DE3546544C2

DE3546544C2 -

Info

Publication number: DE3546544C2
Application number: DE3546544A
Authority: DE
Inventors: Kunio Ohashi; Tadashi Nara Jp Tonegawa; Shoichi Yamatokoriyama Nara Jp Nagata; Masatsugu Nara Jp Nakamura
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1984-02-28
Filing date: 1985-02-26
Publication date: 1990-02-15
Anticipated expiration: 2005-02-27
Also published as: DE3506657A1; DE3506657C2; US4632894A; US4683186A

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, das gegenüber Licht empfindlich ist und beispielsweise als xerographischer Photoleiter verwen det werden kann mit einer photoleitfähigen Schicht, die in Apparaten wie einem Gerät zum (Aus-)Lesen von Manu skripten angewandt wird.

Früher wurden folgende photoleitfähige Stoffe zur Her stellung elektrophotographischer Aufzeichnungsmaterialien ver wendet: An organische Stoffe wie Selen, Cadmiumsulfid und Zinkoxid und organische Stoffe wie Polyvinylcarbazol und Tri nitrofluorenon.

Fig. 1 zeigt schematisch ein elektrophotographisches Aufzeich nungsmaterial 101, das aus einem leitfähigen Schichtträger 104 und einer auf dem Schichtträger 104 aufgebrachten photoleitfähi gen Schicht 102 besteht.

Diese photoleitfähigen Materialien erfüllen jedoch nicht notwendigerweise alle Anforderungen, die an ein elek trophotographisches Aufzeichnungsmaterial in bezug auf die folgenden Eigenschaften gestellt werden: Lichtempfindlichkeit, spektroskopische Empfindlichkeit, das SN-Verhältnis (Lichtwiderstand/Dunkelwiderstand), Haltbarkeit und Sicherheit (Gefahr) für den menschlichen Körper. Dem entsprechend wurden sie jeweils bei optimalen Bedin gungen in der Weise eingesetzt, daß eine oder mehrere Bedingungen bis zu einem gewissen Grade gemildert wurden.

In neuerer Zeit werden elektrophotographische Aufzeichnungsmaterialien aus amorphem Silicium (im folgenden als a-Si bezeich net) wegen ihrer Vorteile hoher Lichtempfindlichkeit, hoher Haltbarkeit und Unge fährlichkeit eingehend untersucht. Trotzdem gibt es bei einem photoleitfähigen a-Si-Material noch viele Punkte, die weiterer Verbesserung bedürfen.

Beispielsweise ist das SN-Verhältnis nicht hoch genug, weil der Dunkelwiderstand niedrig ist. Weiterhin kann beim Einsatz einer photoleitfähigen a-Si-Schicht als xerographischer Photoleiter wegen des niedrigen Dunkel widerstandes ein hinreichendes Oberflächenpotential nicht erreicht werden, und der Kontrast des elektri schen Potentials ist nicht klar. Außerdem ist die Bild- Konzentration oft unangemessen gering.

Weiterhin nimmt beim wiederholten Einsatz eines xero graphischen a-Si-Photoleiters die Zahl der Beschädigun gen wie Kratzer zu, und in der Kopie eines Bildes treten gelegentlich punktartige Defekte auf. Wiederhol te Operationen lassen das Bild in einer Kopie allmäh lich trüber werden.

Insbesondere ist darauf hinzuweisen, daß die Oberfläche von a-Si nicht stabil ist. Diese Instabilität mindert die Beständigkeit gegen Umwelteinflüsse, etwa die Feuchtigkeitsbeständigkeit und auch die Langzeit- Beständigkeit. Wenn man einen xerographischen a-Si- Photoleiter längere Zeit außer Betrieb läßt, wird das Bild in einer Kopie trübe.

Aus DE-OS 31 43 764 ist ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden Schichtträger, einer photoleitfähigen Schicht aus wenigstens Wasserstoff enthaltendem amorphem Silicium, der ein Do tierungsmittel eines Elements der Gruppe IIIa oder Va zugesetzt ist, und eine auf die photoleitfähige Schicht aufgebrachte Oberflächenschicht bekannt. Bei dem der photoleitfähigen Schicht zugesetzten Dotierungsmittel, dessen Konzentration in Richtung senkrecht zur Oberfläche zunimmt, handelt es sich um Sauer stoffatome, während die Dotierungsmittel der Elemente der Gruppe IIIa oder Va statistisch über die gesamte Schicht verteilt sind.

Aus EP 00 38 221 ist bekannt, daß zur Erzielung von guten Ergebnissen bei mehrschichtigen Aufzeichnungsmaterialien der optische Bandabstand der Oberflächenschicht größer sein sollte als der der darunter liegenden photoleitfähigen Schicht.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein aus einem Material auf der Basis von a-Si hergestelltes elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial verfügbar zu machen, das verbesserte charakteristische Eigenschaften besitzt, insbesondere einen hohen Dunkelwiderstand, um ein großes SN-Verhältnis zu erzielen, das sich durch besondere Stabilität, Be ständigkeit gegen Umwelteinflüssige und Langzeitstabilität auszeichnet, und das eine harte Oberfläche besitzt und gut an dem Substrat haftet.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein elektrophoto graphisches Aufzeichnungsmaterial verfügbar gemacht, mit einem elektrisch leitenden Schichtträger,
einer photoleitfähigen Schicht aus wenigstens Wasser stoff enthaltendem amorphem Silicium, der ein Dotie rungsmittel eines Elementes der Gruppe IIIa oder Va zugesetzt ist und
einer auf die photoleitfähige Schicht aufgebrachten Oberflächenschutzschicht,
dadurch gekennzeichnet, daß das Dotierungsmittel we nigstens in der Nähe der Grenzfläche mit der Ober flächenschutzschicht zugesetzt ist und die Konzentra tion des Dotierungsmittels in der Richtung senkrecht zu der Grenzfläche zunimmt und die Oberflächenschutz schicht einen optischen Bandabstand aufweist, der größer ist als derjenige der photoleitfähigen Schicht.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird weiterhin ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial verfügbar gemacht, das einen leitfähigen Schichtträger, eine auf dem leitfähigen Schichtträger aufgebrachte photoleitfähige Schicht aus wenigstens Wasserstoff enthaltendem amorphem Silicium und eine auf die photoleitfähige Schicht aufgebrachte Oberflächenschutzschicht aus amorphem Silicium umfaßt und dadurch gekennzeichnet ist, daß die Oberflächenschutzschicht Sauerstoff enthält und mit einem Element der Gruppe IIIa dotiert ist.

Es ist ein Vorteil der vorliegenden Erfindung, daß sie ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial verfügbar macht, das beispielsweise als xerographischer Photoleiter verwendet werden kann. Insbesondere bei Verwendung als xerographischer Photoleiter läßt sich ein Bild mit hoher Konzentration und hoher Auflösung reproduzieren, und ein Halbtonbild kann deutlich erhalten werden.

Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfindung anhand von Beispielen und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 zeigt schematisch einen Querschnitt eines elektropho tographischen Aufzeichnungsmaterials ohne Oberflächen schicht;

Fig. 2 zeigt schematisch einen Querschnitt eines elektro photographischen Aufzeichnungsmaterials mit einer Oberflächenschutzschicht

Fig. 3 zeigt schematisch einen Querschnitt eines elektro photographischen Aufzeichnungsmaterials mit einer Grundier schicht;

Fig. 4 zeigt ein Diagramm der Abscheidungsapparatur.

Fig. 5 zeigt eine graphische Darstellung der Licht absorption

Fig. 6 zeigt ein Diagramm einer Apparatur zum Testen der Elektrophotographie-Charakteristiken.

Fig. 7 bis 9 zeigen physikalische Eigenschaften des elektro photographischen Aufzeichnungsmaterials;

Fig. 10 (a) bis (e) zeigen schematische Energie-Dia gramme des elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials;

Fig. 11 zeigt ein Diagramm einer Vorrichtung für die Elektrophotographie.

Fig. 12 (a) bis (f) zeigen graphische Darstellungen der Verteilung von Bor (ausgezogene Linie) und einem ande ren Element wie Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff in dem elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial

Fig. 13 (a) bis (f) zeigen graphische Darstellungen der Verteilung von Phosphor (ausgezogene Linie) und einem anderen Element wie Sauerstoff, Stickstoff und Kohlen stoff in einer photoleitfähigen Vorrichtung.

Eine (in Bezugsbeisp. 1 dargestellte) Lösung der in der Einleitung genannten Probleme besteht darin, einer photoleitfähigen a-Si-Schicht modifizierende chemische Mittel zuzusetzen. Vom Standpunkt der Verbesserung der Beständigkeit gegen Umwelteinflüsse und der Langzeit- Stabilität ist der Zusatz chemischer modifizierender Mittel wie Sauerstoff, Stickstoff und Kohlenstoff ange bracht. Seitens der Anmelderin wurde jedoch gefunden, daß bedauerlicherweise die charakteristischen Eigen schaften für ein lichtempfindliches Material sich dadurch nicht verbessern lassen.

Eine andere Problem-Lösung (die in den Beispielen 1 bis 7 dargestellt ist) zur Überwindung der Nachteile be steht im Aufbringen einer Oberflächenschutzschicht oder einer Oberflächenblockierschicht auf die Oberfläche einer photoleitfähigen a-Si-Schicht. Eine Oberflächen schutzschicht 103 bedeckt eine photoleitfähige Schicht 102, wie sie in einer schematischen Querschnitt-Dar stellung eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gezeigt ist, worin eine photoleitfähige Schicht 102 auf einen leitfähigen Schichtträger 104 aufgebracht ist. In Fig. 2 bedeckt eine Oberflächenschutzschicht 103 eine photoleitfähige Schicht 102; die Oberflächenschutz schicht 103 besitzt eine freie Oberfläche 106. Fig. 3 zeigt eine andere schematische Querschnitt-Darstellung einer photoleitfähigen Platte 101 mit einer Oberflä chenschutzschicht 103, worin eine Grundierschicht 105 zwischen dem Schichtträger 104 und der photoleitfähigen Schicht 102 eingelagert ist, um die Haftung zwischen diesen beiden zu verbessern. Die Grundierschicht 105 verhindert nicht nur ein Herabfallen der abgeschiedenen Filme von dem leitfähigen Schichtträger 104, sondern auch das Eindringen von Trägern aus dem leitfähigen Substrat 104.

Es besteht jedoch die Gefahr, daß eine Oberflächen schutzschicht Eigenschaften beeinträchtigt, die für ein lichtempfindliches Material bedeutsam sind, nämlich Ladungsaufnahme, Lichtempfindlichkeit und Restpoten tial. Wenn eine Oberflächenschutzschicht als elektrisch isolierender Film (durch Senken des Zusammensetzungs- Verhältnisses x) gebildet wird, um die Beständigkeit gegen Umwelteinflüsse und die Langzeit-Stabilität zu verbessern, wird die Lichtempfindlichkeit schlechter, und das elektrische Restpotential steigt. Dann treten beispielsweise auf einer Kopie photographische Nebel auf. Wenn im Gegensatz dazu die Photoleitfähigkeit einer Oberflächenschutzschicht vergrößert wird (durch Erhöhen von x), werden die Beständigkeit gegen Umwelt einflüsse und die Langzeit-Stabilität schlechter, wenn gleich das Restpotential abnimmt.

Wie andererseits aus den Beispielen 1 bis 7 zu entneh men ist, lassen sich erfindungsgemäß photoleitfähige Vorrichtungen, die mit einem Oberflächenschutz bedeckt sind, herstellen, in denen die Photoleiter-Charakteri stika nicht beeinträchtigt sind.

Eine photoleitfähige Vorrichtung kann wie folgt herge stellt werden:

Amorphes Silicium kann überlicherweise auf einem leit fähigen Schichtträger mittels eines Abscheidungsverfahrens hergestellt werden, etwa mittels des Glimmentladungs- Verfahrens, des Zerstäubungs-Verfahrens, das Ionenplat tier-Verfahrens und des Vakuumabscheidungs-Verfahrens.

Ein leitfähiger Schichtträger wird hergestellt aus nicht rostendem Stahl, Aluminium, Chrom, Molybdän, Gold, Iridium, Niob, Tantal oder einer Legierung der vorge nannten Metalle.

Falls ein flexibler leitfähiger Schichtträger benötigt wird, wird ein geeignetes Metall aus der Gruppe der oben er wähnten Metalle mittels des Verfahrens der Vakuumab scheidung, des Zerstäubungs-Verfahrens oder des Lami nier-Verfahrens auf eine Folie aus einem synthetischen Harz aufgebracht. Als nächstes folgt ein Verfahren zur Abscheidung einer photoleitfähigen Schicht auf dem biegsamen leitfähigen Schichtträger.

In dem Glimmentladungs-Verfahren, das in den folgenden Beispielen 1 bis 7 angewandt wird, werden Silicium hydride wie SiH₄ und Si₂H₆ in eine Abscheidungsappara tur unter Vakuum eingeführt und einer Entladung unter niedrigem Druck unterworfen, so daß sie durch Ent ladungsenergie zersetzt werden und mit Hilfe der Entla dungsenergie auf einem in der Abscheidungsapparatur angeordneten Schichtträger abgeschieden werden.

Verfahren der Zugabe modifizierender chemischer Mittel wie Wasserstoff, Sauerstoff, Stickstoff, Kohlenstoff und Hydroxy-Resten zu dem a-Si sind die folgenden:

Wasserstoff wird gleichzeitig mit der Abscheidung von a-Si hinzugefügt, da die Ausgangsstoffe für die Ab scheidung des a-Si Siliciumhydride wie SiH₄ und Si₂H₆ sind; die Hydride werden in der Entladung unter Bildung von a-Si : H zersetzt. Mit anderen Worten: Das bei diesem Verfahren abgeschiedene a-Si enthält wenigstens Wasser stoff. Falls es erforderlich ist, Wasserstoff in wirk samerer Weise hinzuzufügen, leitet man Wasserstoff-Gas in die Abscheidungsapparatur ein.

Im Falle des Zusatzes von Sauerstoff wird Sauerstoff- Gas in das Abscheidungsverfahren eingeleitet. Da Sauer stoff und Gase wie SiH₄ in der Gasphase heftig mitein ander reagieren, muß ersterer auf einem anderen Wege als die anderen Gase eingeleitet werden.

Stickstoff bzw. Kohlenstoff können dem a-Si durch Ein leiten von Stickstoff-Gas oder eines stickstoffhaltigen Gases wie Ammoniak (NH₃) bzw. eines kohlenstoffhaltigen Gases wie Methan (CH₄) und Acetylen (C₂H₂) zugesetzt werden.

Dotierungsmittel werden hinzugefügt, um den Typ der Träger in a-Si zu steuern. Dotieren mit Acceptoren wie einem Element der Gruppe IIIa, Bor bzw. mit Donatoren wie einem Element der Gruppe Va, Phosphor, erzeugt Träger vom p-Typ bzw. vom n-Typ. Die Dotierung mit Bor oder Phosphor erfolgt überlicherweise durch Einleiten von Diboran (B₂H₆) oder Phosphin (PH₃) in die Abscheidungs apparatur. Die Menge des Dotierungsmittel-Zusatzes wird bestimmt in Entsprechung zu den geforderten elektri schen und optischen Eigenschaften.

Fig. 4 zeigt eine Abscheidungsapparatur für das Glimm entladungs-Verfahren. Ein Aluminium-Schichtträger 2 mit einem Durchmesser von 140 mm und einer Länge von 340 mm wird auf einer Heiztrommel 3 befestigt, die in der Re aktionskammer 1 mittels eines Antriebsmotors 7 gedreht werden kann. Die Oberfläche des Aluminium-Schichtträgers 2 wurde zuvor in einem Chlorocen-Ultraschall-Wäscher und einem Dampfreiniger (nicht eingezeichnet) ausreichend gewaschen. Die Heiztrommel 3 besitzt eine äußere Ober fläche, die dicht an der inneren Oberfläche des Alumi nium-Schichtträgers 2 anliegt und erhitzt die Oberfläche des Aluminium-Schichtträgers 2 gleichmäßig. Die Reaktionskammer 1 hat ein kleines Fenster 5. Ein Paar Entladungselek troden 4, 4′ sind neben dem Aluminium-Schichtträger 2 symme trisch zu diesem angeordnet und mit einer Hochfrequenz- Energiequelle 6 verbunden.

Die Reaktionskammer 1 kann über das Ventil 8 mit Hilfe einer mechanischen Booster-Pumpe 9 und einer Rotations pumpe 10 evakuiert werden. Ein Sicherheitsventil 11 ist in einem Evakuierungsrohr angebracht.

Nach dem Öffnen der Ventile 30 bis 38 können in den Gasflaschen 20 bis 28 aufbewahrte Gase mittels Steue rung durch Durchfluß-Steuergeräte 40 bis 48 durch ein Hilfsventil 12 in die Reaktionskammer 1 eingeleitet werden. Die Gasflasche 20 enthält Silan (SiH₄), während die Gasflasche 21 mit Wasserstoff gefüllt ist. Die Gasflaschen 22 und 23 enthalten 400 ppm bzw. 1% Di boran im Gemisch mit Wasserstoff, während die Gas flasche 24 600 ppm Phosphin im Gemisch mit Wasserstoff enthält. Die Gasflaschen 25 und 26 sind mit Ammoniak (NH₃) bzw. Methan (CH₄) gefüllt. Die Gasflaschen 27 und 28 enthalten Siliciumtetrafluorid (SiF₄) bzw. Carbon tetrafluorid (CF₄).

Sauerstoff-Gas aus der Gasflasche 29 kann durch eine getrennte Leitung über ein Ventil 39 und ein Hilfs ventil 13 mittels Steuerung durch ein Durchfluß-Steuer gerät 49 eingeleitet werden.

Eine photoleitfähige Schicht 102 läßt sich auf dem lei tenden Substrat 104 wie folgt abscheiden: Die Luft in der Reaktionskammer 1 wird über das Ventil 8 mit Hilfe der mechanischen Booster-Pumpe 9 und der Rotationspumpe 10 abgepumpt, und der Aluminium-Schichtträger 2 wird mittels der Heiztrommel 3 erhitzt, bis die Temperatur der Ober fläche des Aluminium-Schichtträgers 2 auf 250°C angestiegen ist; danach wird die Temperatur konstant gehalten.

Danach läßt man Gase bestehend aus Silan, Wasserstoff und anderen zuzumischenden Gasen, beispielsweise Di boran, durch Öffnen des Hilfsventils 12 und der Ventile 30, 31 und 32 in die Reaktionskammer 1 einströmen. Die Einstellwerte der Durchfluß-Steuergeräte 40, 41 und 42 werden allmählich auf die vorher festgelegten Sollwerte erhöht. Der Druck in der Reaktionskammer 1 wird durch Steuerung der Öffnung des Ventils 8 auf 2,0 mbar (1,5 Torr) gehalten.

Als nächstes wird die Hochfrequenz-Energiequelle einge schaltet und eine Spannung der Hochfrequenz 13,56 MHz an das Paar Entladungs-Elektroden 4, 4′ angelegt. Auf diese Weise beginnt die Glimmentladung, und ein a-Si- Film wird auf dem wie oben erwähnt erhitzten Aluminium- Schichtträger abgeschieden. Die Hochfrequenz-Leistung wird während des Abscheidungsvorgangs auf 400 W geregelt.

Auf die Abscheidung eines Films aus a-Si wird Diboran oder Phosphin zugesetzt, um den Träger-Typ des a-Si- Films festzulegen. Beispielsweise wird der Diboran-Zu fluß mittels des Durchfluß-Steuergeräts 42 so einge stellt, daß das Verhältnis der Konzentration des Di borans zu derjenigen des Silans 10^-4 wird. Wenn die Diboran-Menge hoch ist, wird der Träger einer vom p-Typ oder p⁺-Typ, während bei niedriger Diboran-Menge der Träger ein solcher vom n-Typ oder i-Typ wird. Im Hin blick auf das Dunkelwiderstands-Verhältnis und die Lichtempfindlichkeit wird eine sehr kleine Menge Sauer stoff, Methan oder Ammoniak hinzugefügt, um diese Kenn größen auf vorher festgelegte Werte zu verbessern.

Nach der Bildung einer a-Si-Schicht wird die Hochfre quenz-Energiequelle 6 abgeschaltet, die Ventile 30, 31, 32 und 12 werden geschlossen, und die Heiztrommel 3 wird abgeschaltet und allmählich abkühlen gelassen.

Nach der Entnahme des Aluminium-Schichtträgers 2 wird Carbontetrafluorid-Gas aus der Gasflasche 28 unter Steuerung durch das Durchfluß-Steuergerät 38 in die Reaktionskammer 1 eingeleitet, um die Reaktionskammer 1 zu reinigen.

Bezugs-Beispiel 1

Die elektrischen und optischen Eigenschaften einer photoleitfähigen a-Si-Vorrichtung lassen sich durch Zusatz modifizierender chemischer Mittel wie Sauer stoff, Stickstoff und Kohlenstoff gezielt beeinflussen. Der Zusatz dieser chemischen modifizierenden Mittel vermag jedoch nicht gleichzeitig den Dunkelwiderstand und den Verstärkungsfaktor der Photoleitfähigkeit zu erhöhen. Die Verbesserung einer dieser beiden Eigen schaften ist von einer Minderung der anderen begleitet.

Ein elektrophotogr. Aufzeichnungsmaterial mit einer in Fig. 1 dargestellten Doppelschicht-Struktur wird hergestellt, in der Hydroxy-Reste der photoleitfähigen Schicht 102 zugesetzt werden. Moleküle, die einen Hydroxy-Rest besitzen, werden mit Silan oder Disilan vermischt und in die Reaktionskammer eingeleitet, um Hydroxy-Reste zu dem a-Si hinzuzufügen. Solche Moleküle sind beispiels weise Alkohole wie Methylalkohol und Ethylalkohol und Fettsäuren wie Essigsäure.

Die photoleitfähige Schicht 102 wird mittels des oben beschriebenen Glimmentladungs-Verfahrens abgeschieden, und die Ab scheidungsrate beträgt etwa 2,0 µm/h. Im Laufe einer 8 h dauernden Abscheidung wird ein a-Si-Film von 16 µm Dicke auf einem leitfähigen Schichtträger gebildet.

In Fig. 5 ist die Durchlässigkeit I einer a-Si-Schicht gegen die Wellenzahl (cm⁻¹) des einfallenden Lichts aufgetragen.

Die Kurve A zeigt eine typische Kurve der Durchlässig keit von a-Si, das Hydroxy-Reste enthält. Es treten drei Absorptions-Peaks auf: Ein erster Peak um 650 cm⁻¹ entspricht den Schwingungen der Si-H-Bindungen. Ein zweiter Peak, der den Si-OH-Bindungen entspricht, liegt zwischen 720 und 900 cm⁻¹, und ein dritter Peak, der Schwingungen der Si-H und Si-H₂-Bindungen ent spricht, liegt zwischen 2000 und 2100 cm⁻¹. Die Ampli tuden dieser drei Peaks variieren mit den Herstellungs bedingungen.

Die Kurve B eines Sauerstoff enthaltenden a-Si weist andererseits einen zweiten Peak zwischen 950 und 1050 cm⁻¹ auf, in einem Wellenzahlen-Bereich, der von dem des zweiten Peaks des Hydroxy-Reste enthaltenden a-Si verschieden ist.

Die Kurve C zeigt zu Vergleichszwecken die Durchlässig keit von a-Si, das keine Hydroxy-Reste und keinen Sauerstoff enthält. Es ist deutlich zu erkennen, daß der zweite Absorptions-Peak hier verschwunden ist.

Das Wasserstoff enthaltende a-Si besitzt einen Dunkel widerstand von 10⁹ bis 10¹⁰Ω. cm. Das heißt, daß der Dunkelwiderstand für eine Verwendung als xerographi scher Photoleiter zu niedrig ist, so daß das Oberflä chenpotential nicht hinreichend hoch ist. Dann wird der Kontrast des Potentials in einem elektrostatischen latenten Bild klein, und die Konzentration des Bildes wird schwach. So mangelt es einer Kopie an Klarheit.

Wenn im Gegensatz dazu das wenigstens Wasserstoff ent haltende a-Si mit Hydroxy-Resten dotiert ist, wird der Dunkelwiderstand hoch, und das SN-Verhältnis nimmt ebenfalls zu. Es wurde gefunden, daß das Wasserstoff enthaltende und mit Hydroxy-Resten dotierte a-Si nicht nur praktisch ver wendet werden kann, sondern daß es auch bemerkenswert hervorragende Eigenschaften wie Ladungsaufnahme, Homo genität und Haltbarkeit besitzt.

Die auf diese Weise erzeugte photoleitfähige Schicht 102 wird mit Hilfe eines in Fig. 6 dargestellten Elek trophotographie-Testgeräts auf seine Eigenschaften als Photoleiter untersucht. Die Abkling-Charakteristik des Oberflächenpotentials wird mittels des Apparats gemes sen, in dem der Photoleiter an eine Trommel 204 ange heftet wird. Nachdem eine Ladevorrichtung 201 den rotierenden Photoleiter elektrifiziert, wird die Trommel 204 nach einem vorher festgelegten Zeitschema angehalten, und gleichzeitig wird die Abkling-Charakte ristik des Oberflächenpotentials mit Hilfe eines Poten tialsensors vom lichtdurchlassenden Typ unter Beleuch tung mit Licht durch eine optische Faser 203 hindurch gemessen.

Bei den Messungen wird die Umdrehungsgeschwindigkeit der Trommel 204 so geregelt, daß die Oberflächenge schwindigkeit des Photoleiters 150 mm/s beträgt, und die an den Sensibilisator 210 angelegte Gleichspannung wird so reguliert, daß die Ladungsmenge in dem Photo leiter den Wert 3·10⁻⁷ C/cm² annimmt. Weiterhin wird die an die Lichtquelle (eine Halogen-Lampe mit den Kennwerten 24 V und 200 W) angelegte Spannung so ge regelt, daß die Lichtintensität am Ausgang der opti schen Faser 203 10 µW/cm² beträgt.

Die Daten der Photoleitfähigkeit werden im folgenden näher erläutert. Fig. 7 zeigt die Zeit-Abhängigkeit des Oberflächenpotentials (in Volt) eines Hydroxy-Reste enthaltenden Photoleiters P gemäß der vorliegenden Er findung und diejenige eines Photoleiters Q, der keine Hydroxy-Reste enthält. Der Photoleiter beginnt nach 2 s zu leuchten, und das Oberflächenpotential fällt danach rasch ab. Die Zeitabhängigkeit des Oberflächenpoten tials im Zeitraum bis zu 2 s, das heißt, das Abklingen der Ladung im Dunklen zeigt, daß die Ladungsaufnahme in dem Photoleiter P gemäß der vorliegenden Erfindung in bemerkenswertem Maße verbessert ist.

Fig. 8 zeigt die Ladungsaufnahme (%) und die Licht empfindlichkeit eines Photoleiters der Dicke 16 µm auf getragen gegen die Menge der Hydroxy-Reste, die ausge drückt ist als Verhältnis L des zweiten Peaks zu dem ersten Peak der Absorptions-Intensitäten im Infrarot- Absorptionsspektrum, das heißt das Verhältnis der Ab sorptions-Intensität bei 860 cm⁻¹ zu derjenigen bei 650 cm⁻¹. Die Absorptions-Intensität erreicht ein Maximum bei 860 cm⁻¹ im zweiten Peak und bei 650 cm⁻¹ im ersten Peak. Der zweite Absorptions-Peak zwischen 720 und 920 cm⁻¹ ist relevant für die Existenz der Hydroxy-Reste.

Es ist deutlich zu erkennen, daß die Ladungsaufnahme mit dem Anstieg von L (der Menge der Hydroxy-Reste) wächst. Jedoch nimmt die Lichtempfindlichkeit ab, wenn L zu groß wird. Dementsprechend ist es zweckmäßig, daß das Verhältnis L für einen Photoleiter zwischen 0,1 und 2 liegt.

Fig. 9 zeigt eine andere Beziehung sowohl der Ladungs aufnahme (%) und der Lichtempfindlichkeit eines Photo leiters der Dicke 16 µm zu der Menge der Hydroxy-Reste, die als Verhältnis L′ der Absorptions-Intensität des zweiten Peaks zu der des dritten Peaks im Infrarot-Ab sorptionsspektrum ausgedrückt ist, das heißt als Ver hältnis der Absorptions-Intensität bei 860 cm⁻¹ zu der jenigen bei 2050 cm⁻¹. Die Absorptions-Intensität er reicht ein Maximum bei 2050 cm⁻¹ in dem dritten Peak zwischen 2000 und 2100 cm⁻¹.

Es ist zweckmäßig, daß das Verhältnis L′ (entsprechend der Menge der Hydroxy-Reste) für einen Photoleiter zwi schen 0,1 und 1,2 liegt. In ähnlicher Weise wurden die Absorptions-Intensitäten vieler Proben gemessen. Dabei wurde gefunden, daß das Verhältnis eines breiten Peaks zwischen 720 und 900 cm⁻¹, der den Si-OH-Bindungen entspricht, gegen das eines Peaks zwischen 2000 und 2100 cm⁻¹, der Schwingungen der Si-H und Si-H₂-Bindun gen entspricht, für einen Photoleiter günstigerweise einen Wert zwischen 0,1 und 1,2 haben sollte.

Seitens der Anmelderin wurde gefunden, daß die kenn zeichnenden Eigenschaften eines xerographischen Photo leiters sich durch Dotieren mit Sauerstoff-Gas allein nicht verbessern lassen, wie im folgenden noch darge legt wird. Die Charakteristika der Infrarot-Absorption eines Sauerstoff enthaltenden lichtempfindlichen Films unterscheiden sich von denjenigen eines Hydroxy-Reste enthaltenden lichtempfindlichen Films. Dies ist dem Unterschied zwischen den chemischen Bindungen der Hydroxy-Reste in dem Film und denjenigen der Sauer stoff-Atome sowie den unterschiedlichen Mengen der Dotierungsmittel zuzuschreiben.

In den folgenden Beispielen wird eine photoleitfähige Vorrichtung mit einer Oberflächenschutzschicht, wie sie in den Fig. 2 und 3 dargestellt ist, hergestellt.

Eine Oberflächenschutzschicht sollte den folgenden Be dingungen genügen, da sie auf die Oberfläche der photo leitfähigen Schicht aufgebracht wird:

(a) Die Oberflächenschutzschicht sollte die Licht empfindlichkeit der photoleitfähigen Schicht nicht schmälern. Mit anderen Worten: Sie sollte einen kleinen Absorptionskoeffizient des sichtbaren Lichtes besitzen, so daß das sichtbare Licht zu der photoleitfähigen Schicht durchgelassen wird, da die photoleitfähige Schicht aus einem Material mit hoher Lichtempfindlichkeit oder einem großen Absorptionskoeffizient des sichtbaren Lichtes besteht.
(b) Die Oberflächenschutzschicht sollte die Ladungs aufnahme der photoleitfähigen Schicht nicht schmälern. Mit anderen Worten: Sie sollte einen hohen elektrischen Widerstand besitzen.

Wenn eine Oberflächenschutzschicht die beiden vorge nannten Bedingungen (a) und (b) erfüllt und ebenfalls die Anforderungen in bezug auf Beständigkeit gegenüber Umwelteinflüssen und Langzeit-Stabilität erfüllt, kann eine mit dem Oberflächenschutzfilm überzogene photo leitfähige Vorrichtung hohe Lichtempfindlichkeit und hohe Ladungsaufnahme sowie daneben eine hervorragende Stabilität, Beständigkeit gegenüber Umwelteinflüssen und Langzeit-Stabilität aufweisen.

Zur Verbesserung der Beständigkeit gegenüber Umwelt einflüssen und Langzeit-Stabilität wird ein stabiler Film aus beispielsweise Siliciumcarbid a-Si_xC_1-x, Siliciumnitrid a-Si N_-x bzw. Siliciumoxid a-Si_xO_1-x (0< x <1) als Oberflächenschutzfilm verwendet. Es wurde gefunden, daß bei großem Zusammensetzungsverhält nis x ein Film einen größeren optischen Bandabstand (eine Lücke zwischen den Energiebändern der quantisierten Zustände) besitzt, opak und unstabil wird, wohin gegen bei kleinem x in Film einen kleineren optischen Bandabstand aufweist, für sichtbares Licht transparent wird und bessere Umwelt-Beständigkeit und Langzeit- Stabilität aufweist.

Zur Verbesserung der Lichtempfindlichkeit ist es zu bevorzugen, auf eine photoleitfähige Schicht eine Oberflächenschutzschicht aufzubringen, die aus einem Material mit kleinerem x besteht, für sicht bares Licht transparent ist und einen optischen Band abstand aufweist, die kleiner ist als diejenige der ersteren.

Jedoch ist die Entsprechung der Energiebänder zwischen der photoleitfähigen Schicht und der Oberflächenschutz schicht in solch einer photoleitfähigen Vorrichtung nicht gut, so daß die Photoleitfähigkeits-Charakteri stik schlechter wird. Fig. 10 (a) zeigt ein Schema der Energie-Niveaus in einer derartigen Situation für eine aus einem metallischen Substrat 71, einer photoleitfä higen Schicht 72 und einer Oberflächenschutzschicht 73 bestehenden photoleitfähigen Vorrichtung. Die Energie- Niveaus sind bis zu dem Fermi-Niveau E _F in dem Substrat 71 besetzt, während die Energie-Lücken E _gp und E _gs (E _gp < E _gs) in der lichtempfindlichen Schicht 72 bzw. in der Oberflächenschutzschicht 73 existieren. Die Unterkante des Leitungsbandes der Oberflächenschicht 73 liegt um eine Differenz a höher als diejenige der photoleit fähigen Schicht 72, während die Oberkante des Valenz bandes der ersteren Schicht 73 um einen Betrag b niedirger als diejenige der letzteren Schicht 72 liegt. Wenn nun Phototräger (in Fig. 10 (a) als + und - bezeichnet) durch das einfallende Licht in der photo leitfähigen Schicht 72 nahe der Grenzfläche mit der Oberflächenschutzschicht 73 erzeugt werden, können sie sich nicht frei bewegen. Demgemäß vermögen sie nicht, die freie Oberfläche 106 zu erreichen und bilden Raum ladungen in der Nähe der Grenzfläche, so daß das Rest potential ansteigt und die Auflösung des elektrostati schen latenten Bildes nachläßt.

Wenn im Gegensatz dazu die photoleitfähige Schicht aus einem Material hergestellt ist, das einen größeren optischen Bandabstand besitzt, um dadurch die Entsprechung der Energiebänder zu verbessern, wird die Lichtempfind lichkeit verschlechtert. Wenn andererseits die Ober flächenschutzschicht aus einem Material hergestellt wird, das einen kleineren optischen Bandabstand besitzt, werden die Ladungsaufnahme sowie die Beständigkeit gegen Umwelteinflüsse und die Langzeit-Beständigkeit verschlechtert.

Erfindungsgemäß läßt sich eine mit einer Oberflächen schutzschicht überzogene photoleitfähige Vorrichtung herstellen, die die oben genannten Anforderungen auch dann erfüllt, wenn der optische Bandabstand in der photoleit fähigen Schicht kleiner ist als ihr Gegenstück in der Oberflächenschutzschicht. Dieses Problem kann dadurch gelöst werden, daß die Träger-Typen in der photoleit fähigen Schicht nahe der Grenzfläche gezielt gesteuert werden oder daß die Fermi-Energie in angemessener Weise variiert wird, so daß nahe der Grenzfläche in der photoleitfähigen Schicht erzeugte Phototräger die freie Oberfläche der Oberflächenschutzschicht erreichen können.

Wenn, wie in Fig. 10 (b) und (c) dargestellt ist, die Konzentration an Acceptoren (beispielsweise Elementen der Gruppe IIIa nahe der Grenzfläche linear oder nicht-linear erhöht wird, werden das Leitungsband und das Valenzband höher. Wenn andererseits, wie in Fig. 10 (d) und (e) dargestellt ist, die Konzentration an Donatoren (beispielsweise Elementen der Gruppe Va) nahe der Grenzfläche linear oder nicht-linear erhöht wird, werden das Leitungsband und das Valenzband niedriger. Auf diese Weise ermöglicht die Steuerung der Konzen tration des Dotierungsmittels in der Nähe der Grenz fläche eine Anpassung der Energiebänder aneinander.

Dadurch wird ermöglicht, daß die nahe der Grenzfläche erzeugten Phototräger aufgrund des existierenden An stiegs des Leitungs- und des Valenzbandes die freie Oberfläche glatt erreichen, selbst wenn die Ober flächenschutzschicht aus einem Material mit einem größeren optischen Bandabstand hergestellt ist. Beim praktischen Gebrauch, beispielsweise für einen xero graphischen Photoleiter, verschiebt die angelegte elektrische Spannung die Energie-Niveaus und hilft der Anpassung der Energiebänder aneinander. Auf diese Weise entsteht kein Restpotential, die Auflösung eines elek trostatischen latenten Bildes wird hoch, und es treten keine verschwommenen Bilder in einer Kopie auf. Weiter hin ist das photoleitfähige Material überlegen hin sichtlich seiner Fähigkeit, Ladungen zurückzuhalten, sowie seiner Beständigkeit gegenüber Umwelteinflüssen und seiner Langzeit-Stabilität.

Beispiel 1

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einer Oberflächenschutzschicht wird wie folgt hergestellt:

Eine photoleitfähige Schicht 102 wird wie folgt abge schieden: Silan, Wasserstoff und Diboran, enthalten in den Gasflaschen 20, 21 und 22, läßt man, wie im Vorste henden erwähnt, konstant in die Reaktionskammer 1 ein strömen, so daß das Konzentrations-Verhältnis Diboran zu Silan 10⁻⁴ beträgt. Das Anlegen der Hochfrequenz- Spannung erzeugt die Glimmentladung und ein a-Si-Film wird auf dem leitfähigen Substrat 104 abgeschieden.

Nachdem die Abscheidung während einer Dauer von 7,5 h stattgefunden hatte, wurde die Diboran-Konzentration allmählich erhöht, um die Konzentration an positiven Trägern zu steigern. Das heißt, der Steuergriff des Durchflußreglers 42 wird fortlaufend gedreht. Danach wird sofort die Hochfrequenz-Energiequelle 6 abgeschal tet. Unmittelbar vor dem Abschalten beträgt des Konzen trations-Verhältnis Diboran zu Silan 5×10⁻³. Auf diese Weise wird eine photoleitfähige Schicht 102 auf dem leitfähigen Substrat 104 gebildet, in der die Bor- Konzentration um die Oberfläche herum einen Maximalwert erreicht.

Was das SN-Verhältnis und die Lichtempfindlichkeit der photoleitfähigen a-Si-Schicht 102 betrifft, so kann der Fachmann leicht die Werte in der passenden Weise einre gulieren, beispielsweise dadurch, daß er eine kleine Menge Sauerstoff, Methan oder Ammoniak zugibt.

Als nächstes wird mittels des Glimmentladungs-Verfah rens die Oberflächenschutzschicht 103 gebildet. Die Zusammensetzung der in die Reaktionskammer 1 eingelei teten Gase ist folgende: Eine vorgewählte Menge Sauer stoff aus der Gasflasche 29 wird unter Kontrolle durch den Durchflußregler 49 nach dem Öffnen der Ventile 39 und 13 eingeleitet. Zur Anpassung der Diboran-Zufluß rate werden Diboran-Gas aus der Gasflasche 23 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 43 nach dem Öffnen des Ventils 33 sowie Silan-Gas aus der Gasflasche 20 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 40 nach dem Öffnen des Ventils 30 eingeleitet.

Wenn das Volumenverhältnis von Sauerstoff zu Silan auf einen Wert zwischen 0,5 und 2,0 eingestellt wird, wird der Oberflächenschutzfilm 103 stärker isolierend, wäh rend er bei Einstellung des Verhältnisses auf einen Wert zwischen 0,01 und 0,5 stärker photoleitfähig wird.

Tabelle 1 zeigt die Elektrophotographie-Charakteristik eines gemäß der vorstehenden Beschreibung hergestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials sowie diejenige eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gem. dem Stand der Technik, in der die Borkonzentration in der Photoleitungsschicht 102 konstant ist.

Tabelle 1

Es wurde gefunden, daß das elektrophotographische Aufzeichnungs material gemäß der vorliegenden Erfindung ein sehr niedriges Restpotential besitzt. Es wurde ebenfalls gefunden, daß es hervorragende Charakteristiken für den elektro photographischen Prozeß, etwa Beständigkeit gegen Um welteinflüsse, Langzeit-Stabilität und kein Verschwim men der Bilder in einer Kopie, besitzt.

Das elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial wird in dem Elektrophotographieverfahren in einer Vorrichtung eingesetzt, wie sie in Fig. 11 dargestellt ist. Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial wird auf eine Trommel 308 aufgetragen. In dem Elektrophotographie-Verfahren legt ein erstes Lade gerät (6,0 kV) 301 eine Spannung an die sich im Uhr zeigersinn drehende Trommel 308 an. Ein auf einem Manu skript befindliches Bild wird durch eine Linse 302 auf der Trommel 308 belichtet. Das belichtete Bild wird mittels eines Entwicklers 303 entwickelt und dann auf ein Übertragungspapier 304 übertragen. Nach der Über tragung wird die Trommel 308 mittels eines Reinigers 306 gereinigt und mittels einer Entladungsvorrichtung 307 entladen.

Wie in Fig. 3 dargestellt ist, kann eine Grundier schicht 105 zwischen dem Schichtträger 104 und der photo leitfähigen Schicht 102 eingelagert sein. Eine Grun dierschicht, auf die eine photoleitfähige Schicht aufgetragen werden soll, kann aus a-Si, das wenigstens Sauerstoff, Stickstoff oder Kohlenstoff enthält, be stehen und mittels eines ähnlichen Verfahrens gebildet werden, wie es zur Bildung der Oberflächenschicht ange wandt wird.

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, wie es in diesem Beispiel und den folgenden Beispielen 2 und 3 herge stellt wird, ist besonders gut einsetzbar, wenn die in der lichtempfindlichen Schicht aufgrund der Belichtung erzeugten Phototräger frei beweglich sein sollen. Um ein mit positiven Dotierungsmitteln versehenes photo leitfähiges Material lichtempfindlich zu machen, sollte die freie Oberfläche positiv geladen sein. Andernfalls können die Lichtempfindlichkeits-Eigenschaften eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials nicht in vollem Umfang in Erscheinung treten. In dem oben erwähnten elektrophoto graphischen Aufzeichnungsmaterial passieren unter dem Einfluß des ange legten äußeren Feldes durch Licht erzeugte Elektronen leicht die Photoleitschicht aufgrund des oben beschrie benen Anstiegs in dem Energie-Diagramm (Fig. 10) nahe der Grenzfläche mit der Oberflächenschutzschicht und vernichten die Ladungen an der freien Oberfläche.

Wenn andererseits die freie Oberfläche negativ geladen ist, vermögen photoerzeugte Löcher die Oberflächenla dungen infolge der Energiebarriere an der Grenzfläche nicht zu vernichten und werden zu Raumladungen. Dies wirkt sich sehr ungünstig auf das elektrophotographi sche Verfahren aus.

Fig. 12 (a) bis (f) zeigen bevorzugte Beispiele für die Bor-Konzentration (ausgezogene Linie j) und die Sauer stoff-Konzentration (gestrichelte Linie k) aufgetragen über dem Abstand in Richtung der Dicke eines elektrophotogr. Aufzeichnungsmaterials, in der X und Y die Oberfläche des leitfähigen Substrats 104 bzw. die freie Oberfläche 106 bezeichnen.

Wie in Fig. 12 (a) bis (f) dargestellt ist, kann der Anstieg der Bor-Konzentration (j) in der Nähe der Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 102 und der Oberflächenschutzschicht 103 linear oder kur venförmig mit konstanter Krümmung sein. Die Sauerstoff- Konzentration (k) kann in der Nähe der Grenzfläche ebenfalls einen Anstieg aufweisen. An der Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 102 und der Grundierschicht 105 können beide Konzentrationen eben falls einen Anstieg zeigen.

In dem in Fig. 12 (a) dargestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial ist die Bor-Konzentration in der licht empfindlichen Schicht 102 nahezu konstant, ausgenommen die Nachbarschaft der Oberflächenschutzschicht 103, wo die Bor-Konzentration linear zunimmt, während die Sau erstoff-Konzentration in der Oberflächenschutzschicht konstant ist. Diese Struktur entspricht derjenigen des oben beschriebenen Beispiels 1.

Das in Fig. 12 (b) dargestellte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial ist das gleiche wie die in Fig. 12 (a) gezeigte, jedoch mit der Abweichung, daß eine sowohl Sauer stoff als auch Bor enthaltende Grundierschicht 105 auf dem Substrat 104 aufgelagert ist. In der Grundier schicht 105 ist die Sauerstoff-Konzentration viel höher als die Bor-Konzentration.

In dem in Fig. 12 (c) dargestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial ist die Sauerstoff-Konzentration sowohl in der Grundierschicht 105 als auch in der Oberflächen schutzschicht 103 beträchtlich höher als in der photo leitfähigen Schicht 102. Die Bor-Konzentration ist sowohl in der Grundierschicht 105 als auch in der Ober flächenschutzschicht 103 höher, dagegen in der photo leitfähigen Schicht 102 niedriger als die Sauerstoff- Konzentration, ausgenommen in der Nähe der Oberflächen schutzschicht 103, wo die Bor-Konzentration linear an steigt.

In dem in Fig. 12 (d) dargestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial nimmt die Sauerstoff-Konzentration in der Schicht 105 und in der Oberflächenschutzschicht 103 kontinuierlich auf Null ab, wobei die Anstiege nahe den Grenzflächen mit der lichtempfindlichen Schicht 102 liegen. Die Bor-Konzentration in der Schicht 105 und in der Oberflächenschutzschicht 103 ist höher als die Bor- Konzentration in der lichtempfindlichen Schicht 102. Die Bor-Konzentration nimmt nahe der Grenzfläche zwi schen der photoleitfähigen Schicht 102 und der Grun dierschicht 105 kontinuierlich auf einen konstanten Wert ab und nimmt wieder mit konstantem Anstieg nahe der Grenzfläche mit der Oberflächenschutzschicht 103 zu.

In dem in Fig. 12 (e) dargestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial nimmt die Sauerstoff-Konzentration in der Oberflächenschutzschicht 103 kontinuierlich auf Null ab, wobei der Anstieg nahe der Grenzfläche mit der lichtempfindlichen Schicht 102 auftritt. Die Sauer stoff-Konzentration in der Grundierschicht 105 ist beträchtlich höher als die Bor-Konzentration. Die Bor- Konzentration in der lichtempfindlichen Schicht 102 steigt kurvenförmig nahe der Grenzfläche mit der Ober flächenschutzschicht 103 an und wird in der Oberflä chenschutzschicht 103 größer als die Sauerstoff-Kon zentration.

Das in Fig. 12 (f) dargestellte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial hat den gleichen Aufbau wie die in Fig. 12 (e) gezeigte, jedoch mit der Abweichung, daß die Oberflä chenschutzschicht 103 kein Bor enthält.

Beispiel 2

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial ähnlich demjenigen des Beispiels 1 wird wie folgt hergestellt: Es enthält Stickstoff statt Sauerstoff in der Oberflächenschutz schicht 103.

Eine photoleitfähige Schicht 102 wird auf einem leit fähigen Schichtträger 104 mittels des in Beispiel 1 erläu terten Verfahrens abgeschieden. Was das SN-Verhältnis und die Lichtempfindlichkeit der photoleitfähigen a-Si- Schicht 102 betrifft, so kann der Fachmann leicht die Werte in der passenden Weise einregulieren, beispiels weise dadurch, daß er eine kleine Menge Sauerstoff, Methan oder Ammoniak zugibt.

Als nächstes wird mittels des Glimmentladungs-Verfah rens die Oberflächenschutzschicht 103 gebildet. Die Zusammensetzung der in die Reaktionskammer 1 eingelei teten Gase ist folgende: Eine vorgewählte Menge Ammo niak aus der Gasflasche 25 wird unter Kontrolle durch den Durchflußregler 45 nach dem Öffnen des Ventils 35 eingeleitet. Zur Anpassung der Diboran-Zuflußrate wer den Diboran-Gas aus der Gasflasche 23 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 43 nach dem Öffnen des Ven tils 33 sowie Silan-Gas aus der Gasflasche 20 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 40 nach dem Öffnen des Ventils 30 eingeleitet.

Wenn das Volumenverhältnis von Ammoniak zu Silan auf einen Wert zwischen 0,5 und 2,0 eingestellt wird, wird der Oberflächenschutzfilm 103 stärker isolierend, wäh rend er bei Einstellung des Verhältnisses auf einen Wert zwischen 0,01 und 0,5 stärker photoleitfähig wird.

Tabelle 2 zeigt die Elektrophotographie-Charakteristik eines gemäß der vorstehenden Beschreibung hergestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials sowie dasjenige eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gem. dem Stand der Technik, in dem die Bor-Konzentration in der Photoleitungsschicht 102 konstant ist.

Tabelle 2

Es wurde gefunden, daß das elektrophotographische Auf zeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung ein sehr niedriges Restpotential besitzt. Es wurde ebenfalls gefunden, daß es hervorragende Charakteristiken für den elektro photographischen Prozeß, etwa Beständigkeit gegen Um welteinflüsse, Langzeit-Stabilität und kein Verschwim men der Bilder in einer Kopie, besitzt.

Fig. 12 (a) bis (f) zeigen auch bevorzugte Beispiele für die Bor-Konzentration (ausgezogene Linie j) und der Stickstoff-Konzentration (gestrichelte Linie k) aufge tragen über dem Abstand in Richtung der Dicke eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials.

Beispiel 3

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial ähnlich demjenigen des Beispiels 1 wird wie folgt herge stellt. Es enthält Kohlenstoff statt Sauerstoff in der Oberflächenschutz schicht 103.

Als nächstes wird mittels des Glimmentladungs-Verfah rens die Oberflächenschutzschicht 103 gebildet. Die Zusammensetzung der in die Reaktionskammer 1 eingelei teten Gase ist folgende: Eine vorgewählte Menge Methan aus der Gasflasche 26 wird unter Kontrolle durch den Durchflußregler 46 nach dem Öffnen des Ventils 36 ein geleitet. Zur Anpassung der Diboran-Zuflußrate werden Diboran-Gas aus der Gasflasche 23 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 43 nach dem Öffnen des Ventils 33 sowie Silan-Gas aus der Gasflasche 20 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 40 nach dem Öffnen des Ven tils 30 eingeleitet.

Wenn das Volumenverhältnis von Methan zu Silan auf einen Wert zwischen 0,5 und 2,0 eingestellt wird, wird der Oberflächenschutzfilm 103 stärker isolierend, wäh rend er bei Einstellung des Verhältnisses auf einen Wert zwischen 0,01 und 0,5 stärker photoleitfähig wird.

Tabelle 3 zeigt die Elektrophotographie-Charakteristika eines gemäß der vorstehenden Beschreibung hergestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials sowie das jenige eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gemäß dem Stand der Technik, in dem die Borkonzentration in der Photoleitungsschicht 102 konstant ist.

Tabelle 3

Es wurde gefunden, daß das elektrophotographische Aufzeich nungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung ein sehr niedriges Restpotential besitzt. Es wurde ebenfalls gefunden, daß es hervorragende Charakteristiken für den elektro photographischen Prozeß, etwa Beständigkeit gegen Um welteinflüsse, Langzeit-Stabilität und kein Verschwin men der Bilder in einer Kopie, besitzt.

Wie in Fig. 3 dargestellt ist, kann eine Grundier schicht 105 zwischen dem Schichtträger 104 und der photo leitfähigen Schicht 102 eingelagert sein. Eine Grun dierschicht, auf die eine photoleitfähige Schicht auf getragen werden soll, kann aus a-Si, das wenigstens Sauerstoff, Stickstoff oder Kohlenstoff enthält, be stehen und mittels eines ähnlichen Verfahrens gebildet werden, wie es zur Bildung der Oberflächenschicht ange wandt wird.

Fig. 12 (a) bis (f) zeigen auch bevorzugte Beispiele für die Bor-Konzentration (ausgezogene Linie j) und der Kohlenstoff-Konzentration (gestrichelte Linie k) aufge tragen über dem Abstand in Richtung der Dicke eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials.

Beispiel 4

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial ähnlich demjenigen des Beispiels 1 wird wie folgt hergestellt. Es enthält Stickstoff statt Sauerstoff in der Oberflächenschutz schicht.

Nachdem die Abscheidung während einer Dauer von 7,5 h stattgefunden hatte, wurde die Menge des in die Reak tionskammer 1 eingeleiteten Diborans allmählich vermin dert, um den Typ des Trägers zum n-Typ hin zu ändern.

Andererseits wird Phosphor unter Kontrolle durch den Durchflußregler 44 nach dem Öffnen des Ventils 34 ein geleitet. Das heißt, die Steuergriffe der Durchfluß regler 42 und 44 werden etwa 30 min fortlaufend in den Richtungen gedreht, daß die Durchflußmengen gesenkt bzw. gesteigert werden. Danach wird sofort die Hoch frequenz-Energiequelle 6 abgeschaltet. Unmittelbar vor dem Abschalten beträgt das Konzentrations-Verhältnis Phosphin zu Silan 5×10⁻³.

Auf diese Weise wird eine photoleitfähige Schicht 102 auf dem leitfähigen Schichtträger 104 gebildet, in der die Phosphor-Konzentration um die Oberfläche herum einen Maximalwert erreicht.

Als nächstes wird mittels des Glimmentladungs-Verfah rens die Oberflächenschutzschicht 103 gebildet. Die Zusammensetzung der in die Reaktionskammer 1 eingelei teten Gase ist folgende: Eine vorgewählte Menge Ammo niak aus der Gasflasche 25 wird unter Kontrolle durch den Durchflußregler 45 nach dem Öffnen des Ventils 35 eingeleitet. Zur Anpassung der Phosphin-Zuflußrate werden Phosphin-Gas aus der Gasflasche 24 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 44 nach dem Öffnen des Ven tils 34 sowie Silan-Gas aus der Gasflasche 20 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 40 nach dem Öffnen des Ventils 30 eingeleitet.

Tabelle 4 zeigt die Elektrophotographie-Charakteristik eines gemäß der vorstehenden Beschreibung hergestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials sowie die jenige eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gemäß dem Stand der Technik, in dem die Phosphorkonzentra tion in der Photoleitungsschicht 102 konstant ist.

Tabelle 4

Es wurde gefunden, daß das elektrophotographische Auf zeichungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung ein sehr niedriges Restpotential besitzt. Es wurde ebenfalls gefunden, daß es hervorragende Charakteristiken für den elektro photographischen Prozeß, etwa Beständigkeit gegen Um welteinflüsse, Langzeit-Stabilität und kein Verschwim men der Bilder in einer Kopie, besitzt.

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial, wie es in diesem Beispiel und den folgenden Beispielen 5 und 6 herge stellt wird, ist besonders gut einsetzbar, wenn die in der lichtempfindlichen Schicht aufgrund der Belichtung erzeugten Phototräger frei beweglich sein sollen. Um ein mit negativen Dotierungsmitteln vorsehenes photo leitfähiges Material lichtempfindlich zu machen, sollte die freie Oberfläche negativ geladen sein. Andernfalls können die Lichtempfindlichkeits-Eigenschaften eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials nicht in vollem Umfang in Erscheinung treten. In dem oben erwähnten elektro photographischen Aufzeichnungsmaterial passieren unter dem Einfluß des angelegten äußeren Feldes durch Licht erzeugte Löcher leicht die Photoleitschicht aufgrund des oben beschrie benen Anstiegs in dem Energie-Diagramm nahe der Grenz fläche mit der Oberflächenschutzschicht und vernichten die Ladungen an der freien Oberfläche.

Wenn andererseits die freie Oberfläche negativ geladen ist, vermögen photoerzeugte Elektronen die Oberflächen ladungen infolge der Energiebarriere an den Grenzfläche nicht zu vernichten und werden zu Raumladungen. Dies wirkt sich sehr ungünstig auf das elektrophotographi sche Verfahren aus.

Fig. 13 (a) bis (f) zeigen bevorzugte Beispiele für die Phosphor-Konzentration (ausgezogene Linie l) und die Stickstoff-Konzentration (gestrichelte Linie m) aufge tragen über dem Abstand in Richtung der Dicke eines elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial, worin X und Y die Oberfläche des leitfähigen Schichtträgers 104 bzw. die freie Oberfläche 106 eines elektrophotographischen Aufzeichnungs materials bezeichnen.

Wie in Fig. 13 (a) bis (f) dargestellt ist, kann der Anstieg der Phosphor-Konzentration (l) in der Nähe des Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 102 und der Oberflächenschutzschicht 103 linear oder kur venförmige mit konstanter Krümmung sein. Die Stickstoff- Konzentration (m) kann in der Nähe der Grenzfläche ebenfalls einen Anstieg aufweisen. An der Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 102 und der Grundierschicht 105 können beide Konzentrationen eben falls einen Anstieg zeigen.

In dem in Fig. 13 (a) dargestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial ist die Phosphor-Konzentration in der lichtempfindlichen Schicht 102 nahezu konstant, ausge nommen die Nachbarschaft der Oberflächenschutzschicht 103, wo die Phosphor-Konzentration linear zunimmt, wäh rend die Stickstoff-Konzentration in der Oberflächen schutzschicht konstant ist.

Das in Fig. 13 (b) dargestellte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial ist das gleiche wie die in Fig. 13 (a) gezeig te, jedoch mit der Abweichung, daß eine sowohl Stick stoff als auch Phosphor enthaltende Grundierschicht 105 auf dem Schichtträger 104 aufgelagert ist und daß Phosphor nur in der Nähe der Grenzfläche mit der Oberflächen schutzschicht 103 zugesetzt ist. Diese Struktur ent spricht derjenigen des oben beschriebenen Beispiels 1 mit der Ausnahme des Zusatzes von Stickstoff in der Grundierschicht 105.

In dem in Fig. 13 (c) dargestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial ist die Stickstoff-Konzentration sowohl in der Grundierschicht 105 als auch in der Oberflächen schutzschicht 103 beträchtlich höher als in der photo leitfähigen Schicht 102. Die Phosphor-Konzentration ist sowohl in der Grundierschicht 105 als auch in der Ober flächenschutzschicht 103 höher, dagegen in der photo leitfäigen Schicht 102 niedriger als die Stickstoff- Konzentration, ausgenommen in der Nähe der Oberflächen schutzschicht 103, wo die Phosphor-Konzentration linear ansteigt.

In dem in Fig. 13 (d) dargestellten elektrophotograpischen Aufzeichnungsmaterial nimmt die Stickstoff-Konzentration in der Grundierschicht 105 und in der Oberflächenschutzschicht 103 kontinuierlich auf Null ab, wobei die Anstiege nahe den Grenzflächen mit der lichtempfindlichen Schicht 102 liegen. Die Phosphor-Konzentration in der Grundier schicht 105 und in der Oberflächenschutzschicht 103 ist höher als die Phosphor-Konzentration in der licht empfindlichen Schicht 102. Die Phosphor-Konzentration nimmt nahe der Grenzfläche zwischen der photoleitfähigen Schicht 102 und der Grundierschicht 105 kontinuier lich auf einen konstanten Wert ab und nimmt wieder mit konstantem Anstieg nahe der Grenzfläche mit der Ober flächenschutzschicht 103 zu.

In dem in Fig. 13 (e) dargestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterial nimmt die Stickstoff-Konzentration in der Oberflächenschutzschicht 103 kontinuierlich auf Null ab, wobei der Anstieg nahe der Grenzfläche mit der lichtempfindlichen Schicht 102 auftritt. Die Stick stoff-Konzentration in der Grundierschicht 105 ist beträchtlich höher als die Phosphor-Konzentration. Die Phosphor-Konzentration in der lichtempfindlichen Schicht 102 steigt kurvenförmig nahe der Grenzfläche mit der Oberflächenschutzschicht 103 an und wird in der Oberflächenschutzschicht 103 größer als die Stickstoff- Konzentration.

Das in Fig. 13 (f) dargestellte elektrophotographische Aufzeichnungsmaterial hat den gleichen Aufbau wie die in Fig. 13 (b) gezeigte. Jedoch zeigen nahe der Grenzfläche mit der Oberflächenschutzschicht 103 die Phosphor-Konzentration einen kurvenförmigen Anstieg und die Stickstoff-Konzen tration einen linearen Anstieg.

Beispiel 5

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial ähnlich demjenigen des Beispiels 5 wird wie folgt hergestellt. Es enthält Kohlenstoff statt Stickstoff in der Oberflächenschutz schicht 103.

Als nächstes wird mittels des Glimmentladungs-Verfah rens die Oberflächenschutzschicht 103 gebildet. Die Zusammensetzung der in die Reaktionskammer eingelei teten Gase ist folgende: Eine vorgewählte Menge Methan aus der Gasflasche 26 wird unter Kontrolle durch den Durchflußregler 46 nach dem Öffnen des Ventils 36 ein geleitet. Zur Anpassung der Phosphin-Zuflußrate werden Phosphin-Gas aus der Gasflasche 24 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 44 nach dem Öffnen des Ven tils 34 sowie Silan-Gas aus der Gasflasche 20 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 40 nach dem Öffnen des Ventils 30 eingeleitet.

Tabelle 5 zeigt die Elektrophotographie-Charakteristik eines gemäß der vorstehenden Beschreibung hergestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials sowie die jenige eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gemäß dem Stand der Technik, in dem die Borkonzentration in der Photoleitungsschicht 102 konstant ist.

Tabelle 5

Es wurde gefunden, daß das elektrophotographische Auf zeichnungsmaterial gemäß der vorliegenden Erfindung ein sehr niedriges Restpotential besitzt. Es wurde ebenfalls gefunden, daß sie hervorragende Charakteristiken für den elektro photographischen Prozeß, etwa Beständigkeit gegen Um welteinflüsse, Langzeit-Stabilität und kein Verschwim men der Bilder in einer Kopie, besitzt.

Wie in Fig. 3 dargestellt ist, kann eine Grundier schicht 105 zwischen dem Schichtträger 104 und der photo leitfähigen Schicht 102 eingelagert sein. Eine Grun dierschicht, auf die eine photoleitfähige Schicht auf getragen werden soll, kann aus a-Si, das wenigstens Sauerstoff enthält, bestehen und mittelts eines ähnli chen Verfahrens gebildet werden, wie es zur Bildung der Oberflächenschicht angewandt wird.

Fig. 13 (a) bis (f) zeigen auch bevorzugte Beispiele für die Phosphor-Konzentration (ausgezogene Linie l) und der Kohlenstoff-Konzentration (gestrichelte Linie m) aufgetragen über dem Abstand in Richtung der Dicke einer photoleitfähigen Vorrichtung.

Beispiel 6

Ein elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial ähnlich demjenigen des Beispiels 4 wird wie folgt hergestellt. Es enthält Sauerstoff statt Stickstoff in der Oberflächenschutz schicht 103.

Als nächstes wird mittels des Glimmentladungs-Verfah rens die Oberflächenschutzschicht 103 gebildet. Die Zusammensetzung der in die Reaktionskammer 1 eingelei teten Gase ist folgende: Eine vorgewählte Menge Sauer stoff aus der Gasflasche 29 wird unter Kontrolle durch den Durchflußregler 49 nach dem Öffnen der Ventile 39 und 13 eingeleitet. Zur Anpassung der Phosphin-Zufluß rate werden Phosphin-Gas aus der Gasflasche 24 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 44 nach dem Öffnen des Ventils 34 sowie Silan-Gas aus der Gasflasche 20 unter Kontrolle durch den Durchflußregler 40 nach dem Öffnen des Ventils 30 eingeleitet.

Tabelle 6 zeigt die Elektrophotographie-Charakteristik eines gemäß der vorstehenden Beschreibung hergestellten elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials sowie die jenige eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials gemäß dem Stand der Technik, in dem die Phosphor-Konzen tration in der Photoleitungsschicht 102 konstant ist.

Tabelle 6

Fig. 13 (a) bis (f) zeigen auch bevorzugte Beispiele für die Phosphor-Konzentration (ausgezogene Linie l) und der Sauerstoff-Konzentration (gestrichelte Linie m) aufgetragen über dem Abstand in Richtung der Dicke eines elektrophotographischen Aufzeichnungsmaterials.

Beispiel 7

Ein anderer Typ eines elektrophotographischen Aufzeich nungsmaterials mit einer aus 3 Schichten aufgebauten Struktur, wie sie in Fig. 2 dargestellt ist, wird wie folgt hergestellt, wobei die Konzentration des Dotierungsmittels wie Bor in der photoleitfähigen Schicht konstant gehalten wird, während die Oberflächenschutzschicht Sauerstoff und Bor enthält.

Eine photoleitfähige Schicht 102 wird auf einem leit fähigen Schichtträger 104 mittels eines ähnlichen Verfah rens, wie es in Beispiel 1 erläutert wurde, während etwa 8 h abgeschieden. Die Bor-Konzentration wird in der photoleitfähigen Schicht 102 konstant gehalten. Danach wird auf der photoleitfähigen Schicht 102 eine Oberflächenschutzschicht 103 abgeschieden. Acht Proben werden durch Variieren der Sauerstoff-Menge in der Oberflächenschutzschicht hergestellt.

Tabelle 7 zeigt drei Parameter für die 8 Proben: das prozentuale Stoffmengen-Verhältnis (B/Si) der Konzen tration der Bor-Atome zu der Konzentration der Sili cium-Atome (Atom-%), das Volumen-Verhältnis (O₂/SiH₄) von Sauerstoff-Gas zu Silan-Gas und das Volumen-Ver hältnis (B₂H₆/SiH₄) von Diboran-Gas zu Silan-Gas, die in die Reaktionskammer 1 eingeleitet wurden.

Die Elektrographie-Charakteristiken, die Beständigkeit gegenüber Umwelteinflüssen und die Langzeit-Stabilität der acht Proben werden mit einer Elektrophotographie- Vorrichtung, wie er in Fig. 11 dargestellt ist, gemessen.

Tabelle 7

Tabelle 8

Die Umweltbeständigkeit wird dadurch geprüft, daß die elektrographischen Charakteristiken wiederholt unter hoher Temperatur und hoher Feuchtigkeit getestet wur den. Dementsprechend bezeichnet die in Tabelle 8 ange gebene Umweltbeständigkeit auch die Stabilität. Die Langzeit-Stabilität wird dadurch getestet, daß die elektrophotographischen Charakteristiken 11 Tage nach der Herstellung der Probe mit denjenigen zu Anfang ver glichen wurden.

Aus Tabelle 8 ist zu ersehen, daß unter den acht Proben das Bezugsbeispiel und die Beispiele 1 und 2 überlegen sind. Hieraus ist zu entnehmen, daß eine viel Sauerstoff enthal tende Oberflächenschutzschicht hervorragende Umweltbe ständigkeit und Langzeit-Stabilität besitzt. Wenn ande rerseits die Oberflächenschutzschicht wenig Sauerstoff enthält, werden das Oberflächenpotential, das Rest potential und die Langzeit-Stabilität schlechter. Weiterhin senkt der Zusatz von Bor das Restpotential. Die prozentualen Stoffmengen-Verhältnisse B/Si des Be zugsbeispiels und der Beispiele 1 und 2 betragen 0,001, 0,01 bzw. 0,1. Dementsprechend ist ein prozentuales Stoffmenge-Ver hältnis B/Si im Bereich zwischen 10⁻¹ und 10⁻³ zu be vorzugen.

Die zweckmäßigen Werte für die Sauerstoff-Menge und das Stoffmengen-Verhältnis B/Si können von dem Fachmann leicht ausgewählt werden.

Für das Verhältnis B₂H₆/SiH₄ gilt, daß das Restpoten tial in ungünstiger Weise ansteigt, wenn dieses Ver hältnis klein ist, während mit der Zunahme dieses Ver hältnisses das Restpotential in zu bevorzugender Weise abnimmt.

In den oben aufgeführten Beispielen sind die Oberflä chenschutzschichten mit Bor dotiert. Es wurde jedoch gefunden, daß Bor auch durch andere Elemente der Gruppe IIIa ersetzt werden kann.

Weiterhin wurde gefunden, daß die Charakteristiken sich in bemerkenswerter Weise verbessern lassen, wenn die Dicke der Oberflächenschutzschicht zwischen 0,01 und 4,0 µm liegt.

Claims

1. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden Schichtträger,
einer photoleitfähigen Schicht aus wenigstens Wasser stoff enthaltendem amorphem Silicium, der ein Dotie rungsmittel eines Elementes der Gruppe IIIa oder Va zugesetzt ist und
einer auf die photoleitfähige Schicht aufgebrachten Oberflächenschutzschicht,
dadurch gekennzeichnet, daß das Dotierungsmittel we nigstens in der Nähe der Grenzfläche mit der Ober flächenschutzschicht zugesetzt ist und die Konzentra tion des Dotierungsmittels in der Richtung senkrecht zu der Grenzfläche zunimmt und die Oberflächenschutz schicht einen optischen Bandabstand aufweist, der größer ist als derjenige der photoleitfähigen Schicht.

2. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Dotierungsmittels in der photoleitfähigen Schicht in der Richtung senkrecht zu der Grenzfläche mit der Oberflächenschutzschicht linear zunimmt.

3. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Dotierungsmittels in der photoleitfähigen Schicht in der Richtung senkrecht zu der Grenzfläche mit der Oberflächenschutzschicht in Form einer Kurve zunimmt.

4. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ober flächenschutzschicht aus Sauerstoff enthaltendem amor phem Silicium besteht und die Konzentration des Sauer stoffs in der Oberflächenschutzschicht größer ist als die Konzentration des Sauerstoffs in der photoleitfähigen Schicht, die nicht notwendigerweise Sauerstoff ent hält.

5. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ober flächenschutzschicht aus Stickstoff enthaltendem amor phem Silicium besteht und die Konzentration des Stick stoffs in der Oberflächenschutzschicht größer ist als die Konzentration des Stickstoffs in der photoleitfähi gen Schicht.

6. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ober flächenschutzschicht aus Kohlenstoff enthaltendem amor phem Silicium besteht und die Konzentration des Kohlen stoffs in der Oberflächenschutzschicht größer ist als die Konzentration des Kohlenstoffs in der photoleit fähigen Schicht.

7. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe IIIa Bor ist.

8. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine aus wenigstens Sauerstoff, Stickstoff oder Kohlenstoff ent haltendem amorphem Silicium bestehende Schicht zwischen dem elektrisch leitenden Schichtträger und der photo leitfähigen Schicht aufgebracht ist.

9. Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial nach An spruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Element der Gruppe Va Phosphor ist.