160/82; US-A 4 394 426) oder die hauptsächlich aus Sauerstoff und Silicium besteht (JP-A-63 546/82; US-A-4 409 308) aufzubringen.

Elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien mit einer derartigen Sperrschicht an der Oberfläche haben jedoch den

l§ Nachteil, daß bei wiederholter Koronaentladung das Auflösungsvermögen wesentlich abnimmt, insbesondere bei negativer Koronaentladung bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit, wie sie typischerweise bei Sommerwetter herrschen. Dieser Nachteil tritt besonders dann zu Tage, wenn das Atomverhältnis Kohlenstoff/Kohlenstoff + Silicium in der Sperrschicht, die hauptsächlich aus Kohlenstoff und Silicium besteht, weniger als 0,75 beträgt.

Ziel der Erfindung ist es, ein elektrophotographisches lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial bereitzustellen, das auf einer photojLeitfähigen Schicht aus amorphem Silicium eine Sperrschicht aufweist, trotzdem aber keine Verringerung des Auflösungsvermögens erfährt, wenn die Koronaentladung bei hoher Temperatur und Feuchtigkeit gO durchgeführt wird.

Gegenstand der Erfindung ist ein elektrophotographisches lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial mit einem leitenden Schichtträger, der nacheinander eine photoleitfähige gg Schicht aus einem amorphen Material, das Siliciumatome enthält, und eine Sperrschicht aufweist, die hauptsäch-

lieh aus Kohlenstoff und Silicium, Stickstoff und Silicium oder Sauerstoff und Silicium besteht, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß auf der Sperrschicht eine Oberflächenschicht vorgesehen ist, die Kohlenstoff und Silicium enthält, wobei das Atomverhältnis von Kohlenstoff/Kohlenstoff + Silicium 0,70/1 bis 0,95/1 beträgt und dieses Atomverhältnis größer ist als das der Sperrschicht.

Bei herkömmlichen elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterialien kommt es bei wiederholter Koronaentladung unter Bedingungen hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit zu einer Verschlechterung des Auflösungsvermögens. Im Gegensatz dazu tritt bei dem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterial keinerlei Verschlechterung des Auflösungsvermögens auf, wenn man es einer unterbrochenen Koronaentladung aussetzt, z.B. 40 mal pro Minute über 30 bis 60 Minuten .

Die erfindungsgemäße Oberflächenschicht kann z.B. folgendermaßen hergestellt werden. Ein lichtempfindliches Material aus amorphem Silicium mit einer oberflächlichen Sperrschicht wird in einem dicht verschlossenen Behälter, z.B. einer Glasglocke, gehalten, und dreierlei Gase, nämlich Wasserstoff, ein eine siliciumhaltige Verbindung (z.B. ein Silan) enthaltendes Gas und ein eine kohlenstoffhaltige Verbindung (z.B. Hexafluorethan) enthaltendes Gas werden in einem Strömungsverhältnis von 40/4/40 bis 40/40/40 in den Behälter eingeleitet, worauf man auf der Oberfläche der Sperrschicht im Hochvakuum eine Glimmentladung durchführt. Hierdurch entsteht eine Oberflächenschicht mit einem Zusammensetzungsverhältnis Kohlenstoff/ Kohlenstoff + Silicium von 0,70 bis 0,95.

Die Dicke der Oberflächenschicht liegt vorzugsweise in einem Bereich von der Dicke einer monomolekularen Schicht bis zu 30 μΐη, insbesondere weniger als 3 μΐη. Das Verhältnis Kohlenstoff/Kohlenstoff + Silicium beträgt vorzugsweise 0,75 bis 0,90.

— β —

Der erfindungsgemäße Effekt ist besonders ausgeprägt, wenn die Oberflächenschicht Fluoratome enthält. Der Geha'lt an Fluoratomen beträgt vorzugsweise 1 bis 30 %, insbesondere 1 bis 10 %, der Gesamtatomzahl. Die Fluoratome können

b . in die Oberflächenschicht unter Verwendung eines Gases eingeführt werden, das aus einem Fluorid besteht oder dieses enthält.

Als siliciumhaltige Verbindungen für die Oberflächenschicht eignen sich die siliciumhaltigen Verbindungen, die zur Herstellung der erfindungsgemäßen photoleitfähigen Schicht verwendbar sind.

Beispiele für kohlenstoffhaltige Verbindungen zur Herstellung der Oberflächenschicht sind Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, wie Methan, Ethan, Propan, η-Butan, Isobutan, n-Pentan, Isopentan, Ethylen, Propylen, 1-Buten, Isobuten, 1-Penten, 2-Penten, Acetylen, Methylacetylen und Butin, sowie halogenierte Kohlenwasserstoffe, wie Methylfluorid, Ethylfluorid, Propylfluorid, Methylchlorid, Ethylchlorid, Methylbromid, Ethylbromid, Methyljodid, Difluormethan, Dichlormethan und Hexafluorethan. Diese Verbindungen können einzeln oder als Gemische verwendet werden.

Das bevorzugte Zusammensetzungsverhältnis der Sperrschicht, die hauptsächlich aus Kohlenstoff und Silicium besteht, beträgt 0,4 bis 0,9, insbesondere weniger als 0,75, bezogen auf C/Si+C. Der Kohlenstoffgehalt der Sperrschicht muß niedriger sein als der Kohlenstoffgehalt der Oberflächenschicht. Die hauptsächlich Kohlenstoff und Silicium enthaltende Sperrschicht läßt sich nach der in JP-A-115 556/82 beschriebenen Methode herstellen.

Bei einer hauptsächlich Stiffstoff und Silicium enthaltenden Sperrschicht beträgt der Gehalt an Stickstoffatomen vorzugsweise 25 bis 55 Atomprozent, insbesondere 35 bis 55 Atomprozent. Die hauptsächlich Stickstoff und Silicium enthaltende Sperrschicht kann z.B. nach der Methode von JP-A-58 160/82 hergestellt werden.

Die hauptsächlich Sauerstoff und Silicium enthaltende Sperrschicht enthält vorzugsweise 40 bis 65 Atomprozent Sauerstoffatome. Derartige Schichten lassen sich z.B. nach der Methode von JP-A-63 546/82 herstellen.

Elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien unter Verwendung einer photoleitfähigen Schicht aus amorphem !5 Silicium als lichtempfindlichen Material bestehen im wesentlichen aus einem leitenden Schichtträger und einer photoleitfähigen Schicht aus amorphem Silicium, die Siliciumatome und Wasserstoffatome enthält.

Der Aufbau und Herstellungsverfahren für derartige Materialien sind bekannt. Ein praktisches Verfahren besteht z.B. darin, auf einem leitenden Metall, wie Aluminium, Chrom oder F^ sen, oder einer entsprechenden Legierung (z.B. Edelstahl) aus einer Verbindung, die Silicium und Wasserstoff enthält, oder aus einem Gemisch derartiger Verbindungen, z.B. durch Glimmentladung, Sputtern, Aufdampfen oder Ionenplattieren eine photoleitfähige Schicht aus amorphem Silicium auszubilden.

im folgenden wird die Erfindung anhand der Herstellung eines elektrophotographisehen Aufzeichnungsmaterials durch Glimmentladung näher erläutert, die ein typisches Herstellungsverfahren für photoleitfähige Schichten aus amorphem Silicium ist.

Jm allgemeinen besteht dieses Verfahren darin, eine gasförmige Verbindung, z.B. ein Silan, das Silicium- und Wasserstoffatome (und/oder Halogenatome) enthält, oder ein Silanderivat, durch Glimmentladung zu zersetzen, während sie mit einem leitenden Schichtträger in Kontakt ist, so daß auf dem Träger amorphes Silicium entsteht.

Beispiele für Silane und Silanderivate sind:

Monosilan, Disilan, Trisilan, Tetrasilan, Silicoethylen, Silicoacetylen, Disiloxan, Silylamin, Monochlorsilan, Dichlorsilan, Trichlorsilan, Tetrachlorsilan, Hexachlordisilan, Octachlortrisilan, Decachlortetrasilan, Dodecachlorpentasilan, Monofluorsilan, Difluorsilan, Trifluorsilan, Tetrafluorsilan, Hexafluordisilan, Octafluortrisilan, Monobromsilan, Dibromsilan, Tribromsilan, Tetrabromsilan, Hexabromsilan, Octabromsilan, Mpnojodsilan, Dijodsilan, Trijodsilan, Tetrajodsilan, Hexajodsilan, Octajodsilan, und Verbindungen, die ein Siliciumatom und zwei oder mehr Halogenatome im Molekül enthalten, z.B.

SiBrCl., und SiCl^F«, Diese Verbindungen können einzeln oder als Gemische und gegebenenfalls auch zusammen mit Wasserstoffgas eingesetzt werden.

In einer speziellen Ausführungsform zur Ausbildung einer amorphen Siliciumschicht auf der Oberfläche eines leitenden Schichtträgers durch Zersetzen einer siliciumhaltigen Verbindung mittels Glimmentladung wird ein leitender Schichtträger mit gesäuberter Oberfläche in einen dicht verschlossenen Behälter eingebracht, z.B. eine Glasglocke. Nach Reduzieren des Drucks in dem Behälter wird eine Glimmentladung an der Oberfläche des Schichtträgers durchgeführt, wodurch die auf der Trägeroberfläche adsorbierten Gase entfernt werden. Eine siliciumhaltige Verbindung, wie Monosilan (SiH.) wird in den Behälter eingeleitet und an der Trägeroberfläche wird im Hochvakuum eine Glimmentladung durchgeführt, wodurch sich die siliciumhaltige

Verbindung zersetzt und eine amorphe Siliciumschicht auf der Trägeroberfläche entsteht. Die Dicke der aus amorphen Silicium bestehenden photoleitfähigen Schicht beträgt gewöhnlich 5 bis 100 \im.

Beispieli

Es wird eine Glimmentladungsvorrichtung zur Herstellung von amorphem Silicium in Form einer Glasglocke verwendet, die mit einem Evakuiersystem, einem Gaszufuhr-Leitungssystem, einem Gasdichtungssystem, einer Heiz- und einer Glimmentladungseinrichtung etc. ausgerüstet ist.

Eine Aluminiumtrommel (Außendurchmesser 120 mm, Länge 410 mm) mit polierter Oberfläche wird in einer Glasglocke auf einen Quarz-Drehtisch aufgesetzt, worauf man die Luft in der Glocke und dem Gasleitungssystem durch Evakuieren auf etwa 3x10 Torr abzieht. Die Aluminiumtrommel wird dann mit der Heizeinrichtung auf 250⁰C erhitzt. Die Temperaturregelung erfolgt durch Messen der Temperatur der Trommel mit einem Alumel-Chromel-Thermoelement.

Das Ventil der Glasglocke wird etwas geöffnet, um den Druck in der Glocke auf etwa 0,3 Torr zu senken, worauf man 5 Minuten zwischen der Aluminiumtrommel und einer Gaseinleitungsplatte mit Hilfe einer negativen Impuls-Hochspannungsquelle (im folgenden: Hochspannungsquelle) eine Glimmentladung von 30 Watt durchführt, um die auf gO der Trommeloberfläche adsorbierten Gase zu entfernen. Nach Abschalten der Hochspannungsquelle und Schließen des Ventils wird der Druck in der Glocke nochmals auf etwa 1 χ 10 Torr reduziert.

Anschließend leitet man B-H , verdünnt mit 290 ppm (Volumen) Wasserstoff (im folgenden: B₃H /H₃) über das Gaszufuhr-Leitungssystem mit einer Strömungsgeschwindig-

keit von 4 cm³/min in den Behälter, wobei man die Strömungsgeschwindigkeit mit einem Strömungsregler regelt. Durch langsames öffnen des Ventils für ein SiH.-Gaszufuhr-Leitungssystem wird SiH. mit einer Strömungsgeschwindig-

b knit von 150 cm³/min, ebenfalls geregelt mit einem Strörnungsregler, eingeleitet. Bei diesen Maßnahmen wird der Innendruck der Glasglocke durch Regeln eines Umgehungs-

-1 - t

vcntils auf 4,5 χ 10 Torr eingestellt.

XO Sobald die Strömungsgeschwindigkeit der zugeführten Gase konstant wird, führt man 5 Stunden zwischen der Drehtrommel und der Gaseinleitplatte eine Glimmentladung von 100 Watt an elektrischer Eingangsleistung und einem Impulsstrom von 100 Hz durch, um eine photoleitfähige Schicht aus amorphem Silicium auszubilden.

Anschließend, jedoch vor Beginn der Bildung der Sperrschicht, wird das Gaszufuhr-*Leitungssystem geschlossen und der Druck in der Glasglocke wird wieder auf 1x10 Torr reduziert. Bei Erreichen dieses Druckes werden 30 cm³/min SiH. und 8 cm³/min C₃F₆ über die jeweiligen Gaszufuhr-Leitungssysteme unter Regelung mit Strömungsreglern in die Glocke eingeleitet. Bei Erreichen eines Druckes von 5x10 Torr werden die Strömungsregler für das SiH.- bzw. C^F^-Gaszufuhr-Leitungssystem auf 60 cm³/min bzw. 40 cm³/min eingestellt. Sobald die Strömungsgeschwindigkeiten dieser Gase konstant werden, stellt man über das Umgehungsventil·" einen Druck von

-1
4,5 χ 10 Torr ein.

Anschließend wird eine Glimmentladung von 100 Watt 6 Minuten mit einer Hochspannungsquelle durchgeführt, um eine Sperrschicht auszubilden.

gg Nach Abschalten der Hochspannungsquelle und Erreichen eines Druckes von 5x10 Torr wird der Druck in der Glocke weiter auf 1x10 Torr reduziert und das Eva-

kuieren wird weitere 10 Minuten fortgesetzt. Dann wird die Heizeinrichtung abgeschaltet und unter Regeln der Trommeltemperatur auf 160⁰C werden 40 cm³/min Wasserstoff, geregelt mit einem Strömungsregler, über das Gaszufuhr-Leitungssystem in die Glocke eingeleitet. Dann wird das Ventil für das CjFg-Gaszufuhr-Leitungssystem langsam geöffnet und C«F_fi-Gas wird mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 40 cm³/min unter Regelung mit einem Strömungsregler neben Monosilangas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 16 cm³/min eingeleitet. Hierbei hält man den Druck in der Glocke durch Regeln des Umgehungsventils bei 4,5 χ 10 Torr.

Wenn die Strömungsgeschwindigkeiten der zugeführten Gase konstant werden, führt man 20 Minuten zwischen der Drehtrommel und der Gaseinleitungsplatte durch Anlegen eines Wechselstromfeldes mit einer Eingangsleistung von 50 Watt und 100 kHz eine Glimmentladung durch, um eine Oberflächenschicht auszubilden.

Hierauf schaltet man die Hochspannungsquelle ab, wenn

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der Druck in der Glocke 5x10 Torr erreicht, und reduziert den Drucl weiter auf 1x10 Torr durch weitere 10 Minuten dauerndes Evakuieren. Dann schaltet man die Heizeinrichtung ab und entnimmt die Trommel bei Erreichen einer Temperatur von 100⁰C aus der Glocke. Auf diese Weise erhält man ein lichtempfindliches Material A.

Nach demselben Verfahren wie bei der Herstellung des lichtempfindlichen Materials A wird ein lichtempfindliches Material B hergestellt, wobei man jedoch zur Ausbildung der Oberflächenschicht 40 cm³/min C-F-, 40 cm³/min Wasserstoff und 45 cm³/min Monosilan zuleitet. Ferner wird nach demselben Verfahren wie zur Herstellung des lichtempfindlichen Materials A ein Material C hergestellt, wobei man jedoch die Oberflächenschicht wegläßt.

Das Atomverhältnis Kohlenstoff/Kohlenstoff + Silicium in den Oberflächenschichten der lichtempfindlichen Materialien A und B beträgt 84 % bzw. 66 %, während der Anteil'an Fl\ioratomen in beiden Fällen 5 % der Gesamtatomzahl beträgt.

Daneben wird eine photoleitfähige Schicht aus amorphem Silicium wie bei dem lichtempfindlichen Material A hergestellt, worauf man den Druck in der Glasglocke auf 1x10 Torr reduziert und mit 10 Vol-% H₂-verdünntes SiH. (SiH /H) sowie Stickstoffgas in einem Strömungsgeschwindigkeits-Verhältnis von 1 : 10 in die Glocke

_2 einleitet, bis ein Druck von 1x10 Torr erreicht ist.

Sobald der Druck in der Glocke konstant ist, regelt man das Ventil der Zufuhrleitung derart, daß das Pirani-Meßgerät für die Zufuhrleitung 0/5 Torr anzeigt, und erzeugt durch 1-minütige Glimmentladung eine Sperrschicht. Auf diese Sperrschicht wird dann wie bei dem lichtempfindlichen Material A eine Oberflächenschicht ausgebildet, so daß ein lichtempfindliches Material D erhalten wird.

Nach demselben Verfahren wie zur Herstellung des lichtempfindlichen Materials A wird ein lichtempfindliches Material E hergestellt, jedoch leitet man zur Erzeugung der Oberflächenschicht 80 cm³/min CH. anstelle von

40 cm³/min C„F_r ein.
λ b

Jedes der erhaltenen lichtempfindlichen Materialien A, B, C, D und E wird 0,08 s bei einer Temperatur von 30⁰C

QQ und einer relativen Feuchte von 85 % einer +6 kV-Korona-Entladung ausgesetzt und dann sofort bildmäßig mit 1 ,5 Lux . s belichtet. Das auf der Oberfläche der lichtempfindlichen Trommel erzeugte latente Bild wird nach dem Magnetbürsten-Verfahren mit einem trockenen Entwickler entwickelt, der aus negativ geladenem Toner und einem Träger besteht, worauf man das Tonerbild mit Hilfe einer positiven Koronaentladung auf ein Übertragungspapier

überträgt und ein äußerst scharfes Bild mit hohem Auflösungsvermögen und hoher Dichte erhält.

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Hierauf unterzieht man die lichtempfindlichen Materialien A, B, C, D und E einem Koronaentladungs-Test bei einer Temperatur von 30⁰C und einer relativen Feuchte von 85 %. Dazu spannt man jedes der Materialien A bis E auf eine drehbare Ladungsprüfeinrichtung und nach 10 bzw. 30 Minuten dauernder Koronaentladung mit -6 kV unter Drehen mit 40 U/min wird ein Kopiebild nach dem vorstehenden Verfahren erzeugt. Das Auflösungsvermögen der jeweils erhaltenen Bilder wird gemessen, wobei die folgenden Ergebnisse erhalten werden:

15 20 25

	Tabelle I	Koronaentladung 30 Min	C/C+Si (Atomprozent)
		6	Sperrschicht Oberflächen schicht
	Auflösungsvermögen nach negativer Koronaentladung	0	57 84
robe	negative 10 Min.	0	57 66
A*	6	6	57
B**	2	50 84 (N/N+Si)
C**	0
D*	6

E*

Erfindungsgemäßes Material
Vergleichsbeispiel

30 35

Die in Tabelle I genannten Zahlen stellen die Anzahl unterscheidbarer Linien pro 1 mm dar.

In 10 Minuten wird das lichtempfindliche Material 400 mal einer Koronaentladung ausgesetzt, was der elektrophotographischen Herstellung von 100 bis 400 Kopien entspricht.

Aus Tabelle 1 ist ersichtlich, daß bei den erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialien A, D und E, welche die erfindungsgemäßen Oberflächenschichten aufweisen, eine Verringerung des Auflösungsvermögens nach negativer Koronaentladung bei 30⁰C und 85 % rF wirksam verhindert werden kann, während dies in den Vergleichsbeispielen nicht der Fall ist.

Auf ähnliche Weise wird ein Koronaentladungstest mit +6 kV unter Verwendung derselben drehbaren Aufladeeinrichtung durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle II genannt:

	Positive	II	Koronaentladung	60 min
Tabelle	10 min	positiver	Koronaaufladung	VD O O VD
Auflösungsvermögen nach	6 4 2 6		30 min
	6 2 0 6
Probe
A* B C D*

*, ** und die Zahlen haben dieselbe Bedeutung wie in

Tabelle I.
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Wie aus Tabelle II hervorgeht, zeigen die erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmaterialxen selbst nach positiver Koronaaufladung unter erschwerten Bedingungen keine Verringerung des Auflösungsvermögens, so daß sie von ausge-

zeichnetem Gebrauchswert sind.

Claims

Patentansprüche

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem leitenden Schichtträger, der der Reihenfolge nach eine photoleitfähige Schicht aus einem amorphen Material, das Siliciumatome enthält, und eine Sperrschicht, die hauptsächlich aus Kohlenstoff und Silicium, Stickstoff und Silicium oder Sauerstoff und Silicium besteht, aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Sperr^ schicht eine Oberflächenschicht vorgesehen ist, die Kohlenstoff und Silicium enthält, wobei das Atomverhältnis von Kohlenstoff/Kohlenstoff + Silicium 0,70/1 bis 0,95/1 beträgt lind dieses Verhältnis größer ist als das in der Sperrschicht.

2. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Oberflächenschicht im Bereich von der Dicke einer monomolekularen Schicht bis zu 30 μΐη liegt.

3. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberflächenschicht Fluoratome enthält.

4. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Fluoratome 1 bis 30 % der Gesamtatomzahl der Oberflächenschicht ausmachen.

5. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht hauptsächlich aus Kohlenstoff und Silicium besteht, wobei das Verhältnis Kohlenstoff/Kohlenstoff + •Silicium 0,4/1 bis 0,9/1 beträgt.

6. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht hauptsächlich aus Stickstoff und Silicium besteht und der Gehalt an Stickstoffatomen 25 bis 55 Atomprozent beträgt.

7. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht hauptsächlich aus Sauerstoff und Silicium besteht und der Gehalt an Sauerstoffatomen 40 bis 65 Atomprozent beträgt.

8. Aufzeichnungsmaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das amorphe Material für die photoleitfähige Schicht amorphes Silicium ist, das Siliciumatome und Wasserstoffatome enthält.