JPS6031250A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS6031250A
JPS6031250A JP58140861A JP14086183A JPS6031250A JP S6031250 A JPS6031250 A JP S6031250A JP 58140861 A JP58140861 A JP 58140861A JP 14086183 A JP14086183 A JP 14086183A JP S6031250 A JPS6031250 A JP S6031250A
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JP
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resin
pellet
semiconductor device
wire
sealed semiconductor
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JP58140861A
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Junichi Nakao
中尾　淳一
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂封止型半導体装置に関するものである。
〔発明の技術的背景〕
例えば第１図に示すような樹脂封止型半導体装置は広く
使用されておシその構造は第２図の断面図に示すような
ものが一般的である。すなわちリードフレーム１３の素
子基台部１３ａ上に、半田１２等によって半導体ペレッ
ト１１をマウントし、この半導体ペレット１１の所定の
部位から上記リードフレーム１３の所定のリードに渡っ
てボンディングワイヤ１４を架設する。
そして、ペレットの保護のためのエンキャップ剤１５に
よシエンキャッデを施し、これらのエノキヤツデされた
半導体装レット１１およびボンディングワイヤ１４およ
びリードフレーム１３のインナーリード部’ｒ鼻蕪１６
で示すようにエポキシ系樹脂からなるモールド樹脂によ
って樹脂封止する。尚ここでは、素子基台部１３ａが放
熱板を兼ねているものを示し、第１図と第２図の対応す
る部分には同一符号を付しである□〔背景技術の問題点
〕 ところで、従来の上記のような装置では、ＰＣＴ（Ｐｒ
ｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｏｋｅｒ　Ｔｅ５ｔ）すなわち、例
えば周囲温度１００℃、２気圧、相対湿度１００チ、１
００時間の栄件の環境試験を行った場合に多数の不良が
出ていた。
この試験を行った場合、第２図の第１ボンディング部Ａ
１ボンディングワイヤ１４、第２？ンデイング部Ｂの部
位に腐蝕による不良が集中□してみられる。
これは、リードフレーム１３と樹脂封止部分（第２の樹
脂１６）との界面よシ装置内部に水分が浸入しボンディ
ングワイヤ１４や第２ボンディング部がエンキャップさ
れていないこともあって、主にアルミニウムからなるボ
ンデインクワイヤ１４および半導体被レット１１のアル
ミニウム系金属からなるビンディングパッド部分（第１
ビンディング部Ａ）を俊敏し、ゾンデ（ングヮイヤ１４
の断線や第１および第２ボンデイング部Ａ、Ｈの接続不
良を生じせしめるからである。
〔発明の目的〕
本発明は上記のような点に鑑みなされたもので、耐湿性
の著しく改善された信頼性の高い樹脂封止型半導体装置
を提供しようとするものである。
〔発明の概要〕
すなわち本発明に係る樹脂封止型半導体装置では、リー
ド素子基台部上に配設された半導体ペレットトカンディ
ングワイヤおよびボンディングワイヤのベレットおよび
リードとの接続部を被覆するようにアルミニウム系金属
との密着性の高い例えばフェス系樹脂等からなる第１の
樹脂部を設け、上記半導体４レツトおよびボンディング
ワイヤおよびリードのインナーリード部とを所定のモー
ルド樹脂からなる第２の樹脂で樹脂封止するようにした
ものである。
〔発明の実施例〕
以下図面を参照してこの発明の一実施例につき説明する
。
第３図においてｂ　’）　ｐフレーム１３の素子基台部
Ｉ　Ｊ　ａ十に半田１２等を用いて所定の半導体ぜレッ
ト１ノを配設した後、アルミニウム細線からなるビンデ
ィングワイヤ１４を用いて、半導体ベレットのアルミ；
ラム系金属からなるビンディングパッド部分とリードフ
レーム１３の所定のものとを接続する。
続いて第３図に断面図的に示すように半導体ペレット１
ノと、ボンディングワイヤ１４と、ビンディングワイヤ
１４のペレット１ノとの接続部およびリードフレーム１
３との接続部とに、フェス系樹脂を塗布し、乾燥させ上
記部位を被覆する第１の樹脂部２０を形成する・ 次いで、この８＠１の樹脂部２０で覆われた部分を囲む
ように通常のエポキシ系樹脂を用いた樹脂封止全行い、
第２の樹脂部２ノを形成する。
尚、第３図に示す実施例では、素子基台部１　、”ｊ　
ａが半導体装置の放熱板を兼ねるものであるため、図の
ように、素子基台部１３ｈの裏面が露出するように樹脂
封止する。
〔発明の効果〕
次に示す表１Ｋ、第３図に示す本発明による樹脂封止型
半導体装置と第２図に示した従来の樹脂封止型半導体装
置のＰＣＴの結果すなわち不良発生率を示す。
〈表１〉 この図の示すように従来の装置では、３００時間のＰＣ
Ｔによシ全ての試料に不良が見られるが本発明によるも
のでは４（）０時間のｐＣＴ　’ｅ行っても全く不良が
発生せず、耐環境性、信頼性が飛曜的に向上したもので
あることが明らかでおる。
また、上記第１の樹脂部はフェス系樹脂等全塗布し乾燥
させるだけで形成できるため、製造工程の煩雑化を招く
恐れもない。
以上のように本発明によれば、耐湿性の優れた信頼性の
高い樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
尚、上記実施例では素子基台部が放熱板を兼ねるような
装置につき述べたが、本発明はこのような装置の他に例
えばデュアルインライン型の樹脂封止型半導体装置にも
適用できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂封止型半導体装置の一例を示す外観図、第
２図は従来の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図、第
３図は本発明の一実施例に係る樹脂封止型半導体装置の
構造を示す図である。 １ノ・・・半導体ベレット、１２・・・半田、１３・・
・リードフレーム、１３ａ・・・素子基台部、１４・・
・ボンディングワイヤ、２０・・・第１の樹脂部、２１
・・・第２の樹脂部。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　素子基台部上有するリードと、上記素子基台部
    上にマウントされた半２、テ体ペレットと、この半導体
    ペレットの所定の部位と上記リードの所定のものとを電
    気的接続するビンディングワイヤと、少なくとも上記半
    導体ペレット上面から上記ボンディングワイヤを経てこ
    のビンディングワイヤとリードとの接続部に渡る部位全
    被覆する第１の樹脂部と、この第１の樹脂部を覆って半
    導体ペレットおよびビンディングワイヤおよびリードの
    一部を樹脂封止する第２の樹脂部とを具ｍすることを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. （２）上記第１の樹脂部がフェス系樹脂であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体
    装置。
JP58140861A 1983-08-01 1983-08-01 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS6031250A (ja)

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