DE3209055C2 - - Google Patents
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- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 123
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 119
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 88
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 84
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 80
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 50
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 32
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 claims description 26
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 17
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910015148 B2H6 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 12
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 11
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 claims description 11
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 11
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N Nitrogen dioxide Chemical compound O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910005096 Si3H8 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 7
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910007245 Si2Cl6 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910007260 Si2F6 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 5
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N trifluoro(trifluorosilyl)silane Chemical compound F[Si](F)(F)[Si](F)(F)F SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001343 alkyl silanes Chemical class 0.000 claims description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N dinitrogen trioxide Chemical compound [O-][N+](=O)N=O LZDSILRDTDCIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021630 Antimony pentafluoride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017009 AsCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017050 AsF3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910015845 BBr3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000074 antimony hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I antimony pentafluoride Chemical compound F[Sb](F)(F)(F)F VBVBHWZYQGJZLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 claims description 2
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N arsenic trifluoride Chemical compound F[As](F)F JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 229910000072 bismuth hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BPBOBPIKWGUSQG-UHFFFAOYSA-N bismuthane Chemical compound [BiH3] BPBOBPIKWGUSQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N diphosphane Chemical compound PP VURFVHCLMJOLKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentafluoride Chemical compound FP(F)(F)(F)F OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N phosphorus trichloride Chemical compound ClP(Cl)Cl FAIAAWCVCHQXDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N phosphorus trifluoride Chemical compound FP(F)F WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N stibane Chemical compound [SbH3] OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017049 AsF5 Inorganic materials 0.000 claims 1
- YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N arsenic pentafluoride Chemical compound F[As](F)(F)(F)F YBGKQGSCGDNZIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 153
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 48
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 SiJ4 Chemical compound 0.000 description 12
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 9
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 4
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004473 SiHF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O azanium;azide Chemical compound [NH4+].[N-]=[N+]=[N-] UAZDIGCOBKKMPU-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N butene Natural products CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N trans-but-2-ene Chemical compound C\C=C\C IAQRGUVFOMOMEM-ONEGZZNKSA-N 0.000 description 2
- ATVLVRVBCRICNU-UHFFFAOYSA-N trifluorosilicon Chemical compound F[Si](F)F ATVLVRVBCRICNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910014264 BrF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910014263 BrF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910014271 BrF5 Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020313 ClF Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020323 ClF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910003676 SiBr4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003818 SiH2Cl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003816 SiH2F2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003826 SiH3Cl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003824 SiH3F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHVUVQAANZKEKF-UHFFFAOYSA-N bromine pentafluoride Chemical compound FBr(F)(F)(F)F XHVUVQAANZKEKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000421 cerium(III) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001179 chromel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGNHOGAVECORPT-UHFFFAOYSA-N difluorosilicon Chemical compound F[Si]F MGNHOGAVECORPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N fluoridochlorine Chemical compound ClF OMRRUNXAWXNVFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHPNWZCWUUJAJC-UHFFFAOYSA-N fluorosilicon Chemical compound [Si]F ZHPNWZCWUUJAJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N silicon tetrabromide Chemical compound Br[Si](Br)(Br)Br AIFMYMZGQVTROK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N trifluoro-$l^{3}-bromane Chemical compound FBr(F)F FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N trisiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH2]O[SiH3] ZQTYRTSKQFQYPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials gemäß dem Oberbegriff
von Patentanspruch 1 und ein elektrofotografisches
Aufzeichnungsmaterial gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch
14.
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials, bei dem auf einem Träger dadurch
eine fotoleitfähige Schicht gebildet wird, daß eine
Ausgangssubstanz für die Bildung einer z. B. aus amorphem Silicium
bestehenden fotoleitfähigen Schicht im gasförmigen
Zustand in eine unter einem gewünschten verminderten Druck
gehaltene Abscheidungskammer eingeleitet und in der Gasatmosphäre
der Ausgangssubstanz eine Glimmentladung angeregt
wird, um ein Plasma zu erzeugen, ist es im Vergleich mit üblichen
Vakuumaufdampfungsverfahren besonders im Fall einer
fotoleitfähigen Schicht mit einer großen Fläche sehr schwierig,
die Schichtbildungsgeschwindigkeit zu erhöhen und dabei
die Schichtdicke so zu steuern, daß sie über die gesamte
Fläche gleichmäßig ist, und auch die physikalischen Eigenschaften
wie die elektrischen, optischen und elektrooptischen
Eigenschaften sowie die Qualität des elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials so zu steuern, daß sie gleichmäßig
sind.
Wenn beispielsweise auf einem Träger durch Zersetzung
bzw. Spaltung eines Gases wie SiH₄, Si₂H₆ oder SiF₄
oder einer Mischung von SiH₄ und SiF₄ unter Anwendung
der Energie einer Entladung eine fotoleitfähige Schicht aus amorphem
Silicium, das Wasserstoffatome und/oder Halogenatome
(X) enthält [nachstehend als "a-Si(H, X)" bezeichnet],
gebildet werden soll, damit die elektrischen Eigenschaften
der Schicht ausgenutzt werden können, hängen die
elektrischen Eigenschaften der Schicht in hohem Maße
von der Abscheidungsgeschwindigkeit der Schicht und
von der Trägertemperatur während der Bildung der Schicht
ab. Aus diesem Grund ist es notwendig, die Abscheidungsgeschwindigkeit
der Schicht zu vermindern und die Trägertemperatur
zu erhöhen, damit gleichmäßige, elektrische
Eigenschaften und eine verbesserte Schichtqualität über
dem gesamten Schichtbereich erzielt werden.
Andererseits kann als Mittel zur Verbesserung der Produktivität
und der Möglichkeit der Massenanfertigung eine
Erhöhung der Entladungsleistung und der Gasströmungsmenge
zwecks Erhöhung der Schichtabscheidungsgeschwindigkeit
in Betracht gezogen werden. Wenn die Entladungsleistung
und/oder die Gasströmungsmenge zwecks Erhöhung
der Schichtabscheidungsgeschwindigkeit erhöht werden,
zeigt die gebildete Schicht jedoch eine ausgeprägte
Neigung zu einer Verschlechterung ihrer elektrischen,
optischen und Fotoleitfähigkeitseigenschaften und zu
einer Erhöhung der Abhängigkeit dieser Eigenschaften
der Schicht von den Anwendungsorten, weshalb es unter
diesen Bedingungen sehr schwierig ist, eine Schicht
mit guter Qualität zu bilden. Für die im industriellen
Maßstab erfolgende Herstellung eines elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterial mit einer fotoleitfähigen Schicht, die aus
amorphem Silicium besteht, ist es demnach notwendig, die
Produktivität und die Möglichkeit der Massenanfertigung
einschließlich der Reproduzierbarkeit zu verbessern
und gleichzeitig auch eine ausgezeichnete und gleichmäßige
Schichtqualität, die mit der
Fotoempfindlichkeit, den Eigenschaften während
der wiederholten Anwendung und der Abhängigkeit der
Eigenschaften von der Umgebung während der Anwendung
eng zusammenhängt, beizubehalten.
Aus der DE-OS 28 55 718 ist ein Verfahren zur Herstellung
eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials bekannt,
bei dem auf einem Träger durch Zersetzung bzw. Spaltung von
Ausgangssubstanzen im gasförmigen Zustand, die in eine unter
einem gewünschten verminderten Druck gehaltene Abscheidungskammer
eingeleitet werden, mittels Anregung einer Entladung
in der Gasatmosphäre der Ausgangssubstanzen eine fotoleitfähige
Schicht aus amorphem Silicium, das Wasserstoffatome und
gegebenenfalls Atome eines Elements der Gruppe IIIA oder VA
des Periodensystems enthält, gebildet wird. Als Ausgangssubstanzen
für die Einführung von Siliciumatomen werden Siliciumverbindungen
wie Silane erwähnt. Dieses bekannte Verfahren
ist hinsichtlich der Abscheidungsgeschwindigkeit der fotoleitfähigen
Schicht, die zur Verbesserung der Produktivität
und zur Ermöglichung der Massenfertigung möglichst hoch sein
sollte, ohne daß die Eigenschaften der fotoleitfähigen
Schicht beeinträchtigt werden, noch nicht zufriedenstellend.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Herstellung eines elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1 derart zu
verbessern, daß die Abscheidungsgeschwindigkeit der fotoleitfähigen
Schicht zur Verbesserung der Produktivität und zur Ermöglichung
der Massenfertigung erhöht werden kann, ohne daß
die Eigenschaften der fotoleitfähigen Schicht beeinträchtigt
werden, wobei die fotoleitfähige Schicht auch in diesem Fall,
daß sie eine große Fläche hat, eine gleichmäßige Dicke aufweisen
soll.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den im kennzeichnenden
Teil von Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.
Eine besondere Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial gemäß Patentanspruch
14.
Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden
nachstehend unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen
näher erläutert.
Fig. 1 ist eine schematische Darstellung, die zur
Erläuterung der Schichtstruktur einer Ausführungsform
des nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellten, elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials dient.
Fig. 2 ist eine schematische Darstellung, die zur
Erläuterung eines Beispiels einer Vorrichtung
dient, die für die praktische Durchführung
des erfindungsgemäßen Verfahrens
angewendet wird.
Die Verbindungen der Formel (A) oder (B) werden
als Ausgangssubstanzen für die Einführung von
Siliciumatomen, die am Aufbau der herzustellenden fotoleitfähigen
Schicht beteiligt sind, eingesetzt. Im
einzelnen können als Verbindungen der Formel (A) in
wirksamer Weise gasförmige oder vergasbare Silane wie
SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈, Si₄H₁₀, Si₅H₁₂, Si₆H₁₄, Si₇H₁₆, und
Si₈H₁₈ eingesetzt werden.
Als Verbindungen der Formel (B) können in wirksamer
Weise SiX₄, Si₂X₆, Si₃X₈, SiHX₃, SiH₂X₂ und SiH₃X
(worin X F, Cl, Br oder J ist), beispielsweise SiF₄,
SiCl₄, SiBr₄, SiJ₄, Si₂F₆, Si₂Cl₆, Si₂Br₆, Si₂J₆,
Si₃F₈, Si₃Cl₈, SiHF₃, SiHCl₃, SiHBr₃, SiHJ₃, SiH₂F₂,
SiH₂Cl₂, SiH₃F und SiH₃Cl, eingesetzt werden.
Die Ausgangssubstanzen für die Bildung der fotoleitfähigen
Schicht werden so ausgewählt, daß sie
mindestens zwei Verbindungen enthalten, die aus der
aus den Verbindungen der Formel (A) und den Verbindungen
der Formel (B) bestehenden, zweiten Gruppe ausgewählt
sind. Die erwähnten, mindestens zwei Verbindungen können
beispielsweise nur aus Verbindungen der Formel (A) oder
nur aus Verbindungen der Formel (B) ausgewählt sein.
Es ist auch möglich, daß die erwähnten, mindestens zwei
Verbindungen aus mindestens einer Verbindung der Formel
(A) und mindestens einer Verbindung der Formel (B) bestehen.
Die vorstehend beschriebenen Ausgangssubstanzen
der zweiten Gruppe, die für
die Bildung der fotoleitfähigen Schicht eingesetzt werden,
werden im gasförmigen Zustand in eine Abscheidungskammer
eingeleitet, oder entsprechende Substanzen, die
die Ausgangssubstanzen bilden, werden alternativ im
gasförmigen Zustand in die Abscheidungskammer eingeleitet,
so daß sie bei der Einleitung in die Abscheidungskammer
die vorstehend erwähnten Ausgangssubstanzen bilden können.
Zusammen mit oder getrennt von den Verbindungen der Formel
(A) oder der Formel (B) kann irgendein Vertreter
der Sauerstoffatome enthaltenden Substanzen, der
Stickstoffatome enthaltenden
Substanzen, oder der Kohlenstoffatome
enthaltenden Substanzen,
bei denen es sich jeweils um weitere
Ausgangssubstanzen für die Bildung der fotoleitfähigen
Schicht handelt, in die vorstehend erwähnte Abscheidungskammer
eingeleitet werden.
Die Bildung einer fotoleitfähigen
Schicht auf einem Träger wird bewirkt, indem in einer Gasatmosphäre
aus den Ausgangssubstanzen,
die vorstehend beschrieben
worden sind, eine Entladung wie eine Glimmentladung oder
eine Bogenentladung angeregt wird.
In der nachstehenden Beschreibung werden n und m als
"Ordnungszahlen" bezeichnet. Eine Verbindung der minimalen
Ordnung ist eine Verbindung, deren Ordnungszahl die
kleinste der Ordnungszahlen der Verbindungen der Formeln
(A) und (B) ist. Eine Verbindung hoher Ordnung ist
eine Verbindung, deren Ordnungszahl höher ist als die
Ordnungszahl der Verbindungen der minimalen Ordnung.
Wenn die Ausgangssubstanzen
der zweiten Gruppe aus mindestens zwei Verbindungen bestehen,
die aus den Verbindungen der Formel (A) ausgewählt
sind, werden von den ausgewählten Verbindungen
zur Bildung einer Gruppe von Verbindungen hoher Ordnung
mit höheren Ordnungszahlen n Si₂H₆, Si₃H₈ und Si₄H₁₀
bevorzugt. Sie können in Form einer Mischung eingesetzt
werden. Alternativ wird zur Bildung einer Gruppe von
Verbindungen hoher Ordnung mit höherer Ordnungszahl n
mindestens eine dieser Verbindungen als Hauptbestandteil
in Kombination mit anderen Verbindungen, bei denen n
5 oder eine höhere, ganze Zahl ist, eingesetzt.
Im einzelnen wird ein gemischtes System bevorzugt, bei
dem Si₃H₈ und/oder Si₄H₁₀, die die Hauptbestandteile
einer Gruppe von Verbindungen hoher Ordnung mit höheren
Ordnungszahlen n bilden, in Kombination mit Si₂H₆ als
der Verbindung mit der minimalen Ordnungszahl n eingesetzt
werden.
Neben einem solchen gemischten System wird auch der Einsatz
eines gemischten Systems bevorzugt, bei dem als
Verbindung der minimalen Ordnung mit der minimalen Ordnungszahl
n SiH₄ anstelle von Si₂H₆ eingesetzt wird und
mindestens ein Vertreter der Gruppe Si₂H₆, Si₃H₈ und
Si₄H₁₀ als Hauptbestandteil für die Bildung der Gruppe
von Verbindungen hoher Ordnung mit höheren Ordnungszahlen
n ausgewählt wird.
Wenn die Ausgangssubstanzen
der zweiten Gruppe aus mindestens zwei Verbindungen bestehen,
die aus den Verbindungen der Formel (B) ausgewählt
sind, werden von den ausgewählten Verbindungen
zur Bildung einer Gruppe von Verbindungen hoher Ordnung
mit höheren Ordnungszahlen m Si₂F₆, Si₂Cl₆, Si₂Br₆ und
Si₃F₈ bevorzugt. Sie können in Form einer Mischung eingesetzt
werden. Alternativ kann zur Bildung einer
Mischung von Verbindungen hoher Ordnung mit höheren Ordnungszahlen
m mindestens eine dieser Verbindungen als
Hauptbestandteil in Kombination mit anderen Verbindungen,
die eine höhere Ordnungszahl m haben, eingesetzt werden.
Im einzelnen wird ein gemischtes System bevorzugt, bei
dem ein, zwei oder alle Vertreter der Gruppe Si₂F₆,
Si₂Cl₆ und Si₂Br₆, die die Hauptbestandteile einer Gruppe
von Verbindungen hoher Ordnung mit höheren Ordnungszahlen
m bilden, in Kombination mit SiF₄ oder SiCl₄ als Verbindung
mit der minimalen Ordnungszahl m eingesetzt werden.
Bei dem als Ausgangssubstanzen
für die Bildung der fotoleitfähigen Schicht verwendeten mindestens zwei Verbindungen der
zweiten Gruppe kann es sich um mindestens eine Verbindung der Formel (A) oder
(B) und mindestens zwei Verbindungen der jeweils anderen
Formel, d. h. der Formel (B) oder (A), handeln.
Alternativ können die mindestens zwei Verbindungen aus mindestens
einer der Verbindungen der Formel (A) und mindestens
einer der Verbindungen der Formel (B) bestehen. Diese
ausgewählten Verbindungen werden in einem solchen Verhältnis
in eine Abscheidungskammer eingeleitet, daß der
Anteil der Verbindungen hoher Ordnung, die eine höhere
Ordnungszahl n oder m haben als die Verbindung der minimalen
Ordnung mit dem minimalen Wert der Ordnungszahl
n oder m, im allgemeinen 1 Vol.-% oder mehr, auf das
Volumen der Verbindung der minimalen Ordnung mit der
minimalen Ordnungszahl bezogen, beträgt. Zur Bildung
der fotoleitfähigen Schicht wird die elektrische Entladung
in einer gemischten Gasatmosphäre mit einer solchen
Zusammensetzung durchgeführt. Der Anteil der Verbindungen
hoher Ordnung sollte vorzugsweise mindestens 5 Vol.-%
und insbesondere 10 Vol.-% oder mehr betragen.
Die Obergrenze für den Anteil der Verbindungen hoher
Ordnung, die in Abhängigkeit von
den für die Bildung des gemischten Systems eingesetzten
Verbindungen festgelegt werden kann, beträgt im allgemeinen
99 Vol.-% und vorzugsweise 97 Vol.-%.
Die Substanz, die Sauerstoffatome
enthält, wird als
Ausgangssubstanz
zum Einbau von Sauerstoffatomen in die gebildete,
fotoleitfähige Schicht eingesetzt.
Diese Substanz wird geeigneterweise im
allgemeinen im gasförmigen Zustand oder in Form einer
leicht vergasbaren Substanz eingesetzt. Als gasförmige
Ausgangssubstanzen für den Einbau von Sauerstoffatomen,
die in wirksamer Weise eingesetzt werden
können, können Sauerstoff (O₂) und Ozon (O₃) und auch
niedere Siloxane, die
Si-, O- und H-Atome enthalten, beispielsweise Disiloxan H₃SiOSiH₃
oder Trisiloxan H₃SiOSiH₂OSiH₃, erwähnt werden. Sauerstoff
(O₂) ist besonders geeignet.
Die Substanz, die Stickstoffatome
enthält,
ist eine Ausgangssubstanz für den Einbau von Stickstoffatomen
in die gebildete, fotoleitfähige Schicht.
Es ist zur Erleichterung der Produktion sowie vom Gesichtspunkt
der Beförderung der Ausgangssubstanzen erwünscht,
daß diese Substanz im gasförmigen Zustand in
die zur Bildung der fotoleitfähigen Schicht dienende
Abscheidungskammer eingeleitet wird. Aus diesem Grund
können im allgemeinen die Substanzen eingesetzt werden,
die unter normalen Temperatur- und Druckbedingungen gasförmig
sind oder zumindest unter den Schichtbildungsbedingungen
leicht vergasbar sind.
Als Ausgangssubstanzen, die in wirksamer Weise für den
Einbau von Stickstoffatomen eingesetzt werden können,
können beispielsweise Stickstoff (N₂) und gasförmige
oder vergasbare Stickstoffverbindungen wie Nitride oder
Azide, die N und H als am Aufbau beteiligte Atome enthalten,
beispielsweise Ammoniak (NH₃), Hydrazin (H₂NNH₂),
Stickstoffwasserstoffsäure (NH₃) und Ammoniumazid (NH₄N₃),
erwähnt werden.
Außer den vorstehend erwähnten Substanzen können auch
Stickstoffhalogenid-Verbindungen wie Stickstofftrifluorid
(NF₃) und Stickstofftetrafluorid (N₂F₄) eingesetzt werden,
um zusätzlich zum Einbau von Stickstoffatomen auch
Halogenatome (X) einzubauen, wodurch eine ähnliche Wirkung
wie durch den Einbau von Wasserstoffatomen (H) erzielt
wird.
Als wirksame Ausgangssubstanz können zusätzlich zu den
vorstehend erwähnten Substanzen beispielsweise
auch Stickstoffmonoxid (NO), Stickstoffdioxid
(NO₂), Distickstoffmonoxid (N₂O), Distickstofftrioxid
(N₂O₃), Distickstofftetroxid (N₂O₄), Distickstoffpentoxid
(N₂O₅) und Stickstofftrioxid (NO₃) eingesetzt werden.
Die Substanz, die Kohlenstoffatome
enthält,
ist eine Ausgangssubstanz für den Einbau von Kohlenstoffatomen
in die gebildete, fotoleitfähige Schicht.
Zur Erleichterung der Produktion sowie vom Gesichtspunkt
der Beförderung der Ausgangssubstanzen ist es erwünscht,
daß diese Substanz im gasförmigen Zustand in die zur
Bildung der fotoleitfähigen Schicht dienende Abscheidungskammer
eingeleitet wird. Aus diesem Grund können
im allgemeinen die Substanzen eingesetzt werden, die
unter normalen Temperatur- und Druckbedingungen gasförmig
sind oder zumindest unter den Schichtbildungsbedingungen
leicht vergasbar sind.
Als Ausgangssubstanzen, die in
wirksamer Weise für den Einbau von Kohlenstoffatomen
eingesetzt werden können, beispielsweise gesättigte Kohlenwasserstoffe
mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, ethylenische
Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 5 Kohlenstoffatomen
und acetylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 4 Kohlenstoffatomen,
die C- und H-Atome
enthalten, erwähnt werden.
Im einzelnen können beispielsweise gesättigte Kohlenwasserstoffe
wie Methan (CH₄), Ethan (C₂H₆), Propan
(C₃H₈), n-Butan (n-C₄H₁₀) und Pentan (C₅H₁₂), ethylenische
Kohlenwasserstoffe wie Ethylen (C₂H₄), Propylen
(C₃H₆), Buten-1 (C₄H₈), Buten-2 (C₄H₈), Isobutylen (C₄H₈)
und Penten (C₅H₁₀) und acetylenische Kohlenwassertoffe
wie Acetylen (C₂H₂), Methylacetylen (C₃H₄) und Butylen
(C₄H₆) erwähnt werden.
Als gasförmige Ausgangssubstanzen, die Si-, C- und H-
Atome enthalten, können Alkylsilane
wie Si(CH₃)₄ und Si(C₂H₅)₄ erwähnt werden.
Außer den vorstehend erwähnten Substanzen können in wirksamer
Weise auch halogensubstituierte, paraffinische
Kohlenwasserstoffe wie CCl₄, CHF₃, CH₂F₂, CH₃F, CH₃Cl,
CH₃Br, CH₃J und C₂H₅Cl und Silanderivate wie halogenhaltige
Alkylsilane, beispielsweise SiCl(CH₃)₃, SiCl₂(CH₃)₂
und SiCl₃CH₃, eingesetzt werden. Alternativ kann als wirksame
Ausgangssubstanz auch Kohlenmonoxid (CO) oder Kohlendioxid
(CO₂) eingesetzt werden.
Wenn eine Substanz, die Sauerstoffatome
enthält, in eine Abscheidungskammer eingeleitet
werden soll, beträgt der auf das Gesamtvolumen der
Verbindungen der Formel (A) und (B) bezogene Anteil der
Sauerstoffatome enthaltenden Substanz im allgemeinen
8 Vol.-% oder weniger, vorzugsweise 6 Vol.-% oder weniger
und insbesondere 1 Vol.-% oder weniger.
Wenn andererseits eine Substanz,
die Stickstoffatome enthält, in eine Abscheidungskammer
eingeleitet werden soll, beträgt der auf das Gesamtvolumen
der Verbindungen der Formel (A) und (B) bezogene
Anteil der Stickstoffatome enthaltenden Substanz im allgemeinen
50 Vol.-% oder weniger, vorzugsweise 30 Vol.-%
oder weniger und insbesondere 8 Vol.-% oder weniger.
Wenn eine Kohlenstoffatome enthaltende Substanz in eine
Abscheidungskammer eingeleitet werden soll, beträgt der
auf das Gesamtvolumen der Verbindungen der Formel (A)
und (B) bezogene Anteil der Kohlenstoffatome enthaltenden
Substanz im allgemeinen 15 Vol.-% oder weniger, vorzugsweise
8 Vol.-% oder weniger und insbesondere 5 Vol.-%
oder weniger.
Wenn die mindestens zwei Verbindungen,
die aus den Verbindungen der Formel (A) und (B) ausgewählt
worden sind, in eine Abscheidungskammer eingeleitet
werden, können sie vor der Einleitung in die Abscheidungskammer
in einem Verhältnis, wie es vorstehend angegeben
worden ist, vermischt werden, oder sie können
alternativ in Mengen, die einem solchen Verhältnis entsprechen,
getrennt in die Abscheidungskammer eingeleitet
werden.
In den Tabellen 1, 2 und 3 werden typische Beispiele
für Kombinationen von zwei oder mehr Verbindungen, die
aus den Verbindungen der vorstehend angegebenen Formel
(A) und/oder (B) ausgewählt worden sind, gezeigt.
In den Tabellen 1 und 2 werden Beispiele dafür gezeigt,
daß mindestens zwei Verbindungen aus den Verbindungen
der Formel (A) ausgewählt werden oder daß zusätzlich
dazu mindestens eine Verbindung aus den Verbindungen
der Formel (B) ausgewählt wird.
In diesen beispielhaften Kombinationen werden von den
Verbindungen der Formel (B) als Verbindung mit der minimalen
Ordnungszahl m vorzugsweise SiF₄ und SiCl₄ eingesetzt,
während als Verbindung mit einer höheren Ordnungszahl
m vorzugsweise Si₂Cl₆, Si₂Br₆ und Si₃F₈ eingesetzt
werden. Als Sauerstoffatome enthaltende Substanz
wird vorzugsweise Sauerstoff (O₂) eingesetzt, während
als Kohlenstoffatome enthaltende Substanzen vorzugsweise
Methan (CH₄), Ethylen (C₂H₄) und Propan (C₃H₈)
und als Stickstoffatome enthaltende Substanzen
vorzugsweise Stickstoffgas (N₂) und Ammoniakgas (NH₃)
eingesetzt werden.
Tabelle 3 zeigt Beispiele dafür, daß mindestens zwei
Verbindungen aus den Verbindungen der Formel (B) ausgewählt
werden oder daß zusätzlich dazu mindestens eine
Verbindung aus den Verbindungen der Formel (A) ausgewählt
wird.
In diesen beispielhaften Kombinationen werden von den
Verbindungen der Formel (A) als Verbindung mit der minimalen
Ordnungszahl n SiH₄ und Si₂H₆ bevorzugt, während
als Verbindungen hoher Ordnung mit höheren Ordnungszahlen
n Verbindungen bevorzugt werden, bei denen n 2 oder
eine höhere, ganze Zahl und insbesondere 2, 3, 4 oder
5 ist.
Von den in den Tabellen 1 und 2 gezeigten Beispielen
für Kombinationen werden die Beispiele 1 bis 27 und insbesondere
die Beispiele 17 bis 27, bei denen deutlichere
Wirkungen gezeigt werden, bevorzugt.
Von den in Tabelle 3 gezeigten Beispielen für Kombinationen
werden die Beispiele A1 bis A10 und insbesondere
A1 bis A3 und A5 bis A8, bei denen deutlichere Wirkungen
gezeigt werden, bevorzugt.
In den in Tabelle 1 bis Tabelle 3 gezeigten Beispielen
werden Beispiele gezeigt, bei denen mindestens zwei Verbindungen
entweder aus der Gruppe der Verbindungen der
Formel (A) oder aus der Gruppe der Verbindungen der Formel
(B) ausgewählt werden.
Es ist auch möglich, eine Verbindung aus der Gruppe der Verbindungen
der Formel (A) und eine andere Verbindung aus
der Gruppe der Verbindungen der Formel (B) auszuwählen,
und zwar beispielsweise die Verbindungspaare SiH₄ und
Si₂F₆, SiF₄ und Si₂H₆, SiHF₃ und Si₂H₆ sowie SiF₄ und
Si₃H₈.
Das gemischte Gassystem aus den
Ausgangssubstanzen kann in Form einer Mischung mit einem atmosphärischen
Gas oder einer anderen, gasförmigen Ausgangssubstanz
für die Schichtbildung eingesetzt werden,
damit in einer zur Bildung einer fotoleitfähigen Schicht
dienenden Abscheidungskammer eine gewünschte Konzentration
oder ein gewünschter Gasdruck erhalten wird.
Als atmosphärisches Gas, das einzusetzen
ist, wird ein Gas, das auf die gebildete, fotoleitfähige
Schicht keine nachteilige Einwirkung zeigt,
nämlich ein Gas, das aus Atomen besteht, die am Aufbau der fotoleitfähigen
Schicht beteiligt sind, oder ein vollkommen inertes
Gas gewählt.
Als Beispiele für Substanzen, die als atmosphärische
Gase eingesetzt werden können, können Edelgase wie
He, Ne und Ar, gasförmige Halogene wie Fluor, Chlor,
Brom oder Jod, gasförmige oder vergasbare Interhalogenverbindungen
wie BrF, ClF, ClF₃, BrF₅, BrF₃, JF₇, JF₅,
JCl und JBr, gasförmige Halogenwasserstoffe wie HF,
HCl und HBr und H₂ erwähnt werden.
Von diesen als atmosphärisches Gas dienenden Substanzen
können Edelgase und H₂-Gas in besonders wirksamer Weise
eingesetzt werden. Als andere gasförmige Ausgangssubstanzen
für die Schichtbildung können gasförmige
oder leicht vergasbare Substanzen erwähnt werden,
die Fremdstoffatome
enthalten, die den Leitfähigkeitstyp der gebildeten,
fotoleitfähigen Schicht steuern.
Beim erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung von
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialen ist es im Vergleich mit den
bekannten Verfahren unter der Voraussetzung, daß fotoleitfähige
Schichten mit den gleichen Eigenschaften und der
gleichen Schichtqualität hergestellt werden sollen,
möglich, die Schichtbildung mit einer viel höheren
Geschwindigkeit und wirtschaftlicher durchzuführen
und die Trägertemperatur und die Entladungsleistung
zu erhöhen.
Die Trägertemperatur beträgt vorzugsweise 150°C oder
mehr, während die Entladungsleistung vorzugsweise 100 W
oder mehr beträgt.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf
ein typisches Beispiel eines durch das erfindungsgemäße
Verfahren hergestellten, elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials
erläutert.
Fig. 1 zeigt einen schematischen Schnitt, der zur Erläuterung
eines typischen Beispiels für ein durch das
erfindungsgemäße Verfahren hergestelltes elektrofotografisches
Aufzeichnungsmaterial dient.
Das in Fig. 1 gezeigte elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial 100
ist eine Ausführungsform, die für elektrofotografische
Zwecke oder für eine Bildaufnahme- bzw. Bildabtastvorrichtung
angewendet werden kann. Das elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial 100 weist einen Träger 101,
ggf. eine auf dem Träger vorgesehene Zwischenschicht
102 und eine nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren hergestellte, fotoleitfähige Schicht 103
auf.
Der Träger 101 kann entweder elektrisch leitend oder
isolierend sein. Als elektrisch leitende Materialien
können Metalle wie NiCr, rostfreier Stahl, Al, Cr,
Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt und Pd oder Legierungen
davon erwähnt werden.
Als isolierende Träger können üblicherweise Folien
oder Platten aus Kunstharzen wie Polyestern, Polyethylen,
Polycarbonaten, Celluloseacetat, Polypropylen,
Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol
und Polyamiden, Gläser, keramische Stoffe, Papiere
und andere Materialien eingesetzt werden. Diese isolierenden
Träger können geeigneterweise mindestens eine
Oberfläche haben, die durch eine Behandlung elektrisch
leitend gemacht worden ist, und andere Schichten werden
geeigneterweise auf der Seite ausgebildet, die
elektrisch leitend gemacht worden ist.
Glas kann beispielsweise elektrisch leitend gemacht
werden, indem auf dem Glas ein dünner Film aus NiCr,
Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In₂O₃, SnO₂
oder ITO(In₂O₃ + SnO₂) ausgebildet wird. Alternativ kann
die Oberfläche einer Kunstharzfolie wie einer Polyesterfolie
elektrisch leitend gemacht werden, indem auf
der Oberfläche ein Metall wie NiCr, Al, Ag, Pb, Zn,
Ni, Au, Cr, Mo, IR, Nb, Ta, V, Ti oder Pt durch Vakuumaufdampfung,
Elektronenstrahl-Abscheidung oder Zerstäubung
abgeschieden wird oder indem die Oberfläche mit
einem solchen Metall laminiert wird. Der Träger kann
irgendeine Form haben, beispielsweise die Form eines
Zylinders, eines Bandes oder einer Platte bzw. Folie
oder eine andere Form, und die Form, und die Form des Trägers kann
in der gewünschten Weise festgelegt werden. Wenn das
in Fig. 1 gezeigte,
elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial 100
zum kontinuierlichen Kopieren mit hoher
Geschwindigkeit verwendet wird, wird der Träger geeigneterweise in Form eines endlosen
Bandes oder eines Zylinders ausgebildet.
Die Zwischenschicht 102 besteht aus einer Matrix von
beispielsweise Siliciumatomen und Kohlenstoffatomen,
Stickstoffatomen oder Sauerstoffatomen, die ggf. Wasserstoffatome
oder Halogenatome (X) enthält, und besteht
demnach aus einem amorphen Material, das mindestens im
Bereich des sichtbaren Lichts nicht fotoleitfähig ist.
Sie hat die Funktion einer sogenannten Sperrschicht,
die eine Injektion von Ladungsträgern von der Seite des
Trägers 101 in die fotoleitfähige Schicht 103 in wirksamer
Weise verhindern kann, während sie den Fototrägern,
die durch Bestrahlung mit elektromagnetischen Wellen
in der fotoleitfähigen Schicht 103 erzeugt werden und
sich zu der Seite des Trägers 101 bewegen, den Durchgang
von der Seite der fotoleitfähigen Schicht 103 zu der
Seite des Trägers 101 ermöglicht.
Für die Bildung einer Zwischenschicht 102 kann das
Glimmentladungsverfahren angewendet werden, weil dieses
Verfahren einen kontinuierlichen Betrieb einschließlich
der Bildung der fotoleitfähigen Schicht 103 ermöglicht.
In einem solchen Fall wird eine gasförmige Ausgangssubstanz
für die Bildung der Zwischenschicht,
die ggf. in einem vorbestimmten Verhältnis mit einem
Verdünnungsgas wie He oder Ar vermischt ist, in eine
zur Vakuumaufdampfung dienende Abscheidungskammer,
in die der Träger 101 hineingebracht worden ist, eingeleitet,
und in der Abscheidungskammer wird durch Anregung
einer Glimmentladung in der aus dem eingeleiteten
Gas bestehenden Atmosphäre ein Gasplasma gebildet,
wodurch auf dem Träger 101 die Zwischenschicht 102
gebildet wird.
Beispiele für gasförmige Ausgangssubstanzen, die in wirksamer
Weise für die Bildung
der Zwischenschicht 102 eingesetzt werden, sind Siliciumhydride,
die Si- und H-Atome enthalten,
beispielsweise Silane wie SiH₄, Si₂H₆, Si₃H₈ und Si₄H₁₀, Stickstoff (N₂),
gasförmige oder vergasbare Stickstoffverbindungen wie Nitride oder
Azide, die N- und H-Atome
enthalten, beispielsweise Ammoniak (NH₃), Hydrazin
(N₂NNH₂), Stickstoffwasserstoffsäure (HN₃) und Ammoniumazid
(NH₄N₃), Verbindungen, die C- und H-Atome
enthalten, wie gesättigte
Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen, ethylenische
Kohlenwasserstoffe mit 2 bis 5 Kohlenstoffatomen
und acetylenische Kohlenwasserstoffe mit 2 bis
4 Kohlenstoffatomen, wozu im einzelnen gesättigte Kohlenwasserstoffe
wie Methan (CH₄), Ethan (C₂H₆), Propan
(C₃H₈), n-Butan (n-C₄H₁₀) und Pentan (C₅H₁₂), ethylenische
Kohlenwasserstoffe wie Ethylen (C₂H₄), Propylen
(C₃H₆), Buten-1 (C₄H₈), Buten-2 (C₄H₈), Isobutylen
(C₄H₈) und Penten (C₅H₁₀) und acetylenische Kohlenwasserstoffe
wie Acetylen (C₂H₂), Methylacetylen (C₃H₄)
und Butin (C₄H₆) gehören, und außerdem Substanzen wie
Sauerstoff (O₂), Ozon (O₃), Kohlenmonoxid (CO), Kohlendioxid
(CO₂), Stickstoffmonoxid (NO), Stickstoffdioxid
(NO₂) und Distickstoffmonoxid (N₂O).
Diese Ausgangssubstanzen für die Bildung der Zwischenschicht
102 werden in geeigneter
Weise so ausgewählt, daß die gewünschten
Atomarten in die gebildete Zwischenschicht
102 eingebaut werden.
Außer den vorstehend erwähnten Ausgangssubstanzen können
für die Bildung der Zwischenschicht
102 auch elektrisch isolierende Metalloxide eingesetzt
werden.
Als elektrisch isolierende Metalloxide für die Bildung
der Zwischenschicht 102 können vorzugsweise Metalloxide
wie TiO₂, Ce₂O₃, ZrO₂, HfO₂, GeO₂, CaO, BeO, P₂O₅,
Y₂O₃, Cr₂O₃, Al₂O₃, MgO, MgO · Al₂O₃ oder SiO₂ · MgO eingesetzt
werden. Diese Metalloxide können für die Bildung
der Zwischenschicht 102 als Kombination von zwei oder
mehr Arten eingesetzt werden.
Auf einem aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung
hergestellten Träger 101 kann die Zwischenschicht 102
außerdem noch ausgebildet werden, indem die Oberfläche
eines aus Aluminium oder einer Aluminiumlegierung bestehenden
Trägers einer Alumit- oder Böhmit-Behandlung
unterzogen wird.
Die Zwischenschicht 102 kann eine Dicke haben, die
im allgemeinen im Bereich von 3,0 nm bis 2 µm, vorzugsweise
im Bereich von 3,0 bis 100,0 nm und insbesondere
im Bereich von 5,0 bis 60,0 nm liegt.
Die fotoleitfähige Schicht 103 kann aus a-Si(H, X)
mit den nachstehend gezeigten Halbleitereigenschaften
bestehen:
- (1) a-Si(H, X) vom p-Typ: Dieser Typ enthält nur einen Akzeptor oder sowohl einen Donator als auch einen Akzeptor, wobei die Konzentration des Akzeptors (Na) höher ist.
- (2) a-Si(H, X) vom n-Typ: Dieser Typ enthält nur einen Donator oder sowohl einen Donator als auch einen Akzeptor, wobei die Konzentration des Donators (Nd) höher ist.
- (3) a-Si(H, X) vom i-Typ: Bei diesem Typ gilt: Na ≃ Nd ≃ 0 oder Na ≃ Nd.
Die fotoleitfähige Schicht 103 kann eine Dicke haben,
die in Abhängigkeit von den beabsichtigten
Anwendungszwecken, beispielsweise in Abhängigkeit
davon, ob das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial als Lesevorrichtung,
als Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung
bzw. -Bildabtastvorrichtung oder als elektrofotografisches Bilderzeugungsmaterial
angewendet werden
soll, festgelegt werden kann.
Die Dicke der fotoleitfähigen Schicht 103 wird
in Abhängigkeit von der Dicke
der Zwischenschicht so festgelegt, daß die fotoleitfähige
Schicht 103 und die Zwischenschicht 102 ihre Funktionen
erfüllen können, und die fotoleitfähige Schicht
103 ist im allgemeinen einige hundertmal bis einige
tausendmal so dick wie die Zwischenschicht 102.
Im einzelnen ist es erwünscht, daß die Dicke der fotoleitfähigen
Schicht 103 im allgemeinen im Bereich von
1 bis 100 µm und vorzugsweise im Bereich von 2 bis
50 µm liegt.
Der Gehalt an H oder X [oder an (H + X), wenn sowohl
H als auch X enthalten ist] liegt wünschenswerterweise
im allgemeinen im Bereich von 1 bis 40 Atom-% und vorzugsweise
im Bereich von 5 bis 30 Atom-%.
Um der fotoleitfähigen Schicht 103 Leitfähigkeit vom
n-Typ oder p-Typ zu verleihen, können während der Bildung
dieser Schicht Fremdstoffe, die den Leitfähigkeitstyp
steuern, nämlich ein Fremdstoff vom n-Typ oder vom
p-Typ oder Fremdstoffe beider Typen, unter Einstellung
ihrer Mengen hinzugegeben werden. Als Fremdstoffe,
die in die fotoleitfähige Schicht hineinzugeben sind,
kann vorzugsweise als Fremdstoff vom p-Typ ein Element
der Gruppe IIIA des Periodensystems wie B, Al, Ga,
In oder Tl oder als Fremdstoff vom n-Typ ein Element
der Gruppe VA des Periodensystems wie N, P, As, Sb,
oder Bi eingesetzt werden. Von diesen Fremdstoffen
werden B, Ga, P und Sb besonders bevorzugt.
Um eine fotoleitfähige Schicht mit
einem gewünschten Leitfähigkeitstyp herzustellen, kann
der Gehalt eines in die fotoleitfähige Schicht hineinzugebenden
Fremdstoffs in Abhängigkeit
von den gewünschten elektrischen sowie optischen Eigenschaften
festgelegt werden, jedoch kann der Gehalt
im Fall des Fremdstoffs der Gruppe IIIA des Periodensystems
im Bereich von 3 × 10-2 Atom-% oder weniger
liegen, während der Gehalt im Fall des Fremdstoffs
der Gruppe VA des Periodensystems im Bereich von 5
× 10-3 Atom-% oder weniger liegen kann.
Für die Einführung eines Fremdstoffs in die fotoleitfähige
Schicht 103 kann während der Bildung dieser Schicht
eine Ausgangssubstanz für den Einbau eines Fremdstoffs
zusammen mit den Haupt-Ausgangssubstanzen für die Bildung
der fotoleitfähigen Schicht 103 in die Abscheidungskammer
eingeleitet werden. Als Ausgangssubstanzen
für den Einbau solcher Fremdstoffe können
Substanzen eingesetzt werden, die bei normaler Temperatur
und unter normalem Druck gasförmig sind oder zumindest
unter den Schichtbildungsbedingungen leicht vergasbar
sind. Zu speziellen Beispielen solcher Ausgangssubstanzen
für den Einbau von Fremdstoffen gehören
PH₃, P₂H₄, PF₃, PF₅, PCl₃, AsH₃, AsF₃, ASF₅, AsCl₃,
SbH₃, SbF₃, SbF₅, BiH₃, BF₃, BCl₃, BBr₃, B₃H₆, B₄H₁₀,
B₅H₉, B₅H₁₁, B₆H₁₀, B₆H₁₂ und AlCl₃.
Wie vorstehend beschrieben wurde, kann durch das erfindungsgemäße
Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials auf wirtschaftliche und einfachste Weise
mit einem höheren Wirkungsgrad und einer höheren Geschwindigkeit
als bei den bekannten Verfahren ein
elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial mit einer großen Fläche hergestellt
werden, das deutlich verbesserte physikalische, optische,
elektrische und elektrooptische Eigenschaften
hat, wobei die zusätzlichen Vorteile erzielt werden,
daß die fotoleitfähige Schicht eine erhöhte Dichte hat, daß
der Füllungsgrad der fotoleitfähigen Schicht höher ist, daß die Gebrauchsleistung
in Umgebungen mit einer hohen Feuchtigkeit
und einer hohen Temperatur hervorragend ist sowie
daß diese Eigenschaften und die Dicke der fotoleitfähigen Schicht über
ihren ganzen Bereich gleichmäßig sind.
Unter Anwendung der in Fig. 2 gezeigten Vorrichtung,
die in einem reinen, vollständig abgeschirmten Raum
untergebracht war, wurde nach dem folgenden Verfahren
ein elektrofotografisches
Aufzeichnungsmaterial hergestellt.
Ein Molybdänblech (Träger) 202 (10 cm × 10 cm) mit
einer Dicke von 0,5 mm, dessen Oberfläche gereinigt
worden war, wurde an einem Festhalteelement 203 befestigt,
das in einer vorbestimmten Lage in einer Abscheidungskammer
201 angeordnet war. Die Targets 205,
206, die eingesetzt wurden, bestanden aus hochreinem,
polykristallinem Silicium (99,999 %), das auf hochreinen
Graphit (99,999%) aufgebracht war, wobei das Flächenverhältnis
von Silicium zu Graphit 1 : 9 betrug. Der
Träger 202 wurde durch eine innerhalb des Festhalteelements
203 befindliche Heizvorrichtung 204 mit einer
Genauigkeit von ± 0,5°C erhitzt. Die Temperatur wurde
direkt an der Rückseite des Trägers mit einem Alumel-
Chromel-Thermopaar gemessen. Nachdem dann festgestellt
worden war, daß alle Ventile in dem System geschlossen
waren, wurde das Hauptventil 231 vollständig geöffnet,
wodurch die Abscheidungskammer 201 einmal bis zu einem
Druck von etwa 0,67 nbar evakuiert wurde (während dieses
Vorgangs waren alle anderen Ventile in dem System geschlossen).
Anschließend wurde das Hilfsventil 229
geöffnet, und dann wurden die Ausströmventile 224, 225,
227 und 228 geöffnet, um die in den Durchfluß-Meßvorrichtungen
237, 238, 240 und 241 befindlichen Gase in ausreichendem
Maße zu entfernen. Dann wurden die Ausströmventile
224, 225, 227 und 228 und das Hilfsventil 229 geschlossen.
Das Ventil 218 der Ar-Gas (Reinheit:
99,999%) enthaltenden Bombe 213 wurde geöffnet, wobei
der an dem Auslaß-Manometer 236 angezeigte Druck auf
einen Wert von 0,98 bar eingestellt wurde. Dann wurde
das Einströmventil 223 geöffnet, worauf das Ausströmventil
228 zur Einführung von Ar-Gas in die Abscheidungskammer
201 allmählich geöffnet wurde. Das Ausströmventil
228 wurde allmählich geöffnet, bis das Pirani-Manometer
242 0,67 µbar anzeigte. Nachdem sich die Strömungsmenge
in diesem Zustand stabilisiert hatte, wurde das Hauptventil
231 unter Verengung seiner Öffnung allmählich
geschlossen, bis der Druck in der Abscheidungskammer
13 µbar erreichte. Nachdem festgestellt worden war,
daß sich die Durchfluß-Meßvorrichtung 241 bei geöffneter
Blende 208 stabilisiert hatte, wurde die Hochfrequenz-
Stromquelle 243 eingeschaltet, wodurch zwischen den
Targets 205, 206 einerseits und dem Festhalteelement
203 andererseits ein Wechselstrom mit einer Frequenz
von 13,56 MHz und einer Leistung von 100 W fließen
gelassen wurde. Unter diesen Bedingungen, die so abgestimmt
waren, daß eine stabile Entladung fortgesetzt
wurde, wurde eine Schicht gebildet. Nachdem die Entladung
unter diesen Bedingungen 1 min lang fortgesetzt
worden war, hatte sich eine Zwischenschicht mit einer
Dicke von 10,0 nm gebildet. Dann wurde die Hochfrequenz-
Stromquelle 243 zur Unterbrechung der Glimmentladung
abgeschaltet. Anschließend wurden das Ausströmventil
228 und das Einströmventil 223 geschlossen, und das
Hauptventil 231 wurde vollständig geöffnet, wodurch
das in der Abscheidungskammer 201 befindliche Gas entleert
wurde, bis die Abscheidungskammer unter Erzielung
eines Druckes von 0,67 nbar evakuiert worden war. Dann
wurde die Eingangsspannung der Heizvorrichtung 204
geändert, indem die Eingangsspannung unter Messung
der Trägertemperatur erhöht wurde, bis die Trägertemperatur
bei dem konstanten Wert von 300°C stabilisiert
war.
Dann wurde das Hilfsventil 229 vollständig geöffnet,
worauf das Ausströmventil 228 vollständig geöffnet
wurde, um die Durchfluß-Meßvorrichtung 241 in ausreichendem
Maße bis zur Erzielung von Vakuum zu entgasen.
Nachdem das Hilfsventil 229 und das Ausströmventil
228 geschlossen worden waren, wurden das Ventil 214
der Bombe 209, die Si₂H₆-Gas (Reinheit: 99,999%) enthielt,
in dem 10 Vol.-ppm B₂H₆-Gas enthalten waren
[nachstehend als "B₂H₆(10)/Si₂H₆" bezeichnet],
das Ventil 217 der NO₂-Gas (Reinheit: 99,999%) enthaltenden Bombe 212 und
das Ventil 215 der SiH₄-Gas (Reinheit: 99,999%) enthaltenden
Bombe 210 geöffnet, wobei der an den Auslaß-Manometern 232,
233 und 235 angezeigte Druck auf einen Wert von jeweils
0,98 bar eingestellt wurde. Dann wurden die Einströmventile
219, 220, 222 und 223 allmählich geöffnet,
wodurch B₂H₆(10)/Si₂H₆-Gas, SiH₄-Gas, NO₂-Gas und
Ar-Gas in die Durchfluß-Meßvorrichtungen 237, 238, 240
bzw. 241 hineinströmen gelassen wurden. Anschließend
wurden die Ausströmventile 224, 225, 227 und 228 allmählich
geöffnet, worauf das Hilfsventil 229 allmählich
geöffnet wurde. Dabei wurden die Einströmventile 219,
220 und 223 so eingestellt, daß das Verhältnis der Strömungsmengen
von B₂H₆(10)/Si₂H₆ : SiH₄ : Ar 30 : 1 : 69 betrug
und daß die Strömungsmenge des NO₂-Gases 0,1 Vol.-% der
Gesamtströmungsmenge von B₂H₆(10)/Si₂H₆-Gas und SiH₄-Gas
betrug. Dann wurde die Öffnung des Hilfsventils 229 unter sorgfältiger
Ablesung des Pirani-Manometers 242 eingestellt,
wobei das Hilfsventil 229 so weit geöffnet wurde, bis
der Innendruck in der Abscheidungskammer 201 13 µbar
erreichte. Nachdem sich der Innendruck in der Abscheidungskammer
201 stabilisiert hatte, wurde das Hauptventil
231 unter Verengung seiner Öffnung allmählich
geschlossen, bis das Pirani-Manometer 242 0,27 mbar
anzeigte. Nachdem festgestellt worden war, daß die
Gaszuführung und der Innendruck stabil waren, wurde
die auch als Elektrode dienende Blende 208 geschlossen,
und dann wurde die Hochfrequenz-Stromquelle 243 eingeschaltet,
wodurch zwischen dem ebenfalls als Elektrode
dienenden Festhalteelement 203 und der Blende 208 eine
Hochfrequenzspannung mit einer Frequenz von 13,56 MHz
angelegt wurde. Dadurch wurde in der Abscheidungskammer
201 eine Glimmentladung mit einer Eingangsleistung
von 100 W erzeugt. Nachdem die Glimmentladung zur Bildung
einer fotoleitfähigen Schicht 1 h lang fortgesetzt
worden war, wurden die Heizvorrichtung 204 und die
Hochfrequenz-Stromquelle 243 abgeschaltet, und der
Träger wurde auf 100°C abkühlen gelassen, worauf die
Ausströmventile 224, 225, 227 und 228 und die Einströmventile
219, 220, 222 und 223 bei vollständig geöffnetem Hauptventil
231 geschlossen wurden. Dadurch wurde der Innendruck
in der Abscheidungskammer 201 auf weniger als
13 nbar gebracht. Dann wurde der Innendruck in der Abscheidungskammer
201 durch das Belüftungsventil 230 auf Atmosphärendruck
gebracht, worauf der Träger aus der Abscheidungskammer
herausgenommen wurde. In diesem Fall betrug
die Gesamtdicke der gebildeten Schichten etwa 18 µm.
Das auf diese Weise hergestellte, elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung
hineingebracht. Eine Koronaladung wurde 0,2 s lang
mit + 6,0 kV durchgeführt, und durch eine lichtdurchlässige
Testkarte hindurch wurde unter Anwendung einer
Wolframlampe als Lichtquelle mit einem Belichtungswert
von etwa 1,5 lx · s belichtet.
Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener Entwickler,
der Toner und Tonerträger enthielt, kaskadenförmig
auf die Oberfläche des elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterials auftreffen
gelassen, wodurch auf dem Aufzeichnungsmaterial ein
gutes Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem
Aufzeichnungsmaterial befindliche Tonerbild durch Koronaladung
mit + 5,0 kV auf ein Bildempfangspapier übertragen
wurde, wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte
erhalten, das eine ausgezeichnete Auflösung sowie eine
ausgezeichnete Reproduzierbarkeit der Helligkeitsabstufung
zeigte.
Als nächstes wurde das vorstehend beschriebene elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial in der Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung
0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,5 kV
unterzogen, und unmittelbar nach der Koronaladung wurde
eine bildmäßige Belichtung mit einem Belichtungswert
von 1,5 lx · s durchgeführt. Dann wurde ein positiv geladener
Entwickler kaskadenförmig auf die Oberfläche
des Aufzeichnungsmaterials auftreffen gelassen, und
das erhaltene Tonerbild wurde auf ein Bildempfangspapier
übertragen und fixiert, wodurch ein sehr klares Bild
erhalten wurde.
Aus diesen Ergebnissen und den vorherigen Ergebnissen
geht hervor, daß das in diesem Beispiel erhaltene
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial keine
Abhängigkeit von der Ladungspolarität zeigt, sondern
die Eigenschaft hat, daß es als Aufzeichnungsmaterial
für negative und für positive Ladungspolarität geeignet
ist.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial wurde nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
1 hergestellt, wobei jedoch O₂-Gas anstelle von NO₂-Gas
eingesetzt wurde. Das O₂-Gas wurde durch ein besonders
vorgesehenes Einleitungsrohr in die Abscheidungskammer
201 eingeleitet, so daß sich das O₂-Gas vor der Einleitung
in die Abscheidungskammer 201 nicht mit anderen
Gasen vermischen konnte.
In den folgenden Beispielen, bei denen O₂-Gas oder ein
O₂ enthaltendes Gas eingesetzt wurde, wurden die Arbeitsgänge
bzw. Verfahrensschritte alle in der gleichen Weise
wie in diesem Beispiel durchgeführt.
Das auf diese Weise elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial
wurde in eine Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung
hineingebracht. Eine Koronaladung wurde 0,2 s lang mit
+ 6,0 kV durchgeführt, und durch eine lichtdurchlässige
Testkarte hindurch wurde unter Anwendung einer Wolframlampe
als Lichtquelle mit einem Belichtungswert von etwa
1,5 lx · s belichtet.
Unmittelbar danach wurde ein negativ geladener Entwickler,
der Toner und Tonerträger enthielt, kaskadenförmig
auf die Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials auftreffen
gelassen, wodurch auf dem Aufzeichnungsmaterial ein gutes
Tonerbild erhalten wurde. Als das auf dem Aufzeichnungsmaterial
befindliche Tonerbild durch Koronaladung mit
+5,0 kV auf ein Bildempfangspapier übertragen wurde,
wurde ein klares Bild mit einer hohen Dichte erhalten,
das eine ausgezeichnete Auflösung sowie eine ausgezeichnete
Reproduzierbarkeit der Helligkeitsabstufung zeigte.
Als nächstes wurde das vorstehend beschriebene elektrofotografische
Aufzeichnungsmaterial in der Ladungs-Belichtungs-Versuchsvorrichtung
0,2 s lang einer Koronaladung mit -5,5 kV unterzogen,
und unmittelbar nach der Koronaladung wurde eine
bildmäßige Belichtung mit einem Belichtungswert von 1,5
lx · s durchgeführt. Dann wurde ein positiv geladener Entwickler
kaskadenförmig auf die Oberfläche des Aufzeichnungsmaterials
auftreffen gelassen, und das erhaltene
Tonerbild wurde auf ein Bildempfangspapier übertragen
und fixiert, wodurch ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Aus diesen Ergebnissen und den vorherigen Ergebnissen
geht hervor, daß das in diesem Beispiel erhaltene
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial keine
Abhängigkeit von der Ladungspolarität zeigt, sondern
die Eigenschaft hat, daß es als Aufzeichnungsmaterial
für negative und für positive Ladungspolarität geeignet
ist.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
1 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1, wobei jedoch
die eingesetzten Gase und die relativen Werte der Strömungsmengen
in der in Tabelle 4 gezeigten Weise abgeändert
wurden, fotoleitfähige Schichten gebildet. Als unter
Anwendung der auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterialien in ähnlicher Weise wie in Beispiel 1 Tonerbilder
erzeugt wurden, wurden im Fall der Probe A3 bei
der Kombination einer mit -5,5 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem positiv geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B3 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mti einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
1 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 1, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
5 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der
Formel: Si₂H2n+2 (worin n eine positive, ganze Zahl ist)
die Verbindungen hoher Ordnung mit hoher Ordnungszahl
n, d. h. die Verbindungen, deren Ordnungszahl größer
als die Ordnungszahl der Verbindung mit der minimalen
Ordnungszahl n ist, in einer Menge von mindestens 1
Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung der minimalen
Ordnung bezogen, enthalten sind, während das auf die
Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formel Si₂H2n+2 bezogene Verhältnis der Strömungsmenge
des O₂-Gases so reguliert wird, daß es 8 Vol.-%
oder weniger beträgt.
Die in den am rechten Rand der Tabellen 5, 8, 11, 14,
17, 20, 23, 26 und 29 befindlichen Spalten angegebene
Bildqualität wurde unter Anwendung eines Belichtungswertes
von 3 lx × s ermittelt.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch
die in Tabelle 6 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugnisverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
5 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 5, wobei jedoch
die eingesetzten Gase und die relativen Werte der Strömungsmengen
in der in Tabelle 7 gezeigten Weise abgeändert
wurden, fotoleitfähige Schichten gebildet. Als unter
Anwendung der auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterialien in ähnlicher Weise wie in Beispiel 5 Tonerbilder
erzeugt wurden, wurden im Fall der Probe A6 bei
der Kombination einer mit -5,5 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem positiv geladenen Toner
bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B6 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
5 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 5, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
8 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der
Formel: Si m F2m +2 (worin m eine positive, ganze Zahl ist)
die Verbindungen hoher Ordnung mit höherer Ordnungszahl
m, d. h. die Verbindungen, deren Ordnungszahl größer
als die minimale Ordnungszahl m der Verbindung der minimalen
Ordnung ist, in einer Menge von mindestens 1
Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung der minimalen
Ordnung bezogen, enthalten sind, während das auf die
Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formel Si m F2m +2 bezogene Verhältnis der Strömungsmenge
des O₂-Gases so reguliert wird, daß es 8 Vol.-%
oder weniger beträgt. Der Bewertungsmaßstab in Tabelle
8 ist der gleich wie in Tabelle 5.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch
die in Tabelle 9 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugungsverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
8 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8, wobei jedoch
die eingesetzten Gase und die relativen Werte der
Strömungsmengen in der in Tabelle 10 gezeigten Weise
abgeändert wurden, fotoleitfähige Schichten gebildet.
Als unter Anwendung der auf diese Weise hergestellten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien in ähnlicher Weise wie in Beispiel
8 Tonerbilder erzeugt wurden, wurden im Fall der Probe
A9 bei der Kombination einer mit -5,5 kV durchgeführten
Koronaladung mit einer im Anschluß daran durchgeführten,
bildmäßigen Belichtung mit einem positiv geladenen Toner
bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B 9 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
8 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 8, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
11 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der Formel:
Si n H2n+2 (worin n eine positive, ganze Zahl ist) die
Verbindungen hoher Ordnung mit einer höheren Ordnungszahl,
d. h. die Verbindungen, deren Ordnungszahl n größer
als die Ordnungszahl der Verbindung der minimalen Ordnung
mit der minimalen Ordnungszahl n ist, in einer Menge
von mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung
der minimalen Ordnung bezogen, enthalten sind, während
das auf die Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formel Si n H2n+2 bezogene Verhältnis
der Strömungsmenge der Gase CH₄, C₂H₄ und C₃H₈ jeweils
so reguliert wird, daß es 15 Vol.-% oder weniger beträgt.
Der Bewertungsmaßstab in Tabelle 11 ist der gleiche wie
in Tabelle 5.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch
die in Tabelle 12 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugungsverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
11 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 11, wobei jedoch
die eingesetzten Gase und die relativen Werte der
Strömungsmengen in der in Tabelle 13 gezeigten Weise
abgeändert wurden, fotoleitfähige Schichten gebildet.
Als unter Anwendung der auf diese Weise hergestellten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien in ähnlicher Weise wie in Beispiel
11 Tonerbilder erzeugt wurden, wurden im Fall der Probe
A12 bei der Kombination einer mit -5,5 kV durchgeführten
Koronaladung mit einer im Anschluß daran durchgeführten,
bildmäßigen Belichtung mit einem positiv geladenen Toner
bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B12 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
11 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 11, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
14 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der Formel:
Si m F2m +2 (worin m eine positive, ganze Zahl ist) die
Verbindungen hoher Ordnung,
d. h. die Verbindungen, deren Ordnungszahl m größer
als die Ordnungszahl m der Verbindung der minimalen Ordnung
ist, in einer Menge
von mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung
der minimalen Ordnung bezogen, enthalten sind, während
das auf die Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formel Si m F2m +2 bezogene Verhältnis
der Strömungsmenge der Gase CH₄, C₂H₄ und C₃H₈ jeweils
so reguliert wird, daß es 15 Vol.-% oder weniger beträgt.
Der Bewertungsmaßstab in Tabelle 14 ist der gleiche wie
in Tabelle 5.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch
die in Tabelle 15 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugungsverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
14 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 14, wobei jedoch
die eingesetzten Gase und die relativen Werte der
Strömungsmengen in der in Tabelle 16 gezeigten Weise
abgeändert wurden, fotoleitfähige Schichten gebildet.
Als unter Anwendung der auf diese Weise hergestellten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
Tonerbilder erzeugt wurden, wurden im Fall der Probe
A15 bei der Kombination einer mit - 5,5 kV durchgeführten
Koronaladung mit einer im Anschluß daran durchgeführten,
bildmäßigen Belichtung mit einem positiv geladenen Toner
bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B15 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
14 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 14, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
17 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der Formel:
Si n H2n +2 (worin n eine positive, ganze Zahl ist) die
Verbindungen hoher Ordnung,
d. h. die Verbindungen, deren Ordnungszahl n höher ist
als die Ordnungszahl n der Verbindung der minimalen Ordnung,
in einer Menge
von mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung
der minimalen Ordnung bezogen, enthalten sind, während
das auf die Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formel Si n H2n +2 bezogene Verhältnis
der Strömungsmenge des N₂- oder NH₃-Gases
so reguliert wird, daß es 50 Vol.-% oder weniger beträgt.
Der Bewertungsmaßstab in Tabelle 17 ist der gleiche wie
in Tabelle 5.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch
die in Tabelle 18 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugungsverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
17 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 17, wobei jedoch
die eingesetzten Gase und die relativen Werte der
Strömungsmengen in der in Tabelle 19 gezeigten Weise
abgeändert wurden, fotoleitfähige Schichten gebildet.
Als unter Anwendung der auf diese Weise hergestellten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien in ähnlicher Weise wie in Beispiel
17 Tonerbilder erzeugt wurden, wurden im Fall der Probe
A18 bei der Kombination einer mit -5,5 kV durchgeführten
Koronaladung mit einer im Anschluß daran durchgeführten,
bildmäßigen Belichtung mit einem positiv geladenen Toner
bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B18 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
17 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungnen wie in Beispiel 17, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
20 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der Formel:
Si m F2m+2 (worin m eine positive, ganze Zahl ist) die
Verbindungen hoher Ordnung,
d. h. die Verbindungen 28492 00070 552 001000280000000200012000285912838100040 0002003209055 00004 28373, deren Ordnungszahl m höher
als die Ordnungszahl m der Verbindung der minimalen Ordnung
ist, in einer Menge
von mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung
der minimalen Ordnung bezogen, enthalten sind, während
das auf die Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
derFormel Si m F2m+2 bezogene Verhältnis
der Strömungsmenge des N₂- oder NH₃-Gases
so reguliert wird, daß es 50 Vol.-% oder weniger beträgt.
Der Bewertungsmaßstab in Tabelle 20 ist der gleiche wie
in Tabelle 5.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt; wobei jedoch
die in Tabelle 21 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugungsverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
20 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 20, wobei jedoch
die Ar-Gas enthaltende Bombe 213 durch eine Bombe ersetzt
wurde, die Ar-Gas enthielt, in dem 0,2 Vol.-% O₂ enthalten
waren [nachstehend als "O₂(0,2)/Ar" bezeichnet],
die O₂-Gas enthaltende Bombe 212 durch eine Si₂-H₆-Gas
enthaltende Bombe ersetzt wurde und die die B₂H₆ (10)/Si₂H₆-
Gas enthaltende Bombe 209 durch eine Bombe, die Si₂H₆-
Gas enthielt, in dem 100 Vol.-% ppm B₂H₆ enthalten waren
[nachstehend als "B₂H₆ (100)/Si₂H₆" bezeichnet], ersetzt
wurde und die eingesetzten Gase und die relativen Werte
der Strömungsmengen in der in Tabelle 22 gezeigten Weise
abgeändert wurden, fotoleitfähige Schichten gebildet.
Als unter Anwendung der auf diese Weise hergestellten
elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien in ähnlicher Weise wie in Beispiel
20 Tonerbilder erzeugt wurden, wurden im Fall der Probe
A21 bei der Kombination einer mit -5,5 kV durchgeführten
Koronaladung mit einer im Anschluß daran durchgeführten,
bildmäßigen Belichtung mit einem positiv geladenen
Toner bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B21 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
20 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 20, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
23 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der
vorstehend erwähnten Formeln (A) oder (B) die
Verbindungen hoher Ordnung,
d. h. die Verbindungen, deren Ordnungszahl n oder m größer
als die Ordnungszahl n oder m der Verbindung der minimalen Ordnung
ist, in einer Menge
von mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung
der minimalen Ordnung bezogen, enthalten sind, während
das auf die Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formeln (A) und (B) bezogene Verhältnis
der Strömungsmenge des O₂-Gases
so reguliert wird, daß es 8 Vol.-% oder weniger beträgt.
Der Bewertungsmaßstab in Tabelle 23 ist der gleiche wie
in Tabelle 5.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch
die in Tabelle 24 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugungsverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
23 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 23, wobei jedoch
die Ar-Gas enthaltende Bombe 213 durch eine Bombe ersetzt
wurde, die Ar-Gas enthielt, in dem 0,3 Vol.-% C₂H₄ enthalten
waren [nachstehend als "C₂H₄(0,3)/Ar" bezeichnet],
die C₂H₄-Gas enthaltende Bombe 212 durch eine Si₂H₆-Gas
enthaltende Bombe ersetzt wurde und die B₂H₆ (10)/Si₂H₆-
Gas enthaltende Bombe 209 durch eine B₂H₆ (100)/Si₂H₆-
Gas enthaltende Bombe ersetzt wurde und die eingesetzten
Gase und die relativen Werte der Strömungsmengen in der
in Tabelle 25 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet. Als unter Anwendung der
auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
in ähnlicher Weise wie in Beispiel 23 Tonerbilder erzeugt
wurden, wurden im Fall der Probe A24 bei der Kombination
einer mit -5,5 kV durchgeführten Koronaladung mit einer
im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen Belichtung
mit einem positiv geladenen Toner bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B24 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mti einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
23 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 23, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
26 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der
Formeln (A) und (B) die
Verbindungen hoher Ordnung, d. h. die Verbindungen,
deren Ordnungszahl n oder m größer als die Ordnungszahl
n oder m der Verbindung der minimalen Ordnung
ist, in einer Menge
von mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung
der minimalen Ordnung bezogen, enthalten sind, während
das auf die Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formeln (A) und (B) bezogene Verhältnis
der Strömungsmenge der Gase CH₄, C₂H₄ und C₃H₈ jeweils
so reguliert wird, daß es 15 Vol.-% oder weniger beträgt.
Der Bewertungsmaßstab in Tabelle 26 ist der gleiche wie
in Tabelle 5.
Ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
wurde nach dem gleichen Verfahren und unter den gleichen
Bedingungen wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei jedoch
die in Tabelle 27 gezeigten Bedingungen eingehalten wurden.
Das auf diese Weise hergestellte
elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial wurde einem ähnlichen
Bilderzeugungsverfahren wie in Beispiel 1 unterzogen,
und auf einem Bildempfangspapier wurde ein Tonerbild
erzeugt, wobei ein sehr klares Bild erhalten wurde.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
26 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 26, wobei jedoch
die Ar-Gas enthaltende Bombe 213 durch eine Bombe ersetzt
wurde, die Ar-Gas enthielt, in dem 0,4 Vol.-% N₂ enthalten
waren. [nachstehend als "N₂(0,4/Ar" bezeichnet],
die N₂-Gas enthaltende Bombe 212 durch eine Bombe ersetzt
wurde, die Si₂H₆-Gas enthielt, und die B₂H₆(10)/Si₂H₆-Gas
enthaltende Bombe 209 durch eine B₂H₆(100)/Si₂H₆-Gas
enthaltende Bombe ersetzt wurde und die eingesetzten
Gase und die relativen Werte der Strömungsmengen in der
in Tabelle 28 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet. Als unter Anwendung der
auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
in ähnlicher Weise wie in Beispiel 26 Tonerbilder erzeugt
wurden, wurden im Fall der Probe A27 bei der Kombination
einer mit -5,5 kV durchgeführten Koronaladung mit einer
im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen Belichtung
mit einem positiv geladenen Toner bessere Bilder erhalten.
Im Gegensatz dazu wurden im Fall der Probe B27 bei der
Kombination einer mit + 6,0 kV durchgeführten Koronaladung
mit einer im Anschluß daran durchgeführten, bildmäßigen
Belichtung mit einem negativ geladenen Toner
bessere Tonerbilder erhalten.
Auf Trägern aus Molybdän wurden nach dem gleichen Verfahren
und unter den gleichen Bedingungen wie in Beispiel
26 Zwischenschichten gebildet. Dann wurden auf den
Zwischenschichten nach dem gleichen Verfahren und unter
den gleichen Bedingungen wie in Beispiel 26, wobei jedoch
die eingesetzten Gase (unter Anwendung einer erhöhten
Anzahl von Bomben in Fig. 2, falls notwendig) und die
relativen Werte der Strömungsmengen in der in Tabelle
29 gezeigten Weise abgeändert wurden, fotoleitfähige
Schichten gebildet.
Die auf diese Weise hergestellten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien
wurden in bezug auf die Produktivität (Abscheidungsgeschwindigkeit)
und die Eigenschaften (Bildqualität bei
hohen Temperaturen und hoher Feuchtigkeit und Wiederholbarkeit)
untersucht. Aus den Untersuchungsergebnissen
ging hervor, daß es zur Lösung der Aufgabe der Erfindung
erforderlich ist, eine fotoleitfähige Schicht unter Anwendung
einer Mischung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
zu bilden, in der von den Verbindungen der
vorstehend erwähnten Formeln (A) und (B) die
Verbindungen hoher Ordnung,
d. h. die Verbindungen, deren Ordnungszahl n oder m größer
als die Ordnungszahl n oder m der Verbindung der minimalen Ordnung
ist, in einer Menge
von mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der Verbindung
der minimalen Ordnung bezogen, enthalten sind, während
das auf die Gesamt-Strömungsmenge der gasförmigen Ausgangssubstanzen
der Formeln (A) und (B) bezogene Verhältnis
der Strömungsmenge des N₂- oder NH₃-Gases
so reguliert wird, daß es 50 Vol.-% oder weniger beträgt.
Der Bewertungsmaßstab in Tabelle 29 ist der gleiche wie
in Tabelle 5.
Claims (20)
1. Verfahren zur Herstellung eines elektrofotografischen
Aufzeichnungsmaterials, bei dem auf einem Träger für die
Bildung einer fotoleitfähigen Schicht dadurch eine fotoleitfähige
Schicht gebildet wird, daß Ausgangssubstanzen für die
Bildung einer fotoleitfähigen Schicht im gasförmigen Zustand
in eine unter einem gewünschten verminderten Druck gehaltene
Abscheidungskammer eingeleitet werden und in der Gasatmosphäre
der Ausgangssubstanzen eine Entladung angeregt wird, dadurch
gekennzeichnet, daß die Ausgangssubstanzen aus mindestens
einer aus einer ersten Gruppe ausgewählten Substanz
und mindestens zwei aus einer zweiten Gruppe ausgewählten
Verbindungen bestehen, wobei die erste Gruppe aus Substanzen,
die Sauerstoffatome enthalten, Substanzen, die Stickstoffatome
enthalten, und Substanzen, die Kohlenstoffatome
enthalten, besteht und die zweite Gruppe aus den Verbindungen
der Formel (A):
Si n H2n + 2 (A)worin n eine positive ganze Zahl ist, und den Verbindungen
der Formel (B):Si m H l X k (B)worin m und k positive ganze Zahlen sind, l 0 oder eine positive
ganze Zahl ist, l + k = 2m + 2 und X ein Halogenatom
bedeutet, wobei n und m nachstehend als "Ordnungszahlen" bezeichnet
werden, besteht, und daß die Mengen der in die Abscheidungskammer
einzuleitenden mindestens zwei Verbindungen,
die aus der zweiten Gruppe ausgewählt werden, so gesteuert
werden, daß der Anteil der gesamten Verbindungen hoher
Ordnung mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen der gesamten
Verbindungen der minimalen Ordnung bezogen, beträgt, wobei
unter einer Verbindung der minimalen Ordnung eine Verbindung
zu verstehen ist, deren Ordnungszahl die kleinste
der Ordnungszahlen der mindestens zwei Verbindungen ist, und
wobei unter einer Verbindung hoher Ordnung eine Verbindung
zu verstehen ist, deren Ordnungszahl höher ist als die Ordnungszahl
der Verbindung der minimalen Ordnung.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungen der Formel (A) aus der aus SiH₄, Si₂H₆,
Si₃H₈, Si₄H₁₀, Si₅H₁₂, Si₆H₁₄, Si₇H₁₆ und Si₈H₁₈ bestehenden
Gruppe ausgewählt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindungen der Formel (B) aus der aus SiX₄, Si₂X₆,
Si₃X₈, SiHX₃, SiH₂X₂ und SiH₃X (worin X F, Cl, Br oder J ist)
bestehenden Gruppe ausgewählt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verbindung hoher Ordnung mit einer höheren Ordnungszahl
m mindestens eine aus der aus Si₂H₆, Si₃H₈, Si₄H₁₀, Si₂F₆,
Si₂Cl₆ und Si₂Br₆ bestehenden Gruppe ausgewählte Verbindung
ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Ausgangssubstanzen außerdem eine zum Einbau eines den
Leitfähigkeitstyp der gebildeten fotoleitfähigen Schicht
steuernden Fremdstoffs dienende Ausgangssubstanz enthalten.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
der Fremdstoff ein Fremdstoff vom n-Typ ist.
7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
der Fremdstoff ein Fremdstoff vom p-Typ ist.
8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
der Fremdstoff mindestens ein aus PH₃, P₂H₄, PF₃, PF₅, PCl₃,
AsH₃, AsF₃, AsF₅, AsCl₃, SbH₃, SbF₃, SbF₅, BiH₃, BF₃, BCl₃,
BBr₃, B₂H₆, B₄H₁₀, B₅H₉, B₅H₁₁, B₆H₁₀, B₆H₁₂ und AlCl₃ ausgewählter
Fremdstoff ist.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Ausgangssubstanzen mindestens zwei Verbindungen der Formel
(A) enthalten.
10. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Ausgangssubstanzen mindestens zwei Verbindungen der Formel
(B) enthalten.
11. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Ausgangssubstanzen mindestens zwei Verbindungen der Formel
(A) und mindestens eine Verbindung der Formel (B) enthalten.
12. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Ausgangssubstanzen mindestens eine Verbindung der Formel
(A) und mindestens zwei Verbindungen der Formel (B) enthalten.
13. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die erste Gruppe von Substanzen aus O₂, O₃, H₃SiOSiH₃,
H₃SiOSiH₂OSiH₃, N₂, NH₃, H₂NNH₂, HN₃, NH₄N₃, F₃N, F₄N₂, NO,
NO₂, N₂O, N₂O₃, N₂O₄, N₂O₅ und NO₃, CO, CO₂, gesättigten Kohlenwasserstoffen,
ethylenischen Kohlenwasserstoffen, acetylenischen
Kohlenwasserstoffen, Alkylsilanen, halogensubstituierten
paraffinischen Kohlenwasserstoffen und halogenhaltigen
Alkylsilanen besteht.
14. Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial mit einem
Träger und einer auf dem Träger ausgebildeten fotoleitfähigen
Schicht, die amorphes Silicium enthält, das durch Zersetzung
bzw. Spaltung von gasförmigen Ausgangssubstanzen
mittels Entladung gebildet worden ist, dadurch gekennzeichnet,
daß die gasförmigen Ausgangssubstanzen mindestens eine
aus einer ersten Gruppe ausgewählte Substanz und mindestens
zwei aus einer zweiten Gruppe ausgewählte Verbindungen enthalten,
wobei die erste Gruppe aus Substanzen, die Sauerstoffatome
enthalten, Substanzen, die Stickstoffatome enthalten,
und Substanzen, die Kohlenstoffatome enthalten, besteht
und die zweite Gruppe aus den Verbindungen der Formel
(A):
Si n H2n+2 (A)worin n eine positive ganze Zahl ist, und den Verbindungen
der Formel (B):Si m H l X k (B)worin m und k positive ganze Zahlen sind, l 0 oder eine positive
ganze Zahl ist, l + k = 2m + 2 und X ein Halogenatom
bedeutet, wobei n und m nachstehend als "Ordnungszahlen" bezeichnet
werden, besteht, und daß die Mengen der mindestens
zwei Verbindungen, die aus der zweiten Gruppe ausgewählt
werden, so gesteuert werden, daß der Anteil der gesamten
Verbindungen hoher Ordnung mindestens 1 Vol.-%, auf das Volumen
der gesamten Verbindungen der minimalen Ordnung bezogen,
beträgt, wobei unter einer Verbindung der minimalen
Ordnung eine Verbindung zu verstehen ist, deren Ordnungszahl
die kleinste der Ordnungszahlen der mindestens zwei
Verbindungen ist, und wobei unter einer Verbindung hoher
Ordnung eine Verbindung zu verstehen ist, deren Ordnungszahl
höher ist als die Ordnungszahl der Verbindung der minimalen
Ordnung.
15. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen dem Träger und der fotoleitfähigen
Schicht außerdem eine Zwischenschicht ausgebildet ist.
16. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zwischenschicht eine Sperrschicht ist.
17. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die Zwischenschicht eine Dicke von 3,0 nm bis
2 µm hat.
18. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die fotoleitfähige Schicht Wasserstoffatome in
einer Menge von 1 bis 40 Atom-% enthält.
19. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die fotoleitfähige Schicht Halogenatome in einer
Menge von 1 bis 40 Atom-% enthält.
20. Aufzeichnungsmaterial nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet,
daß die fotoleitfähige Schicht Wasserstoffatome
und Halogenatome in einer Gesamtmenge von 1 bis 40 Atom-%
enthält.
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56036267A JPS57149466A (en) | 1981-03-12 | 1981-03-12 | Production of photoconductive member |
| JP56037441A JPS57152463A (en) | 1981-03-16 | 1981-03-16 | Manufacture of photoconductive member |
| JP56037442A JPS57152464A (en) | 1981-03-16 | 1981-03-16 | Manufacture of photoconductive member |
| JP56060154A JPS57174449A (en) | 1981-04-21 | 1981-04-21 | Production of photoconductive member |
| JP56060157A JPS57174454A (en) | 1981-04-21 | 1981-04-21 | Production of photoconductive member |
| JP56060153A JPS57174448A (en) | 1981-04-21 | 1981-04-21 | Production of photoconductive member |
| JP56060158A JPS57174452A (en) | 1981-04-21 | 1981-04-21 | Production of photoconductive member |
| JP56060155A JPS57174450A (en) | 1981-04-21 | 1981-04-21 | Production of photoconductive member |
| JP56060156A JPS6050871B2 (ja) | 1981-04-21 | 1981-04-21 | 光導電部材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE3209055A1 DE3209055A1 (de) | 1982-10-21 |
| DE3209055C2 true DE3209055C2 (de) | 1988-02-11 |
Family
ID=27576896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19823209055 Granted DE3209055A1 (de) | 1981-03-12 | 1982-03-12 | Verfahren zur herstellung eines fotoleitfaehigen elements |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4468443A (de) |
| DE (1) | DE3209055A1 (de) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59111152A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-27 | Sharp Corp | 電子写真用感光体 |
| JPS59200248A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Canon Inc | 像形成部材の製造法 |
| DE3429899A1 (de) * | 1983-08-16 | 1985-03-07 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms |
| JPS60243663A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
| US4759947A (en) * | 1984-10-08 | 1988-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound |
| US4849315A (en) * | 1985-01-21 | 1989-07-18 | Xerox Corporation | Processes for restoring hydrogenated and halogenated amorphous silicon imaging members |
| US4726963A (en) * | 1985-02-19 | 1988-02-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US4778692A (en) * | 1985-02-20 | 1988-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| US5244698A (en) * | 1985-02-21 | 1993-09-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
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| US4853251A (en) * | 1985-02-22 | 1989-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film including carbon as a constituent element |
| US4801468A (en) * | 1985-02-25 | 1989-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming deposited film |
| JP2537175B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1996-09-25 | キヤノン株式会社 | 機能性堆積膜の製造装置 |
| US4777103A (en) * | 1985-10-30 | 1988-10-11 | Fujitsu Limited | Electrophotographic multi-layered photosensitive member having a top protective layer of hydrogenated amorphous silicon carbide and method for fabricating the same |
| JPH0647727B2 (ja) * | 1985-12-24 | 1994-06-22 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| JPH084071B2 (ja) * | 1985-12-28 | 1996-01-17 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成法 |
| US5030536A (en) * | 1989-12-26 | 1991-07-09 | Xerox Corporation | Processes for restoring amorphous silicon imaging members |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4317844A (en) * | 1975-07-28 | 1982-03-02 | Rca Corporation | Semiconductor device having a body of amorphous silicon and method of making the same |
| US4328258A (en) * | 1977-12-05 | 1982-05-04 | Plasma Physics Corp. | Method of forming semiconducting materials and barriers |
| US4265991A (en) * | 1977-12-22 | 1981-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
| US4217374A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
| JPS574053A (en) * | 1980-06-09 | 1982-01-09 | Canon Inc | Photoconductive member |
-
1982
- 1982-03-04 US US06/354,898 patent/US4468443A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-03-12 DE DE19823209055 patent/DE3209055A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4468443A (en) | 1984-08-28 |
| DE3209055A1 (de) | 1982-10-21 |
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| DE3200376C2 (de) | ||
| DE3346891C2 (de) | ||
| DE3204004C2 (de) | ||
| DE3440336C2 (de) | ||
| DE3309627C2 (de) | ||
| DE3309219C2 (de) | ||
| DE3308165C2 (de) | ||
| DE3412267C2 (de) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition |